電容提取的案例
TRCX應用：OLED 像素模擬及電容提取
此外，電容的計算對于提高像素電路的補償精度至關重要，因為現代OLED使用了更多的層，以使其更高效和耐用。TRCX通過使用指定的分析算法來處理用于分析OLED像素電路的數據，從而提供快速準確的計算。
2. 建模任務
□ 2.1 堆棧結構
3. 建模過程
3.1 加載GDS&Layer文件
3.2 定義結構
3.3 設置和編輯各層的屬性
4. 結果分析
□ 檢查*.str文件
□ 檢查msh文件
□ 檢查PANEL文件夾中的結果文件
□ 電容計算結果文件
comsol電磁場使用者福利
三、低頻電磁場（ACDC）物理場技術詳解 1、麥克斯韋方程組微分形式講解和推導
2、電容、電感、電阻的控制方程和邊界條件設置，提取集總參數得到電容值，電感值。
電準靜態、磁準靜態理論分析
3、線圈模型分析
三維線圈建模，不同線圈類型及激勵設置，線圈阻抗參數提取，邊界條件、網格剖分，求解器設。
集總端口設置、薄層設置、線圈電容提取、不同頻率下線圈條件選擇
4、電磁—聲—壓相互作用
建立靜電電路接口+聲學+幾何結構
5、磁流體建模
磁力控制方程設置，邊界條件設置，耦合電場、磁場和流場，解偏微分方程組，使用安培定律和電流守恒特征求解洛倫茲項特征
四、實際案例模型操作
案例一、電磁探測
（1）人體頭顱腫瘤MIT電磁探測
（2）人體頭顱幾何畫法。
（3）正向問題求解探討
（4）發射角與接收角相位差計算。
展開 COMSOL Multiphysics電磁場與多物理場耦合仿真專題線上培訓班
三、低頻電磁場（ACDC）物理場技術詳解
1、麥克斯韋方程組微分形式講解和推導
2、電容、電感、電阻的控制方程和邊界條件設置，提取集總參數得到電容值，電感值。
電準靜態、磁準靜態理論分析
3、線圈模型分析
三維線圈建模，不同線圈類型及激勵設置，線圈阻抗參數提取，邊界條件、網格剖分，求解器設。
集總端口設置、薄層設置、線圈電容提取、不同頻率下線圈條件選擇
4、電磁—聲—壓相互作用
建立靜電電路接口+聲學+幾何結構
5、磁流體建模
磁力控制方程設置，邊界條件設置，耦合電場、磁場和流場，解偏微分方程組，使用安培定律和電流守恒特征求解洛倫茲項特征
四、實際案例模型操作
案例一、電磁探測
（1）人體頭顱腫瘤MIT電磁探測
（2）人體頭顱幾何畫法。
（3）正向問題求解探討
（4）發射角與接收角相位差計算。
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三、低頻電磁場（ACDC）物理場技術詳解
1、麥克斯韋方程組微分形式講解和推導
2、電容、電感、電阻的控制方程和邊界條件設置，提取集總參數得到電容值，電感值。
電準靜態、磁準靜態理論分析
3、線圈模型分析
三維線圈建模，不同線圈類型及激勵設置，線圈阻抗參數提取，邊界條件、網格剖分，求解器設。
集總端口設置、薄層設置、線圈電容提取、不同頻率下線圈條件選擇
4、電磁—聲—壓相互作用
建立靜電電路接口+聲學+幾何結構
5、磁流體建模
磁力控制方程設置，邊界條件設置，耦合電場、磁場和流場，解偏微分方程組，使用安培定律和電流守恒特征求解洛倫茲項特征
四、實際案例模型操作
案例一、電磁探測
（1）人體頭顱腫瘤MIT電磁探測
（2）人體頭顱幾何畫法。
（3）正向問題求解探討
（4）發射角與接收角相位差計算。
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2021年comsolACDC電磁場與多物理場耦合專題線上培訓班
三、低頻電磁場（ACDC）物理場技術詳解
1、麥克斯韋方程組微分形式講解和推導
2、電容、電感、電阻的控制方程和邊界條件設置，提取集總參數得到電容值，電感值。
電準靜態、磁準靜態理論分析
3、線圈模型分析
三維線圈建模，不同線圈類型及激勵設置，線圈阻抗參數提取，邊界條件、網格剖分，求解器設。
集總端口設置、薄層設置、線圈電容提取、不同頻率下線圈條件選擇
4、電磁—聲—壓相互作用
建立靜電電路接口+聲學+幾何結構
5、磁流體建模
磁力控制方程設置，邊界條件設置，耦合電場、磁場和流場，解偏微分方程組，使用安培定律和電流守恒特征求解洛倫茲項特征
四、實際案例模型操作
案例一、電磁探測
（1）人體頭顱腫瘤MIT電磁探測
（2）人體頭顱幾何畫法。
（3）正向問題求解探討
（4）發射角與接收角相位差計算。
展開 電容器 | 一文詳解MOM、MIM和MOS及其區別
這些組件可以是平面（實心的或者帶孔的）、傳輸線、螺旋電感器和MIM/MOM電容器，它們可以與高速/高頻布線一起提取，以計算全耦合電磁模型。此外，憑借自動化的額外優勢，使電磁提取任務的設置變得非常簡單且快速。
電容器 | 一文詳解MOM、MIM和MOS及其區別
技術文件中會引入專用的MIM層，以定義和設計MIM電容器。在完整布局環境中對完整的MIM結構進行建模，對于預測電容精度至關重要。
MOM和MIM電容器廣泛應用于集成電路，尤其是RF和模擬應用，而使用仿真軟件對這些電容器進行準確建模，對于確保電容精度和滿足布局方面的匹配要求至關重要。Ansys RaptorH能夠提取所有無源器件以及任意布線布局（無論是成熟設計還是正在開發中的布局）的電磁模型。這些組件可以是平面（實心的或者帶孔的）、傳輸線、螺旋電感器和MIM/MOM電容器，它們可以與高速/高頻布線一起提取，以計算全耦合電磁模型。此外，憑借自動化的額外優勢，使電磁提取任務的設置變得非常簡單且快速。
展開 半導體 | Ansys助力onsemi實現產品電氣化和流程創新
onsemi和Ansys合作，于業內率先建立了完整且自動化的功率模塊仿真平臺，其中包括：
通過Ansys SpaceClaim 3D計算機輔助設計（CAD）建模軟件生成3D實體模型
使用Ansys Icepak電子散熱仿真軟件進行熱阻抗仿真
由Ansys Q3D Extractor寄生參數提取電磁仿真軟件提供支持的寄生RLC（電阻、電感和電容）參數提取
生成降階SPICE（以集成電路為重點的仿真程序）模型
部署用于自動化的Ansys原生Python腳本庫
由于工程師可以對基于碳化硅（SiC）的功率模塊設計進行迭代，onsemi基于對象的方法能夠實現更大的創意自由度。一種突破性的任意夾片設計工具可適應復雜性，使建模團隊能夠探索不同的夾片形狀和方向，以最大限度地提高整體性能
與之前的建模方法相比，onsemi的專有自動化工作流程更快速且更精確。例如，在典型的有限元分析（FEA）模型生成流程中，包括一個耗時且容易出錯的環節：即生成CAD實體模型，隨后還需在仿真預處理步驟中導入模型并進行簡化處理。在新的onsemi-Ansys工作流程中，這項任務被完全腳本化、自動化的3D實體模型生成所取代，只需最少的用戶交互即可完成。
此外，創新流程還可自動為特定實體模型應用定制的網格劃分和求解策略，從而減少不必要的步驟。舉例來說，對芯片的有源區域進行建模對于熱分析非常重要，對所有信號連接器進行建模，則主要是為了評估電氣效應，而該流程會自動適應用戶的最終分析目標。
自動化MFIT方法，也比依賴于按規定順序分層或堆疊實體幾何結構的傳統工作流程更靈活。onsemi的流程是基于對象的，因此每個模塊都可以采用自底向上的方法構建——首先從定義組件主干的基礎對象開始。
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