根據韓媒ETNews報道,ASML在19日的業績公告中表示:“對于EUV High NA業務,隨著獲取新的Twin Scan EXE:5200設備訂單,目前所有的EUV客戶都已下單了High NA的設備產品。”High NA EUV設備是將表示光的集光能力的鏡頭開口數(NA)從0.33提高到0.55的設備。與現有EUV設備相比,High NA EUV設備可以繪制出更細微的半導體電路。
ASML預計明年出貨首臺High NA EUV設備。據悉,2026-2027年將實現大規模量產。東進世美肯在High NA EUV市場正式爆發前完成相關PR產品商業化,為搶占市場打下鋪墊。 東進世美肯推進多種High NA EUV的PR開發流程。這是因為High NA設備初期的生產效率會下降,影響半導體良率的因素非常多,因此將考慮到多種“變量”,進行產品開發。
The proposed strategy opens up a novel and high-throughput preparation strategy for the high-performance TIM for modern electronic devices. 03 Liu Yang, Jiachen Guo
圖11 高壓軸斷裂高壓壓氣機物理轉速變化 Fig.11 Physical speed of high?pressure compressor with high?pressure shaft fracture 圖12 高壓軸斷裂高壓渦輪物理轉速變化 Fig.12 Physical speed of high?pressure turbine with high