高壓MOS的案例
高壓MOS在適配器產品上的應用-REASUNOS瑞森半導體
一、適配器定義
電源適配器，英文Adapter通常指AC-DC（由交流輸入轉換為直流輸出）的開關電源；一般由控制 IC、MOS管、整流肖特基管、電阻電容、磁性材料、DC 線、外殼等元器件及部件組成，通過整流、變壓和穩壓等轉換形式，為電子設備等提供所需要的電能形態。
按照輸出類型可以分為交流輸出型和直流輸出型，按連接方式可分為插墻式和桌面式。
二、產品應用及特點
適配器主要廣泛應用于筆記本、機頂盒、安防攝像頭、路由器、空氣凈化器、廣告屏、電動單車等設備中。它可以將插座上220V電壓轉換成5V/9V/12V等供相關設備使用。
三、反激式典型應用拓撲圖
現有消費市場的適配器都是采用反激式結構為主，反激電路元器件少，電路簡單、成本低、體積小，可同時輸出多路互相隔離的電路。
產品特點：
新型的橫向變摻雜技術；
專有的功率MOS結構；
高溫特性優良；
對標國內四大MOS品牌系列產品；
器件參數一致性較好。
四、典型應用及產品選型
1、12W 推薦平面高壓MOS：RS2N65F 及以上規格選型；
2、24W 推薦平面高壓MOS： RS4N65F、RS5N65F 及以上規格選型；
3、36W 推薦平面高壓MOS： RS7N65F 及以上規格選型；
4、48W 推薦平面高壓MOS：RS8N65F 及以上規格選型；
5、60W 推薦平面高壓MOS：RS10N65F 及以上規格選型；
6、72W 推薦平面高壓MOS： RS12N65F、RS13N65F 及以上規格選型；
瑞森半導體在反激式適配器電源上主推平面高壓MOS推薦如下產品選型表：
展開 碳化硅MOS/超高壓MOS在電焊機上的應用-REASUNOS瑞森半導體
家用焊機和工業焊機MOS管選型
二、典型應用拓撲圖
單相逆變線電路
單相逆變線電路
三相逆變線電路
三相逆變線電路
三、典型應用及選型推薦
單相逆變線電路
在220V 輸入前提下，采用單相逆變電路，推薦使用瑞森半導體高壓MOS系列：
新型的橫向變摻雜技術；
專有的功率MOS結構；
高溫特性優良。
單相逆變線路的電焊機推薦高壓MOS系列
三相逆變線電路
輸入電壓由單相220V AC變成三相380V AC后，原用500V系列已經無法滿足要求，推薦使用瑞森半導體超高壓MOS系列：
損耗低，穩定性強；
較低的開關速度達到更好的EMI兼容性；
耐高壓、大電流、可完全實現進口替代。
三相逆變線路的電焊機推薦超高壓MOS
除了超高壓MOS，三相逆變電路還可推薦選用1200V以上的碳化硅MOS系列來做開關管。
軍工研究所實驗室及CNAS實驗室驗證；
成功量產650V、1200V 、 1700V(國內領先)；
具有競爭力的Ronsp，與1代產品相比，Ronsp減小20%，與2代產品相比更具競爭力。
三相逆變線路的電焊機推薦碳化硅MOS系列
展開 REASUNOS瑞森半導體超高壓MOS在輔助電源上的應用
三、典型應用拓撲圖
輔助電源一般會選用單開關反激式拓撲：結構簡單、元件數量少、成本低；但單開關反激式轉換器中的電源開關MOS管在關斷時，MOS管會承受兩倍于輸入電壓的應力，因此該類拓撲應用中我們推薦超高電壓的MOS管，以應對電壓變化帶來的沖擊。
四、輔助電源MOS管推薦
輔助電源單開關反激式拓撲應用中我們推薦瑞森半導體超高壓MOS系列，瑞森半導體800V-1500V超高壓MOSFET的研發及量產，填補了國內市場空白，打破了進口品牌壟斷的局面。
瑞森半導體超高壓MOS產品優勢：
1、新型的橫向變摻雜技術、超高電壓，超小內阻；
2、散熱性能好，高溫漏電小，高溫電壓跌落小；
3、較低的開關速度達到更好的EMI兼容性；
4、產品性能可靠，完全實現進口替代。
五、推薦選型表
輔助電源主推超高壓MOS選型如下 ：
展開 超高壓MOS在變頻器上的應用-REASUNOS瑞森半導體
</p><p><img src="https://img.jishulink.com/msimage/202402/860d8d2ae58d3c1324bb40b126a43ebe.jpg"></p><p><strong>二、方案拓撲 </strong></p><p>典型的AC380V變頻器應用框圖，主要包括輸入AC380V三相整流、三相逆變IGBT功率驅動、輔助電源等部分；其中輔助電源主要經過DC高壓降壓后為IGBT驅動IC、主控mcu、通訊模塊芯片等供電。</p><p><img src="https://img.jishulink.com/msimage/202402/ff3681796007de235cc4550214692b09.png"></p><p>變頻器常用反激式輔助電源設計，其應用框圖如下圖所示，因輔助電源是取AC380V整流后的高壓輸入，而整流濾波后電壓在550V左右，故一般需要用到高壓MOS設計。針對變頻器的輔助電源部分推薦使用瑞森半導體超高壓MOS系列。</p><p><img src="https://img.jishulink.com/msimage/202402/6658f5282e4f08094a4819292f3e3ac9.png"></p><p><strong>三、推薦產品選型 </strong></p><p>瑞森半導體超高壓MOS系列優勢：</p><p>1、新型的橫向變摻雜技術，專有的功率MOS結構，高溫特性優良。</p><p>2、超高電壓，超小內阻，散熱性能好，高溫漏電小，高溫電壓跌落小。</p><p><img src="https://img.jishulink.com/msimage/202402/4bb72a15dd1cbc78e30701e299a38493.jpg"></p>
展開 
RS瑞森半導體500V高壓MOS在高速吹風機上的應用
針對高速吹風機市場，瑞森半導體推薦使用瑞森半導體平面高壓MOS，其產品優勢：
1.新型的橫向變摻雜技術；
2.專有的功率MOS結構；
3.超小內阻，結電容適中，散熱性能好；
4.高溫漏電小，高溫電壓跌落小;
5.電磁輻射EMI的處理更簡單；
6.EAS抗雪崩能力更高。
三、典型應用拓撲圖及應用案例
三相逆變全橋電路，是通過對控制中心的程序設定對三組MOS管進行精準控制，以特定的導通時序，對電機不同相位的導通進行控制，用來使三相無刷電機正常工作；同時通過高頻率開關，提升轉速，達到高速吹風機的風量要求。
高壓MOS管在高速吹風機中的應用主要是控制電機的轉速，MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）因為其開關頻率高，控制方式簡單，響應速度快，導通電阻小，可靠性高等特點，被廣泛應用于高速吹風機中。
四、瑞森半導體產品選型表
瑞森半導體在高速吹風機產品上主推平面高壓MOS推薦如下產品選型表：
展開 高壓MOS/低壓MOS在單相離線式不間斷電源上的應用-REASUNOS瑞森半導體
wx_fmt=jpeg&wxfrom=13" alt="圖片"></p><p class="ql-align-justify"><strong style="color: rgb(217, 33, 66);">DC-AC部分</strong>是<span style="color: rgb(217, 33, 66);">逆變線路</span>是將電池直流電轉換成交流電以供計算機使用，可推薦使用<span style="color: rgb(0, 0, 0);">瑞森半導體</span><strong style="color: rgb(217, 33, 66);">500V系列的高壓MOS</strong>，選型如下：</p><p class="ql-align-center"><img src="https://mmbiz.qpic.cn/sz_mmbiz_jpg/qqVoyF7rkJ4GB2RMlwicISIzUqGhWwKSeWr1PHnoEG3DQib7Cryp81LBMrvSUWiadYJ7AQuMwvqjPxYeUHrsfcWlA/640?wx_fmt=jpeg&wxfrom=13" alt="圖片"></p><p><br></p>
展開 應用在充電器領域中的中高壓MOS管
MOS，是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導體場效應晶體管，簡稱金氧半場效晶體管。mos管的工作原理是金屬氧化物半導體場效應晶體管（簡稱mos管），它是利用絕緣柵極下的p型區與源漏之間的擴散電流和電場在垂直方向上的不同導電特性來工作的。
MOS管的source（源極）和drain（漏極）是可以對調的，他們都是在P型backgate中形成的N型區。在多數情況下，這個兩個區是一樣的，即使兩端對調也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的。場效應管分為PMOS管（P溝道型）和NMOS（N溝道型）管，屬于絕緣柵場效應管。
MOS管特點是：
1. 柵極電壓很低，一般在幾伏到幾十伏之間；
2. 源漏電阻很大，一般都在幾百千歐以上；
3. 電流極小或為0，所以稱為"零電阻"，即對信號幾乎不產生任何影響；
4. 工作溫度范圍很寬，從-55°C至+150°C左右。
5. 放大倍數大、噪聲小、功耗低等優良性能。
推薦由工采網代理的一款來自臺灣美祿的MOS管，中高壓MOS管 - MPD04N65，不同的封裝尺寸MOS管具有不同的熱阻和耗散功率，需要考慮系統的散熱條件和環境溫度（如是否有風冷、散熱器的形狀和大小限制、環境是否封閉等因素），基本原則就是：在保證功率MOS管的溫升和系統效率的前提下，選取參數和封裝更通用的功率MOS管。
中高壓MOS管 - MPD04N65的特性：
650V, 4A, RDS (ON)(Max.)= 2.7Ω@VGS = 10V.
低Crss
快速交換
100%雪崩測試
臺灣美祿在MOS管領域頗有建樹，技術以及產品方面已經很完善，如果想了解更多MOS管的技術資料，歡迎致電聯系：133 9280 5792(微信同號)
展開 RS瑞森半導體在PC電源上的應用
單管正激，由于變壓器需要增加額外的磁復位繞組，在主開關MOS管關斷時，MOS管會承受兩倍于輸入電壓的應力，因此在該類拓撲應用中推薦瑞森半導體800V、900V的超高壓MOS管，以應對電壓變化帶來的沖擊。
雙管正激，它是非常穩定的拓撲結構，工作頻率不高，也不會出現過大的沖擊電流，對MOS管的要求相對寬松，每個MOS理論上的電壓為直流母線電壓，對應推薦瑞森半導體500V、650V的高壓MOS，同時Rdson較小，可進一步提高效率，通常應用于計算機主電源，中等功率通信電源，變頻器等輔助電源。
二、正激式典型應用拓撲圖
三、典型應用案例
1、單端正激300W-500W，經典IC 3842-3845：
主推RS9N90F / RS8N80F / RS10N80F (一機1PCS)；
2、雙管正激(雙晶正激)，經典IC CM6805 / 6800 / 6109，功率:350W-2000W:
主推500V系列：
TO-220F: RS9N50F / RS10N50F / RS13N50F / RS15N50F / RS18N50F / RS20N50F / RS25N50F;
TO-247: RS20N50W / RS25N50W / RS28N50W / RS30N50W;
四、瑞森半導體產品選型推薦
瑞森半導體在PC電源上主推超高壓MOS、高壓MOS推薦如下產品選型表：
展開 “國產芯片”瑞森半導體（REASUNOS）將亮相2023慕尼黑上海電子展
瑞森半導體本次展會主打三條產品線，硅基功率器件，碳化硅基功率器件以及功率IC ，其中硅基功率器件包括平面高壓MOS，超結MOS，Trench低壓MOS和SGT低壓MOS, 產品涵蓋20V-1500V全耐壓段，可以滿足各種不同應用場景；以平面高壓MOS為例，目前國內產品在技術指標上存在的問題主要是高溫（150℃）漏電大以及電磁輻射EMI難解決；產品質量上存在的問題主要是老化考核后產品擊穿電壓（BV）跌落，可靠性難以符合工業要求等問題。瑞森半導體高壓MOS系列采用新型的橫向變摻雜技術，以專有的功率MOS結構，高溫特性優良，同時極大提升了產品的雪崩能量和抗浪涌能力；
碳化硅基功率器件包括碳化硅SBD和碳化硅MOSFET，產品涵蓋650V-1200V-1700V，3300V產品系列在開發中；已實現全球銷售，SiC 產品系列完全可實現國產替代。
瑞森半導體超結MOS產品系列，均采用多層外延工藝制作，與傳統的trench工藝相比，具有優異的抗EMI及抗浪涌能力，性能可媲美國際一線品牌。
電源管理IC采用的是1um 600V HVIC 高壓浮柵工藝，整個系統電源采用CS-CP PPFC+ LLC (電流源電荷泵 +串聯諧振)技術，是國內唯一 一家可以單級方案做到400W以上的大功率并涵蓋高PF、低THD、無頻閃、高效率等優勢的產品系列，其中效率超過94%，PF（功率因數）大于0.96，THD（總諧波失真）在5%以內，頻閃系數<0.03（遠遠優于國標1.15的標準），產品可廣泛應用于教育照明、家居照明、商業照明、學生書房燈、戶外路燈、植物照明、投光燈、景觀照明、體育場館等。
瑞森半導體核心研發第三代寬禁帶半導體技術，研發人員占比40%，具備強大的自主研發能力 。并與湖南大學半導體學院（集成電路學院）深度合作，進行第三代半導體技術的創新研發突破。
展開 REASUNOS瑞森半導體高低壓MOS在車載逆變器上的應用
MOS管推薦使用瑞森半導體低壓MOS系列，選型如下：
DC-AC逆變電路（全橋PWM控制）
DC-AC逆變電路的主回路采用的是全橋式結構，和開關管并聯的二極管起到保護作用。MOS管推薦使用瑞森半導體高壓MOS系列。瑞森半導體高壓MOS系列，超小內阻，結電容適中，散熱性能好，高溫漏電小，高溫電壓跌落小，廣受市場好評。
RS瑞森半導體MOS管在便攜式儲能電源上的應用
三、主逆變儲能單元--產品選型推薦
在主逆變儲能單元中，根據不同的逆變器功率需求選擇不同參數的產品，瑞森半導體推薦使用平面高壓MOS系列：
1、300W 推薦RS13N50F型號及以上規格選型
2、400W 推薦RS15N50F型號及以上規格選型
3、500W 推薦RS18N50F型號及以上規格選型
4、600W 推薦RS20N50F或RS25N50F型號及以上規格選型
5、800W 推薦RS25N50W或RS28N50W型號及以上規格選型
6、1000W 推薦 RS30N50W型號及以上規格選型
平面高壓MOS推薦 ：
四、DC-DC單元--產品選型推薦
瑞森半導體低壓MOS系列使用SGT工藝比普通溝槽工藝挖掘深度深3-5倍，柵電極下方增加一塊多晶硅電極，即屏蔽電極或稱耦合電極；實現屏蔽柵極與漂移區的作用，減小米勒電容以及柵電荷，使器件的開關速度加快，開關損耗低。
展開 
碳化硅MOS管在三相逆變器上的應用-REASUNOS瑞森半導體
wx_fmt=jpeg&wxfrom=5&wx_lazy=1&wx_co=1" alt="圖片"></p><p class="ql-align-justify"><strong style="color: rgb(217, 33, 66);">DC-AC部分</strong>是<span style="color: rgb(217, 33, 66);">逆變線路</span>是將電池直流電轉換成交流電以供計算機使用，可推薦使用<span style="color: rgb(0, 0, 0);">瑞森半導體</span><strong style="color: rgb(217, 33, 66);">500V系列的高壓MOS</strong>，選型如下：</p><p class="ql-align-center"><img src="https://mmbiz.qpic.cn/sz_mmbiz_jpg/qqVoyF7rkJ4GB2RMlwicISIzUqGhWwKSeWr1PHnoEG3DQib7Cryp81LBMrvSUWiadYJ7AQuMwvqjPxYeUHrsfcWlA/640?wx_fmt=jpeg&wxfrom=5&wx_lazy=1&wx_co=1" alt="圖片"></p><p><br></p>
展開 RS瑞森半導體在LED驅動電源上的應用
產品特點：
新型的橫向變摻雜技術；
專有的功率MOS結構；
高溫特性優良；
對標國內四大MOS品牌系列產品；
器件參數一致性較好。
三、典型應用拓撲圖
BUCK電路應用拓樸圖
反激應用拓樸圖
四、產品選型
瑞森半導體在LED驅動方案上，推薦使用平面高壓MOS系列，憑借可靠性高、參數一致性好，內阻低等特點，助力LED驅動事業蓬勃發展。推薦如下產品選型表：
新品攻略—小功率、小體積、高效率！LED驅動模塊RSC6218A
采用絕緣體上硅SOI及BCD工藝，輸入電壓范圍高達600V以上；內部集成：欠壓檢測模塊、整流器模塊、誤差放大器、壓控振蕩器、邏輯處理模塊、電平移位模塊、高邊驅動模塊、低邊驅動模塊、功率轉化模塊等；通過優化芯片內部設計實現LLC諧振半橋控制與功率器件集成，數控原邊反饋，無噪音，效率高；控制芯片具備自適應的調節技術，大幅提升抗干擾能力，有效增強可靠性；將多顆平面高壓MOS進行合封，提升產品內部功率器件的開啟與關閉性能，避免干擾發生；采用獨特的寬體WSOP-16封裝，確保散熱，助力產品小型化趨勢。
市場對光源與電源的體積需求向著小型化、高頻化、高效化的趨勢發展，光源材料技術革新提升了燈具光效，LED驅動電源的轉換效率也隨之提升，從而進一步將產品的功率數需求降低。原LED照明燈具光效在70-95 lm/W，現LED照明燈具光效可實現120-150 lm/W，甚至達200 lm/W以上。在這個趨勢之下，原需36W功率的LED驅動電源，現24W功率的LED燈具即可達到相同的光照強度；同樣18W的LED燈具也可達到24W功率的光照強度。瑞森半導體應市場需求，所開發的RSC6218A型號適用于18W以內的LED電源方案，在低功率產品上實現小體積、高效率、高照度等特性指標，光照度值可媲美普通24W電源甚至更高。
RSC6218A的LED驅動電源板
RSC6218A 型號應用于LED電源方案，優勢明顯！
遙遙領先的轉換效率（＞90%）
市場18W內的LED電源方案通常采用反激+頻閃方案，效率值在72-78%之間，使用RSC6218A型號的LED電源方案效率值可達90%以上，效率提升10%以上，極大提升整燈的光效和整燈的壽命。
助力產品小型化（縮小PCB面積10-25%）
獨特的寬體WSOP-16封裝，兼顧功率與散熱，實現產品小型化。
展開 守正創新 篤行致遠 瑞森半導體總經理劉志強2024年新年致辭
在<strong>硅基功率器件領域</strong>，<strong>平面高壓MOS、超結MOS、Trench低壓MOS、SGT低壓MOS，</strong>各類產品型號愈發完善；<strong>碳化硅MOS和碳化硅二極管</strong>已走出國門，實現全球銷售；<strong>功率IC領域</strong>，聚焦高轉換效率、高頻化、小型化，諧振半橋、數模混合等系列產品持續開發。厚德才能載物，行穩才能致遠，我們相信高性能、高品質、穩定安全的功率半導體產品線是企業持續發展的根本，而結合客戶實際應用痛點、提供系統化解決方案是企業脫穎而出的新勢能。</p><p><strong>精細市場，聚焦長遠目標。</strong>2023年，我們更加聚焦于長期可持續發展的戰略目標。國外市場，先后開發歐美市場，中東市場，東南亞市場等，海外代理商銷售網點持續擴張。在國內市場，先后在華中、華南區域成立瑞森半導體科技（湖南）有限公司、瑞森半導體科技（深圳）有限公司，即將在華東區域成立瑞森半導體科技（上海）有限公司。放眼全球視角，逐步實現全球化戰略布局。</p><p><strong>矢志不渝，國產替代之路。</strong>現階段國產化替代空間巨大，尤其是用于工業控制領域的高性能產品及用于高可靠領域的產品。瑞森半導體從單個產品系列實現國產替代到如今全系列產品各項性能、品質、參數與眾多國際一線品牌媲美，每一次的堅持都歷經坎坷，甚至諸多懷疑。但是在這條路上我們始終堅信，國產替代是必經之路，國產替代是中國半導體品牌的破局之路，也是企業自主創新研發的信念之源。</p><p>2023年，我們懷揣足夠的耐心，默默積蓄力量，奮發向前，努力革新。我們相信任何成績的取得，都不是一蹴而就，你的時間花在哪，你的花就開在哪。當時間邁向2024年，我們內心多了充盈，心態多了平穩。
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