巨量轉移的案例
專訪大族半導體莊昌輝：引領激光巨量轉移技術創新，加速Micro LED商業化應用進程
大族半導體Mini LED巨量轉移項目中心研發總監莊昌輝受邀并在峰會上作主題《Micro LED顯示研發進度及激光巨量轉移技術分享》的分享。
CINNO
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大族半導體的Micro LED發展之路
自2019年起，大族半導體率先在國內啟動Micro LED領域的激光加工設備研發，先后開發了準分子激光剝離、固體及準分子激光巨量轉移、全段激光修復、激光鍵合、玻璃基板測走線無縫拼接等多項國內首創的技術設備，成為國內唯一一家完成Micro LED領域激光應用全套解決方案的公司。
盡管行業在此過程中面臨了不少挑戰，尤其是早期蘋果項目的取消對行業信心造成了一定打擊，但國內企業如京東方等仍在積極開拓車載、大型電視和AR等更具潛力的應用領域。莊昌輝堅信：“Micro LED技術的發展道路雖然曲折，但其核心技術優勢決定了前景是光明的。”
激光巨量轉移技術加速Micro LED商業化
激光巨量轉移技術被認為是Micro LED制造中的關鍵技術，莊昌輝表示：“我們主要從準分子激光和固體激光兩個方向對激光巨量轉移技術進行技術開發。準分子系統具有較大的工藝窗口和高良率優勢，一次可以轉移多顆芯片，適用于大規模生產；固體激光系統則因其靈活性，特別適用于需要快速修復的應用場景。
據了解，大族半導體于2021年5月率先推出了固體激光巨量轉移樣機，并在2022年7月推出了準分子激光巨量轉移樣機。目前兩套系統均已經實現了2.5代線，轉移精度小于2微米的穩定量產，并已小批量合同出貨。
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前者的技術挑戰在于巨量轉移，而后者則在于全彩顯示。資料顯示，當前蘋果在上述兩個技術領域都已經有了一定的技術儲備。
《2023 Micro-LED產業技術洞察白皮書》，添加微信即可獲取
蘋果巨量轉移技術儲備全球第一
由于Micro-LED發光層和驅動基板生長工藝差異，很難通過生長工藝將顯示陣列和驅動器件集成起來，所以需要轉移步驟將制作好的Micro-LED晶粒轉移到驅動電路基板上。
以一個4K電視為例，需要轉移的晶粒就高達2400萬顆（以4000 x 2000 x RGB三色計算），即使一次轉移1萬顆，也需要重復2400次，轉移過程中的轉移效率、精度、良率問題將重點影響轉移后顯示性能。
根據智慧芽最新發布的《2023 Micro-LED產業技術洞察白皮書》顯示，在巨量轉移技術領域，該方向領頭的創新主體以美國蘋果和XDC為主，兩者在巨量轉移方向技術儲備最多。
值得一提的是，白皮書中針對蘋果（包括其收購的Luxvue）公司的核心專利家族進行了詳細的解讀，深入拆解了蘋果圍繞巨量轉移技術開展的全面的專利保護布局。
圖：蘋果/Luxvue核心專利家族解讀
進一步分析上述專利可知，蘋果在巨量轉移技術中采用的方案多為“靜電”這一技術流派，即通過向轉移頭的電極施加電壓產生靜電吸附來完成轉移。
其中具有代表性的例如蘋果手中一件涉及“靜電轉移頭”的技術方案。利用智慧芽研發情報庫可以看到，該方案包括基底、臺面結構、電極、介電層，以及介電層上圍繞臺面結構的導電接地平面，可將電壓施加到微型器件轉移頭和頭陣列以從載體襯底拾取微型器件并將微型器件釋放到接收襯底上。
展開 巨量轉移技術剖析：如何突破Micro LED顯示器制程難題？
通常來說，受限于外延生長技術，在大面積外延基板上同時生長高質量的三色RGB芯片極為困難，因此需要將生長在外延基板上數百萬甚至數千萬顆微米級的三色RGB芯片依次轉移到驅動電路基板上，實現RGB排布。
三色RGB芯片轉移示意圖
然而，由于Micro LED的特征尺寸小于100μm，傳統轉移技術在轉移效率、轉移精度上很難達到要求。傳統轉移技術對單顆芯片的尺寸要求存在物理極限，芯片太小無法轉移，轉移精度也難以滿足；機械臂在芯片轉移的過程中也存在時間極限，轉移效率難以提高，這意味著傳統轉移技術及設備已無法適配Micro LED轉移制程。
面對以上技術挑戰，為實現快速且精準地轉移及減少后續檢修壓力，巨量轉移技術應運而生。Micro LED巨量轉移技術已被證明是能夠克服組裝Micro LED芯片極端要求的有效解決方案。Micro LED巨量轉移設備是采用激光轉移技術，利用特殊整形后的方形光斑，結合高速振鏡掃描，可以實現高速加工，將微米級Micro LED芯片逐一轉移到下層基板（玻璃或者膜材）上。Micro LED巨量轉移設備是Micro LED生產過程中的核心裝備之一，是影響Micro LED的良率與制造成本的關鍵。
Micro LED激光巨量轉移技術示意圖
大族半導體自2019年開始對激光巨量轉移技術進行布局，探索應對Micro LED芯片轉移要求的關鍵解決方案，于2021年11月，自主研發并推出國內首臺固體Micro LED激光巨量轉移設備；于2022年10月，自主研發并推出國內首臺準分子Micro LED激光巨量轉移設備，均通過頭部客戶驗證，實現銷售。
展開 激光巨量鍵合技術解析：Micro LED巨量轉移降本增效新方法
Micro LED COG封裝工藝制程是使用激光剝離設備將生長基板上的芯片剝離到臨時基板上，再通過激光巨量轉移設備將三色RGB芯片依次轉移到驅動電路基板后，采用激光巨量鍵合設備將芯片和焊盤進行鍵合，最后進行大屏拼接的過程。當然，各工藝制程環節中均穿插了AOI檢測、激光去除和激光修補的動作。激光剝離技術和激光巨量轉移技術在前兩期中均有詳細講述（可點擊文末鏈接查看），本期我們重點講述Micro LED制程中最重要的環節之一—激光巨量鍵合技術。
Micro LED COG常規制程
Micro LED芯片尺寸的縮小，意味著在制造同樣尺寸大小的顯示屏幕時，Micro LED的驅動電路基板上需要鍵合更多數量的芯片，其焊點大幅增加，鍵合工藝難度因此大幅提升，這對芯片鍵合的制造工藝和設備提出了更高的要求。
傳統鍵合方式利用印章、靜電力等巨量轉移的方式將芯片與目標基板進行貼合后，再采用加熱加壓的方式將芯粒和焊盤進行共晶合金鍵合。目前鍵合多采用Au-In鍵合、Au-Au鍵合和Au-Sn鍵合，效果穩定，鍵合強度大，但Au單價偏高，影響生產成本，不符合Micro LED的商業化發展趨勢；不僅如此，傳統鍵合方式還要克服因為溫度升高，轉移頭和目標基板的熱膨脹系數不一樣而導致的對位偏移等問題。
展開 
LED｜三星Micro LED困境：巨量轉移難題未解，成本下降之路艱巨
Micro LED概念自2016年開始引起了業界的關注和研究，其在發展當中面臨了一些技術瓶頸的限制，尤其是巨量轉移工藝上。“業界仍然在Micro LED的技術上進行突破當中，但距離真正把良率提高和降低成本，尚需時日。”一名行業人士表示。
LED并不是全新的事物，不過很長一段時間只是用于戶外廣告屏幕，要將其做到手機/電視級別尺寸的屏幕產品，難點就在于將“巨量”的三色微小LED轉移到制作好驅動電路的基底上，這是決定其是否能夠提高良率并成功實現商用落地的關鍵。
其次要在更小的畫面上保持相同分辨率，必須將Micro LED芯片排列的更密，其密度更大，而且數量更多，巨量轉移難度再提升，因此這過程中成本上漲是不可避免的。800萬個Micro LED器件中，哪怕只有1%的器件轉移不良，也要更換8萬個芯片。
芯片排列越密，良率就越低。Micro LED畫面越小，制程所需的時間和費用就越高，降本是個艱巨之路。
Micro LED另外一個難題就是屏幕統一性的問題。無論對于手機還是電視屏幕，其像素的數量都是巨大的，而每個像素的尺寸又相當小。與巨量轉移技術一樣，屏幕統一性也是限制Micro LED技術發展的另一大瓶頸。
業界推測三星推遲99英寸Micro LED上市的原因是成本難以控制。從普通消費者的立場上看，畫面越小，產品價格就該越低，但越小的Micro LED，芯片像素間距越小，但成本反而上漲。110英寸Micro LED產品的價格為1.7億韓元。
不過也有業界人士推測，三星電子沒有急于推出99英寸等小于100英寸的Micro LED產品。據悉，三星電子今年的Micro LED產品包含家庭用和商用(The wall)的出貨量計劃為400至500臺。
展開 Terecircuits推出新的Micro-LED巨量轉移工藝，極大提高轉移效率并降低成本
“為此，Terecircuits開發了一種具有獨特物理性能的、具有粘合效果的聚合物轉移膜，它能夠讓數千顆芯片同時從供體基板上轉移到目標電路基板上，”Rickard接著補充道：“我們擁有這種多用途生產設備的專利許可權，這種設備能夠達到亞微米級的放置精度。通過將聚合物的新配方與半導體領域開發的、具有亞微米精度的光刻技術相結合，我們最終讓快速、低成本的大規模微器件轉移和組裝成為可能”。
Terecircuits的工藝是使用掩模來定義哪些Micro-LED芯片需要從供體基板上釋放，這一概念與激光誘導正向轉移（LIFT）技術相關。據了解，LIFT使用激光改變將Micro-LED固定在供體板上的臨時粘合劑的物理或化學性質。在傳統的LIFT工藝中，激光器能夠單獨釋放供體基板上的芯片，接著使用機械載物臺或檢流計反射鏡重新定位，以釋放下一顆芯片器件。
Rickard說：“Terecircuits設計的這種光聚合物為Tereifilm?，它能夠在低于典型掩模材料燒蝕閾值的情況下激活。因此，我們能夠利用Tereifill?的LIFT工藝，使用掩模在一次操作中轉移數千顆芯片器件。”
使用其他材料的LIFT設備需要在逐個芯片的過程中，順序移動梁體和目標芯片。如果顯示器的目標間距（像素間距）是晶圓基板上Micro-LED芯片間距的整數倍，則該工藝還可以利用這種已有的優勢實現更快的制作工藝。
工藝示例
作為一個工藝示例，我們借此理解下基于光致聚合物的巨量轉移工藝，其完整工藝步驟如圖1所示。Terecircuits的設備和工藝可以使用SiP或Micro-LED芯片等基本器件組裝完成顯示面板等完整的系統，不需要像傳統拾取和放置工藝一樣就能高速實現亞微米級器件放置精度。
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“VueReal的巨量轉移技術平臺是下一代Micro-LED顯示器商業化的關鍵技術之一。Micro-LED顯示器在降低能耗的同時還可以提供更好的性能，這將為日常電子消費品的革新提供動力。我們期待著和TDK、Vitro、BDC 和 EDC等投資公司一起，在VueReal的成長中為其提供足夠的支持”，Cycle Capital的創始人兼管理合伙人Andrée-Lise Méthot說道。
“憑借我們的創新技術和不斷加速的商業牽引力，VueReal將實現快速增長。除了資金之外，本輪B輪融資還為VueReal帶來了重要的戰略合作伙伴關系和經驗，這對于公司下一階段的發展至關重要，” VueReal的首席執行官Reza Chaji說道。
“Micro-LED顯示器的卓越性能和低能耗優勢是顯示行業一直在追求的圣杯。然而，多年來，該技術受制于其產品轉移和組裝技術而沒能夠真正走向市場。VueReal提出的微印刷解決方案真正改變了游戲規則，我們很高興能夠支持該團隊將Micro-LED技術的成熟程度提升到一個新的水平，”TDK Ventures的投資總監Tina Tosukhowong說道。
“Vitro和VueReal建立的這種新的合作伙伴關系有助于我們，基于住宅、建筑和汽車玻璃集成設備開發更多的新功能。這是一個新平臺，包括顯示產品和傳感器，可以進一步增強用戶與我們玻璃產品的互動性。對于這些通過觸摸、可視化方式和玻璃基產品互動的消費者來說，和VueReal合作所帶來的性能提升會創造新的價值，” Vitro的營銷與創新副總裁Martin Bracamonte說道。
“鑒于其較低的能耗和廣泛的下一代應用，Micro-LED顯示器技術代表了顯示技術發展的重要一步。
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構建MLED技術壁壘
盡管目前MLED技術仍然有大量的技術難題需要突破，如芯片制造、巨量轉移、芯片檢測修復等，可是技術顯然在快速發展，是下一代主流顯示技術的最有力競爭者。為了能快速實現Micro LED的量產化，康佳率先在技術上進行突破。
據了解，康佳僅用兩年時間，就構建了自己的研發創新體系。近三年研究院已完成高達1400件的國內外知識產權申請，其中發明專利占比72%，PCT國際專利申請布局已達200件。
值得一提的是，康佳Micro LED專利受理公開量排名全球第四，其中巨量轉移技術、磊晶外延技術相關專利為全球第一。
目前Micro LED技術尚無法完全突破的主要原因是受限于巨量轉移技術。要將數以千萬顆微米級的芯片, 整批量地轉移至背板上, 這是全球新型顯示領域面臨的共同核心技術難題。
據CINNO Research了解，國內巨量轉移技術主要以固晶設備廠推動的Pick & Place或刺晶改進方案以及激光設備長推動的激光方案為主。前者與小間距LED固晶技術一脈相承，量產性較好，也是目前Mini LED背光、直顯的主流量產方案，而后者則瞄準Micro LED未來量產需求，目前正在部分企業進行驗證。
巨量轉移技術的難點主要在于效率、良率與成本的平衡。以iPad Pro的12.9"基板舉例，若每10分鐘制作一張基板，制作一張Mini LED背光基板僅需轉移1萬顆左右，每秒轉移的數量級在10顆左右，而若制作成P0.1的Micro LED直顯，總轉移顆數將會大大提升，每秒需轉移超過1萬顆LED，不僅轉移速度要求變高，轉移難度也隨著LED微縮化而增大，且要求良率更高。若良率同樣保持在99.99%水平，則Mini LED背光平均每塊僅有1顆不良需修復，而Micro LED或將有超過500顆需修復，也會極大延長單片制作時間，增加成本。
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不論是有Mini-COB、Mini-COG、或是CSP方案，這些都離不開固晶巨量轉移，并且也往更大尺寸基版的趨勢。
作為傳統固晶方式的代表，新益昌的技術是通過主動控制與被動輔助同時進行單顆管控作為基礎，在先確保固晶精度與品質的前提下進行的高速做業模式的技術。這種技術的優勢在于工程管控細致到每顆芯片，設備穩定度高，設備產能與產出良率都有不俗的表現。
演講主題：《提升Micro-LED巨量轉移效率》
演講嘉賓：廈門芯穎副總經理 謝相偉
演講概要：
謝相偉副總經理講述了Micro LED的眾多市場機會，包括超大尺寸顯示（Micro-LED可實現無縫拼接、可實現高畫質）、家用TV、電腦顯示器、Notebook&Pad（未來隨著成本的下降，將有機會在旗艦級/高階家用TV應用逐步滲透）、車載顯示（某些應用需要超高亮度和高通過率，市場機會較大）、穿戴、VR/AR等。
目前巨量轉移仍然是Micro LED產業的關鍵難題，兩種相對成熟的轉移技術彈性印章轉移與激光轉移各有優劣勢，轉移效率與良率兩個指標仍然需要努力攻關。芯穎顯示科技公司的戰略目標是3-4年時間完成Micro-LED技術開發，實現Micro-LED顯示技術的戰略落地，形成自有的材料、工藝、設備、產線方案等 技術，達到技術領先的工程化制造能力，并實現Micro-LED顯示的試生產。
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演講主題：《Micro LED顯示研發進度及激光巨量轉移技術分享》
演講嘉賓：大族半導體Mini LED巨量轉移項目中心 研發總監 莊昌輝
大族半導體Mini LED巨量轉移項目中心研發總監莊昌輝詳細介紹了大族半導體在Micro LED顯示技術上的五年研發歷程，強調Micro LED在商顯民用大屏、車載和AR等領域的核心應用。他介紹了大族半導體的多種激光巨量轉移技術，包括準分子和固體激光的應用，以及激光剝離、修復和焊接技術，展示了大族半導體在Micro LED制程中的全面覆蓋與技術優勢。莊昌輝還提到，2024年是Micro LED研發的大年，國內有實力的廠商都已開始相關布局。他表示大族半導體將通過不斷創新和完善技術，致力于提高生產效率和良率，推動Micro LED顯示技術的廣泛應用。
演講主題：《Micro LED光波導AR眼鏡，打造最佳AI硬件載體》
演講嘉賓：雷鳥創新 CTO 張君杰
雷鳥創新CTO張君杰先生指出，AR行業正步入快速增長期，Micro LED與光波導技術的結合，可實現輕便、透明、可量產的AR眼鏡；同時，AR眼鏡是AI的最重要終端應用產品，二者結合將實現虛擬與現實的深度融合，帶來整個世界的數字化。雷鳥創新憑借其自主研發的Micro LED全彩光引擎和系統級軟硬件設計，推出了新一代AI+AR眼鏡雷鳥X3，這款產品不僅輕便時尚，還搭載高通定制芯片和雷鳥自研系統，將于Q3正式上市。張君杰表示，雷鳥創新致力于推動AR與AI的融合，為消費者帶來更好的場景體驗，并通過開放的AI平臺助力開發者。
演講主題：《Micro LED硅基微型顯示技術及產業》
演講嘉賓：君萬微 總經理 季華夏
君萬微總經理季華夏深入剖析了Micro LED硅基微型顯示技術的最新進展及其在微型顯示領域的廣泛應用。
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一般來說，目前Micro-LED商業化的幾個主要技術挑戰包括：巨量轉移——即在Micro-LED制造過程中，將LED芯片從原始晶圓轉移到驅動背板的過程；Micro-LED（EQE）當前的發光效率還很低；Micro-LED需要從系統的角度選擇不同的工藝技術；以及驅動背板的制造、紅綠藍三種顏色顯示的實現等。
圖3 來源：eLux顯示公司展示的巨量轉移方案
首先，最為業內人士研究和忌憚的還是巨量轉移問題。在中國，所謂“巨量轉移”就是將Micro-LED芯片移動到驅動背板上的過程。上面提到的不同顏色的InGaN和AlGaInP LED，即紅綠藍單色LED芯片，生長在不同的晶圓上。在晶圓上進行外延生長有一種相對成熟的解決方案。當然，這個過程本身也不同于傳統的解決方案。
但在巨量轉移這些發不同顏色光的Micro-LED芯片過程中，會出現更大的挑戰。畢竟，當這些LED芯片的大小為像素級別，并且數量多達數千萬，例如，4K分辨率顯示器會用到800多萬像素，再考慮每個像素有三個RGB子像素，整個過程需要轉移2400多萬顆LED芯片。如此的數量會將轉移效率、對準精度、成品率等相關的工藝難度放大很多。
現有研究成果中的主流方案有兩種，即直接整個晶圓轉移和間接拾取轉移。整個晶圓芯片轉移需要采用晶圓對晶圓或芯片對晶圓鍵合的方法，適用于ppi較高的小尺寸屏幕；間接拾取和轉移方案更為復雜，生產時需要每次取一部分Micro-LED進行轉移放置，然后不斷重復該操作，對于大尺寸顯示面板，此解決方案更適用。
間接拾取和轉移技術具有相對較高的復雜性，不同的市場參與者和研究機構都有不同的解決方案，例如靜電轉印頭、彈性印章轉印、射流轉印、激光剝離等。
圖3所示的方案是一種基于彈性印章的轉印方案。
展開 
寄以厚望的Micro LED面臨大挑戰
確保精準巨量轉移技術，巨大商機可期
顯示器的沿革，從LCD成功取代CRT電視，在顯示器的外型上產生了重大的變化，緊接著從LCD、OLED再進展到Micro LED，則是著眼于制造技術變革，可望大幅提升影像品質。
現今大多數平面顯示器所使用的背光源多是LED，無論亮度、對比度、飽和度、電耗、反應時間或成本考量，都比使用有機材料且有壽命限制的OLED要好。如果將LED薄膜化、微小化與陣列化之后，就能制造出效能更加優異的新一代顯示器，只是目前仍存在相當的技術挑戰需克服。
舉例而言，LCD是在大塊玻璃基板上，采用半導體技術進行曝光、顯影，定義出每個畫素，而Micro LED顯示器的畫素，則是由一顆顆LED組成的，以一臺4K畫質的Micro LED電視來說，至少需要2,400萬顆微米級LED晶粒。如何正確無誤地將成千上萬的LED晶粒移動到電路基板上，同時確保精準的「巨量轉移（Mass Transfer）」微組裝技術，就成為Micro LED能否突圍而出的重要關鍵。
此外，一般面板生產過程中，畫素中只要有2顆壞點就算次級品，2,400萬顆LED要少于2顆壞點，等于不良率必須低于千萬分之一，才是可以出廠販售的顯示器。
在此趨勢下，各家顯示器大廠無不努力突破巨量轉移瓶頸，只要率先在控制成本、保有兼容性等前提下達到可量產性，且性價比能被消費者接受，就有機會掌握巨大商機。
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演講主題：《MicroLED巨量轉移技術介紹》
演講嘉賓：海目星激光 先進激光事業部總經理 彭信翰
海目星激光先進激光事業部總經理彭信翰做出主題分享，他表示MicroLED技術是一種新型的顯示技術，相比于傳統的顯示技術，其在亮度、色域、響應時間、能效和長期可靠性等方面均具有顯著優勢。然而，MicroLED技術商業化面臨著一些挑戰，其中巨量轉移技術是最大的瓶頸之一。
為了解決巨量轉移技術的瓶頸問題，眾多研究機構和公司致力于開發更高效的制程技術。其中，彭信翰介紹海目星激光利用最新的激光和光學技術，已實現了激光巨量轉移的全流程工藝。該技術可以實現高精度的轉移，同時大大提高了生產效率和產量，為MicroLED商業化帶來了新的希望。
演講主題：《先進半導體制程及晶圓檢測技術介紹》
演講嘉賓：COWIN (韓國) 總裁 S.I. Yang
來自韓國COWIN 總裁 S.I. Yang作先進半導體制程以及晶圓檢測的技術主題分享，他表示半導體制造工藝的不斷升級和制造過程的復雜化使得晶圓檢測技術的研究和應用變得越來越重要。
晶圓檢測技術主要包括晶圓表面缺陷檢測、晶圓表面形貌檢測和晶圓厚度檢測等。其中，晶圓表面缺陷檢測是最為關鍵的環節，對于提升半導體產品的良率和降低制造成本具有至關重要的作用。因此，隨著半導體工藝的不斷發展，晶圓檢測技術也在不斷更新和迭代，不斷提高其精度、穩定性和自動化程度。
演講主題：《光子技術在泛半導體領域的應用》
演講嘉賓：炬光科技泛半導體制程事業部總經理 戴曄
戴曄分享了光子技術在泛半導體領域的相關應用情況，他表示隨著半導體工藝的不斷提升和制造精度的加強，激光技術在泛半導體制程領域的應用也日益受到關注和重視。
展開 褪去“傳統彩電”印記的康佳，半導體之路走到哪？
在Micro LED顯示技術上，以P0.12 Micro LED 微晶屏為依托，在主動式LTPS玻璃基板上成功實現RGB三色轉移和全彩顯示，其研發的混合式巨量轉移技術在轉移效率和良率方面均獲得大幅提升。
康佳方面進一步補充表示，目前研究院以P0.12 Micro LED 微晶屏為依托——在主動式LTPS玻璃基板上，成功轉移Micro LED芯片，以0.12mm間距RGB三色全彩顯示，巨量轉移良率達到99.9 %, 產品分辨率>200 PPI ，技術水平達到行業領先地位。
此外康佳其自主研發的混合式巨量轉移技術，在關鍵材料國產化、芯片結構優化、巨轉良率提升等方面均取得突破，把量產之路又往前推進了一大步，未來有望在智能穿戴產品、車載產品領域得到廣泛應用。
在產品應用端方面，康佳光電研究院相繼成功開發了Micro LED智能穿戴微晶屏、8K/4K Micro LED大尺寸顯示屏、玻璃基P0.375 Micro LED顯示屏、P1.25Micro LED柔性顯示屏、獨有晶釉黑封裝技術的Mini LED全倒裝COB直顯屏等一系列微間距產品。
值得一提的是，2020年康佳發布的Micro LED手表APHAEA Watch，其載的P0.12 AM-LTPS Micro LED微晶屏，點間距縮小至0.12mm，具備百萬級超高對比度，能夠呈現更加細膩真實的色彩細節，依托重慶康佳光電技術研究院自主HMT技術，可實現多種產品形態。來到2021年，康佳Mini LED全倒裝COB直顯影院屏和MiniLED背光電視受到了市場的關注。
康佳在Micro LED產業發展的優勢何在？康佳集團副總裁、康佳研究院董事長李宏韜認為：“康佳一直是做做顯示終端，從液晶時代、CRT時代到LED時代，在這些技術的應用上我們有非常多的經驗。
展開 設備｜3D-Micromac新型激光微加工系統，突破Micro LED巨量轉移等工藝瓶頸
根據外媒Display Daily報道，MicroCETI平臺具有三種不同的配置，可實現經濟高效的Micro-LED芯片轉移，剝離和維修工藝。該平臺無需施加機械力，就可以每小時轉移數億顆Micro-LED芯片，這比其他方法要快幾個數量級。另外，這種可以實時輸出方形光束的激光器幾乎可以轉移任何大小和形狀的Micro-LED芯片。3D-Micromac已經從北美和亞洲的領先Micro-LED芯片制造商那里獲得了多個針對Micro-CETI平臺的系統訂單，這些訂單產品將主要用于激光剝離和芯片轉移。
Micro-LED顯示器具有革新顯示行業的潛力，具有多種優勢，例如超廣視角，高動態范圍，完美的黑態和白態亮度，寬色域，高刷新率，長壽命和低功耗等。但是，Micro-LED的制造工藝比LCD和OLED的要復雜得多，目前來說Micro-LED在正式面向大眾市場之前，還有好多項瓶頸需要突破。
這些挑戰之一就是將處理過的Micro-LED芯片從供體或藍寶石等襯底上分離并轉移到中間襯底上以進行后續測試，這樣以后才有可能真正進入未來應用。另一個挑戰是如何將芯片快速準確地轉移到最終的玻璃基板上，使用傳統的拾放方式對于普通4K顯示器（擁有千萬計的Micro-LED芯片）而言太過費時。最后，制造商還需要能夠在制造過程中檢測和修復/更換有缺陷的Micro-LED芯片，因為要生產一臺全高清的桌面顯示器，其像素合格率必須達到99.9999％。3D-Micromac的microCETI平臺支持Micro-LED顯示器制造中的所有激光工藝，并能夠很好地戰勝這些挑戰。
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