刻蝕設備的案例
5分鐘看懂刻蝕工藝：干法刻蝕、濕法刻蝕、刻蝕設備國產化進程......
??刻蝕設備分類
目前主流所用的是干法刻蝕工藝，利用干法刻蝕工藝的叫等離子體刻蝕機。也分為三大類，分別是介質刻蝕機、硅刻蝕機、金屬刻蝕機，這主要是因為電容性等離子體刻蝕設備在以等離子體在較硬的介質材料（氧化物、氮化物等硬度髙、需要髙能量離子反應刻蝕的介質材料；有機掩模材料）上，刻蝕通孔、溝槽等微觀結構；電感性等離子體刻蝕設備主要以等離子體在較軟和較薄的材料（單晶硅、多晶硅等材料）上，刻蝕通孔、溝槽等微觀結構。
其中CCP屬于中密度等離子體，ICP則屬于高密度等離子體。CCP技術的發明早于ICP，但由于其特點的不同，兩類技術并非相互取代，而是相互補充的關系。CCP的等離子密度雖然較低，但能量較高，適合刻蝕氧化物、氮氧化物等較硬的介質材料；ICP的等離子密度高，能量低，可以獨立控制離子密度和能量，有更靈活的調控手段，適合刻蝕單晶硅、多晶硅等硬度不高或較薄的材料。
電子回旋加速振蕩等離子體刻蝕設備主要應用于金屬互連線、通孔、接觸金屬等環節。金屬互連線通常采用鋁合金，對鋁的刻蝕采用氯基氣體和部分聚合物。鎢在多層金屬結構中常用作通孔的填充物，通常采用氟基或氯基氣體。
刻蝕通過與光刻、沉積等工藝多次配合可以形成完整的底層電路、柵極、絕緣層以及金屬通路等。從難度上講，硅刻蝕最難，其次介質刻蝕，最簡單的是金屬刻蝕。
??刻蝕設備國產化進程
刻蝕機方面，Lam Research、TEL、應用材料都實現了硅刻蝕、介質刻蝕、金屬刻蝕的全覆蓋，占據了全球干法刻蝕機市場80%以上的份額。
在中國市場，介質刻蝕機是我國最具優勢的半導體設備，目前，我國主流設備中，去膠設備、刻蝕設備、熱處理設備、清洗設備等的國產化率均已經達到20%以上。
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在中國市場，介質刻蝕機是我國最具優勢的半導體設備，目前，我國主流設備中，去膠設備、刻蝕設備、熱處理設備、清洗設備等的國產化率均已經達到20%以上。而這其中市場規模最大的就是刻蝕設備，代表廠商為中微公司、北方華創，以及屹唐半導體。
中微半導體在介質刻蝕領域較強，其產品已在包括臺積電，SK海力士、中芯國際等廠商的20多條生產線上實現了量產。該公司5nm等離子體蝕刻機已通過臺積電驗證，已用于全球首條5nm工藝生產線。中微半導體還切入了TSV硅通孔刻蝕和金屬硬掩膜刻蝕領域。
北方華創在硅刻蝕和金屬刻蝕領域較強，其55nm/65nm硅刻蝕機已成為中芯國際主力設備，該公司的28nm硅刻蝕機也已進入產業化階段，14nm硅刻蝕機正在產線驗證中，金屬硬掩膜刻蝕機則攻破了28nm-14nm制程。
同行業技術比較
中微公司在研項目
北方華創刻蝕機產品
總而言之，在半導體設備領域，刻蝕機的國產化進程還是比較快的，但是，7nm刻蝕機的成功并不意味著國產7nm芯片可實現全面量產。因為刻蝕的前一道工序——光刻，其國產設備目前還處于卡脖子狀態。因此，想要打造一個全制程國產化的 “中國芯”，各個工藝生產設備的齊頭并進尤為重要。
參考來源：
1. 刻蝕機揭秘...，電子報
2. 國產刻蝕設備后發趕超，這些廠商功不可沒！國際電子商情
3. 刻蝕的概念，功率半導體那些事兒
4.
展開 深度解讀：半導體的“雕刻刀”——刻蝕設備的發展與突破
濕法刻蝕：
濕法刻蝕主要利用化學試劑與被刻蝕材料發生化學反應進行刻蝕，由于采用化學方法刻蝕，因此其刻蝕是各向同性的
（橫向縱向的材料均會被腐蝕）
，側壁容易產生橫向刻蝕造成刻蝕偏差，通常用于工藝尺寸較大的應用
（局限于3μm以上的圖形尺寸）
；此外，濕法刻蝕還存在后續沖洗和干燥、液體化學品有毒害、潛在的工藝污染等問題。
干法刻蝕：
干法刻蝕主要利用反應氣體與等離子體進行刻蝕，具有各向異性
（刻蝕的時候可以控制僅垂直方向的材料被刻蝕，而不影響橫向的材料）
的優點，適用于尺寸較小的先進制造工藝。同時其以氣體為主要媒介，不需要液體化學品或沖洗。干法刻蝕進一步又可以分為等離子體、離子銑和反應離子刻蝕三種技術，其中以干法等離子體刻蝕為主導。
按照刻蝕的材料劃分，刻蝕可分為
介質刻蝕、硅刻蝕和金屬刻蝕
三大類。根據BARRON’S的統計，針對氧化硅、氮化硅等介質材料刻蝕的介質刻蝕設備占比約48%、針對單晶硅、多晶硅、硅化物等硅材料刻蝕的硅刻蝕設備占47%，占據了市場的主導地位。
二，刻蝕設備市場空間大，國外廠商目前占據主導地位
刻蝕設備成長驅動力之一：
長期看，受益全球半導體需求增加與產線產能的擴充。
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按照工藝劃分，刻蝕主要分為濕法刻蝕和干法刻蝕兩大類。
濕法刻蝕：濕法刻蝕主要利用化學試劑與被刻蝕材料發生化學反應進行刻蝕，由于采用化學方法刻蝕，因此其刻蝕是各向同性的（橫向縱向的材料均會被腐蝕），側壁容易產生橫向刻蝕造成刻蝕偏差，通常用于工藝尺寸較大的應用（局限于3μm以上的圖形尺寸）；此外，濕法刻蝕還存在后續沖洗和干燥、液體化學品有毒害、潛在的工藝污染等問題。
干法刻蝕：干法刻蝕主要利用反應氣體與等離子體進行刻蝕，具有各向異性（刻蝕的時候可以控制僅垂直方向的材料被刻蝕，而不影響橫向的材料）的優點，適用于尺寸較小的先進制造工藝。同時其以氣體為主要媒介，不需要液體化學品或沖洗。干法刻蝕進一步又可以分為等離子體、離子銑和反應離子刻蝕三種技術，其中以干法等離子體刻蝕為主導。
按照刻蝕的材料劃分，刻蝕可分為介質刻蝕、硅刻蝕和金屬刻蝕三大類。根據BARRON’S的統計，針對氧化硅、氮化硅等介質材料刻蝕的介質刻蝕設備占比約48%、針對單晶硅、多晶硅、硅化物等硅材料刻蝕的硅刻蝕設備占47%，占據了市場的主導地位。
二，刻蝕設備市場空間大，國外廠商目前占據主導地位
刻蝕設備成長驅動力之一：
長期看，受益全球半導體需求增加與產線產能的擴充。
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科普 | 半導體刻蝕設備國產化
來源：TechSugar
作為半導體制造工藝的核心設備之一，刻蝕設備也是掌握半導體市場命脈的關鍵點。然而，根據Gartner數據顯示，刻蝕設備由Lam Research、TEL、AMAT三大巨頭把控，合計全球市場占有率高達91%。國內刻蝕設備雖然占比甚微，但好在有所依托。當前，中國刻蝕設備國產化重任由中微公司、北方華創、屹唐半導體共同擔起，根據三方數據，2020年國內刻蝕龍頭中微公司、北方華創的刻蝕業務都取得了較高收入增長。
刻蝕原理及分類
刻蝕是用化學、物理或兩者結合的方法有選擇地去除沒有被抗蝕劑掩蔽的薄膜層，從而將圖形從光刻膠轉移到待刻蝕的薄膜上。按照工藝劃分，刻蝕分為濕法刻蝕和干法刻蝕，由于濕法刻蝕在小尺寸及復雜結構應用中的局限性，當前市場應用以干法刻蝕為主，市占率高達90%以上。濕法刻蝕是用液體化學劑去除襯底表面的材料，各向異性差，隨著器件特征尺寸縮小、結構愈加復雜，刻蝕精度難以保證。目前，濕法刻蝕主要用于清洗干法刻蝕殘留物。
展開 一文看懂半導體刻蝕設備
中微公司的介質刻蝕機主要供應國內晶圓產線和存儲產線，整體占比15%，若單算介質刻蝕的市場份額，中微公司達到25%的水平。近年來中微公司在介質刻蝕設備的突破顯著，目前也已經打入臺積電先進制程產線。
整體看，由于刻蝕機工藝技術壁壘較高，尤其是先進制程設備下游客戶要求較高，相關核心技術僅有少數廠商突破，并且在技術持續更替中，沒有能力持續研發的企業的競爭力逐漸下降，導致份額逐步壓縮，最終僅有頭部企業參與競爭，形成寡頭壟斷格局。我國企業中微公司在國家大力扶持以及公司不斷研發投入，在我國刻蝕機市場份額不斷增長，已經僅次于LAM Research。
半導體
刻蝕設備有望率先完成國產替代
國內設備最成熟領域，國產替代率較高
目前來看，刻蝕機尤其是介質刻蝕機，是我國最具優勢的半導體設備領域，也是國產替代占比最高的重要半導體設備之一。根據IC Insights等的相關數據，目前我國主流設備中，去膠設備、刻蝕設備、熱處理設備、清洗設備等的國產化率均已經達到20%以上。而這之中市場規模最大的則要數刻蝕設備。我國目前在刻蝕設備商代表公司為中微公司、北方華創以及屹唐半導體。
展開 設備｜晶洲裝備G8.5濕法刻蝕設備量產設備交付
新廠竣工伊始，晶洲接獲某大客戶大尺寸顯示基地示范工廠G8.5刻蝕設備訂單，歷時130余天，G8.5刻蝕設備較之標準生產周期提前50天超前完成生產，順利下線。這是我司新工廠投入使用后首批交付的主工藝設備，該訂單的接獲，體現了行業標桿企業對晶洲研發設計以及生產能力的認可。
濕法刻蝕設備主要應用于平板顯示制程的陣列(Array)段，其原理是利用化學的方法對經過曝光與顯影后的基板表面金屬膜層進行均勻刻蝕，進而形成光刻定義的電路圖，是圖形化工藝的關鍵制程，一向由進口設備商壟斷，國內廠商少有涉及。
2018年，晶洲裝備G6AMOLED濕法刻蝕設備成功入選江蘇省“首臺套”重大裝備產品，填補國內空白的同時，打破了國外進口設備的壟斷局面，并且在結構設計、功能實現上與進口設備媲美。
2020年，晶洲裝備G8.5大世代設備技術陸續突破，顯影、刻蝕、剝膜等一系列主工藝設備形成批量訂單，并陸續交付，全面覆蓋了ITO、IGZO、Ag、Mo、Al、Cu等各種膜材的刻蝕工藝。到了2021年度，隨著新廠房的竣工，江蘇省硅基濕制程智能制造裝備工程技術研究中心、物理與化學實驗室等即將投入使用，晶洲的研究開發能力又邁上了新的臺階。
近年來，隨著我國電子產業的發展，下游市場需求增加，在市場利好的情況下終端顯示企業紛紛擴充產能。
為了助力客戶產能爬坡，按時、保質交付產品，在疫情期間，晶洲一方面做好防疫工作，另一方面組織多部門通力協作，明確生產任務、時間節點、工作分配，甚至犧牲部分休息時間，連續奮戰。
展開 投入占比超光刻機，揭秘走在國產替代前列的刻蝕設備
看點：為何近些年來刻蝕設備的價值占比不斷上升？中國刻蝕設備發展如何？
光刻機、刻蝕機和薄膜沉積設備是芯片制造過程中的三大核心設備，如果把芯片比作一幅平面雕刻作品，那么光刻機是打草稿的畫筆，刻蝕機是雕刻刀，沉積的薄膜則是構成作品的材料。光刻的精度直接決定了元器件刻畫的尺寸，刻蝕和薄膜沉積的精度則決定了光刻的尺寸能否實際加工，因此光刻、刻蝕和薄膜沉積設備是芯片加工過程中最重要的三類主設備，價值占前道設備的近 70%。
在高端光刻領域，浸沒式光刻是干法光刻的替代技術，新舊技術的替代帶來了光刻機的完全壟斷。ICP 刻蝕并不是 CCP刻蝕的替代技術，而是各有所長，側重了不同工藝步驟，新舊技術共存形成了刻蝕領域的寡頭競爭。光刻機的技術瓶頸推動刻蝕市場發展。在光刻技術停滯不前的情況下，想要繼續提升制程大體有兩個思路，即雙重光刻+刻蝕，或多重薄膜+刻蝕，無論用哪種思路都離不開刻蝕步驟的增加。芯片設計的變化帶來刻蝕設備需求的提升，近幾年來 3D NAND 等新結構的應用導致在存儲器制造過程中刻蝕步驟大幅增加。
本期的智能內參，我們推薦東興證券的報告《半導體設備：刻蝕機走在國產替代前列》， 詳解刻蝕設備的發展歷程，以及中國刻蝕設備的逆襲邏輯。
本期內參來源：東興證券
原標題：
《半導體設備：刻蝕機走在國產替代前列》
作者：劉慧影 劉奕司
半導體設備推動芯片制造業的發展
1、 半導體設備推動摩爾定律的實現
半導體是指在某些條件下導電某些條件下不導電的一類材料，生活中常用“半導體”一詞來泛指半導體電子元器件。集成電路是最重要的一類半導體器件，又稱為芯片。
展開 造出國產頂尖刻蝕機
刻蝕是用化學或物理方法對襯底表面或表面覆蓋薄膜進行選擇性腐蝕或剝離的過程。目前干法刻蝕在半導體刻蝕中占據絕對主流地位，市場占比超過90%。據東方財富研報，刻蝕設備作為半導體設備的中堅力量，有望率先完成國產替代。
從國內市場來看，刻蝕機尤其是介質刻蝕機，是我國最具優勢的半導體設備領域，也是國產替代占比最高的重要半導體設備之一。我國目前在刻蝕設備商代表公司為中微公司、北方華創等。
在等離子體刻蝕設備市場中主要是兩類的設備：CCP（Capacitively Coupled Plasma）電容性高能等離子體刻蝕機和ICP（Inductively Coupled Plasma）電感性低能等離子體刻蝕機。CCP設備主要是刻蝕深寬比較高的、較硬的介質材料；而ICP主要是刻蝕尺度小，厚度薄的較軟的材料。由于微觀器件越做越小，薄膜厚度越來越薄，線寬控制越來越嚴，ICP刻蝕機取代以往的CCP刻蝕設備成為市場規模占主導地位的設備。
一顆芯片要想從PPT到成品，核心設備并非光刻機一種，刻蝕機的重要性不言而喻。可能大家還分不清楚，光刻機和刻蝕機的區別，通俗的講，光刻機把電路圖投影到覆蓋有光刻膠的硅片上面，刻蝕機則是繼續對這些電路結構進行雕刻般的細微調整，將畫了電路圖的硅片上的多余電路圖腐蝕掉。
也就是說，這些細微調整將是直接影響芯片的性能關鍵步驟。
展開 中微半導體5納米刻蝕機通過臺積電驗證
在臺積電宣布明年將進行5納米制程試產、預計2020年量產的同時，國產設備亦傳來好消息。日前上觀新聞報道，中微半導體自主研制的5納米等離子體刻蝕機經臺積電驗證，性能優良，將用于全球首條5納米制程生產線。
據了解，在晶圓制造眾多環節中，薄膜沉積、光刻和刻蝕是三個核心環節，三種設備合計可占晶圓制造生產線設備投資總額的50%~70%，其中刻蝕技術高低直接決定了芯片制程的大小，并且在成本上僅次于光刻。而5納米相當于頭發絲直徑（約為0.1毫米）的二萬分之一，方寸間近乎極限的操作對刻蝕機的控制精度提出超高要求。
雖然我國集成電路產業在設備領域整體落后，但刻蝕機方面已在國際取得一席之地，中微半導體成績尤為突出。
中微半導體是中國大陸首屈一指的集成電路設備廠商，2004年由尹志堯博士與杜志游博士、倪圖強博士、麥仕義博士等40多位半導體設備專家創辦，主要深耕集成刻蝕機領域，研制出中國大陸第一臺電介質刻蝕機。
目前，中微半導體的介質刻蝕設備、硅通孔刻蝕設備、MOCVD設備等均已成功進入海內外重要客戶供應體系。截至2017年底，已有620多個中微半導體生產的刻蝕反應臺運行在海內外39條先進生產線上。
在目前全球可量產的最先進晶圓制造7納米生產線上，中微半導體是被驗證合格、實現銷售的全球五大刻蝕設備供應商之一，與泛林、應用材料、東京電子、日立4家美日企業為7納米芯片生產線供應刻蝕機。
作為臺積電長期穩定的設備供應商，據悉中微半導體在臺積電量產28納米制程時兩者就已開始合作并一直延續至如今，這次5納米生產線將再次采用中微半導體的刻蝕設備，足見臺積電對中微半導體技術的認可，可謂突破了“卡脖子”技術，讓國產刻蝕機躋身國際第一梯隊。
展開 半導體，我們離開美國制造，能照樣轉嗎？
在后道的封裝階段，也需要做光刻和刻蝕，但線寬要求為微米級別， 上海微電子裝備的光刻機，在后道封裝階段應用較廣，實現了國產替代。
（7）檢測設備：美國最強，較難替代
半導體的檢測存在于半導體制造的各個工藝流程中，是工藝控制必不可缺的流程。半導體的檢測包括膜厚檢測、線寬檢測、電阻檢測、光罩檢測等細分領域，每一個領域都有其對應的檢測設備。美國 KLA-Tencor 公司在整個半導體檢測領域擁有超過一半的市占率，在所有的細分檢測領域都擁有較高市占率，在部分細分檢測領域處于壟斷地位。 所以，其他國家的檢測設備對美國 KLA-Tencor 的產品能夠實現部分替代，但完全替代能力較弱。
檢測設備美國最強
國產設備中，睿勵科學儀器最強， 技術領軍人物為海歸“千人計劃”專家， 擁有 12 寸晶圓全自動光學膜厚檢測系統和關鍵尺寸、形貌檢測系統等產品，并進入了西安三星的量產線， 但半導體檢測的細分領域較多，要在所有領域實現國產替代仍有很長路要走。
（8）刻蝕設備：美國最強，日本干法刻蝕較強
刻蝕設備按刻蝕對象分可分為硅刻蝕、介質刻蝕、金屬刻蝕等， 并且，每一種刻蝕中還可以按刻蝕材料不同而細分，如氧化物刻蝕、氮化物刻蝕、多晶硅刻蝕等。
按工作原理不同，刻蝕設備又可分為濕法刻蝕和干法刻蝕，濕法刻蝕使用化學藥液進行刻蝕，干法刻蝕使用等離子氣體進行刻蝕。在目前的先進工藝如 7/10/14nm 工藝中，干法刻蝕占據了主導。干法刻蝕又可分為電感耦合等離子刻蝕（ICP）和電容耦合（CCP）刻蝕設備，CCP 主要做介質刻蝕，ICP 既可做介質刻蝕又可做硅刻蝕。
刻蝕設備中最強的無疑是美國，Lam 的市場占有率在 50%以上，第二是日本東京電子，第三是應用材料，其次還有日本日立。東京電子的刻蝕技術實力也較強，在干法刻蝕領域能夠對 Lam 在一定程度上實現替代。
展開 
中微公司搞定5nm刻蝕機，進入國際客戶最先進生產線
這些企業即將出席2021功率半導體大會
4月6日，中微公司董事長、總經理尹志堯透露，公司研發的等離子刻蝕設備已經進入客戶的5nm生產線。
尹志堯表示，公司的等離子體刻蝕設備已應用在國際一線客戶從65納米到14納米、7納米和5納米及其他先進的集成電路加工制造生產線和先進封裝生產線。
其中，公司開發的12英寸高端刻蝕設備已運用在國際知名客戶最先進的生產線上并用于5納米、5納米以下器件中若干關鍵步驟的加工。
此外，公司MOCVD設備在行業領先客戶的生產線上大規模投入量產。
中微公司也在互動平臺上證實了這一說法，稱公司刻蝕設備確實進入了5納米生產線。
中微公司瞄準世界科技前沿，主要從事高端半導體設備及泛半導體設備的研發、生產和銷售。
公司的刻蝕設備已應用于全球先進的7納米和5納米及其他先進的集成電路加工制造生產線及先進封裝生產線。
中微公司作為設備公司，向客戶提供可加工先進器件的設備，協助、配合客戶實現先進器件的開發和生產。
展開 半導體設備一機難求
國內方面，2020年屹唐股份快速熱處理設備的全球市場占有率為11.50%。在干法刻蝕領域，公司2020年憑借0.1%的市場占有率位居全球第十。
在光刻機領域，我國起步更晚一些，不過國內光刻機已經實現了從0到1的突破，上海微電子的SSX600系列步進掃描投影光刻機，可滿足IC前道制造90nm、110nm、280nm關鍵層和非關鍵層的光刻工藝需求。該設備可用于8寸線或12寸線的大規模工業生產。
在蝕刻設備領域，中微公司等已占據 20%左右的市場份額。中微公司此前曾表示，這幾年公司的刻蝕設備在國內主要客戶端市場占有率不斷提升，在邏輯集成電路制造環節，公司開發的12英寸高端刻蝕設備已運用在國際知名客戶65納米到5納米等先進的芯片生產線上；同時，公司已開發出小于5納米刻蝕設備用于若干關鍵步驟的加工，并已獲得行業領先客戶的批量訂單。而其也表示，目前公司刻蝕設備交期較過去有所延長。
去膠設備方面，我國已完成大部分國產替代，屹唐的干法去膠設備全球市占率超過30%，全球第一，在國內則占據90%的市場。
離子注入設備約占前道晶圓設備市場的3%份額，在這方面，國內萬業企業旗下的凱世通已在2020年12月，與同芯成科技簽署了3套集成電路制備用離子注入機訂單，并于今年1月獲客戶約7億元批量設備訂單；中電科旗下的中科信在某些12寸晶圓產線上獲得工藝驗證。離子注入機的國產化仍處于快速起步階段。兩家公司目前均有離子注入機臺導入客戶驗證，有望彌補國內半導體設備行業的短板。
薄膜沉積設備方面，中國的國產化相對還較低，北方華創CVD、PVD等相關設備已具備28nm工藝水平，拓荊科技CVD和ALD相關設備已成功應用于14nm及以上制程集成電路制造產線，和更先進制程的產品驗證測試。
展開 半導體產業深度研究報告
原子層刻蝕可以實現精準的控制，具有優秀的各向異性，是未來刻蝕工藝的發展方向。
刻蝕工藝使用的半導體設備為刻蝕機
。全球刻蝕設備行業的主要企業即泛林半導體，東京電子和應用材料三家。從全球刻蝕設備市場份額來看，三家企業的合計市場份額就占到了全球刻蝕設備市場的90%以上。其中泛林半導體獨占52%的市場份額，東京電子與應用材料分別占據20%和19%的市場份額。
國內的刻蝕設備企業主要有中微公司、北方華創、屹唐半導體和中電科
。其中，中微公司、北方華創和屹唐半導體均以生產干法刻蝕設備為主，中電科除了生產干法刻蝕設備以外還生產濕法刻蝕設備。除上述企業外，國內還有創世微納、芯源微和華林科納等企業生產刻蝕設備。
國內刻蝕設備生產商中，中微公司在CCP刻蝕領域具備明顯優勢
。在邏輯集成電路制造方面，公司的CCP刻蝕設備已經進入國際知名晶圓代工廠的先進制程生產線，用于7/5納米器件的生產。在3DNAND芯片制造方面，公司的CCP刻蝕設備技術可應用于64層的量產，同時公司根據存儲器廠商的需求正在開發96層及更先進的刻蝕設備和工藝。
展開 國內半導體設備中標明細及其國產化率統計（一）
——以下內容摘自《半導體設備深度專題：從晶圓廠招標數據看半導體設備國產化進展》，已上傳【半導體產業研究】知識星球，成員可登錄星球搜索關鍵詞下載（文末查看如何成為星球成員）。
1、刻蝕：國產化率 22%，中微公司、北方華創、屹唐股份三強崛起
長江存儲：國產刻蝕設備主要采購自中微公司、北方華創、屹唐股份。在長江存儲2017~2021 年刻蝕設備招標中，中微公司設備中標數量位列第三，累計 58 臺，僅次于泛林、東京電子，高于應用材料，體現出中微公司在刻蝕設備領域達到國際水平的技術競爭力。北方華創、屹唐股份僅次于應用材料，分別錄得 24 臺、18 臺。
華力集成：中微公司中標數量位列第二，僅次于泛林，高于東京電子、應用材料。過去五年華力集成招標期間，中微公司共中標 15 臺，北方華創中標 1 臺。其中中微公司中標設備包括光阻刻蝕、銅互連溝槽刻蝕、鈍化膜刻蝕、通孔刻蝕、多晶硅刻蝕等，北方華創中標設備為多晶硅 STI 刻蝕。
華虹無錫：中微公司位列第二，僅次于泛林，高于迪恩士、東京電子。中微公司共中標 11 臺，北方華創中標 6 臺，其中中微公司中標設備包括鈍化膜刻蝕、氧化膜刻蝕、介質側墻刻蝕等，北方華創中標設備包括多晶硅刻蝕、淺溝槽刻蝕等。
總結：刻蝕設備方面，中微公司、北方華創、屹唐股份分列國內前三，其中中微公司工藝覆蓋范圍相對較廣，其主力出貨類型為 CCP（電容耦合等離子刻蝕），面向介質刻蝕較多，近期 ICP（電感耦合等離子刻蝕）逐步發力，未來工藝范圍有望進一步拓寬；北方華創主要工藝覆蓋為多晶硅、淺溝槽、鋁刻蝕等類型，主要面向金屬、硅等導體刻蝕為主；屹唐股份在長江存儲獲得大量采購，主要面向介質刻蝕。
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