基于ABAQUS的AlN絕緣涂層磨損機理仿真研究 
本文采用Archard磨損模型與Johnson-Holmquist陶瓷損傷模型，基于ABAQUS構建了有限元模型來模擬氮化鋁涂層的摩擦磨損。通過摩擦磨損實驗數(shù)據(jù)對模型進行修正，結合仿真與實驗結果分析了氮化鋁涂層的磨損去除機理，對以后的研究和生產(chǎn)應用具有重要意義，對絕緣軸承技術的發(fā)展具有促進作用。
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CAEer吳皓 ??? 2年前
熱障涂層/環(huán)境障涂層/斷裂仿真模擬...長期跟學收徒
收徒 
<p>個人長期從事功能涂層/防護涂層設計及失效分析研究，在斷裂仿真方面累積十多年經(jīng)驗，在熱障涂層和環(huán)境障涂層方向研究上取得了很多成果，大家可以參考上兩個帖子，對于材料斷裂仿真、失效機理分析、新結構設計等方面具有獨特見解，在模型調(diào)試、分析技巧、收斂性輔助等方面有很多經(jīng)驗可以教學分享，長期收徒，長期教學，如有想短期內(nèi)提高斷裂分析技術或長期跟學探討學習的，可以加站內(nèi)私信我或者加V?，<span style
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沉澱 ??? 2月前
光學仿真干貨丨Lumerical納米線柵偏振器仿真應用 
分析3：斜入射 本分析將研究涉及用非正入射光照射納米線柵偏振器，在45度入射角下仿真具有50%占空比結構（550nm波長，140nm光柵常數(shù)）的透射率，并生成場振幅和相位圖。
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w**elab86_Swsp ??? 3年前
涂層工藝數(shù)值仿真 
</p><p> 本案例通過非牛頓流體模型來模擬涂布液體，基于兩相流方法實現(xiàn)了涂層工藝的仿真過程，模擬結果如圖所示：</p><p><img src="https://img.jishulink.com/upload/202301/87519f9d661d4f3c9d177bd77938184c.gif" alt="Untitled11.gif"></p><p class
2019
C乘風破浪 ??? 3年前
Ansys Lumerical | 納米線柵偏振器仿真應用 
分析3：斜入射 本分析將研究涉及用非正入射光照射納米線柵偏振器，在45度入射角下仿真具有50%占空比結構（550nm波長，140nm光柵常數(shù)）的透射率，并生成場振幅和相位圖。
2004
宇熠科技 ??? 3年前
12，comsol仿真三種情況下的納米顆粒 
參考文獻是 南京大學 碩士畢業(yè)論文《金屬納米顆粒有序陣列中Fano共振的產(chǎn)生條件》-靳悅榮。本文不討論fano共振，僅僅介紹文中涉及到的三種情況下的納米顆粒，這三種情況幾乎囊括了大部分關于納米顆粒的仿真情況。情況一：有限數(shù)目的納米顆粒處于無限大的均勻介質(zhì)中。比如納米顆粒位于無限大的水中，或者無限大的空氣中。
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周唯 ??? 4年前
基于Lumerical fdtd的異型納米空心球散射光場仿真 
在散射光場模擬環(huán)節(jié)，其呈現(xiàn)效果與預期幾近一致，直觀展現(xiàn)出光與納米結構相互作用的細節(jié)。散射效率曲線繪制結果表明，不同球殼半徑在各異波長下呈現(xiàn)出穩(wěn)定的差異規(guī)律。此項設計為納米光學研究、微納器件制備等領域提供了有力支撐，極具應用潛力。 結構設計納米球的外形輪廓如下圖左所示，預計產(chǎn)生的光場散射效果如右圖所示。
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320科技工作室 ??? 3月前
[光學工程] JCMsuite納米光學仿真分析軟件 ![[光學工程] JCMsuite納米光學仿真分析軟件](https://mmbiz.qpic.cn/mmbiz_png/UmPhu7yOPC6ibfLyibSg9f6xR55O0UMrjHbVklDskFkh64a33fgEorex5bbDE5nNKJVCpGEto2suY3Db13CdmPcA/640?wx_fmt=png)
JCMsuite是一款來自德國JCMwave公司、最適于復雜納米光學系統(tǒng)的仿真和設計軟件。它利用最先進的技術，為光學、連續(xù)介質(zhì)力學和熱傳導問題提供快速準確的數(shù)值求解。它提供易用的腳本環(huán)境、可集成分析工具（如MATLAB、Python等）、機器學習優(yōu)化技術等功能?！盝CMsuite是一款功能強大且靈活的仿真計算軟件，最適于復雜納米光學系統(tǒng)的仿真和設計。
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追光ing ??? 1年前
OptiFDTD應用：用于光纖入波導耦合的硅納米錐仿真 
[1]耦合器由高折射率比材料組成，是基于具有納米尺寸尖端的短錐形。[2]錐形耦合器實際上是光纖和亞微米波導之間的緊湊模式轉換器。[2]錐形耦合器可以是線性[1]或拋物線性[2]過渡。選擇Silicon-on-insulator（SOI）技術作為納米錐和波導的平臺，因為它提供高折射率比，包括二氧化硅層作為光學緩沖器，并允許與集成電子電路兼容。
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追光ing ??? 1年前
OptiFDTD應用：用于光纖入波導耦合的硅納米錐仿真 
[1]耦合器由高折射率比材料組成，是基于具有納米尺寸尖端的短錐形。[2]錐形耦合器實際上是光纖和亞微米波導之間的緊湊模式轉換器。[2]錐形耦合器可以是線性[1]或拋物線性[2]過渡。選擇Silicon-on-insulator（SOI）技術作為納米錐和波導的平臺，因為它提供高折射率比，包括二氧化硅層作為光學緩沖器，并允許與集成電子電路兼容。
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追光ing ??? 1年前
Abaqus納米壓痕仿真該怎么做?
我根據(jù)網(wǎng)上的視頻教程建立了二維納米壓痕模型，壓頭設定為剛體，材料賦予其屬性，得到了載荷位移曲線。 可是根據(jù)仿真得到載荷位移曲線反推材料屬性的過程中，計算得出的材料的彈性模量，屈服應力，和硬化指數(shù)都有很大的偏差，請各位幫幫忙，給一點意見。 如果根據(jù)網(wǎng)上視頻建立的模型沒問題的話，想知道如何在已知彈性模量，泊松比，屈服強度，硬化指數(shù)的情況下，對材料的屬性進行輸入（冪率模型）? 謝謝各位大佬
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不是夜貓子 ??? 2年前
Comsol波動光學模塊仿真納米粒子吸收光譜兩次結果差異較大？
同樣的粒子模型和仿真參數(shù)，兩次實驗都成功求解，峰型是對的，但是輸出結果的光譜位置差了幾十納米，自己檢查兩個文件的設置沒發(fā)現(xiàn)不同，重復了一下結果一樣。 想問一下可能是哪方面參數(shù)變化導致這樣的結果呢，剛開始學習，想知道是不是其中一個文件自己沒注意設置出錯了，謝謝！
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用戶_37576 ??? 2年前
刀具涂層切削仿真-領航科工abaqus 
刀具涂層切削仿真-領航科工abaqus
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領航科工-專業(yè)切削仿真 ??? 5年前
基于GROMACS的納米水滴蒸發(fā)分子模擬 
圖4 最大的簇所含分子數(shù)隨時間的變化四、納米水滴蒸發(fā)的模擬應用 納米材料的制備與應用：納米水滴的蒸發(fā)過程在納米材料的制備中起著關鍵作用。例如，納米粒子在液滴蒸發(fā)過程中凝聚，可以形成薄膜或納米結構。因此，研究納米水滴的蒸發(fā)行為對于設計和控制納米粒子的合成過程至關重要。 涂層技術與微納尺度設備：納米水滴蒸發(fā)在涂層技術中具有廣泛的應用，尤其是在液滴印刷技術、表面涂層等領域。
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320科技工作室 ??? 12月前
OptiFDTD應用：用于光纖入波導耦合的硅納米錐仿真 
[1] 耦合器由高折射率比材料組成，是基于具有納米尺寸尖端的短錐形。[2] 錐形耦合器實際上是光纖和亞微米波導之間的緊湊模式轉換器。[2] 錐形耦合器可以是線性[1]或拋物線性[2]過渡。 選擇Silicon-on-insulator（SOI）技術作為納米錐和波導的平臺，因為它提供高折射率比，包括二氧化硅層作為光學緩沖器，并允許與集成電子電路兼容。
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張藝凡 ??? 2年前
OptiFDTD應用：用于光纖入波導耦合的硅納米錐仿真 
[1]耦合器由高折射率比材料組成，是基于具有納米尺寸尖端的短錐形。[2]錐形耦合器實際上是光纖和亞微米波導之間的緊湊模式轉換器。[2]錐形耦合器可以是線性[1]或拋物線性[2]過渡。選擇Silicon-on-insulator（SOI）技術作為納米錐和波導的平臺，因為它提供高折射率比，包括二氧化硅層作為光學緩沖器，并允許與集成電子電路兼容。
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張藝凡 ??? 2年前
OptiFDTD應用：用于光纖入波導耦合的硅納米錐仿真 
[1] 耦合器由高折射率比材料組成，是基于具有納米尺寸尖端的短錐形。[2] 錐形耦合器實際上是光纖和亞微米波導之間的緊湊模式轉換器。[2] 錐形耦合器可以是線性[1]或拋物線性[2]過渡。 選擇Silicon-on-insulator（SOI）技術作為納米錐和波導的平臺，因為它提供高折射率比，包括二氧化硅層作為光學緩沖器，并允許與集成電子電路兼容。
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張藝凡 ??? 2年前
8，comsol仿真納米顆粒受到的光力 
模型如下 在真空中有一個銀納米棒，有平面光從上往下照射，研究納米棒受到的光力。下圖是論文圖VS我的仿真結果。
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周唯 ??? 4年前
用于熱管理的分層導熱聚合物納米復合材料 
02 成果掠影近期，布法羅大學Shenqiang Ren研究團隊提出了分層導熱納米復合材料，由納米結構陶瓷共形涂層和混合排列的超高分子量聚乙烯纖維組成，可定制電導體的散熱?；旌吓帕械臒峤缑婢哂蟹浅＠硐氲母飨虍愋愿邔嵯禂?shù)，可達0.98W/mK，介電強度為3.4。此外，電隔熱界面在動態(tài)負載條件下表現(xiàn)出高性能和可靠的電氣系統(tǒng)。
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熱管理博覽會 ??? 2年前
鋰離子電池制造工藝仿真技術進展
Lu等［23］則通過對X光衰減程度不同的NMC和CBD進行單獨掃描，構建了包括納米級孔隙分布的三維電極結構，如圖2（b）所示，進一步對孔隙分布進行了補充研究。圖2 輥壓工藝前后電極的三維結構重構（a）和納米級別下電極三維結構重構（b）1.2 基于FIB-SEM的電極微觀結構表征技術FIB-SEM技術是一種高精度分辨破壞性成像技術［26］。
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駕駛哥 ??? 2年前
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