3D IC散熱分析 3D IC電熱耦合分析 考慮熱效應的芯片EM簽核分析 3D IC熱應力分析 Ansys是業界唯一一家可以提供針對高性能IC設計功耗、噪聲及可靠性仿真的多物理場仿真方案提供商高性能集成電路設計的挑戰,要求設計者的觀念從對芯片、封裝和電路板孤立地分析向更加系統化全面分析的多物理場(Multi-physics)解決方案轉變。
意法半導體汽車產品集團功率晶體管子集團項目管理辦公室主任 Giuseppe Arena 表示:“專用于 SiC 的設備的主要挑戰與晶圓處理有關,此外還有多個工藝要求。” “由于寬帶隙材料固有的化學物理特性,我們在制造流程中使用了一些新的設備和工藝。與通常用于硅基功率器件的工藝相比,高溫外延和離子注入工藝和熱處理尤其如此。”SiC 外延對于控制工藝過程中的晶體缺陷和保持產量尤為關鍵。