碳化硅半導(dǎo)體的案例
半導(dǎo)體｜華為哈勃投資碳化硅企業(yè)天域半導(dǎo)體
來(lái)源 ：鉅亨網(wǎng)
7月5日企查查顯示華為旗下投資機(jī)構(gòu)「深圳哈勃科技投資」投資東莞市天域半導(dǎo)體科技，后者注冊(cè)資本由
人民幣
9027 萬(wàn)元增至
人民幣
9770 萬(wàn)，幅度逾 8%。
天域半導(dǎo)體科技成立于 2009 年 1 月，營(yíng)運(yùn)范圍包含研發(fā)、生產(chǎn)、銷售碳化硅 (SiC) 磊晶硅晶圓片，半導(dǎo)體材料及零件等。該公司也是中國(guó)第一家從事第三代半導(dǎo)體碳化硅磊晶硅晶圓片的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的高新技術(shù)企業(yè)，也是中國(guó)第一家碳化硅半導(dǎo)體材料供應(yīng)鏈企業(yè)取得汽車質(zhì)量認(rèn)證。
而天域半導(dǎo)體在 2010 年與中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體所合作成立「碳化硅技術(shù)研究院」，組成一支中國(guó)頂尖的技術(shù)創(chuàng)新團(tuán)隊(duì)。
值得一提的是，該公司擁有數(shù)十項(xiàng)半導(dǎo)體相關(guān)專利，例如一種改變 SiC 芯片翹曲度的拋光裝置等。
今年 4 月成立的深圳哈勃科技投資公司，其目標(biāo)是幫助華為快速打造一條半導(dǎo)體自救生態(tài)鏈，目前這條生態(tài)鏈正有合攏之勢(shì)。同時(shí)短短兩個(gè)月已投資三家科技獨(dú)角獸。
近期深圳哈勃也投資一家位于蘇州的半導(dǎo)體公司，該公司是中國(guó)第一家擁有自主設(shè)計(jì)垂直探針卡研發(fā)能力的企業(yè)，并已實(shí)現(xiàn) MEMS 探針卡量產(chǎn)。
展開(kāi) 日立碳化硅目標(biāo)17.8億元，增長(zhǎng)30倍！它憑什么？
對(duì)于該結(jié)構(gòu)，日立非常有信心，提出了一個(gè)“大目標(biāo)”——2030年要將碳化硅半導(dǎo)體的銷售額提高至17.8億人民幣，達(dá)到2019年度的30倍。并且，日立的目標(biāo)是趕上并超越羅姆、科銳等公司。
TED-MOS結(jié)構(gòu)真的那么牛？今天，“三代半風(fēng)向”跟大家聊聊它究竟有什么特點(diǎn)。
同時(shí)，我們發(fā)現(xiàn)，全球已有6家企業(yè)量產(chǎn)了溝槽SiC MOSFET，但相關(guān)專利最強(qiáng)的竟然不是Cree（附在文末）。
目標(biāo)：17.8億元
挑戰(zhàn)羅姆、三菱、科銳、英飛凌
據(jù)日本經(jīng)濟(jì)新聞報(bào)道，該產(chǎn)品是由日立的子公司
日立功率半導(dǎo)體
開(kāi)發(fā)，于今年3月開(kāi)始供應(yīng)樣品，將根據(jù)客戶的反應(yīng)，
從2022年度開(kāi)始量產(chǎn)
。
2019年度，日立功率半導(dǎo)體的銷售額約為360億日元（約21.38億人民幣），其中，碳化硅半導(dǎo)體的銷售額為10億日元（約5940萬(wàn)元人民幣）。目前僅用于部分鐵路，未來(lái)還將面向純電動(dòng)汽車、光伏發(fā)電及電力系統(tǒng)推廣產(chǎn)品。
日立功率半導(dǎo)體認(rèn)為，碳化硅半導(dǎo)體到2023年以后來(lái)自純電動(dòng)汽車等的需求將擴(kuò)大，將實(shí)現(xiàn)全面普及。他們的碳化硅半導(dǎo)體的銷售額到2027年度將達(dá)到250億日元（14.85億人民幣），到2030年度提高至300億日元（約17.8億人民幣），是2019年的營(yíng)收的30倍。
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在2018年開(kāi)發(fā)出TED-MOS結(jié)構(gòu)后，日立研發(fā)負(fù)責(zé)人就曾表示，
羅姆、三菱電機(jī)、Cree和英飛凌在SiC功率半導(dǎo)體方面處于領(lǐng)先地位，但日立的目標(biāo)是趕上并超越這些領(lǐng)先的公司。
TED-MOS結(jié)構(gòu)性能如何？
展開(kāi) 碳化硅第一股？山東天岳上市輔導(dǎo)最終報(bào)告公布
碳化硅
半導(dǎo)體行業(yè)有望迎來(lái)第一股！
昨天（5月20日），證監(jiān)委公布了《
山東天岳
先進(jìn)科技股份有限公司首次公開(kāi)發(fā)行股票并上市輔導(dǎo)工作總結(jié)報(bào)告》。
《報(bào)告》顯示，海通證券股份有限公司和國(guó)泰君安證券股權(quán)有限公司作為山東天岳首次公開(kāi)發(fā)行并上市的輔導(dǎo)機(jī)構(gòu)，并分別于2020年11月30日、2021年1月7日完成輔導(dǎo)備案對(duì)山東天岳展開(kāi)輔導(dǎo)。
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據(jù)行業(yè)人士表示，這意味著山東天岳已完成上市輔導(dǎo)，
上交所即將受理公司遞交的申報(bào)材料，同時(shí)山東天岳有望成為第一家上市的第三代半導(dǎo)體企業(yè)。
根據(jù)官網(wǎng)消息，山東天岳成立于2010年11月，是一家國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的寬禁帶（第三代）半導(dǎo)體襯底材料生產(chǎn)商，產(chǎn)品覆蓋半絕緣型和導(dǎo)電型碳化硅襯底。
投資45億
布局3大項(xiàng)目
據(jù)“三代半風(fēng)向”了解，目前山東天岳在
山東和湖南
布下三大項(xiàng)目，總投資約45億元。
2018 年山東天岳投資建設(shè)了“高品質(zhì)4H-SiC 單晶襯底材料研究與產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目”。
根據(jù)《經(jīng)濟(jì)導(dǎo)報(bào)》的報(bào)道，該項(xiàng)目擬投資
4.5億元
，建成后可達(dá)到年產(chǎn)6英寸4H-SiC單晶襯底（兼容4英寸）產(chǎn)品
3萬(wàn)片
的生產(chǎn)能力。
根據(jù)2020年12月公布的《碳化硅半導(dǎo)體材料單晶生產(chǎn)項(xiàng)目（二期）竣工環(huán)境保護(hù)驗(yàn)收?qǐng)?bào)告》，濟(jì)寧天岳新材料科技有限公司又投資
10億元
建設(shè)碳化硅半導(dǎo)體材料單晶生產(chǎn)項(xiàng)目。
2018年11月13日，天岳碳化硅材料項(xiàng)目開(kāi)工活動(dòng)在長(zhǎng)沙瀏陽(yáng)高新區(qū)舉行。
展開(kāi) RS瑞森半導(dǎo)體碳化硅二極管在光伏逆變器的應(yīng)用
一、前言
碳化硅 (SiC) 是一種由硅 (Si) 和碳 (C) 組成的半導(dǎo)體化合物，屬于寬帶隙 (WBG) 材料系列。它的物理結(jié)合力非常強(qiáng)，使半導(dǎo)體具有很高的機(jī)械、化學(xué)和熱穩(wěn)定性。寬帶隙和高熱穩(wěn)定性允許 SiC器件在高于硅的結(jié)溫下使用，甚至超過(guò) 200°C。碳化硅在功率應(yīng)用中的主要優(yōu)勢(shì)是其低漂移區(qū)電阻，這是高壓功率器件的關(guān)鍵因素。
二、碳化硅產(chǎn)品特點(diǎn)
碳化硅(SiC)具有寬禁帶(Si的3倍)、高熱導(dǎo)率(Si的3.3倍)、高的臨界擊穿電場(chǎng)(Si的10倍)、高飽和電子遷移率(Si的2.5倍)以及高健合能等優(yōu)點(diǎn)，這就使得碳化硅材料可以很好地適用于高性能(高頻、高溫、高功率、抗輻射)電子器件。
展開(kāi) 
市場(chǎng)需求飆升，碳化硅爆發(fā)在即
在過(guò)去，功率元件的基本材料多半都是以硅（Si）為主，這也是傳統(tǒng)最為普遍的半導(dǎo)體材料，然而在近年來(lái)，這種硅功率元件開(kāi)始遭遇到低耗能、高效能與小型化等兩大挑戰(zhàn)，這使得新一代的半導(dǎo)體材料碳化硅（Silicon Carbide；SiC）開(kāi)始受到重視。
碳化硅是一種能夠?qū)崿F(xiàn)低功耗、高效率與小型化目標(biāo)的功率元件，相較于硅半導(dǎo)體，碳化硅的特色更偏重于其功率損耗與高溫工作特性，都能優(yōu)于傳統(tǒng)的硅半導(dǎo)體元件，此種材料能夠降低能源的切換損耗，既使在高溫環(huán)境下，仍具備絕佳的工作特性，因此被看中將成為新一代的高功率元件材料。
碳化硅
碳化硅不論是在熱力學(xué)、化學(xué)以及物理學(xué)等方面，都是非常安定的化合物半導(dǎo)體，其參數(shù)對(duì)于功率元件來(lái)說(shuō)十分重要。不只特性上超越了硅半導(dǎo)體的低電阻、高速及高溫工作，并且還可大幅減少電力在輸送到機(jī)器過(guò)程中，各種功率轉(zhuǎn)換所導(dǎo)致的能源損耗。近年來(lái)隨著碳化硅材料的應(yīng)用逐漸成熟，加上其在半導(dǎo)體領(lǐng)域的獨(dú)特優(yōu)勢(shì)，使得碳化硅已經(jīng)逐漸走向?qū)嵱没谠S多大功率的應(yīng)用，包括對(duì)于產(chǎn)品品質(zhì)有嚴(yán)苛要求的車用領(lǐng)域，以及生活周遭對(duì)于節(jié)能與小型化特別要求的應(yīng)用上，都已經(jīng)可以看到碳化硅半導(dǎo)體的身影。
碳化硅的物性
碳化硅SiC是一種由硅﹙Si﹚與碳﹙C﹚所構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料。其結(jié)合力非常強(qiáng)大，使其不論在熱力學(xué)上、化學(xué)上與機(jī)械上都能夠呈現(xiàn)高度安定的狀態(tài)。純碳化硅是無(wú)色的，工業(yè)用碳化硅由于含有鐵質(zhì)等，因而呈現(xiàn)棕色至黑色，晶體上彩虹般光澤則是由于表面產(chǎn)生的二氧化硅鈍化層所導(dǎo)致。
三種主要的SiC結(jié)構(gòu)
碳化硅存在許多不同的晶體型態(tài)，由于相似晶體結(jié)構(gòu)的同質(zhì)多型體，使得碳化硅具有同質(zhì)多晶的特點(diǎn)。
展開(kāi) 豐田電裝大舉進(jìn)軍碳化硅
車載產(chǎn)品中使用的典型功率半導(dǎo)體由硅 (Si) 制成。相比之下，碳化硅在高溫、高頻和高壓環(huán)境中具有卓越的性能，有助于顯著降低逆變器的功率損耗、尺寸和重量。因此，SiC 器件因其加速車輛電氣化而受到關(guān)注。
電裝指出，與采用硅功率半導(dǎo)體的傳統(tǒng)產(chǎn)品相比，采用公司碳化硅功率半導(dǎo)體的升壓功率模塊體積縮小了約 30%，功率損耗降低了 70%。這就可以讓產(chǎn)品變得更小，車輛燃油效率得到提高。
電裝工程師也表示，與硅相比，碳化硅的電阻低，因此電流更容易流動(dòng)。由于這種特性，一個(gè)原型 SiC 器件被突然的大電流浪涌損壞。為此電裝的多部門合作討論如何在充分利用 SiC 的低損耗性能的同時(shí)防止損壞市場(chǎng)上的設(shè)備，并以一個(gè)我們部門無(wú)法單獨(dú)提出的想法解決了這個(gè)問(wèn)題：使用特殊的驅(qū)動(dòng)器 IC 高速切斷電流。
碳化硅專利：電裝排第五
據(jù)日經(jīng)報(bào)道，日美企業(yè)壟斷了新一代半導(dǎo)體材料碳化硅（SiC）相關(guān)專利的前5位。從事專利分析的日本Patent Result公司的統(tǒng)計(jì)顯示，涉足碳化硅半導(dǎo)體基板的美國(guó)科銳（Cree)排在首位，第2～5位是羅姆和住友電氣工業(yè)等日本企業(yè)。
根據(jù)截至7月29日發(fā)布的美國(guó)專利數(shù)據(jù)，通過(guò)數(shù)量和關(guān)注度計(jì)算了分?jǐn)?shù)。碳化硅被用作替代現(xiàn)有的硅半導(dǎo)體基板材料，有助于提高功率半導(dǎo)體的性能和節(jié)能化。在純電動(dòng)汽車（EV）和光伏發(fā)電系統(tǒng)的逆變器等領(lǐng)域，碳化硅的應(yīng)用范圍不斷擴(kuò)大。在脫碳化社會(huì)之下，需求有望擴(kuò)大。
Patent Result的分析顯示，排在首位的美國(guó)科銳在碳化硅基板和結(jié)晶化的專利方面具有優(yōu)勢(shì)。第2位的羅姆和第5位的電裝在降低電力損耗方面有優(yōu)勢(shì)，第3的住友電工強(qiáng)于碳化硅的結(jié)晶結(jié)構(gòu)，第4的三菱電機(jī)在半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)方面有優(yōu)勢(shì)。
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技術(shù) | 碳化硅功率器件的三大關(guān)鍵技術(shù)！
碳化硅功率器件與傳統(tǒng)硅功率器件制作工藝不同，不能直接制作在碳化硅單晶材料上，必須在導(dǎo)通型單晶襯底上額外生長(zhǎng)高質(zhì)量的外延材料，并在外延層上制造各類器件。
功率器件行業(yè)發(fā)展到IGBT(絕緣柵雙極晶體管)時(shí)期，硅基器件的性能已經(jīng)接近極限，邊際成本越來(lái)越高。
半導(dǎo)體器件產(chǎn)業(yè)仍對(duì)高功率、高頻切換、高溫操作、高功率密度等有著越來(lái)越多的需求，因此以SiC(碳化硅)、GaN(氮化鎵)等第三代半導(dǎo)體材料為核心的寬禁帶功率器件成為了研究熱點(diǎn)與新發(fā)展方向，并逐步進(jìn)入應(yīng)用量產(chǎn)階段。
SiC功率器件性能優(yōu)勢(shì)
SiC功率半導(dǎo)體的發(fā)展改善了功率開(kāi)關(guān)器件的硬開(kāi)關(guān)特性，耐壓可達(dá)數(shù)萬(wàn)伏，耐溫可達(dá)500℃以上，其性能優(yōu)勢(shì)如下：
(1)寬禁帶可大幅減小泄漏電流，從而減少高功率器件損耗；
(2)高擊穿場(chǎng)強(qiáng)可提高功率器件耐壓能力與電流密度，減小整體尺寸；
(3)高熱導(dǎo)率可改善耐高溫能力，有助于器件散熱，減小散熱設(shè)備體積，提高集成度，增加功率密度；
(4)強(qiáng)抗輻射能力，更適合在外太空等輻照條件下應(yīng)用。理論上，SiC器件是實(shí)現(xiàn)高壓、高溫、高頻、高功率及抗輻射相結(jié)合的理想材料，主要應(yīng)用于大功率場(chǎng)合，可實(shí)現(xiàn)模塊及應(yīng)用系統(tǒng)的小型化、集成化，提高功率密度和系統(tǒng)效率。
展開(kāi) 智芯研報(bào) | 碳化硅功率器件發(fā)力電動(dòng)飛機(jī)市場(chǎng)
SiC 能大大降低功率轉(zhuǎn)換中的開(kāi)關(guān)損耗
SiC 更容易實(shí)現(xiàn)模塊的小型化、更耐高溫
碳化硅功率半導(dǎo)體器件相較于硅基功率器件優(yōu)勢(shì)
02
????????????碳化硅功率半導(dǎo)體器件產(chǎn)業(yè)鏈
碳化硅功率半導(dǎo)體器件從上個(gè)世紀(jì)70年代開(kāi)始研發(fā)，經(jīng)過(guò)30年的積累，于2001年開(kāi)始商用碳化硅SBD器件，之后于2010年開(kāi)始商用碳化硅MOSFET器件，當(dāng)前碳化硅IGBT器件還在研發(fā)當(dāng)中。
碳化硅功率器件發(fā)展歷程
資料來(lái)源：太平洋證券
碳化硅功率器件整個(gè)生產(chǎn)過(guò)程大致如下圖所示，主要會(huì)分為碳化硅單晶生產(chǎn)、外延層生產(chǎn)、器件制造三大步驟，分別對(duì)應(yīng)產(chǎn)業(yè)鏈的襯底、外延、器件和模組三大環(huán)節(jié)。
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目前，碳化硅半導(dǎo)體主要應(yīng)用于以5G通信、國(guó)防軍工、航空航天為代表的射頻領(lǐng)域和以新能源汽車、“新基建”為代表的電力電子領(lǐng)域，在民用、軍用領(lǐng)域均具有明確且可觀的市場(chǎng)前景。
同時(shí)，我國(guó)“十二五”、“十三五”及“十四五”規(guī)劃均已將碳化硅半導(dǎo)體納入重點(diǎn)支持領(lǐng)域，隨著國(guó)家“新基建”戰(zhàn)略的實(shí)施，碳化硅半導(dǎo)體將在 5G 基站建設(shè)、特高壓、城際高速鐵路和城市軌道交通、新能源汽車充電樁、大數(shù)據(jù)中心等新基 建領(lǐng)域發(fā)揮重要作用。因此，以碳化硅為代表的寬禁帶半導(dǎo)體是面向經(jīng)濟(jì)主戰(zhàn)場(chǎng)、面向國(guó)家重大需求的戰(zhàn)略性行業(yè)。
全球?qū)捊麕?em>半導(dǎo)體行業(yè)目前總體處于發(fā)展初期階段，相比硅和砷化鎵等半導(dǎo)體而言，在寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域我國(guó)和國(guó)際巨頭公司之間的整體技術(shù)差距相對(duì)較小。另外，由于寬禁帶半導(dǎo)體的下游工藝制程具有更高的包容性和寬容度，下游制造環(huán)節(jié)對(duì)設(shè)備的要求相對(duì)較低，投資額相對(duì)較小，制約寬禁帶半導(dǎo)體行業(yè)快速發(fā)展的關(guān)鍵之一在上游材料端。因此，我國(guó)若能在寬禁帶半導(dǎo)體行業(yè)上游襯底材料行業(yè)實(shí)現(xiàn)突破，將有望在半導(dǎo)體行業(yè)實(shí)現(xiàn)換道超車。
來(lái)源：電子發(fā)燒友網(wǎng)整理 作者：李彎彎
展開(kāi) 碳化硅，究竟貴在哪里？
碳化硅半導(dǎo)體，是新近發(fā)展的寬禁帶半導(dǎo)體的核心材料，以其制作的器件具有耐高溫、耐高壓、高頻、大功率、抗輻射等特點(diǎn)，具有開(kāi)關(guān)速度快、效率高的優(yōu)勢(shì)，可大幅降低產(chǎn)品功耗、提高能量轉(zhuǎn)換效率并減小產(chǎn)品體積，主要應(yīng)用于以5G通信、國(guó)防軍工、航空航天為代表的射頻領(lǐng)域和以新能源汽車、“新基建”為代表的電力電子領(lǐng)域，在民用、軍用領(lǐng)域均具有明確且可觀的市場(chǎng)前景。我國(guó)“十四五”規(guī)劃已將碳化硅半導(dǎo)體納入重點(diǎn)支持領(lǐng)域，隨著國(guó)家“新基建”戰(zhàn)略的實(shí)施，碳化硅半導(dǎo)體將在5G基站建設(shè)、特高壓、城際高速鐵路和城市軌道交通、新能源汽車充電樁、大數(shù)據(jù)中心等新基建領(lǐng)域發(fā)揮重要作用。因此，以碳化硅為代表的寬禁帶半導(dǎo)體是面向經(jīng)濟(jì)主戰(zhàn)場(chǎng)、面向國(guó)家重大需求的戰(zhàn)略性行業(yè)。
碳化硅在制造射頻器件、功率器件等領(lǐng)域具有明顯優(yōu)勢(shì)。但是在射頻器件、功率器件領(lǐng)域，碳化硅襯底的市場(chǎng)應(yīng)用瓶頸為其較高的生產(chǎn)成本。影響碳化硅襯底成本的制約性因素在于生產(chǎn)速率慢、產(chǎn)品良率低，主要系：目前主流商用的PVT 法晶體生長(zhǎng)速度慢、缺陷控制難度大。相較于成熟的硅片制造工藝，碳化硅襯底短期內(nèi)依然較為高昂。例如，目前碳化硅功率器件的價(jià)格仍數(shù)倍于硅基器件，下游應(yīng)用領(lǐng)域仍需平衡碳化硅器件的高價(jià)格與因碳化硅器件的優(yōu)越性能帶來(lái)的綜合成本下降之間的關(guān)系，短期內(nèi)一定程度上限制了碳化硅器件的滲透率，其成本高限制了其在下端市場(chǎng)的應(yīng)用場(chǎng)景以及市場(chǎng)滲透，那么碳化硅具體貴在什么地方呢？
展開(kāi) 
《新聞聯(lián)播》：這家公司已開(kāi)始布局第四代半導(dǎo)體材料
主要從事三代半導(dǎo)體材料碳化硅的研發(fā)和生產(chǎn)，被廣泛應(yīng)用于新一代雷達(dá)、衛(wèi)星通訊、高壓輸變電、軌道交通、電動(dòng)汽車、通訊基站等重要領(lǐng)域。
山西日?qǐng)?bào)此前報(bào)道，山西爍科晶體目前在實(shí)現(xiàn)第三代半導(dǎo)體碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈完全自主可控、完全掌握4-6英寸襯底片“切、磨、拋”工藝，8英寸襯底片也已經(jīng)取得重大進(jìn)展。
報(bào)道指出，山西爍科晶體碳化硅半導(dǎo)體材料產(chǎn)能占據(jù)國(guó)內(nèi)第一，市場(chǎng)占有率超過(guò)50%。
來(lái)源：全球半導(dǎo)體觀察
獨(dú)領(lǐng)風(fēng)騷,無(wú)與倫比的碳化硅（SiC)，它為何這么香？
引言：加速發(fā)展的數(shù)字化和能源效率等全球趨勢(shì)，給制造商和半導(dǎo)體市場(chǎng)帶來(lái)了新的挑戰(zhàn)，而第三代半導(dǎo)體碳化硅可謂非常火熱。
何為碳化硅？
碳化硅又稱金鋼砂或耐火砂。碳化硅是用石英砂、石油焦(
或煤焦
)、木屑(
生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽
)等原料在電阻爐內(nèi)經(jīng)高溫冶煉而成。目前我國(guó)工業(yè)生產(chǎn)的碳化硅分為黑色碳化硅和綠色碳化硅兩種，均為六方晶體，比重為3.20～3.25，顯微硬度為2840～3320kg/mm2。
碳化硅（
SiC
）半導(dǎo)體材料是自第一代元素半導(dǎo)體材料（
Si、Ge
）和第二代化合物半導(dǎo)體材料（
GaAs、GaP、InP等
）之后崛起的第三代半導(dǎo)體材料。作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，碳化硅具有禁帶寬度大、擊穿場(chǎng)強(qiáng)高、熱導(dǎo)率大、載流子飽和漂移速度高、介電常數(shù)小、抗輻射能力強(qiáng)、化學(xué)穩(wěn)定性良好等特點(diǎn)，憑借其耐高溫、耐高壓、高頻的特性在功率器件領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。
1.碳化硅材料特性
SiC 以多種多晶型晶體結(jié)構(gòu)存在，稱為多型，例如 3C-SiC、6H-SiC、4H-SiC。目前4H-SiC在實(shí)際功率器件制造中通常是首選。直徑為3英寸至6英寸的單晶4H-SiC晶片可商購(gòu)獲得。
與 Si 相比，SiC 具有十倍的介電擊穿場(chǎng)強(qiáng)、三倍的帶隙和三倍的熱導(dǎo)率。SiC 器件可以承受更高的擊穿電壓，具有更低的電阻率，并且可以在更高的溫度下工作。
展開(kāi) 第三代半導(dǎo)體的明日之星-SiC碳化硅
來(lái)源：碳化硅SiC半導(dǎo)體材料
作者：漢民
汽車業(yè)的世紀(jì)革命：電動(dòng)車
世界第一臺(tái)汽車，在1885年問(wèn)世。汽車產(chǎn)業(yè)發(fā)展至今，電動(dòng)車所帶來(lái)的世紀(jì)革命已然成型。隨著各國(guó)的綠能政策推動(dòng)、碳排放標(biāo)準(zhǔn)的限制，電動(dòng)車銷售量預(yù)估到2030年將達(dá)到2200萬(wàn)輛，市場(chǎng)規(guī)模成長(zhǎng)近10倍。美國(guó)與歐洲，多國(guó)政府領(lǐng)袖宣布將于2035年，汽車全面采用干凈能源。
根據(jù)統(tǒng)計(jì)，2020年，全球汽車與其周邊產(chǎn)業(yè)的年產(chǎn)值約為4兆美元，是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)年產(chǎn)值4,250億美元的10倍。一個(gè)龐大的電動(dòng)車市場(chǎng)快速成長(zhǎng)，將使傳統(tǒng)汽油動(dòng)力推動(dòng)的汽車產(chǎn)業(yè)解構(gòu)，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將出現(xiàn)巨大新需求。
傳統(tǒng)汽車的耗油率是由引擎決定，未來(lái)電動(dòng)車的續(xù)航力則是由第三代半導(dǎo)體SiC技術(shù)決定。
展開(kāi) 東洋炭素?cái)U(kuò)大半導(dǎo)體基礎(chǔ)材料產(chǎn)能，追加日美工廠投資
據(jù)日本矢野經(jīng)濟(jì)研究所（總部：日本東京中野）預(yù)測(cè)，到2030年，碳化硅功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模有望增至64億5000萬(wàn)美元（約人民幣451.5億元），為2022年的4倍多。
