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平面波在穿過全像時，首先受到司乃耳定律 (Snell’s law)的折射，在全像內有新的波向量k1’和k2’（圖2（a））。然後，光柵向量可由下式定義:顯影後，當全像被重建平面波kp照亮時，繞射波kd，可透過解方程式確定:其中kp和kd是重建波向量和全像感光材料內部的繞射波前（圖2（b））。注意光柵向量K可以從兩個反向方向選擇。

800 nm範圍內的光將用於避免組織中的高吸收，這會限制穿透。光源規格OCT將干涉測量技術與寬帶近紅外光結合使用。 較寬的帶寬可提供最佳分辨率，而波長選擇可確定樣品材料中的穿透深度。

此模式不允許對當前鏡頭系統或使用者介面進行更改（即：在這種模式下只允許對系統的副本進行更改）。自訂分析可以用C++ (COM)或C# (.NET)編寫。本文的自訂分析是用C#編寫的。有關自訂分析的更多資訊，請點擊程式設計(Programming)選項卡>關於ZOS-API (About the ZOS-API) >自訂分析 (User Analysis)，查看內置幫助檔。

單一波長方面我們通常會選擇使用e線 (546.1nm)，因為該波長更接近相對光度函數曲線(relative luminosity curve)的最大值。但在某些特殊的情況下，d線 (587.6 nm)的使用也是有可能的。NF與NC折射率可以由 (Nd,Vd) 或 (Ne,Ve) 回推。