薩格納克效應仿真的案例
基于comsol的泡克耳斯效應電場強度傳感器
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</div><p> 泡克爾效應也稱電光效應，光介質在恒定或交變電場下產生光的雙折射效應，這是一種線性電-光效應，其折射率的改變和所加電場的大小成正比[1]。德國物理學家弗里德里斯·泡克耳斯（英語：Friedrich Pockels）于1893年研究發現的。但這種效應只存在缺少反演對稱性的晶體中，例如鈮酸鋰（LiNbO3）,鉭酸鋰（LiTaO3），硼酸鋇（BBO），和砷化鎵（GaAs）等，或存在其它非中心對稱的介質，例如在電場極化高分子和玻璃中出現。電場極化高分子中含有特別設計的有機分子，它們具有比高非線性晶體高10倍的非線系數。</p><p><img src="https://img.jishulink.com/upload/202008/02e970c58fc247aeaf9ee117b2b1489f.png"></p><p> 利用該效應，當一束線偏振光通過處于電場中的電光晶體時， 它的兩個相互垂直的分量將具有不同的相速度，導致二者之間有一個相位差。一 定的條件下，這個相位差與電場強度成正比。利用這種效應，通過一些光電轉換 就可測量電壓或電場。這類傳感器件稱為光學電壓互感器，是智能變電站的關鍵設備。
展開 仿真實例：復材的雷擊直接效應仿真（熱仿真部分）
作者 | Wang Yuanteng
上期我們介紹了雷擊直接效應仿真電磁部分，設置了磁場、電流及歐姆損耗監視器并拿到了相應的結果。為了計算雷擊所產生的熱效應，我們將使用瞬態熱求解器Transient Thermal Solver進行計算。另外，還需考慮到熱源，下面我們具體來看是如何進行仿真的。
1.在電磁仿真工程上設置avg_ohmic_loss監視器。這里我們設定計算0-1μs的熱效應，因此設置10個起始點不同，時間長度0.1μs的監視器。
在后處理設置Thermal>thermal loss calculation
點擊開始仿真。
拿到avg_ohmic_loss仿真結果之一如下：
2.創建熱仿真，單擊Simulation Project>All Block as 3D Model，在彈出對話框輸入名稱及選擇工程和求解器類型。
3.在新工程中設置Sources and Loads>Thermal Losses，只需在Project中選中原電磁仿真工程，Source field和loss等信息自動被填寫，選擇value將我們設置的10個avg_ohmic_loss一一導入。
4.求解器設置。將Simulation duration設為1μs，假設環境溫度為-50℃（1萬米高空）。
設置激勵，勾選所有熱源，依次設置Time shift（如下），點擊signal>new signal建立hold信號，保持時間0.1μs。
選擇通過Preview可以看到不同時間在激勵不同熱源。
展開 設計仿真 | 直播預告-借助CFD仿真技術高效模擬城市熱島效應
城市熱島效應頻發，對自然氣候、人類能源消耗和身心健康都有著重要影響。熱島效應的數值模擬具有現實意義，但其模擬尺度較大，影響因素復雜，涉及到對流，換熱，植被蒸騰，太陽輻射等因素，無法輕易實現。Cradle CFD 軟件因其獨特的高魯棒性像素網格和基于結構化網格的高速求解技術，能對城市熱島效應進行快速、高保真模擬仿真，并能借助CFD仿真技術高效設計建筑環境、暖通空調與潔凈系統來指導改善熱島效應。
本期海克斯康直播講堂請到了CFD仿真工程師吳昌講師，他將為大家帶來“借助CFD仿真技術高效模擬城市熱島效應”為主題的專題直播，通過對行業痛點、技術難點及具體案例的深入解析，全面闡述城市熱島效應的模擬仿真解決方案。
展開 求助comsol熱釋電效應仿真
我想復現一篇文章中鈮酸鋰塊材的熱釋電電勢，但是不熟悉操作，請問有人可以幫忙指導嗎？（有償
基于壓阻效應的電熔接頭損傷監測數值仿真
本案例建立了二維軸對稱電熔接頭模型，模型如圖1所示，基于COMSOL軟件仿真了內壓和軸壓作用下接頭的電勢場、應變場以及裂紋擴展情況，仿真結果如圖2所示。
圖1 幾何模型
電勢場分布
應變場分布
裂紋擴展
圖2 仿真結果
感興趣的朋友，交流模型
仿真揭示光環諧振器中的“回音廊”效應
計算仿真結果
為了計算模型的光譜特性，你可以使用波動光學特有的模擬特征來運行邊界模式分析和頻域研究。下圖為諧振波長的場圖。這些結果表明，當直波導中的場與環形波導中的場發生干涉時，它們是異相的；因此，直波導中的出射場幾乎為零。由于幾乎沒有光從直波導傳輸，所以可以認為這個光環諧振器是設計良好的陷波濾波器。
你可以測試模型的參數來設計一個改進的光環諧振器，使其完全阻擋諧振波長的光，甚至可以通過構建 App 來高效運行多個分析.
來源：COMSOL
Ansys | 基于熱效應的形狀記憶合金脊柱間隔器仿真分析
形狀記憶合金（SMA）能夠在發生大變形后不產生殘余應變（偽彈性），并且可以通過溫度變化從大變形中恢復（形狀記憶效應）。偽彈性和形狀記憶效應使其特別適用于航空航天、生物醫學和結構工程等領域。本仿真模擬了將形狀記憶合金用作脊柱間隔器的過程。
目標
熟悉形狀記憶合金
理解考慮熱效應的形狀記憶合金建模流程
建模步驟
1. 在 ANSYS Workbench 中創建靜力結構系統。定義形狀記憶合金的材料屬性（表 1）。
表 1. 脊柱間隔器材料屬性
2、導入幾何模型。脊柱間隔器植入物的幾何形狀如圖 1 所示。由于對稱性，僅創建1/4 模型。在ANSYS Mechanical 中對幾何體進行網格劃分。
圖 1. 四分之一間隔器幾何模型示意圖
3、定義分析設置和邊界條件。共創建六個分析步。
3.1 第一步，在剛性板上施加-3.375mm 的位移以壓縮脊柱間隔器；第二步開始時，移除位移，使間隔器可以自由變形。
3.2 從第三步開始施加熱載荷，溫度從23.85℃ 升高到 37.85℃。在此期間，由于未發生相變，間隔器的形狀保持不變。第四步，溫度從 37.85℃ 升高到 50.85℃，由于此步中未發生主要的相變，計算再次快速收斂。第五步，溫度升高到 51.85℃，收斂速度變慢，大部分形狀恢復發生在此步中。第六步，將溫度冷卻至 37.85℃，間隔器的形狀保持不變。
圖 2. 溫度條件示意圖
4、運行仿真。不同溫度下間隔器的變形和應力云圖如圖3所示。
圖 3.
展開 電機NVH結構仿真 | 硅鋼片層疊效應對電機模態的影響
橫觀各向同性材料
電機結構的定子或轉子一般由硅鋼片層疊而成，在電機的動力學分析實踐中，工程師往往會把硅鋼片層疊結構的本構模型簡化為各向同性，也就是忽略了層疊效應。相比各向同性，橫觀各向同性本構模型更符合硅鋼片結構的實際情況。設定子層疊方向標記為1，其它兩個方向標記為2和3，則6個材料參數如下，由于G23可由E2(E3)和v23推導得出，所以獨立的材料參數為5個。
在Workbench中的材料參數設置
設層疊方向為X，假設硅鋼材料本身的彈性模量是200GPa，假設層疊方向的彈性模量為150GPa，假設各個方向的泊松比都為0.3，硅鋼材料剪切模量Shear Modulus YZ可按各向同性材料公式計算，其它兩個剪切模量假設為0.9倍硅鋼剪切模量。（材料參數來源于論文數據）
橫觀各向同性本構
設硅鋼的彈性模量為200GPa，泊松比為0.3。
各向同性本構
模態分析結果
導入某款電機的硅鋼片定子模型，進行自由模態分析，結果如下：
總結和建議
考慮層疊效應對定子模態頻率有影響，對模態振型一般無影響。
層疊效應對層疊方向的模態頻率影響較大，對其它兩個方向影響較小。
進行層疊結構模態分析時，采用橫觀各向同性本構模型更準確。
對層疊結構采用各向同性本構，模態分析結果也具有一定參考價值。
展開 聚合物壓阻微梁的壓電耦合效應數值仿真 ￥1500
</p><p><img src="https://img.jishulink.com/202205/imgs/1273dcb4e1cc4796914d6647fe96623c.png" alt="Untitled1.png"></p><p class="ql-align-center"><strong>圖1 幾何模型</strong></p><p>數值仿真得到微梁的位移和應力分布，如圖2所示。</p><p><img src="https://img.jishulink.com/202205/imgs/dd1910798cb648e5b40187e222ead8a4.png" alt="Untitled2.png"></p><p class="ql-align-center"><strong>圖2 微梁應力分布云圖</strong></p><p>壓敏電阻器的電勢分布云圖，如圖3所示。</p><p><img src="https://img.jishulink.com/202205/imgs/29e548c4d1144f10b2b1cbe106b395b0.png" alt="Untitled3.png"></p><p class="ql-align-center"><strong>圖3 壓敏電阻器電勢分布</strong></p><p>感興趣的朋友可下載模型源文件，歡迎交流合作</p>
展開 基于ANSYS的霍爾效應的仿真分析 ￥288
基于ANSYS的霍爾效應的仿真分析
作者：大龍貓 fwz0703@163.com
霍爾效應是電磁效應的一種，這種效應在傳感器中得到了廣泛的應用，目前主要用于測量磁場強度。霍爾效應是導電材料中的電流與磁場的相互作用，而產生電動勢的一種效應。
這個導電材料通常是半導體材料，將半導體材料接入一個電源中，形成一個回路，此時電路中就存在電荷的定向移動，如下圖：
當該導體處于磁場中，電荷就會在洛倫茲力的作用下，其路徑發生偏移，電荷偏移之后形成電場，那么在兩側就會形成電壓，如圖所示
其理論公式如下所示，
其中E為電場強度，e為電荷量，n為帶電粒子數量，B磁感應強度，V粒子速度
達到平衡后，
取 Rh=1/ne
為霍爾系數，是跟霍爾材料有關的一個系數，就得到霍爾效應的核心公式：
可以看到電壓是正比于磁場強度，所以，當傳感器形狀確定以后，其通電電流確定后，那么磁場越強，其感應電壓越大，所以霍爾效應傳感器能夠應用到磁場測量中。
那么ANSYS中我們可以仿真這個現象嗎？當然可以，萬能的ANSYS可以計算這個現象，下面簡單描述其流程。
1.首先建立模型，模型如圖所示，這種結構主要是為了仿真需要，因為一側通電，產生電流，另一側是測試電壓，通過提取結果數據來獲取，側面的體形是為了電路中電流的合流，因為實際的電路就是一根測試導線來連接半導體。
展開 RP 系列激光分析設計軟件 | 如何處理仿真中的熱透鏡效應
在本文中，我首先簡要描述了熱透鏡的來源，然后向您展示如何在我們的軟件中處理這種效應。
什么是熱透鏡？
當激光增益介質(例如激光晶體)被泵浦時，通常會產生一些熱量，這些熱量隨后需要通過熱傳導帶走。因此不可避免地會在增益介質中形成溫度梯度。形成激光的熱透鏡效應與以下物理機制相關:
折射率與溫度相關。
晶體內部的機械應力也會改變折射率(光彈性效應)。
此外，機械應力會導致端面凸出，使激光晶體具有透鏡的形狀。
在一般情況下，首先提到的影響因素往往是最主要的。下圖顯示了一般情況下數值計算的溫度曲線。
圖1:模擬端面泵浦Nd:YAG棒的橫向泵浦強度分布(紅色)和熱分布(藍色)。溫度分布僅在晶體中心附近近似為拋物線，因此光束半徑等于泵浦光束半徑的激光模式將產生一些像差。
諧振腔設計中的熱透鏡效應
我們的諧振器設計軟件RP Resonator基于ABCD矩陣算法計算激光諧振腔的模式特性。(準確地說，它使用一種擴展矩陣(ABCDEF矩陣)來處理錯位影響，但這與我們的上下文無關。)
這里，只能處理拋物線形狀的透鏡效應，即沒有球差的透鏡效應。軟件可以很容易地定義熱透鏡效應的分布，例如，激光晶體被定義為一個“棱鏡”，因此可以指定參數n2，它是折射率的徑向相關性的二階系數:n(r)= n0-0.5n2r2 。 這個參數可以簡化為熱透鏡的屈光度除以晶體長度。 屈光度可以從別處得知，或者至少在簡化的情況下，可以用簡單的公式從耗散功率密度計算出。 一種常見的情況是提供一根至少在激光束體積內被均勻泵浦的圓柱形棒。
原則上，也可以將具有一定屈光力的薄透鏡插入到激光晶體的左側或右側，或者當將激光晶體分成兩部分時，插入到激光晶體的中間。在許多情況下，結果將類似于分布式透鏡的結果。
展開 
設計仿真 | Marc基于非局部效應Lemaitre損傷模型小結
01
概 述
對于常規的CAE失效問題，針對以不同的單元網格尺寸建模分析韌性金屬材料損傷模型，而損傷變量取決于（局部）總等效塑性應變，導致仿真結果隨網格尺寸變化的差異性。在模擬過程中，因局部效應引起的模型應變局部軟化將從損傷累積失效點開始，歸因于應變局部軟化，為得到精確結果而細化網格往往引起仿真的求解困難，甚至導致求解無法收斂，計算中途停止的問題。
為了避免此類數值求解問題發生，我們會使用非局部效應（不考慮局部效應）總等效塑性應變來計算損傷變量，由結構過程計算的總等效塑性應變場被轉換為非局部效應（交錯方法），意味著將局部值“擴散”為非局部值，應變擴散由長度參數控制，以這種方式，應變局部效應不受定單元網格尺寸控制，而是受“非局部長度參數”限制（這與真實材料中發生的情況類似，應變局部效應將分布在相對較小的區域上），換句話說，該分析對網格細化不敏感。
02
案例分析過程
用軸對稱單元分析開槽圓柱桿，材料為具有應變硬化的彈塑性材料。
展開 16，comsol仿真MIM波導（含慢光效應方面的曲線繪制） ￥1450
在我看來，有個東西叫spp效應，與它像兄弟關系。spp就是 傳導型 表面等離子體共振，LSPR是 局域型 表面等離子體共振。感興趣的可以學下這兩本書。
在我看論文時發現，LSPR的文章多如牛毛，而SPP方面的文章就相對來說少見了。今天說的MIM波導正好與SPP有點相關.
下面是論文的結果 VS 我的結果
1，慢光效應的延時時間計算和等效折射率
上面這三張圖就是該復現該論文的難點，光學延遲時間和群折射率計算公式如下
難點在于要對圖7a求出的曲線，首先求每點的切線斜率，然后所有點的切線斜率合在一起得到圖7b。那么問題是該怎么求各點的切線斜率？翻翻高等數學書導數的定義就知道了。這里上面三幅圖我是在matlab中繪制的，主要原因是在comsol中還沒法畫出圖7a。
2，求MIM波導的透射率。這是MIM波導方面文章的必仿內容。
下面是付費內容，包含上面所有圖片的comsol模型以及對應的matlab代碼
展開 Abaqus實現有趣的多米諾骨牌效應（Domino Effect）仿真講解
Abaqus實現有趣的多米諾骨牌效應（Domino Effect）仿真講解
基于Comsol的EUV光路和透鏡熱力效應仿真
開放群：566811107（資料多，不僅限交流）
群一：836281296
群二：594368389
群三：1080606488
群四： 678357196
我的qq： 209870384有興趣的可以加我，交流模型。
極紫外輻射（EUV）或高能紫外輻射是波長在124nm到10nm之間的電磁輻射，對應光子能量為10eV到124eV。自然界中，日冕會產生EUV。人工EUV可由等離子源和同步輻射源得到。主要用途包括光電子譜，對日EUV成像望遠鏡，光微影技術。 EUV是最易被空氣吸收的譜段，因此其傳輸環境需高度真空。
EUV是新一代光刻機最主要的技術，稱為極紫外光刻（英語：Extreme ultra-violet，也稱EUV或EUVL）。使用極紫外（EUV）波長的新一代光刻技術，其波長為13.5納米。幾乎所有的光學材料對13.5nm波長的極紫外光都有很強的吸收，因此，EUV光刻機的光學系統只有使用反光鏡。
針對光學系統的反射鏡組，采用Comsol分析了反射鏡組在工況中的光、熱、力多物理場表現。
通過波動光學獲得反射鏡涂層的光熱性能，耦合幾何光路的分析獲得最終反射鏡組光、熱、力多物理場性能表現。
以下是反射鏡組的熱應力分布展示。
在本次工況中，鏡片的產生了約4.5nm熱變形，與實際實驗數據基本吻合。
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