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光電耦合器的回應(yīng)速度極快，其回應(yīng)延遲時間只有10μs左右，適于對回應(yīng)速度要求很高的場合。 推薦兩款由工采網(wǎng)代理的來自臺灣美祿的光耦合器，首先是光耦 - MPH-314,MPH-314系列光耦合器非常適合驅(qū)動電源逆變器和用于電機(jī)控制的逆變器和MOSFET。它包含一個LED光學(xué)耦合到一個具有功率輸出級的集成電路。光耦合器在-40°C~+110°C的溫度范圍內(nèi)保證其工作參數(shù)。

光耦合器的主要優(yōu)點是：信號單向傳輸，輸入端與輸出端完全實現(xiàn)了電氣隔離隔離，輸出信號對輸入端無影響，抗干擾能力強(qiáng)，工作穩(wěn)定，無觸點，使用壽命長，傳輸效率高。眾所周知，光耦起到信號的隔離作用。

本期文章將介紹一種集成微透鏡輔助光柵耦合器（ML-VGC）的設(shè)計，以提高垂直入射條件下的耦合效率。利用熱回流工藝將微透鏡集成到一個標(biāo)準(zhǔn)的220nm的絕緣體上硅（SOI）光柵耦合器，這種集成方法在操縱垂直入射光的投射角方面提供了更大的靈活性，使其與底層光柵的最佳耦合角對準(zhǔn)，從而有效地提高器件的總體耦合效率（CE）。引言從光纖到硅器件的高效光耦合是硅光子學(xué)中的關(guān)鍵技術(shù)。

比利時Imec的衍生公司Micledi最近宣布成功推出了一款發(fā)出“法拉利紅”色光的AlInGaP Micro-LED芯片。在英國，劍橋大學(xué)的衍生初創(chuàng)公司Porotech開發(fā)了多孔GaN晶圓，他們將其稱為PoroGaN，并認(rèn)為這將是制造可發(fā)出各種顏色光Micro-LED芯片的基礎(chǔ)。另外，Porotech最近還與總部位于威爾士的化合物半導(dǎo)體晶圓供應(yīng)商IQE聯(lián)手開發(fā)晶圓產(chǎn)品。

目前，該團(tuán)隊開發(fā)出的效率最好的UVC LED器件是一個16 x 16陣列的Micro-LED，其所發(fā)出光波長為280 nm，在230mA電流驅(qū)動下可輸出80mW功率。

<p>本期文章將介紹一種集成微透鏡輔助光柵耦合器（ML-VGC）的設(shè)計，以提高垂直入射條件下的耦合效率^[1]。利用熱回流工藝將微透鏡集成到一個標(biāo)準(zhǔn)的220nm的絕緣體上硅（SOI）光柵耦合器，這種集成方法在操縱垂直入射光的投射角方面提供了更大的靈活性，使其與底層光柵的最佳耦合角對準(zhǔn)，從而有效地提高器件的總體耦合效率（CE）。

入射光此時并不能只耦合到輸出口中的一個了，而是兩個口均有光輸出。這與側(cè)壁保持垂直的情況有所不一樣。此時，光場分布也證實了這點。 （三）不同傾斜角的耦合效率為了進(jìn)一步考察側(cè)壁傾角對耦合效率的影響，小編把傾角改為40°、50°、60°、70°、80°和90°做比較，如下圖所示。

耦合光柵作為光束導(dǎo)入與導(dǎo)出波導(dǎo)的關(guān)鍵元件，其周期設(shè)為 500nm，占空比為 0.5，光柵深度為 200nm，通過優(yōu)化光柵參數(shù)實現(xiàn)光束與波導(dǎo)的高效耦合。此外，針對 AR - HUD 系統(tǒng)中的照明光源，選用高亮度、窄光譜的微型 LED 陣列，單顆 LED 的發(fā)光角度為 15°，中心波長為 520nm，輸出功率為 50mW，以滿足系統(tǒng)對亮度與色彩的需求。

未來改進(jìn)措施（如引入高耦合效率邊緣耦合器和模式轉(zhuǎn)換器）將進(jìn)一步降低PSW TFLNMZM的整體插入損耗。 圖 2 a) PSW橫截面尺寸示意圖，b) 模式轉(zhuǎn)換器示意圖，c) MMI示意圖。d) 調(diào)制效率與損耗的乘積與橫截面尺寸的關(guān)系。e) 模式轉(zhuǎn)換器的模擬Ez分量。f) MMI的模擬E分量。g) 模式轉(zhuǎn)換器與MMI的模擬插入損耗。

摘要：整體效率和圖像均勻性是增強(qiáng)現(xiàn)實顯示的重要評判標(biāo)準(zhǔn)。傳統(tǒng)的入射耦合光柵設(shè)計僅致力于提高一階衍射效率，卻未考慮光波導(dǎo)中衍射光的多次相互作用，因此存在不足。本研究中，為優(yōu)化耦合光柵設(shè)計，引入了入射耦合表面浮雕光柵的背耦合損耗（BCL），以及到達(dá)出射耦合光柵的光功率與入射光功率的比值（定義為波導(dǎo)光效率，OEW）。

在錐形繞射的情況下，入射光線不垂直於光柵，偏振特徵態(tài)定義如下:圖3.全像在Kogelnik的耦合波理論中，全像被認(rèn)為足夠厚，每條入射光線要不是直接以0階通過，不然就是1階繞射，對於反射和透射的全像都是如此。假設(shè)和限制Kogelnik的耦合波理論與其他理論相比具有優(yōu)勢，可以準(zhǔn)確預(yù)測體積相位光柵的零階和一階效率的響應(yīng)。

推薦一款來自臺灣美祿應(yīng)用在不間斷電源(UPS)中的光耦 - MPH341，MPH-341系列光耦合器非常適合驅(qū)動逆變器和用于電機(jī)控制逆變器和逆變器。它包含一個砷化鋁鎵LED光學(xué)耦合到一個具有功率輸出級的集成電路。3.0A峰值輸出電流能夠直接驅(qū)動最高額定值高達(dá)1200 V/200 A的大多數(shù)IGBT。對于具有較高額定值的IGBT，MPH-341系列可用于驅(qū)動驅(qū)動IGBT門的離散功率級。

摘要 ：整體效率和圖像均勻性是增強(qiáng)現(xiàn)實顯示的重要評判標(biāo)準(zhǔn)。傳統(tǒng)的入射耦合光柵設(shè)計僅致力于提高一階衍射效率，卻未考慮光波導(dǎo)中衍射光的多次相互作用，因此存在不足。本研究中，為優(yōu)化耦合光柵設(shè)計，引入了入射耦合表面浮雕光柵的背耦合損耗（BCL），以及到達(dá)出射耦合光柵的光功率與入射光功率的比值（定義為波導(dǎo)光效率，OEW）。

CINNO Research產(chǎn)業(yè)資訊，最近，有研究人員報告稱，僅使用單個氮化鋁（AlGaN）緩沖層將硅基綠色氮化銦鎵（InGaN）發(fā)光二極管（LED）的內(nèi)部量子效率（IQE）提高了78% [Ayu-Dai等人，Appl. Phys. Lett.，v125，p022102024]。

推薦兩款由工采網(wǎng)代理的來自臺灣美祿的光耦合器，首先是光耦 - MPH-314,MPH-314系列光耦合器非常適合驅(qū)動電源逆變器和用于電機(jī)控制的逆變器和MOSFET。它包含一個LED光學(xué)耦合到一個具有功率輸出級的集成電路。光耦合器在-40°C~+110°C的溫度范圍內(nèi)保證其工作參數(shù)。最后是光耦 - MPH-341,MPH-341系列光耦合器非常適合驅(qū)動逆變器和用于電機(jī)控制逆變器和逆變器。

為表征光學(xué)與靜態(tài)電光性能，我們制備了片上光柵耦合器，通過光纖將光耦合至器件。由于帶隙附近的群速度色散效應(yīng)，該器件的片上損耗具有波長依賴性。圖2器件表征與靜態(tài)電光性能。a)含波導(dǎo)與電極的器件光學(xué)顯微鏡照片。b)慢光波導(dǎo)與電極的掃描電子顯微鏡圖像。c)帶矩形空氣孔的慢光波導(dǎo)放大SEM照片。d)MZM的透射光譜。

另外，它應(yīng)該具有高的光學(xué)效率，以減少功率損耗及提高電池壽命。通過使用緊湊和高效的LED燈耦合到一個透明波導(dǎo)中，側(cè)入式LED屏幕完成了這一目標(biāo)。元件如背面反射、微結(jié)構(gòu)圖案、亮度增量膜和擴(kuò)散片可納入在顯示中，以提高效率和均勻性。在這個FRED模型中，側(cè)入式LED智能手機(jī)顯示上是一個虛擬原型。通過沿著波導(dǎo)加入漸變擴(kuò)散片，可以實現(xiàn)均勻照明。

因此，所有基于光波導(dǎo)的應(yīng)用中，將光耦合出或耦合入光波導(dǎo)是關(guān)注的問題。這些任務(wù)通常用衍射光柵實現(xiàn)，因為它們可以使用現(xiàn)代制造技術(shù)與光波導(dǎo)集成。在VirtualLab Fusion中，可以使用傅立葉模態(tài)法（FMM）嚴(yán)格計算耦合效率。例如，我們分析了幾個選定的傾斜光柵，模擬結(jié)果與文獻(xiàn)中的結(jié)果吻合地很好。

除了巨量轉(zhuǎn)移外，Micro-LED的低光學(xué)效率也是一個很大的問題。如前所述，Micro-LED的外量子效率EQE隨著尺寸的減小明顯降低。EQE指LED向外發(fā)射的光子數(shù)與注入PN結(jié)的載流子數(shù)之比。理論上，EQE越大，LED發(fā)光效率越高。從現(xiàn)在看來，解決Micro-LED的發(fā)光效率問題，將會是大規(guī)模生產(chǎn)這種屏幕的基礎(chǔ)。

光耦合器的主要優(yōu)點是：信號單向傳輸，輸入端與輸出端完全實現(xiàn)了電氣隔離隔離，輸出信號對輸入端無影響，抗干擾能力強(qiáng)，工作穩(wěn)定，無觸點，使用壽命長，傳輸效率高。光耦的作用:(1) 在邏輯電路上的應(yīng)用光電耦合器可以構(gòu)成各種邏輯電路，由于光電耦合器的抗干擾性能和隔離性能比晶體管好，因此，由它構(gòu)成的邏輯電路更可靠。