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在這種制造工藝中，硅晶圓在幾秒鐘或更短的時間內被加熱到超過 1000°C 的溫度。這是通過使用高強度的激光器或燈作為熱源來實現的。然后，硅晶圓的溫度被慢慢降低，以防止因熱沖擊而可能發生的任何變形或破裂。從激活摻雜物到化學氣相沉積，快速熱處理的應用范圍廣泛，這在我們之前的文章中討論過。 快速熱退火(RTA)是快速熱處理的一個子步驟。

金屬鋰晶枝眾所周知，利用磁場進行Cu、Co、Ni、Ni-Mo和其他金屬的電沉積，可以明顯地細化金屬樹枝的微觀結構和方向。鋰金屬陽極的沉積/剝離過程與這些金屬的電沉積是一致的，而鋰枝晶的生長是由電極表面的鋰離子濃度不均勻引起的，因此磁場的MHD效應有助于解決這一問題。Li+在磁場的作用下受到洛倫茲力的影響，促進其螺旋式移動并產生磁流體效應。

建立平板式 SOFC 多物理場模型，將 COMSOL 多物理場數值模型計算得到的不均勻溫度場作為熱載荷施加到 ABAQUS 模型中，再基于 Wen-Tu 蠕變延性耗竭模型開發了蠕變損傷子程序，研究平板式 SOFC 同流、逆流、交叉流道設計下的蠕變行為。