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第二步，將模型導(dǎo)入Ansys Workbench，劃分550438個(gè)高質(zhì)量四面體網(wǎng)格（如圖2所示），確保應(yīng)力與變形計(jì)算精度。第三步，施加溫度載荷與邊界條件：以22℃為常溫基準(zhǔn)，分別模擬80℃（高溫極限）與?40℃（低溫極限）工況，固定后主筒端面以模擬實(shí)際裝配狀態(tài)。鏡頭各部件材料參數(shù)如表1所示，涵蓋密度、彈性模量、熱膨脹系數(shù)等關(guān)鍵指標(biāo)，為精準(zhǔn)仿真提供數(shù)據(jù)支撐。

Ansys全新推出【Simulation Topics】系列專題，邀您一起探索仿真世界。本專題將以“一期一會”的形式，攜手各領(lǐng)域?qū)＜遥瑖@Ansys全產(chǎn)品線的技術(shù)優(yōu)勢，帶您深入解析流體、結(jié)構(gòu)、電子設(shè)計(jì)及電磁仿真、光學(xué)、光子學(xué)、半導(dǎo)體、自動(dòng)駕駛、汽車、聲學(xué)、航空航天、材料等多個(gè)關(guān)鍵領(lǐng)域，讓復(fù)雜的專業(yè)知識觸手可及。

在ANSYS Mechanical中進(jìn)行箱選操作時(shí)，它會選擇箱內(nèi)所有表面，包括內(nèi)表面和共享表面。共享表面無法用于對流邊界條件中，因此在執(zhí)行此類操作時(shí)會出現(xiàn)錯(cuò)誤提示。 為了高效的選擇垂直鱗設(shè)計(jì)中的所有外表面(而不是逐個(gè)點(diǎn)擊)，我們采用了命名選擇方法。首先，創(chuàng)建一個(gè)圓柱形局部坐標(biāo)系(見圖8(a))，其z軸與圓柱軸對齊。其次，創(chuàng)建名稱選擇，并使用兩條規(guī)則選擇外層面(見圖8(b))。

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SOFT 取 0 代表失效區(qū)域周邊單元無法承受載荷，取 1 代表單元保持原有強(qiáng)度不變；SOFT 能夠直接影響有限元模型的結(jié)果，一般通過試錯(cuò)法得出。 表2 MAT_58輸入主要參數(shù) 3.1 單單元測試 在復(fù)雜的產(chǎn)品仿真之前，通過單單元測試對材料模型進(jìn)行“體檢”至關(guān)重要。

如果文件不在預(yù)期位置，工作流程將無法運(yùn)行。上文“Run and Results”部分中描述的步驟假設(shè)此工作流程的所有文件都位于同一文件位置。 對于從AEDT到INTERCONNECT的交換，生成文件的文件名和路徑由在項(xiàng)目管理器中右鍵單擊Results>RM_Voltage并選擇Export…時(shí)打開的對話框窗口決定。

在180納米寬的等離子體槽上方進(jìn)行傳統(tǒng)單步剝離工藝時(shí)，會導(dǎo)致金屬同時(shí)沉積在窄光刻膠的兩側(cè)壁上，在剝離過程中無法完全去除。相比之下，我們采用兩步剝離工藝，分別定義每個(gè)電極，在每次金屬化步驟中保持電極尺寸的剝離區(qū)域，從而能夠可靠地制造具有高結(jié)構(gòu)保真度的納米間隙等離子體電極（詳見方法部分的詳細(xì)制造工藝）。圖1e展示了所制備MZM的掃描電子顯微鏡（SEM）圖像。

2.像差控制：場曲與畸變極小 場曲會導(dǎo)致像面彎曲（不同視場無法同時(shí)清晰），畸變會導(dǎo)致像形失真，二者是擴(kuò)束系統(tǒng)的關(guān)鍵像差，結(jié)果如下： 場曲：弧矢場曲穩(wěn)定在0.016~0.028mm，子午場曲穩(wěn)定在0.047~0.084mm，遠(yuǎn)低于行業(yè)平均水平；畸變：多數(shù)結(jié)構(gòu)最大畸變＜0.5%（平均值-0.6875%），僅8號結(jié)構(gòu)因邊緣效應(yīng)畸變稍高（4.22%），但仍在可接受范圍。

散熱器設(shè)計(jì)可最大限度增大對流流體可吸收熱量的表面積。散熱器最常見于CPU、電力電子組件和激光器等熱源上。 熱導(dǎo)管：使用揮發(fā)性物質(zhì)的相變從熱源吸收熱能的裝置。能量可將液體轉(zhuǎn)化為蒸汽，蒸汽沿著熱導(dǎo)管到達(dá)另一端，在這里蒸汽會冷凝并返回?zé)岫酥貜?fù)循環(huán)。 紅外輻射器：使用紅外輻射將熱量從平板上傳遞出去的大型金屬平板。