隨著電子產(chǎn)品向高密度集成、功能多樣化、小尺寸等方向發(fā)展,傳統(tǒng)的失效分析方法已不能完全適應(yīng)當(dāng)前技術(shù)發(fā)展的需要。為了滿足 SiP 產(chǎn)品的失效分析,實(shí)現(xiàn)內(nèi)部互連結(jié)構(gòu)和芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)中失效點(diǎn)的定位,分析技術(shù)必須向高空間分辨率、高電熱測(cè)試靈敏度以及高頻率的方向發(fā)展。目前,半導(dǎo)體器件失效分析的試驗(yàn)項(xiàng)目及相關(guān)設(shè)備主要有以下幾種。① 外部目檢: 光學(xué)顯微鏡、掃描電子顯微鏡和電子探針。