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公路半導體的案例

公路養護管理:同步纖維磨耗層在公路養護中的應用
本文依托山西省高平市公路養護項目,介紹了同步纖維磨耗層的技術特點、材料選擇及施工工藝,結果表明同步纖維磨耗層施工后效果良好,路面各項性能得到了提高,延長了路面的使用壽命。 關鍵詞 道路工程 | 預防性養護 | 同步纖維磨耗層 | 配合比中圖 山西省331省道(簡稱“曲輝線”)起于山西省臨汾市曲沃縣,經翼城縣、沁水縣、高平市、楊寨鄉至陵川小坪上進入河南省,道路全長246公里。本項目標段位于山西省高平市內,為山西省331省道K31段至K32段,全長1公里,項目工程量為11000平方米。 331省道為省級道路,設計時速60公里/小時,路基整體式斷面寬度11米,經過多年的服役,331省道部分路段的路面使用功能弱化,特別是在惡劣的天氣因素影響下,出現了裂縫、車轍、擁包和集料脫落等病害,因此需要通過罩面處治進行養護。 目前,傳統的預防性養護手段有微表處、稀漿封層、霧封層及薄層罩面等。微表處作為一種常用的預防性養護手段,具有施工速度快、常溫施工、技術成熟等特點。但是微表處存在顆粒間粘聚性較弱和與原路面粘附性差等問題,在罩面處治后與原路面的粘結效果不好,容易造成剝落脫皮。而同步纖維磨耗層技術對微表處的施工工藝進行了改良,依托加入玻璃纖維和磨耗層與粘結層同步施工,解決了微表處和稀漿封層的技術難題,有效地提高了路面的使用性能。為此,山西省高平市公路管理段引入同步纖維磨耗層技術進行實踐研究,項目最后確立了舊路面的罩面處治方案為:通過采用專用設備對舊路面灑布0.3-0.5/㎡的改性乳化瀝青粘層油,同時加鋪厚度為0.9mm的同步纖維磨耗層罩面。
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廣州代辦工程設計,公路行業公路專業乙級資質,包通過
廣州代辦工程設計公路行業公路專業乙級資質的公司?我司專業代辦工程設計資質,常見的包括公路、市政、建筑、水利、風景園林等,行業及其專業資質;資質通過率達100%,單位卻人員和人員業績我們可以配置,人員滿足十年工作經歷,帶有大中型業績,業績可以提供證明材料、配合核查,有企業單位需要的可聯系,全國均可代辦包括廣州,不受省份和地區的限制
2026 武漢半導體技術博覽會(OVC)︱聚焦半導體晶圓制造裝備、零部件、材料、先進封裝、IC設計、第三代半導體等重點領域
2025年,湖北省集成電路、半導體等電子信息產業實現主營業務收入將超過8000億元,同比增長兩成,其中半導體制造業主營業務收入為5101億元。 為了推動中西部地區半導體產業的跨越式發展,促進先進技術在中西部地區的創新應用,由中國(武漢)數字經濟產業博覽會組委會聯合沃森展覽共同打造的 2026 武漢國際半導體產業博覽會(OVC)將于2026年5月20日-22日在武漢·中國光谷科技會展中心召開,專注于半導體行業國際性、專業化的展會平臺,匯聚眾多芯片設計及制造、集成電路、封測、材料及設備、5G新應用、新型顯示等具有影響力的參展商,完整展示半導體產業鏈,打造深度的技術交流平臺,屆時組委會將邀請國內外半導體、工業電子、汽車電子、醫療電子、物聯網、消費電子、通信等行業數萬名專業工程師采購參觀。 2026 武漢國際半導體產業展規劃30000㎡展出面積,400家領先展商,30000名專業觀眾以及十多場專業論壇。期待與您相約武漢,攜手共拓半導體產業新機遇!
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常見的半導體材料有哪些 半導體材料的特點及優勢
來源:與非網 導體材料(semiconductor material)是一類具有半導體性能(導電能力介于導體與絕緣體之間,電阻率約在1mΩ·cm~1GΩ·cm范圍內)、可用來制作半導體器件和集成電路的電子材料。下面是有關“常見的半導體材料有哪些 半導體材料的特點及優勢”的詳細說明。 1.常見的半導體材料有哪些 半導體材料很多,按化學成分可分為元素半導體和化合物半導體兩大類。鍺和硅是最常用的元素半導體;化合物半導體包括第Ⅲ和第Ⅴ族化合物(砷化鎵、磷化鎵等)、第Ⅱ和第Ⅵ族化合物( 硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物(錳、鉻、鐵、銅的氧化物),以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物組成的固溶體(鎵鋁砷、鎵砷磷等)。除上述晶態半導體外,還有非晶態的玻璃半導體、有機半導體等。 半導體的分類,按照其制造技術可以分為:集成電路器件,分立器件、光電半導體、邏輯IC、模擬IC、儲存器等大類,一般來說這些還會被分成小類。此外還有以應用領域、設計方法等進行分類,雖然不常用,但還是按照IC、LSI、VLSI(超大LSI)及其規模進行分類的方法。此外,還有按照其所處理的信號,可以分成模擬、數字、模擬數字混成及功能進行分類的方法。 2.半導體材料的特點及優勢 半導體材料是一類具有半導體性能,用來制作半導體器件的電子材料。常用的重要半導體的導電機理是通過電子和空穴這兩種載流子來實現的,因此相應的有N型和P型之分。半導體材料通常具有一定的禁帶寬度,其電特性易受外界條件(如光照、溫度等)的影響。不同導電類型的材料是通過摻入特定雜質來制備的。雜質(特別是重金屬快擴散雜質和深能級雜質)對材料性能的影響尤大。
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公路半導體圖1
半導體|華為哈勃投資碳化硅企業天域半導體
來源 :鉅亨網 7月5日企查查顯示華為旗下投資機構「深圳哈勃科技投資」投資東莞市天域半導體科技,后者注冊資本由 人民幣 9027 萬元增至 人民幣 9770 萬,幅度逾 8%。 天域半導體科技成立于 2009 年 1 月,營運范圍包含研發、生產、銷售碳化硅 (SiC) 磊晶硅晶圓片,半導體材料及零件等。該公司也是中國第一家從事第三代半導體碳化硅磊晶硅晶圓片的研發、生產和銷售的高新技術企業,也是中國第一家碳化硅半導體材料供應鏈企業取得汽車質量認證。 而天域半導體在 2010 年與中國科學院半導體所合作成立「碳化硅技術研究院」,組成一支中國頂尖的技術創新團隊。 值得一提的是,該公司擁有數十項半導體相關專利,例如一種改變 SiC 芯片翹曲度的拋光裝置等。 今年 4 月成立的深圳哈勃科技投資公司,其目標是幫助華為快速打造一條半導體自救生態鏈,目前這條生態鏈正有合攏之勢。同時短短兩個月已投資三家科技獨角獸。 近期深圳哈勃也投資一家位于蘇州的半導體公司,該公司是中國第一家擁有自主設計垂直探針卡研發能力的企業,并已實現 MEMS 探針卡量產。
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半導體系列報告:半導體設備篇
——以下內容已上傳【半導體產業研究】知識星球,成員可免費下載(文末查看如何成為星球成員)。 本周星球新增報告: 掃碼成為星球會員,所有報告全部免費下載! ~全篇完~ 本周新增報告: 如何成為星球成員? 掃碼即可進入星球 成為星球成員后,電腦端搜索知識星球官網,登錄網頁版,操作更方便! 編者建立了半導體產業報告分享群,僅限半導體產業相關人士加入,群主不定期分享優質報告給大家,群內歡迎大家交流探討行業問題。 入群請添加群主微信 備注:姓名+公司+主營
策略對話半導體:產區疫情將如何影響半導體行業格局
受馬來西亞新的“封 國”政策影響,當地的眾多半導體工廠產線被要求維持低度人力運作,產線降載。芯智訊資料顯示, 馬來西亞政府要求生產線只能維持 10~20%的低度人力運作,這幾乎等于只是不關機的狀態;另外, “封國”期間半導體公司的原材料及芯片產品進出口通關速度及運輸時間也受到影響,對半導體產 品產能構成沖擊,總的來看馬來西亞半導體封測產能以及車用 MLCC、芯片電阻、固態電容、鋁質電 容等元器件都會受到較大沖擊。臺灣方面,苗栗京元電子廠區內已爆發群體感染,京元電子是目前全球最大的芯片測試企業之一,本次爆發疫情的是其位于苗栗縣竹南鎮的廠區,這是京元電子最大 的生產基地。京元電子主要業務來自于集成電路設計 ,約占其營業收入的 76%。由于臺灣疫情存在 高度不確定性,京元電子及其行業所受到的影響仍然不可預估。如果京元電子的停工情況進一步惡 化,將會直接影響到下一代芯片的研發進度以及下游電子產品的交付。 ~全篇完~ 本周新增報告: 1、2030:國產替代和后摩爾時代機會 2、策略對話半導體:產區疫情將如何影響半導體行業格局 如何成為星球成員? 掃碼即可進入星球 成為星球成員后,電腦端搜索知識星球官網,登錄網頁版,操作更方便! 編者建立了半導體產業報告分享群,僅限半導體產業相關人士加入,群主不定期分享優質報告給大家,群內歡迎大家交流探討行業問題。 入群請添加群主微信 備注:姓名+公司+主營
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半導體 | 英特爾擬在歐洲建半導體工廠!尋求百億美元補貼
在未來幾天內,歐盟委員會官員還將與兩家荷蘭半導體產業公司CEO舉行進一步的會談,包括半導體光刻機制造商ASML,以及芯片制造商恩智浦(NXP)。 最近全球半導體供應鏈的緊張使得各國對減少進口依賴需求更加緊迫。歐盟委員會官員將于5月5日發布最新的產業戰略,重點是半導體產業。 德國經濟部長彼得·阿爾特邁爾(Peter Altmaier)和法國總理布魯諾·勒·梅爾(Bruno Le Maire)已經表示,計劃向行業提供數十億歐元的援助計劃,以支持當地芯片工廠的建設和下一代半導體的開發。 歐盟政府吸引外國芯片制造巨頭的努力使本土企業感到不安。為此,歐盟正在討論建立歐洲半導體聯盟的計劃,從而捆綁歐洲本土企業的利益。該半導體聯盟包括意法半導體、恩智浦、英飛凌和ASML等企業,目的是在全球供應鏈緊縮的情況下,減少對外國芯片制造商的依賴。 歐盟官員強調,該計劃仍處于非常初步的階段,可能包括一個稱為“歐洲共同利益重要項目”(IPCEI)的泛歐洲計劃,該計劃允許歐盟政府根據較為寬松的國家援助規則注入資金。 德國半導體巨頭英飛凌表示,對歐盟的這一半導體聯盟計劃表示歡迎,并希望加強歐洲芯片的生產。“由于財政資源有限,因此討論最緊迫的需求和最合理的投資方式非常重要。”該公司在一份聲明中表示。 推動本土芯片設計需求 德國智庫SNV(Stiftung Neue Verantwortung)研究員揚·彼得·克萊因漢斯(Jan-Peter Kleinhans)指出,歐盟技術先進的芯片代工廠之所以發展不起來,是因為歐盟缺乏有意義的本土芯片設計市場的需求。
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美日荷對華半導體設備全面限制,半導體設備廠商的發展機遇與挑戰在哪?
(點擊文末“閱讀原文”即可報名參會) 季度全球半導體裝備行業市場分析報告(大綱) 一、全球半導體裝備企業市場規模分析(Top10) 1. 全球主要半導體裝備企業季度經營情況分析 2. 中國大陸主要半導體裝備企業季度經營情況分析 二、中國大陸半導體裝備行業市場投資情況分析 1. 中國大陸半導體裝備行業季度投資規模分析 2. 中國大陸半導體裝備行業季度投資區域分析 3. 中國大陸半導體裝備行業季度投資分布分析 三、全球半導體裝備行業新技術發展洞察 1. 全球半導體裝備行業細分領域新技術趨勢洞察 2. 中國大陸半導體裝備行業細分領域技術發展洞察 四、全球半導體行業裝備產業最新動態 1. 半導體裝備行業相關最新政策解讀 2.
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半導體|投資18億!安世半導體先進封裝項目落戶東莞
招商大會戰略性新興產業項目簽約儀式上,安世半導體(中國)有限公司先進封裝項目、東莞正揚電子機械有限公司智能駕駛及新能源研發制造基地項目及標譜半導體智能裝備生產中心項目等簽約。 其中,安世半導體(中國)有限公司先進封裝項目投資18億元,位于黃江鎮田美社區安世(中國)廠區內,主要用于產業升級,升級后導入高功率MOSFET的LFPAK先進封裝產線、原標準器件產品。通過改造增產提效、半導體封測智能工廠自動化及基礎設施建設子項等領域,標準器件新增產能約78億件/年。 東莞正揚電子機械有限公司智能駕駛及新能源研發制造基地項目投資6億元,主要從事尿素傳感器、尿素箱、油/水位傳感器、發動機傳感器和儀表,汽車電子零部件、新能源汽車零部件、車用毫米波雷達設備、激光雷達設備、車用攝像設備、自適應汽車大燈設備及其配套使用的計算機系統集成軟件。該項目擬落戶黃江鎮田美社區,占地面積約100畝,投產后預計產值達25億元,繳納稅收1.5億元。 標譜半導體智能裝備生產中心項目總投資7億元,占地面積40.61畝(國有用地),總建筑面積10萬平方米,主要從事半導體自動化設備的研發、生產和銷售,產品包括半導體自動化設備、分光分色機和自動包裝機等。 據悉,東莞規劃的7大戰略性新興產業基地,都有望成長為千億級甚至萬億級產業集群,例如,集成電路方面,東莞擁有相關企業120多家,全球一流的半導體廠商安世半導體、全球封測前十的廠商聯合科技均已在東莞扎根發展10多年。
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【原創分享】電子學中的百科書-本質半導體與雜質半導體
在上一篇文章中,我們了解了關于導體半導體以及絕緣體的相關知識,通過以半導體物理學這個新的思路來接觸我的以及非常熟悉的知識。那么我們討論的半導體,那么半導體的知識我們以及了解了。關于半導體的分類及如何進行半導體的摻雜,將是我們今天要研究的課題。 我們都知道:為加入其他雜質元素的半導體稱為純半導體,也就是本質半導體或叫做本征半導體。 常見的本質半導體有:硅(SI)、鍺(GE)、以及砷化鎵(GAAS),其中半導體是具有負溫度系數的特性,也就是溫度越低,其電阻越大而溫度越高,其電阻越小。 這和我們常常說的半導體器件具有溫漂,所說的溫漂就是半導體器件會隨著溫度的改變其特性會發生變化,變化最大的就是其電阻值,那么這幾個常見的半導體溫度變化的曲線一樣嗎? 不一樣!如果一樣,就不會出現鍺二極管的淘汰隨后的硅半導體的應用。那么來看一下這個圖:如圖所示: 來分析一下,我們以300K為標準,其往右溫度越高,可以發現溫度越高其EV的值是處于下降的趨勢,也就是說溫度越高的話半導體電阻特性的電阻值會降低,這也就是為什么一個半導體在一個環境中雖然我們的電壓、電流甚至電路的設計都是非常完美的,如果沒有考慮其使用的環境,那么這個電路是不可能長期穩定的。反過來想想是不是溫度越高,半導體的導電能力就越好,雖然會出現一些極端的情況,但是給一個合適的溫度,這個器件就會展現出他應該有的特性,這也就是為什么所以芯片規格書在溫度值中會給一個常溫25度。 這是關于半導體的溫度的特性,說到底本征半導體如果不摻雜其他元素的話,本征半導體是不會導電的,也就是不具有導電能力,或者說導電能力微弱。但這僅僅是理論,沒有數學的依據。
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公路半導體圖2
英飛凌+意法半導體:又一家半導體巨頭將誕生?
回到英飛凌收購意法半導體這件事本身。 據了解,總部位于德國的英飛凌目前市值約為252億歐元,意法半導體則為169億歐元。首先二者在體量上就存在巨大差距,英飛凌此次發起的收購,也易于引起平等性的擔憂。另外,意法半導體公司于1988年6月成立,是由意大利的SGS微電子公司和法國Thomson半導體公司合并而成,其背后意法兩國政府也有參股。為此,此次收購也必須考量一些政治因素。 而據彭博社報道,目前法國政府是意法半導體的最大股東之一,而其對于此次收購的態度顯然是消極的。相對于合并擴張,法國政府更希望其能夠專注于大的訂單。 另一方面,兩家公司之間的收購,無外乎進一步占據市場份額、戰略布局等幾方面。對于英飛凌和意法半導體而言,同樣作為半導體領域巨頭企業,其在產品結構方面具有相當大的重合度。 ▲圖片來源:英飛凌 從上圖中我們也不難看出,在汽車電子、功率半導體和智能卡IC領域,英飛凌和意法半導體都占據相當大的市場份額,其中英飛凌都具有領先性。如果兩家公司合并,很有可能受到反壟斷調查,收購的難度可想而知。 另外,從之前的收購中也不難發現,戰略布局是英飛凌首要考慮因素。相較于IGBT領域,顯然英飛凌更希望完善SiC器件方面布局,自動駕駛、傳感器、MEMS等領域亦是如此! 總體而言,英飛凌收購意法半導體打造“新巨頭”看似美好,實則面臨諸多挑戰。相較于分立器件、標準器件等,意法半導體在自動駕駛等新興應用,顯然對英飛凌的吸引更大!
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半導體|缺芯又缺水!臺灣地區半導體產業如何應對
如何解決臺積電等中國臺灣地區半導體廠商的用水問題是迫切需要解決的問題。 近日亞特蘭大臺北經濟文化辦公室經濟部主任Martin Chen發表評論文章,對目前中國臺灣地區對其半導體產業缺水所采取的保護措施進行了詳細介紹。評論文章具體如下: 全球消費電子產品、家庭辦公產品和電動汽車消費量飛速上漲,盡管不少媒體報道稱干旱將減少臺灣地區半導體產業的生產,事實上臺灣半導體產業卻迅速增長,以滿足國際社會的需求。 確實,56年來首次臺風不足導致的干旱影響了臺灣地區,臺灣地區水庫岌岌可危。但是認為臺灣地區芯片生產能力過度集中會對全球供應鏈構成風險的說法是錯誤的。臺灣地區政府和臺積電一直在努力確保產量,保持對國際社會需求的響應。 新冠病毒大流行已經造成了半導體的供求平衡,新冠疫情讓汽車客戶削減了訂單,如今在電子產品和家庭辦公產品需求猛增的情況下,電動汽車的需求又瘋狂上漲。 因此,臺灣地區“經濟部”積極與芯片公司進行協調以提高生產效率和產能,并與現有客戶進行談判,重新分配產品產量,從而滿足需求、緩解短缺。 中國臺灣地區的半導體企業正滿負荷生產。在2021年1月(干旱開始之前),臺灣地區半導體出口總額為119.2億美元,與2020年同月相比增長了46.3%。3月,干旱開始時,臺灣地區半導體出口總額達到121.5億美元,比上個月增長24.4%。從2021年1月到2021年3月,臺灣地區半導體出口累計價值達338.1億美元,增長28.2%。在此期間,電子產品出口訂單達462.2億美元,增長46.4%。這樣的增長表明了臺灣地區有能力適當應對干旱帶來的挑戰。
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究竟為何功率半導體半導體領域中的優質賽道?
——以下內容摘自《功率半導體:乘風新能源汽車,國產替代漸行漸近》,已上傳【半導體產業研究】知識星球,成員可登錄星球搜索關鍵詞下載(文末查看如何成為星球成員)。 目錄: 01/功率半導體解密: 究竟為何功率半導體半導體領域中的優質賽道? 02/功率半導體行業總覽: 千億賽道,中國企業有望重塑產業格局 03/功率半導體各產品梳理: 主要產品包括二極管、晶閘管、晶體管、功率IC 04/ 功率半導體下游需求: 新能源汽車、充電樁、可再生能源市場需求旺盛, 功率半導體市場規模持續增長 05/ 功率半導體新機遇: 第三代功率半導體加速滲透,打開功率半導體成長天花板 06/ 建議關注標的: 推薦整體研發實力強勁,產品高端化布局的各細分賽道領先企業 今日新增報告: 掃碼加入知識星球成員,享受一年免費下載權益! ~未完待續~ 今日新增報告: 【半導體產業研究】知識星球:為需要的朋友提供優質的報告資源! 如何成為星球成員? 掃碼即可進入星球 成為星球成員后,電腦端搜索知識星球官網,登錄網頁版,搜索關鍵詞,操作更方便! 編者建立了半導體產業交流群,僅限半導體產業相關人士加入,群內歡迎大家交流探討行業問題。 入群請添加群主微信 備注:姓名+公司+主營
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半導體所等在高質量半導體-超導納米線研究方面取得系列進展
理論預言,具有強自旋軌道耦合的窄禁帶半導體InAs和InSb納米線與超導體耦合,可以實現馬約拉納零能模和拓撲量子計算。然而,由于窄禁帶半導體納米線與常規超導體之間晶格失配很大,高質量樣品的制備一直是制約半導體-超導納米線拓撲量子計算研究的關鍵難題。 中科院半導體所趙建華、潘東團隊長期致力于用于拓撲量子計算的高質量半導體-超導納米線分子束外延可控制備研究。他們首先在Si襯底上外延出了高質量純相超細單晶InAs納米線(D. Pan et al. Nano Lett. 14, 2014, 1214),之后,通過對分子束外延設備進行多次升級改造,發展了低溫原位外延技術,在純相超細InAs納米線側壁成功外延出超導金屬Al。 InAs和Al均具有高晶體質量,InAs-Al界面達到原子級平整(圖1高分辨透射電鏡圖像)。該團隊與清華大學物理系張浩課題組合作,在該InAs–Al納米線中觀察到硬超導能隙和雙電子庫侖阻塞等現象,這些都是實現拓撲量子計算的必要前提條件。該工作以“In situ epitaxy of pure phase ultra-thin InAs-Al nanowires for quantum devices”為題發表在Chin. Phys. Lett. (Express Letters)39 (2022) 058101上,半導體所潘東研究員、清華大學物理系宋化鼎和張珊博士后為共同第一作者,半導體所趙建華研究員和清華大學張浩副教授為共同通訊作者。該實驗工作首次在材料生長上(輔以輸運表征)探索了馬約拉納納米線研究中的一個新的實驗維度:更細的納米線直徑,為接下來實現單一子能帶占據(從準一維到一維)的納米線系統做了鋪墊。
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