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只有原材料足夠便宜，產業規模才可能做大！目前用直拉法，72小時能生長出2-3米左右的硅單晶棒，一根單晶棒一次能切下上千片硅片。你知道72小時能長多少厚碳化硅單晶體嗎？只有幾厘米都不到！！！目前最快的碳化硅單晶生長的方法，生長速度在0.1mm/h-0.2mm/h左右，因此72小時也僅有7.2mm~14.4mm厚度的晶體。

但是不管再高精尖的產品，都需要做應用落地。目前第三代半導體材料的應用場景大家日常用的比較多的是手機快速充電技術，市面上有很多新型的充電器，可以在半小時內將手機的電充滿，之前充電要兩三個小時，這就好比乘飛機和汽車自駕去同個地方旅游的區別。今天，基于 GaN 器件的快充已在消費電子市場站穩腳跟，在更小的體積下，GaN 器件讓手機快充的效率達到了驚人的65W。

混凝土壓縮破裂仿真模擬，三種骨料（花崗巖，玄武巖，石灰巖）分別一個模型，模擬裂縫開展過程，應力應變曲線與實驗結果對應

大概是風機結構基礎地震響應方面

韓國零部件、設備廠商已經開始為XR零部件量產做準備。繼準備明年推出第一代XR設備后，蘋果還著手開發第二代產品。預計韓國合作生態系統有望實現大幅增長。韓國零部件、設備行業將今年第四季度實現量產作為目標，準備蘋果XR設備零部件，同時簽訂零部件生產、檢測設備等訂貨合同。考慮到零部件量產時間，預計明年年初蘋果XR設備將上市。作為首批產品，預計生產量不會太多。

同時，針對不同的應用而開發的產品，可以做一些特別的優化處理，從而提高硅器件在系統中的表現，進而提高系統性能和性價比。因此，第三代半導體的發展進程，必然是與硅器件相伴而行，在技術發展的同時，還有針對不同應用的大規模商業化價值因素的考量，期望第三代器件很快在所有應用場景中替代硅器件是不現實的。

根據張翼觀察，目前臺灣在第三代半導體領域，是「制造強，兩端弱」，做代工制造的公司很多，但有能力設計第三代半導體IC 設計的公司卻不多。高頻電路設計需要數學、物理、電磁波理論基礎，功率IC 設計需機電（機械、電子、電機）整合背景，設計人才非常稀有。另外，臺灣也需要突破基板制造的技術；例如，制造通訊IC 需要絕緣碳化硅基板，如果臺灣有能力自制基板，穩懋和宏捷科的發展會更為快速。

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中芯國際：調整產能分配，動態契合市場中芯國際表示：“客戶的需求出現了結構性的變化，公司從去年底開始已經及時將產能分配做了一些調整，將產能轉換做一些需求旺盛的領域以及一些增量市場。”

在國內純粹做外延片的有瀚天天成和東莞天域，均可供應4-6 英寸外延片，中電科13 所、55所都有內部供應的外延片生產部門。器件方面，意法半導體、安森美、英飛凌和羅姆都是重要供應商，華潤微的國內首條6寸商用SiC產線已經正式量產，三安光電擬投資160億元的碳化硅全產業鏈布局的湖南子公司也于2020年開工。

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AR2 Gen1目前處于相關解決方案的領跑位置，因為高通愿意在AR眼鏡市場容量尚未充分開發的時候就做投入。