根據(jù)韓媒ETNews報道,ASML在19日的業(yè)績公告中表示:“對于EUV High NA業(yè)務(wù),隨著獲取新的Twin Scan EXE:5200設(shè)備訂單,目前所有的EUV客戶都已下單了High NA的設(shè)備產(chǎn)品。”High NA EUV設(shè)備是將表示光的集光能力的鏡頭開口數(shù)(NA)從0.33提高到0.55的設(shè)備。與現(xiàn)有EUV設(shè)備相比,High NA EUV設(shè)備可以繪制出更細微的半導(dǎo)體電路。
ASML預(yù)計明年出貨首臺High NA EUV設(shè)備。據(jù)悉,2026-2027年將實現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。東進世美肯在High NA EUV市場正式爆發(fā)前完成相關(guān)PR產(chǎn)品商業(yè)化,為搶占市場打下鋪墊。 東進世美肯推進多種High NA EUV的PR開發(fā)流程。這是因為High NA設(shè)備初期的生產(chǎn)效率會下降,影響半導(dǎo)體良率的因素非常多,因此將考慮到多種“變量”,進行產(chǎn)品開發(fā)。
The proposed strategy opens up a novel and high-throughput preparation strategy for the high-performance TIM for modern electronic devices. 03 Liu Yang, Jiachen Guo
圖11 高壓軸斷裂高壓壓氣機物理轉(zhuǎn)速變化 Fig.11 Physical speed of high?pressure compressor with high?pressure shaft fracture 圖12 高壓軸斷裂高壓渦輪物理轉(zhuǎn)速變化 Fig.12 Physical speed of high?pressure turbine with high