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登錄晶體結構建模的案例
ABAQUS三維晶體結構柱狀晶等軸晶建模
通過ABAQUS三維晶體塑性有限元建模,深入揭示柱狀晶微觀結構(如晶粒尺寸、取向)與力學性能的關聯,為鑄造、焊接工藝優化提供關鍵理論依據,顯著提升材料可靠性與使用壽命。本案例介紹在ABAQUS內建立三維晶體結構有限元模型。
柱狀晶體模型采用CAD Voronoi V2.1插件建模,首先建立二維Voronoi模型,并在CAD內通過拉伸命令形成三維柱狀晶體。
等軸晶模型采用CAD Voronoi 3D插件直接生成。
CAD晶體結構建模完成后,導出為iges文件,并以部件的形式導入到ABAQUS內。
在ABAQUS內建立裝配即可完成三維晶體結構的建模。
展開 ANSYS Workbench晶體結構Voronoi泰森多邊形建模
在ANSYS Workbench內建立包含晶格及晶格邊界在內的晶體結構模型,可用于模擬多種物理現象及材料行為。晶格模型適用于研究微觀尺度下的材料性質,以及它們如何影響宏觀性能,如進行金屬晶體結構建模及斷裂的模擬等。
晶體結構模型可采用CAD Voronoi插件進行建模后導入Workbench內,首先采用插件在AutoCAD內建立模型的二維草圖。
在CAD內采用拉伸命令將晶格及晶界分別建立三維模型。
將模型導出為iges格式文件后,即可導入到ANSYS內。
可對晶格模型劃分網格及進行后續的有限元模擬。
CAD Voronoi插件
https://www.yqgqt.org.cn/post/1860011
展開 晶體建模digimat
相較之于MATLAB和abaqus其他插件構建二維和三維的晶體結構,digimat具有GUI界面,關于晶體的晶體學方向以及晶格大小都可根據用戶實際使用材料進行定制,且界面友好,結果相對準確,希望對晶體學研究的人員提供幫助,官方網站上還有鋁合金的相關建模;現將相關安裝包和證書以及案例奉上
digimat.7z
digimat證書.7z
digimat實例模型.7z
(個人觀點,如對同行造成冒犯或者其他,由于不做商業用途請勿追究)
ABAQUS三維Voronoi晶體幾何建模
材料晶體塑性理論與細觀尺度上晶體幾何模型相融合的模擬方法為探究材料在塑性變形過程中的行為機制以及晶體材料優化開辟了新途徑。本案例演示在CAD軟件內通過Voronoi建立晶體三維模型,并將模型導入到Abaqus CAE內,完成晶體材料的有限元建模。
在AutoCAD軟件內,采用CAD_Voronoi V1.0.1插件建立晶體結構三維模型,并將整個模型導出為.iges格式文件備用。
CAD_Voronoi V1.0.1插件
將導出的Voronoi模型文件以部件的形式導入到ABAQUS內。
插件可建立包含晶界的模型,在Abaqus內將晶格及晶界分別賦值不同材料。
也可建立無晶界模型,對不同晶格分別指派材料。
可將Voronoi晶體部件進行裝配。
及完成網格劃分等操作。
展開 
ABAQUS任意模型Voronoi三維晶體建模
本案例闡述了針對任意形狀三維部件實施Voronoi晶格結構劃分并導入ABAQUS的完整流程。
三維模型需在AutoCAD中構建,并借助CAD三維模型Voronoi劃分插件完成晶格劃分。
劃分后的晶粒結構應導出為IGES格式文件,并以部件形式導入ABAQUS,進而構建裝配體。
針對模型中的Voronoi晶粒,可賦予差異化的材料屬性。
隨后可進行網格劃分,設置邊界條件,并執行晶體結構的有限元仿真分析。
COMSOL三維Voronoi晶體結構模型
本案例介紹在COMSOL內建立任意形狀的三維Voronoi晶體結構實體模型。
三維模型需要在AutoCAD內建立,并通過CAD三維模型Voronoi劃分插件進行晶格劃分。
將劃分好的晶體結構導出為iges格式文件,并將其導入到COMSOL內,建立裝配體。
對模型中的Voronoi晶粒設置不同的材料屬性。
可劃分網格,并進行晶體結構有限元仿真分析。
晶體塑性模型的建模問題
我在研究晶體塑性滑移與孿生耦合的模型,采用的是FE模型,一個單元代表一個晶粒,遇到了一些問題請大俠指導。
我這里有個師兄的216個晶粒的inp文件,嵌入我編寫的umat可以計算。然后我自己建立了一個125個晶粒(單元、網格)的inp,嵌入我的UMAT不能計算,并且提示我inp有問題,由此我斷定是inp不正確,但是我在此inp文件中將材料的參數改為相應的普通的彈性和塑性輸入而不需要嵌入UMAT,卻可以計算,這由此又可以說明我這個inp沒什么問題,我不知道這是什么原因導致的,普通的inp建模和晶體塑性inp的建模之前有什么區別?請高手解答,有做晶體塑性的朋友也可以進行交流,我的QQ:422544890
展開 雙軸晶體中錐形折射的建模與應用
通過快速的物理光學建模和設計軟件VirtualLab Fusion,這種效應及其應用可以得到充分的研究。看看下面的例子,我們首先演示了使用圓偏振輸入光束的圓錐折射的基本原理,然后分析了在分離臂中有兩個雙軸晶體的偏振探測儀的設計。
雙軸晶體中的錐形折射
證明了KGd晶體中的圓錐形折射。
錐形折射作為偏振測量工具的模擬
這個用例演示了錐形折射應用于偏振測量工具。
錐形折射是由光學各向異性引起的眾所周知的現象。當聚焦光束沿其光軸通過雙軸晶體傳播時,就會發生這種現象:透射場演化為一個高度依賴于輸入光束偏振狀態的錐體。基于這一現象已經發展了多項應用;用它作為偏振測量的基礎是最有趣的方法之一。
展開 COMSOL晶體斷裂基于維諾圖Voronoi泰森多邊形建模
在外部荷載及內力效應的作用下,晶體材料將發生斷裂破壞,按晶體材料斷裂時裂紋擴展路徑的差異,可將晶體的斷裂分為穿晶斷裂及沿晶斷裂兩種斷裂形式。
穿晶斷裂中裂紋穿過晶體的晶粒內部,斷裂面較為粗糙;沿晶斷裂中裂紋沿晶界擴展,可以清楚地看到一個個晶粒,晶粒面比較光滑。
在COMSOL中對兩種斷裂形式進行模擬,模型采用Voronoi泰森多邊形構建晶體的晶粒組織,幾何模型采用CAD Voronoi插件進行參數化建模生成。
插件采用合理的多邊形約束模式,可使得泰森多邊形晶粒結構生成大小均勻,且可避免存在三角形晶體及角度過小的情況。模型對晶格及邊界分別定義不同的材料參數,以實現開裂模式上的差異。力學模型采用軸向拉伸模擬,左側邊界設置為輥支撐,右側設置水平向的位移。
COMSOL晶體材料的穿晶斷裂及沿晶斷裂位移:
COMSOL晶體材料的穿晶斷裂及沿晶斷裂裂縫擴展:
需要進行模擬的可在下面鏈接下載Voronoi的模型樣圖,CAD格式的,需要自己導入的COMSOL內:
CAD Voronoi
展開 AutoTURN v6.01 1CD(車輛轉彎模擬軟件)
ETA DynaForm v5.7 板料成形模擬與模具設計軟件\
ETA.DYNAFORM.V5.7\
Lantek.v27-ISO 1DVD繁體中文英文(鈑金專家)\
New.River.Kinematics.Spatial.Analyzer.v2008.12.22L\
Psat v5.1 電力軟件_usb\
華鑄 HTcae80 灰鐵 重力_usb\
142\
CAM-TOOL V5.0中文版(含破解).rar
DARcorp Advanced Aircraft Analysis 2.5.1.53 飛機設計測試\
Flac3D v3.0 用戶手冊\
Masechinensuh
專業提供各類行業軟件,誠信為本,歡迎您的資咨
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Flac3D v3.0.261 1CD(完全安裝版,功能強大的巖土分析軟件)\
Isatis v4.0 1CD(地質統計學軟件)\
SpaceCAD v3.1.0.302(火箭輔助設計軟件)\
Virtuozo NT v3.6 EN 1CD(全數字攝影測量系統)\
圓方室內設計9.0 6CD全圖庫 虛擬現實\
143\
Adobe Illustrator CS 2 簡體中文使用指南(PDF).pdf
Crystal.Xcelsius.Pro4.5 中文版水晶易表專業版.rar
CrystalMaker.CrystalDiffract.v1.3.3晶體結構建模分析軟件.zip
Synplify ASIC v5.02 for win & linux & sun & unix.rar
華鑄CAE70(灰鐵).rar
華鑄CAE70(球鐵).rar
金合極思 3000xp.zip
AVL Fire v2008.0 Windows-ISO\
Brother PE Design v7.0
展開 晶體塑性有限元建模工具neper的一些資料整合 ¥30
ops_request_misc=&request_id=&biz_id=102&utm_source=distribute.pc_search_result.none-task-blog-2~all~sobaiduweb~default-4
ubuntu安裝neper詳細版:
(評論區下面有幾個安裝過程中的問題,如果有一些樣的可以對照解決)
(視頻出現的代碼我放在最后了)
https://www.bilibili.com/video/BV1t4411m7ZH
安裝 neper 多晶體網格生成軟件:
(該網址還有安裝過程中或測試的時候會出現的一些提示問題)
https://pencilq.com/22/
Neper 在Linux(ubuntu)下的安裝方法:
https://blog.csdn.net/u011211153/article/details/79274248
基于Neper和FEPX的晶體塑性有限元計算平臺搭建與使用【合集】:
http://www.yqgqt.org.cn/college/video/c15965
晶體塑性有限元建模工具neper系列:
http://www.yqgqt.org.cn/college/video/c15430
阿里源
deb http://mirrors.aliyun.com/ubuntu/ bionic main restricted universe multiverse
deb http://mirrors.aliyun.com/ubuntu/ bionic-security main restricted universe multiverse
deb http://mirrors.aliyun.com/ubuntu/ bionic-updates
展開 
Abaqus三維晶體塑性Voronoi泰森多邊形晶格建模插件 ¥198
可用于Abaqus晶體塑性有限元、非均質晶格、多晶體、三維Voronoi等模型構建及研究。
模型說明
插件采用離散(背景網格)Voronoi模型生成,對單元(Element)進行集(Set)劃分,實現二維及三維Voronoi晶格。
插件建立的單元集模型,可方便用戶進行材料及截面的指派,以實現非均質材料、材料各向異性、隨機晶體取向等模型。
插件支持包含六面體及四面體在內的所有單元類型。
插件可用于二維模型、三維實體模型、三維殼模型等。
注意,插件僅可對已劃分網格的部件使用,并未指定材料屬性、分析步、相互作用、載荷等,此部分內容需要用戶根據模擬內容自行設置。
參數說明
Model、Part:選擇需要進行晶格劃分的模型及部件,部件需首先進行網格劃分。
Cells num:生成的晶格數量。對于形體較為復雜的模型可能會出現空Set,既不包含單元的Set,會導致實際生成的晶格數量略小于指定數量,但不會對后續模擬產生影響。
適用版本
插件可運行在Windows10、11系統上,支持Abaqus2024及以上版本。如需Abaqus2023及以下版本的插件可查看:https://www.yqgqt.org.cn/post/1790098
更新日志
2024/04/10 V3.0
1、適配Python3及Abaqus2024以上版本;
2、優化插件界面及提示;
3、優化許可認證。
展開 三大晶體管結構方案解讀
8月13日消息,隨著三星、英特爾、臺積電、IBM等半導體廠商相繼發布新晶體管結構的進展,半導體行業正處于晶體管結構轉變的前夜。
雖然芯片行業從不急于采用新的晶體管結構進行量產,但如果想要生產3nm或2nm制程的邏輯芯片,英特爾、三星、臺積電等廠商必須從當前的鰭式場效應晶體管結構(FinFET)逐漸過渡到納米片結構(Nanosheets)。
堀口直人是IMEC(比利時微電子研究中心)邏輯CMOS微縮項目主管,曾在富士通實驗室和加州大學圣巴巴拉分校等機構任職。目前,堀口直人的研發重點就是2nm以下的CMOS器件。
以下是對堀口直人就3nm晶體管結構發展回顧的完整編譯。
▲IMEC邏輯CMOS微縮項目主管堀口直人
01 納米片結構:進一步增強驅動電流兼具可變性
一直以來,為了追尋摩爾定律,半導體產業在微縮邏輯CMOS尺寸上做出了相當大的努力。一種主要的方法是通過減少金屬連線(或軌道)來降低單元高度(cell height),單元高度也就是每個單元的金屬線數量乘以金屬間距(metal pitch,即金屬連線的最小寬度+金屬連線之間的最小間距)。
對于FinFET結構來說,通過將一個標準單元內的鰭片(Fin)的數量從3個減少到2個,就可以在性能上躍進一大步。
▲標準邏輯單元示意圖(CPP=接觸多晶間距,FP=鰭片間距,MP=金屬間距;單元高度=每個單元的金屬線數x金屬間距)
標準單元內單元高度中有幾條金屬連線則是一個重要指標,通常在單元高度范圍內有幾條金屬線就稱為幾T。
展開 【材料課堂】金屬與合金的晶體結構,共晶相圖
本文來自“材料基”。
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天津理工《JHM》:通過晶體結構調控提升雙鈣鈦礦的發光性能!
在Cs2AgInCl6晶格中加入Na+和少量Bi3+離子,可以降低體系的晶體對稱性,有助于實現奇偶性變化。然而,上述方法并沒有解決晶格缺陷的問題。與支持商業應用相比,基于Cs2AgInCl6的產品的穩定性必須提高。
調整材料的結構是用于提高發光材料穩定性的常用方法,例如用Al2O3包覆一些發光材料,可以提高其抗輻射能力;通過涂覆TiO2可以提高發光材料的抗氧化能力;在量子點表面包覆SiO2可以提高其在潮濕環境中的穩定性。從實際考慮,需要一種既能提高Cs2AgInCl6的發射強度又能提高其穩定性的方法,SiO2已經被證明可以滿足這些要求。在穩定性方面,SiO2納米顆粒可以修飾晶體缺陷和鈍化晶體表面。注意,SiO2形成的保護層可以防止材料被氧化,阻止水和氧的侵蝕。對于高效的光發射,SiO2納米顆粒可以防止量子點聚集。此外,結構的改變可能會影響材料的發光機制。本文探討了外部環境對材料穩定性和結構的影響,了解了不受聲子能量影響下的發光機理,即低溫(<80K)材料的發光機理與結構變化的關系。
這項工作中,作者利用無機材料(SiO2)以限制材料晶體結構的方式來調節Cs2AgInCl6的發光強度,之后再進一步確定這種結構調整是否可以同時提高材料的穩定性和發光強度。并重點了解了結構調整提高穩定性和發光強度后,80 K以下時發光機理的變化。
圖1.(a)生長3 s和30 min以及添加SiO2(2 ml TEOS)后的XRD;(b)生長3 s后的Cs2AgInCl6;(c)生長30 min后的Cs2AgInCl6(30 min),(d)反應3 s后添加SiO2的Cs2AgInCl6(3 s)/SiO2,(e)反應30 min后添加的SiO2。
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