近場分析的案例
框架結(jié)構(gòu)近場、遠場地震非線性動力分析
遠場、近場地震結(jié)果分析
近場地震作用下選取特征點加速度最值對比/m/S2
最值
節(jié)點650
節(jié)點530
節(jié)點410
節(jié)點290
節(jié)點170
節(jié)點32
最大值
5.907
5.475
4.657
3.472
2.391
1.182
最小值
-4.946
-4.518
-3.798
-2.813
-1.760
-0.956
遠場地震作用下選取特征點加速度最值對比/m/S2
最值
節(jié)點650
節(jié)點530
節(jié)點410
節(jié)點290
節(jié)點170
節(jié)點32
最大值
4.14596
3.63658
3.2745
2.8727
2.3499
1.26615
最小值
-3.6055
-3.690
-3.6656
-3.2505
-2.42285
-1.34764
可以看出，相同峰值加速度工況下，無論是位移還是加速度放大效應(yīng)，近場地震波作用下框架結(jié)構(gòu)頂部節(jié)點的放大效應(yīng)要大于遠場地震波，所以，在地震時程分析過程中，不能忽略近場地震波的放大作用。
展開 VirtualLab矩形組合光柵建模
建模目的：如何將矩形光柵界面和轉(zhuǎn)變點列界面(Transition Point List Inerface)進行組合，以構(gòu)建復(fù)雜結(jié)構(gòu)光柵，并進行近場分析和內(nèi)部場分析
工具箱：光柵工具箱
關(guān)鍵詞：矩形光柵界面 轉(zhuǎn)變點列界面 近場分析 內(nèi)部場分析
組合光柵結(jié)構(gòu)參數(shù)：
圖1：光柵參數(shù)示意圖
使用VirtualLab光柵工具箱進行建模
1) 操作如下圖(1)(2)：解決方案(Solutions)/光柵工具箱(Grating Toolbox)/二維光柵仿真(2D Grating Simulations)/自定義光柵光路流程圖(General Grating Light Path Diagram)，生成光柵光路圖, 如下圖(3)
(1)
(2)
(3)
圖2：使用VirtualLab光柵工具箱進行建模步驟1)示意圖
2) 雙擊 ，進入光柵編輯窗口(Edit General Grating 2D)/結(jié)構(gòu)與功能子窗口(Structure/Function)，確定基板材料和厚度，并選擇堆棧界面。
圖3：使用VirtualLab光柵工具箱進行建模步驟2)示意圖
3) 進入堆棧界面，即堆棧編輯窗口(Edit)，通過添加(Add)按鈕依次添加平面(Plane Interface)，矩形光柵界面(Rectarngular Grating Interface)以及轉(zhuǎn)變點列界面(Transition Point List Interface)以構(gòu)建矩形組合光柵。
展開 VirtualLab運用：線性正弦光柵的的近場和效率分析
不同放大倍率顯示
數(shù)值的表格顯示
級次計算(周期=10μm)
近場位相值(周期=1μm)
■ 再次顯示3個周期。
■ 由于共振效應(yīng)，具有小尺寸結(jié)構(gòu)的光柵不在產(chǎn)生正弦位相分布。
■ 振幅同樣劇烈地改變。
■ 此時變化范圍從0.2 ~ 1.2.
■ 這是光柵周期趨近于波長量級時的典型現(xiàn)象。
說明
該案例中波長532nm,光柵周期1um，即結(jié)構(gòu)在波長范圍內(nèi)，通常要求采用傅里葉模態(tài)法進行嚴(yán)格分析。
因此VirtualLab非常適合這樣的研究工作。
此次僅計算3個反射級次和5個透射級次。因此分析速度很快。
不同變倍比顯示
數(shù)值的表格顯示
總結(jié)
■ VirtualLab可對表面光柵進行嚴(yán)格仿真。
■ 利用光柵工具箱，用戶可將嚴(yán)格的傅里葉模態(tài)法作為傳播技術(shù)和強大的計算工具，如對光柵近場和衍射效率的計算。
展開 JCMSuite應(yīng)用：光場通過六方晶胞的近場分析
JCMsuite計算近場分布。下圖顯示了當(dāng)波長為193nm時，平面波從襯底側(cè)垂直入射到結(jié)構(gòu)內(nèi)的近場強度
S偏振光照明的場矢量
P偏振光照明的場矢量
后處理傅里葉變換計算透射衍射級次的振幅。
lsdyna近場動力學(xué)分析-鋼球撞夾層板玻璃
而近場動力學(xué)方法將物體離散成一系列空間域內(nèi)的物質(zhì)點，一個物質(zhì)點的狀態(tài)被在一個有限半徑的區(qū)域內(nèi)的物質(zhì)點所影響，采用積分方程描述物質(zhì)點的運動，該理論突破了連續(xù)性假設(shè)和空間微分方程在不連續(xù)問題上出現(xiàn)的求解瓶頸。
為三維固體材料的破壞行為提供了一種新的思路，采用非連續(xù)型網(wǎng)格，采用section solid peri界面，材料采用292號elastic peri材料，一般用于脆性材料，玻璃，水泥，硬塑料等，g是材料破壞參數(shù)，當(dāng)問題已壓縮破壞為主時，輸入gs，一般gs=2*gt，對于其他問題，gs空著不填
模型簡介如下：夾層板上下為玻璃，采用mat_elastic_peri材料，中間為PC板，球以30m/s的速度撞擊平板，觀察平板的版型和應(yīng)變。
效果如下：
最后給大家附上免費的k文件供大家學(xué)習(xí)。
moxing.k
展開 衍射及微納光學(xué)系統(tǒng)的分析、設(shè)計與加工技術(shù)
課程大綱：
1.波動光學(xué)基礎(chǔ)
□ 雙光束干涉及楊氏干涉
□ 相干及非相干光源的傳播特性
□ 衍射光學(xué)與傅里葉變換
2.衍射元件概述
□ 衍射光學(xué)元件概念
□ 衍射光學(xué)元件優(yōu)點
□ 光束分束、整形、擴散
□ 傅里葉變換
□ 角譜理論
□ 工作裝置類型
3.衍射光學(xué)元件理念及設(shè)計
□ 基本理念
□ 透鏡和衍射光學(xué)元件的作用
□ 分束、整形和擴散的實質(zhì)
□ 衍射光學(xué)元件的特征尺寸
□ 衍射光學(xué)元件優(yōu)化設(shè)計方法
4.IFTA簡介
□ 基本設(shè)計步驟
□ 光學(xué)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)——1f、2f、Fresnel、Far-field、角譜
□ 參數(shù)估算——周期和線寬的估算
□ 光學(xué)系統(tǒng)分辨率——不同結(jié)構(gòu)的分辨率
□ 配置設(shè)計過程的優(yōu)化評價函數(shù)
5.衍射元件設(shè)計案例
□ 衍射分束器參數(shù)選擇
□ 衍射分束器設(shè)計流程：規(guī)則和任意形狀
□ 衍射整形器參數(shù)選擇
□ 衍射整形器設(shè)計流程：1D和2D平頂型
□ 衍射擴散器參數(shù)選擇
□ 衍射擴散器設(shè)計流程：平頂型和任意圖案
6.光柵模擬分析
□ 構(gòu)建stack
□ 調(diào)整模擬參數(shù)——精度因子和衍射級次
□ 近場分析、衍射效率分析、內(nèi)部場分析
□ 2D光柵表面鍍膜分析
□ 3D表面具有減反結(jié)構(gòu)的光柵分析
□ 光柵單元陣列及透鏡陣列的建模與分析
7.光柵概述
□ 2D和3D光柵,亞波長光柵,及二元光學(xué)元件
□ 標(biāo)量衍射和傅里葉變換
□ 矢量衍射和傅里葉模態(tài)法
□ 納米光學(xué)元件的應(yīng)用：抗反射、偏振控制、成像、傳感等
8.微納光學(xué)元件制作
□ 多階器件加工
□ 連續(xù)器件加工
□ 傳統(tǒng)套刻法
□ 激光直寫法
□ 納米光子器件制作概述
□ 衍射光學(xué)元件公差分析
9.答疑
展開 向邊界元法致敬！
有限元法需要對整個體進行網(wǎng)格劃分，更加適用于近場分析。通過使用邊界元法，Christensen得以減少模擬的計算量，讓筆記本電腦的計算資源足以應(yīng)付此類仿真運算。“邊界元法簡單多了。”Christensen 評價道，“如果你擁有完整的幾何結(jié)構(gòu)，那就只需要創(chuàng)建表面網(wǎng)格，這種工作方法簡直是一種享受。通常人們會使用體網(wǎng)格，他們不得不離散空氣域，還得應(yīng)用輻射條件來限制反射，但這些特征都已經(jīng)包含在邊界元法當(dāng)中。”
講話與傾聽
HATS 的優(yōu)點在于，它可以模擬包含多個聲源的環(huán)境。舉例來說，用戶在來訪時的說話聲，就像在忙碌的辦公室中戴著耳機工作的職員說話時的情況一樣。而助聽器中由于配置有麥克風(fēng)和揚聲器，復(fù)雜的結(jié)構(gòu)可能會引起聲反饋。“助聽器中裝有兩個麥克風(fēng)，而且它們均可感知聲音和振動，這讓問題更加復(fù)雜。”Christensen 解釋道。“助聽器產(chǎn)生的聲反饋現(xiàn)象有時會造成令人難以忍受的噪音。”
因為邊界元法需要極少的物理場設(shè)置，所以建模相對簡單。在上述案例中，研究人員對口腔采用加速度邊界條件以模擬揚聲器。假設(shè) HATS 自身表現(xiàn)為剛性，并且邊界元法（BEM）可自動添加任何輻射條件，確保聲波不會反射。基于上述條件，計算頭部和軀干周圍的聲壓場，運行仿真后可以通過后處理對多個麥克風(fēng)位置進行研究。基于助聽器的幾何結(jié)構(gòu)，機械設(shè)計師可以指出所有可行的位置，并且根據(jù)仿真結(jié)果推測最佳位置。“借助邊界元法，我們確實不需要考慮過多物理場設(shè)置。”Christensen 說道，“因為我們感興趣的是口與耳的關(guān)系，所以在口的位置施加了一個加速度條件，并在口的前方，或耳朵內(nèi)部和表面上提取聲壓，僅此而已。我們需要關(guān)心的唯一物理場就是聲場。”
未來的應(yīng)用
Christensen 的 HATS 模型對于他和同事來說具有極高的價值，因為該模型一旦完成求解，就可以通過各種后處理工具提取海量的有用信息。
展開 智能熱流體仿真軟件AICFD 2023R2新版本功能介紹
AICFD 2023R2進一步豐富和完善前后處理功能，包含：
■ 新增多種網(wǎng)格文件格式導(dǎo)入；
■ 支持千萬級網(wǎng)格的導(dǎo)入、前后處理和求解，充分滿足工程應(yīng)用需求；
■ 材料庫新增汽車行業(yè)常用材料，比如玻璃、隔熱材料等；
■ 新增邊界條件復(fù)制粘貼、導(dǎo)入導(dǎo)出功能，操作便捷易用；
■ 新增渦量、聲源強度、六分力等更多變量輸出；
■ 優(yōu)化后處理界面響應(yīng)速度，平均提升響應(yīng)速度較之前版本提升7倍以上；
■ 提升工程文件保存速度；
■ 優(yōu)化噪聲后處理，在同一個后處理界面可進行噪聲遠場、近場分析。
圖2 支持8000萬以上規(guī)模的網(wǎng)格導(dǎo)入、顯示交互和求解計算
圖3 邊界條件的復(fù)制粘貼和導(dǎo)入導(dǎo)出功能
2）支持有界中心差分等動量方程數(shù)值格式，兼顧計算精度和穩(wěn)定性
AICFD提供多種數(shù)值計算格式，用戶可根據(jù)流體仿真問題的特性選擇數(shù)值格式，提升計算精度和穩(wěn)定性。AICFD 2023R2新增有界中心差分等數(shù)值格式，特別適用于汽車外氣動計算場景，可有效提升計算精度和穩(wěn)定性。
（a）車身壓力分布云圖
（b）仿真結(jié)果與實驗對比
圖4 某汽車模型的風(fēng)阻計算，計算精度與實驗偏差在3個count以內(nèi)
3）豐富和優(yōu)化湍流模型，提升計算精度
AICFD具備15種湍流模型，覆蓋雷諾平均（RANS）、分離渦模擬（DES）、大渦模擬（LES）類型，可計算穩(wěn)態(tài)和瞬態(tài)湍流流動。AICFD 2023R2新增IDDES（Improved Delayed DES）瞬態(tài)湍流模型，適合求解汽車外氣動瞬態(tài)問題，提升氣動噪聲仿真精度。
展開 基于相位補償方法的天線增益提高
近場分析
近場分布特征決定了遠場的輻射特性，作者希望從近場的角度，對加載相位調(diào)控超表面前后的天線近場分布進行更為深入的分析。這應(yīng)該也是一件有趣的事。
對比加載相位調(diào)控超表面前后喇叭從切面近場相位分布，從喇叭口輻射出的電磁波“波前”經(jīng)過相位調(diào)控超表面的“調(diào)節(jié)”后，變得更為平坦。
加載相位調(diào)控超表面后，口面上近場相位分布差被顯著縮小，尤其是位于口面中心區(qū)域的相位分布，從原來的弧頂分布，轉(zhuǎn)變?yōu)槠巾敺植迹ó?dāng)然有些波動），同時也可以注意到，由于邊緣單元周期性的破壞，越往口面的邊緣走，相位的調(diào)控效果也就越差。
展開 Bentley AutoPIPE Advanced V8i SELECTseries 5 v09.0
, 時間系列分析等）
物聯(lián)網(wǎng)行業(yè)工程仿真解決方案
采用優(yōu)飛迪解決方案，工程師能進行近場分析，預(yù)測整個工業(yè)環(huán)境對天線和無線設(shè)備性能的影響。有限元域分解、3D力矩法、混合、射線跟蹤（SBR）等技術(shù)可用來快速求解電大尺寸和復(fù)雜的全波電磁模型。這種方法能提供更多信息，改進準(zhǔn)確度，并提高可靠性。
2、芯片—封裝—系統(tǒng)設(shè)計
設(shè)計高速印刷電路板（PCB）和半導(dǎo)體集成電路（IC）需要考慮低工作電壓、電路密度和高數(shù)據(jù)速率等復(fù)雜要求，因此面臨巨大的挑戰(zhàn)。此外，許多物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品設(shè)計團隊都需要解決尺寸、重量、功耗和冷卻等問題。
無論是設(shè)計PCB還是IC，工程師必須平衡電子、熱和機械性能等三大領(lǐng)域的要求，否則會影響產(chǎn)品可靠性。此外，工程師還應(yīng)當(dāng)仿真半導(dǎo)體晶片或IC、IC封裝和PCB之間的相互作用。電源完整性分析對于確保適當(dāng)供電網(wǎng)絡(luò)必不可少，此外還需要進行信號完整性分析以最小化串?dāng)_，并提高設(shè)計魯棒性。為解決熱可靠性，需要通過仿真評估電路板的溫度和相關(guān)組件，確保設(shè)備在指定溫度范圍內(nèi)可靠工作。為解決機械可靠性，需要通過熱應(yīng)力仿真評估電路板的熱和機械應(yīng)力，并分析電路板和組件之間的焊點。
除了執(zhí)行單獨的物理仿真外，工程師還通過耦合信號完整性分析與熱仿真，以及結(jié)合熱仿真與結(jié)構(gòu)分析，來考慮不同物理領(lǐng)域之間的相互作用，全面了解PCB設(shè)計的整體可靠性。
3、電源管理
經(jīng)歷過智能手機電池耗盡的人都深知電源管理的重要性。但電源管理不僅僅限于智能手機或Wi-Fi。能量采集、無線功率傳輸和低功耗IC設(shè)計是許多物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品的構(gòu)建基礎(chǔ)。
機械運動、熱、壓電材料和電磁輻射等產(chǎn)生的能量也能被捕獲并直接轉(zhuǎn)化為電能。設(shè)計能量采集系統(tǒng)時，工程師要考慮多個參數(shù)，包括能量來源、換能器類型、電源效率、所需的功率級和能源儲存等。
更重要的是，在設(shè)計無線系統(tǒng)時，安全性是一個重要的考慮因素。相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和監(jiān)管機構(gòu)對釋放到生命組織的電磁能量大小進行了限制。
展開 
LS-Dyna 水下爆炸之流固耦合應(yīng)用 ￥8
水面艦船在執(zhí)行任務(wù)中，難免會遭受水下各種武器的襲擊，近場水下爆炸產(chǎn)生的沖擊波，氣泡脈動等載荷將會導(dǎo)致艦船局部結(jié)構(gòu)或整體結(jié)構(gòu)受損。局部結(jié)構(gòu)受損又多集中于舷側(cè)、舭部和底部，受損典型結(jié)構(gòu)為板架結(jié)構(gòu)。所以對于局部結(jié)構(gòu)遭受載荷后響應(yīng)過程的分析有重要意義。在水下爆炸數(shù)值模擬環(huán)境正確的基礎(chǔ)上，利用已有載荷環(huán)境，建立某艦船的三艙段模型，研究不同工況下艙段在近場水下爆炸沖擊波載荷下的艦船動響應(yīng)過程，根據(jù)艦船結(jié)構(gòu)的抗沖擊評判標(biāo)準(zhǔn)，分析近場水下爆炸沖擊波載荷作用下的結(jié)構(gòu)變形，重要部位特征點的速度和加速度響應(yīng)情況，以及結(jié)構(gòu)吸能特性，探究近場水下爆炸沖擊波載荷對艦船結(jié)構(gòu)造成的損傷和其自身的抗沖擊能力。
02艦船水下爆炸數(shù)值計算仿真模型：
本文選取某艦船中部三艙段位置進行有限元建模，單個艙段長為９ｍ，寬為16.7ｍ，型深為12.8ｍ，吃水為８.８ｍ。綜合考慮結(jié)構(gòu)網(wǎng)格與流體網(wǎng)格的大小關(guān)系，以及整體模型計算效率，本文艙段結(jié)構(gòu)網(wǎng)格采用0.2ｍｘ0.2ｍ的面單元模擬，艙段網(wǎng)格總數(shù)量為３０萬,部分艙段模型如下圖所示。艦船材料采用高強度鋼，屈服應(yīng)力為5.9e8Ｎ／ｍ２，密度為７８００ｋｇ／３，彈性模量為2.1e11Ｎ／ｍ２，泊松比０.３。
03材料和數(shù)值模型簡介
方形水域流場（歐拉域）大小為３０ｍｘ２０mx２０.６ｍ，水域中間長９ｍ范圍內(nèi)局部加密,兼顧計算效率和計算精度網(wǎng)格尺寸的研宄過程，確定此處流場和炸藥的最小網(wǎng)格單元尺寸為0.2ｍｘ0.2ｍｘ0.2ｍ，兩端網(wǎng)格尺寸為0.4ｍｘ0.4ｍｘ0.4ｍ，為使數(shù)值模擬更接近真實爆炸場景，水域上方建立高為0.４ｍ的空氣層，炸藥位于船體的正下方。此外，歐拉域邊界設(shè)置為無反射邊界條件，以模擬無限流場防止材料流出，根據(jù)相同的方法建立炸藥位于舷側(cè)爆炸時的數(shù)值模型。
料參數(shù)及一般設(shè)置見K文件。
展開 Statik.2003-ISO 1CD(德國的房屋結(jié)構(gòu)設(shè)計及分析軟件)
Zeland IE3D and Fidelity v9.0(時域有限差分全三維電磁場仿真軟件包)
SCHMID & PARTNER ENGINEERING AG產(chǎn)品：
SEMCAD V1.8-ISO 1CD(SEMCAD為復(fù)雜環(huán)境的近場分析提供了高端電磁模擬平臺,可為電磁場的IIS/IT'IS,
研究提供支持和幫助,同時可幫助在芯片級的EMC/EMI和EM 模擬,天線設(shè)計等)
APLAC SOLUTIONS產(chǎn)品：
Aplac v7.61(最有用的、最完整、精確和集成化的模擬電路仿真軟件,用于設(shè)計和分析模擬電路、RF和微波應(yīng)用)
PCschematic v8.00.3中英文正式單機版-ISO 1CD(電氣繪圖軟件)
PCSchematic 7.00簡體中文版-ISO 1CD(電氣繪圖軟件)
PCselCAD v7.0-ISO 1CD
AMTECH產(chǎn)品：
AMTECH Office v2006-ISO 1CD(電氣軟件套裝。包括了電氣設(shè)計、測試、檢驗、協(xié)同工作和快速單線纜計算等功能。
展開 Ansys Lumerical | 米氏散射 FDTD
源和 “abs”/“scat” 分析組將自動由最多兩個網(wǎng)格單元分開，納米顆粒被 “abs” 分析組完全包圍。
· 在模擬非球形粒子或多個粒子時，可能需要更新邊界條件以匹配新結(jié)構(gòu)的對稱性。還需要修改關(guān)聯(lián)的腳本文件，以校正散射體的幾何面積和大小參數(shù)。
進一步推廣模型
基板上的顆粒
此示例使用被均勻材料包圍的粒子。如果顆粒在基板上，則必須修改分析的遠場部分。此示例中使用的技術(shù)（從封閉的監(jiān)視器盒投影）僅在所有監(jiān)視器都位于向外延伸到無窮大的單一均勻材料中時才有效。當(dāng)存在基板時，計算遠場散射模式的最佳方法是使用一個位于粒子上方或下方的監(jiān)視器（取決于散射的主要方向）。然后，您可以使用標(biāo)準(zhǔn)的 farfield3d 函數(shù)。使用單個監(jiān)視器時，必須使仿真跨度足夠大，以使大多數(shù)散射光在到達 PML 吸收邊界之前可以通過監(jiān)視器。此問題僅適用于遠場分析。無需更改橫截面和近場測量的分析。
非偏振照明
對于具有非相干非偏振照明的系統(tǒng)，運行第二次仿真，將源偏振旋轉(zhuǎn) 90 度，然后對結(jié)果求平均值。這可以通過對源偏振角進行 2 點參數(shù)掃描輕松實現(xiàn)。
收斂
使用當(dāng)前設(shè)置（模擬范圍為 1x1x1 um3，網(wǎng)格精度3，5nm網(wǎng)格附近粒子）仿真需要大約150 MB的內(nèi)存，運行時間約為1分鐘。這些設(shè)置提供了合理的精度水平，同時最大限度地減少了仿真時間。以下更改將提供更高的準(zhǔn)確性。
網(wǎng)格細化
將網(wǎng)格細化設(shè)置為“共形變體 1”，以實現(xiàn)金顆粒邊界的子單元分辨率。如果網(wǎng)格很粗糙，并且在目標(biāo)頻率下金屬和周圍介質(zhì)之間的介電常數(shù)差異很大，則選擇此設(shè)置時必須小心。最好執(zhí)行一些收斂測試。
網(wǎng)孔尺寸
將網(wǎng)格覆蓋網(wǎng)格尺寸設(shè)置為 0.8nm
模擬跨度
在所有方向上將模擬跨度設(shè)置為 2um。
展開 10條非常實用的電磁兼容設(shè)計知識
為什么頻譜分析儀不能觀測靜電放電等瞬態(tài)干擾?
答：因為頻譜分析儀是一種窄帶掃頻接收機，它在某一時刻僅接收某個頻率范圍內(nèi)的能量。而靜電放電等瞬態(tài)干擾是一種脈沖干擾，其頻譜范圍很寬，但時間很短，這樣頻譜分析儀在瞬態(tài)干擾發(fā)生時觀察到的僅是其總能量的一小部分，不能反映實際的干擾情況。
5. 在現(xiàn)場進行電磁干擾問題診斷時，往往需要使用近場探頭和頻譜分析儀，怎樣用同軸電纜制作一個簡易的近場探頭?
答：將同軸電纜的外層(屏蔽層)剝開，使芯線暴露出來，將芯線繞成一個直徑1~2 厘米小環(huán)(1~3匝)，焊接在外層上。
6. 測量人體的生物磁信息是一種新的醫(yī)療診斷方法，這種生物磁的測量必須在磁場屏蔽室中進行，這個屏蔽室必須能屏蔽從靜磁場到1GHz 的交變電磁場，請?zhí)岢鲞@個屏蔽室的設(shè)計方案。
答：首先考慮屏蔽材料的選擇問題，由于要屏蔽頻率很低的磁場，因此要使用高導(dǎo)磁率的材料，比如坡莫合金。由于坡莫合金經(jīng)過加工后，導(dǎo)磁率會降低，必須進 行熱處理。因此，屏蔽室要作成拼裝式的，由板材拼裝而成。事先將各塊板材按照設(shè)計加工好，然后進行熱處理，運輸?shù)浆F(xiàn)場，十分小心的進行安裝。每塊板材的結(jié) 合處要重疊起來，以便形成連續(xù)的磁通路。這樣構(gòu)成的屏蔽室能夠?qū)Φ皖l磁場有較好的屏蔽效能，但縫隙會產(chǎn)生高頻泄漏。為了彌補這個不足，在坡莫合金屏蔽室的 外層用鋁板焊接成第二層屏蔽，對高頻電磁場起到屏蔽作用。
7. 設(shè)計屏蔽機箱時，根據(jù)哪些因素選擇屏蔽材料?
答：從電磁屏蔽的角度考慮，主要要考慮所屏蔽的電場波的種類。對于電場波、平面波或頻率較高的磁場波，一般金屬都可以滿足要求，對于低頻磁場波，要使用導(dǎo)磁率較高的材料。
8. 機箱的屏蔽效能除了受屏蔽材料的影響以外，還受什么因素的影響?
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