EAS 單脈沖雪崩擊穿能量如果電壓過沖值(通常由于漏電流和雜散電感造成)未超過擊穿電壓,則器件不會發生雪崩擊穿,因此也就不需要消散雪崩擊穿的能力。雪崩擊穿能量標定了器件可以容忍的瞬時過沖電壓的安全值,其依賴于雪崩擊穿需要消散的能量。定義額定雪崩擊穿能量的器件通常也會定義額定EAS。額定雪崩擊穿能量與額定UIS具有相似的意義。
(3) VBR 擊穿電壓擊穿電壓,指在 V-I 特性曲線上,在規定的脈沖直流電流 I T 或接近發生雪崩的電流條件下測得 TVS 兩端的電壓。測試的電流It一般選取10mA左右,施加的電流的時間不應超過400ms,以免損壞器件,VBR MIN 和 VBR MAX 是 TVS 擊穿電壓的一個偏差,一般 TVS 為±5%的偏差。