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瞬態熱傳導測試的案例

瞬態傳導有限元求解器開發
關鍵詞:瞬態熱傳導,有限元求解器,三角形單元 傳遞有三種方式:熱傳導對流、輻射。就熱傳導問題而言,無論是結構力學還是流體力學都會涉及,兩邊都沒拿它當外人。 前面的文章提到過,結構力學的有限元發展地非常成熟,大部分的剛度矩陣在文獻里面都推導好了。而流體力學的很多單元類型的有限元方程,可能需要自行推導完成。在熱傳導問題中,我采用加權余量法進行處理,推導出了符合結構力學有限元文獻中給出的剛度矩陣,殊途同歸。 實際上,傳統的結構力學有限元三大控制方程:幾何方程、物理方程、平衡方程。幾何方程描述位移-應變關系,物理方程描述應力-應變關系,平衡方程描述內應力-外載荷關系。傳熱問題從控制方程角度,更偏向流體力學(能量方程)。但是對于結構變形太重要了,因此結構有限元必須要把傳熱問題解決掉。 從結構力學跨到流體力學,在有限元方法中,流體力學控制方程左邊的矩陣都可以用剛度矩陣去看待它。控制方程的右邊的列陣,都可以用載荷的角度去看待,對于第二類邊界條件,則可以分成左側矩陣的修正+右側列陣的載荷組合。有些文獻上,用所謂的“內部單元方程”、“邊界單元方程”的描述,會增加我們的困惑,可以不必糾結在此。 控制方程 二維瞬態熱傳導控制方程如下: 這個方程里面的常數有密度、比熱容、導熱系數。 三種邊界條件: (1) 已知邊界溫度值,屬于第一類邊界條件,它的處理就和結構有限元里面的位移以一樣,可以用置大數法對方程左邊的矩陣進行約束處理。 (2) 已知邊界流密度,屬于第二類邊界條件,作為熱源。可以類比到結構有限元里面的均布載荷。 (2) 已知邊界對流換系數和接觸環境溫度,也屬于第二類邊界條件。這個邊界條件在處理的時候,需要進行拆分,一部分放到左側單元矩陣,一部分作為右側的載荷。
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平板中的瞬態傳導
初始時銅板溫度為293K,然后突然暴露在一個表面通量為300KW/m2的傳遞中,分析兩分鐘后的溫度分布。 計算域:750mm X 300mm 材料屬性:密度為8995.67kg/m3,比為381J/kg-K,熱傳導系數為401W/m-K 邊界條件:一個壁面的通量為300KW/m2,右側壁面為絕熱條件,上下壁面為對稱邊界條件 網格劃分 采用矩形網格,網格數量為4500 計算設置 本次為瞬態計算,初始化溫度場為293K。 物質屬性 計算物質設置為銅板,設置密度和熱傳導系數 能量模型 激活能量方程 邊界條件 設置左側壁面的通量 設置右側壁面的絕熱條件 初始化 設置初始溫度 時間步長 設置時間步長為1s 計算結果 計算域溫度場云圖 120s時溫度分布 計算值與實驗值對比 左側壁面和點(0.15,0.15)平均溫度對比圖表
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考慮熱源的瞬態傳導有限元求解器
關鍵詞:熱源,瞬態熱傳導,有限元求解器,三角形單元,自研 在《瞬態熱傳導有限元求解器開發》一文中,我們介紹了自研的二維瞬態熱傳導求解器。 當時那個控制方程沒有考慮熱源,邊界條件中只涉及溫度、流、對流。然而在很多問題中,熱源才是最關鍵的邊界條件,比如電發熱、化學反應生。 熱源的處理 熱源是體,相對應的流是面。兩者處理方式類似,都是根據單位功率值和幾何尺寸計算功率,然后加到控制方程矩陣的右側,承擔類似于結構力學中的“載荷”的功能。 區別在于,熱源是作用在體上的,單位是W/m3,流是作用在面上,單位是W/m2。具體到編程上,熱源要分配到單元的三個節點上,流要分配到單元某個邊的兩個節點上。 從求解器編程的角度來說,這些邊界條件的處理方式都是固定和通用的。考驗一般出現在實際工程項目中使用自研求解器的時候。 在CAE軟件的開發中,交互端和求解器端永遠要解決的問題是,如何讓所有單元始終知道: (1)它是誰?(材料參數,幾何參數); (2)它在哪?(和其他單元的相對位置); (3)它怎么了?(邊界條件)。 以熱源為例,在交互界面上,我們通過視口選擇單元,指定其體功率。那么前端數據在生成求解器輸入的時候,就要告知求解器所有單元的編號和其對應的體功率。 當求解器拿到單元編號以后,就需要索引或者計算其面積,并根據單元三個節點編號,將功率加到載荷列陣對應的位置。 驗證 設計案例如下,區域外部為20℃空氣,對流換系數取5W/(m2K),時間總長18000s,每步時間間隔60s。 自研求解器得到模型中心最終溫度是84.6℃,與商用軟件結果完全一致。
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fcBGA-H封裝瞬態特性 仿真&測試(一)
隨著功能要求的提高,功率和流密度越來越大。因此,對于高功率倒裝芯片,客戶在不斷的推進TIM(界面材料)的低熱阻化。 TIMs(Thermal Interface Materials)是用于提高固體接觸面之間傳熱性能的導熱材料。比如CPUs和散熱器之間,若出現微小間隙,由于空氣導熱性能極差,整個散熱效率就會嚴重降低。因此,TIM的特性對于散熱方案的可靠性是至關重要的,尤其是發熱部位的最高溫度(結溫Tj),散熱片上表面溫度(殼溫Tc),和上述兩點之間的熱阻。測殼溫Tc的傳統方法是,在散熱片中心放置一個熱電偶。該方法的一個最大問題是只能用散熱片中心位置的溫度來表征殼溫。但是在實際應用中,最高溫度的位置我們通常不確定,尤其是當給結區加載非均勻載荷(non-uniform power)的時候。 本文主要討論的是: a. 描述如何使用不借助熱電偶的瞬態測試設備測試fcBGA封裝器件(由STATS ChipPAC制造)的TIM特性,尤其是結殼熱阻Rjc; b. 描述如何測試在風扇不同轉速下(模擬真實工況)封裝器件的Rja(結到環境的熱阻); c. 闡明功率脈普對結構函數的影響; d. 描述如何通過仿真生成一個仿真結構函數,再用測試結構函數來修正仿真結構函數,最后用修正后的結構函數生成熱阻網絡模型,應用于系統級產品中; e. 明確并改進更好的仿真和測試方法。 2. 封裝器件和熱測試裝置的結構 STATS ChipPAC內部搭建了一個flip-chip測試裝置(test vehicle),專門用于評估TIM的特性,其結構如圖1所示。
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瞬態熱傳導測試圖1