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我們看到 ASE 現在微弱到可以忽略不計，我們獲得了 346 mW 的信號輸出功率，而不是只有 290 mW。ASE 光譜（此處未顯示）僅在 1030 nm 附近顯示一些弱 ASE，而在 975 nm 附近則更少。975 nm 處的正凈增益僅出現在距離左側約 2 m 的光纖短區域中。 這些發現非常典型。

請注意，在半徑為 5 μm 的區域上使用 100 mW 的中等泵浦功率，我們已經得到 1.27 mW/μm2的泵浦強度，即超出圖表中軸范圍的值。我們看到我們很容易在光纖中獲得強泵浦飽和：大量的上層人口意味著相應減少的低層人口，從而減少了泵浦吸收。對于 Yb 3+離子，具有更高的吸收截面，尤其是在 975 nm 附近，泵浦飽和效應甚至更強。

89C51等），各高校及專業學校的培訓教材仍與MCS-51單片機作為代表進行理論基礎學習。