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《碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈深度解析》-樂晴智庫精選3.《第三代半導(dǎo)體碳化硅行業(yè)深度研究報告》-中信建投證券

借助高壓IGBT方案，比亞迪將e平臺旗下車型的電壓提升至了600V以上，唐更是達(dá)到了700V。 在漢EV上，已經(jīng)配備了比亞迪自研的SiC功率器件。所以對于比亞迪來說，接下來推出800V甚至1000V平臺的車型也只是水到渠成的事情。

碳化硅據(jù)上海汽車報報道，碳化硅用在車用逆變器上，在相同功率等級下，全碳化硅模塊的封裝尺寸顯著小于硅模塊，同時也可以使開關(guān)損耗降低75％。在相同的封裝下，全碳化硅模塊具備更高的電流輸出能力，支持逆變器達(dá)到更高功率。對于車載充電器和快速充電樁，碳化硅半導(dǎo)體與傳統(tǒng)硅器件相比，在充電過程中減少了能量損失，也減少了所需電容和電感的數(shù)量。

永磁發(fā)電機(jī)難以從外部調(diào)節(jié)其輸出電壓和功率因數(shù)，永磁直流電動機(jī)不能再用改變勵磁的辦法來調(diào)節(jié)其轉(zhuǎn)速。這些使永磁電機(jī)的應(yīng)用范圍受到了限制。但是，隨著MOSFET、IGBT等電力電子器件和控制技術(shù)的迅猛發(fā)展，大多數(shù)永磁電機(jī)在應(yīng)用中，可以不必進(jìn)行磁場控制而只進(jìn)行電樞控制。設(shè)計時需要把稀土永磁材料、電力電子器件和微機(jī)控制三項新技術(shù)結(jié)合起來，使永磁電機(jī)在嶄新的工況下運(yùn)行。

靜態(tài)電荷周圍的電場用矢量場進(jìn)行描述。在每個點(diǎn)上，矢量的振幅描述了電場的強(qiáng)度，而其方向描述了電場的方向。根據(jù)慣例，電場強(qiáng)度的方向與正電荷的受力方向相同，而與負(fù)電荷的受力方向相反。因此，電場總是從正電荷流向負(fù)電荷。

在分立器件功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，李阜陽表示賽伍技術(shù)的IGBT晶圓用研磨膠帶也在某IDM工廠率先實(shí)現(xiàn)了國產(chǎn)化。此外，賽伍技術(shù)還是首家量產(chǎn)散熱銅片的國產(chǎn)廠商，為IGBT IPM功率模塊領(lǐng)域提供了重要支持。 在談及如何確保與客戶需求保持密切對接，賽伍技術(shù)采取了立體式的產(chǎn)品推廣策略，要求研發(fā)、銷售和市場部門之間保持高效高頻的溝通，以確保產(chǎn)品能夠滿足客戶的各種需求。

???曾祥浩 | 中車株洲電力機(jī)車研究所有限公司 仿真高級工程師作品名稱：基于多物理場仿真技術(shù)的高速動車用功率器件主端子連接結(jié)構(gòu)設(shè)計與評價作品簡介：為了提高高速動車服役環(huán)境下功率器件主端子連接結(jié)構(gòu)的服役可靠性，本文通過有限元分析對IGBT器件主端子結(jié)構(gòu)焊層的疲勞可靠性進(jìn)行研究，并且運(yùn)用不同的理論預(yù)測焊層疲勞壽命并通過功率循環(huán)試驗(yàn)進(jìn)行了驗(yàn)證

高解析度PSPI和高平坦度PSPI：從性能上進(jìn)行了優(yōu)化，助力客戶將應(yīng)用領(lǐng)域拓展到AR/VR領(lǐng)域。Micro-LED作為下一代的主流顯示技術(shù)，鼎龍也提前布局，研發(fā)了一款耐化鍍PSPI，以及一款高耐熱和高粘附力PSPI，目前已送樣驗(yàn)證。②半導(dǎo)體封裝用光刻膠受益于柔性顯示及先進(jìn)封裝發(fā)展，國產(chǎn)替代空間廣闊，國產(chǎn)化趨勢明顯，帶動公司產(chǎn)業(yè)化布局。