光刻仿真的案例
基于VirtualLab Fusion的原子光刻基片定位方案的光學(xué)系統(tǒng)仿真
摘要：為了探究原子光刻中基片與會(huì)聚激光場(chǎng)間距對(duì)沉積納米光柵質(zhì)量的影響，我們基于VirtualLab Fusion平臺(tái)實(shí)現(xiàn)了基片定位控制方案中光學(xué)系統(tǒng)的建模和仿真。結(jié)果顯示：基片在切割會(huì)聚激光時(shí)將產(chǎn)生直邊衍射圖像，其輪廓形狀和最大值都會(huì)隨著基片切割激光截面區(qū)域大小的變化而變化：虛擬光電探測(cè)器上所得到的反射光強(qiáng)度值將隨著基片－會(huì)聚激光間距的變化給出了倒置的高斯線型，其最低點(diǎn)出現(xiàn)在基片中心和會(huì)聚激光場(chǎng)軸線重合時(shí)的位置上。當(dāng)會(huì)聚激光場(chǎng)截面恰好被基片阻擋一半時(shí)，探測(cè)處的強(qiáng)度值降至45.5%。這種光強(qiáng)隨基片位置的變化情況為精確地定位基片位置提供了理論支撐。
關(guān)鍵詞：原子光刻；鉻原子；會(huì)聚激光；VirtualLab Fusion平臺(tái)
納米科技的快速發(fā)展，迫切需要相關(guān)檢測(cè)儀器具有量值溯源的特性，以保證加工對(duì)象的精度和成品率．現(xiàn)在開(kāi)發(fā)出來(lái)的計(jì)量型納米測(cè)量?jī)x器有如下原因而不能滿足現(xiàn)場(chǎng)或者一般實(shí)驗(yàn)室快速 溯源檢測(cè)的要求。１）設(shè)計(jì)復(fù)雜，價(jià)格昂貴，工作環(huán)境要求苛刻；2）只能建立在國(guó)家級(jí)計(jì)量院所
展開(kāi) 光刻技術(shù)第17期 | 壓縮感知光源優(yōu)化的仿真對(duì)比分析
01/簡(jiǎn)介
當(dāng)前，壓縮感知光源優(yōu)化的仿真技術(shù)已實(shí)現(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)化與精準(zhǔn)化雙重突破，為技術(shù)落地奠定堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。仿真條件層面，通過(guò)構(gòu)建統(tǒng)一的光源參數(shù)基準(zhǔn)、掩模圖形庫(kù)及光學(xué)成像模型，建立了可復(fù)現(xiàn)的標(biāo)準(zhǔn)化仿真環(huán)境，解決了傳統(tǒng)仿真中參數(shù)離散導(dǎo)致的對(duì)比誤差問(wèn)題。
接下來(lái)以豎直線條為目標(biāo)圖形進(jìn)行仿真分析，對(duì)比分析在不同變量下曝光圖像的情況。
02/仿真條件
目標(biāo)圖形：豎直線條（CD=45nm，占空比1:1）、水平條塊。
光刻參數(shù)：波長(zhǎng)193nm，NA=1.2，浸沒(méi)介質(zhì)折射率1.44，掩模尺寸4020nm×4020nm（201×201像素），光源41×41像素。
曝光圖像的計(jì)算公式：
Print Image = Γ（Inorm-tr）
其中Inorm=I/Qsum為歸一化空間像，Γ（x）為硬判決函數(shù)，tr為光刻膠閾值。使用歸一化的空間像計(jì)算曝光圖像，因?yàn)?em>光刻膠閾值是通過(guò)假設(shè)的單位曝光劑量來(lái)選擇的。
03/仿真結(jié)果對(duì)比
光源與成像效果：（硅片采樣像素?cái)?shù)）時(shí)的優(yōu)化后光源、焦面/離焦面成像，表明CS-SO可實(shí)現(xiàn)清晰成像。
M為硅片上隨機(jī)選擇的采樣像素的數(shù)量。
不同M下針對(duì)豎直線條圖形CS-SO方法獲得的SO結(jié)果及曝光圖像
不同M下針對(duì)豎直線條圖形CG-SO方法獲得的SO結(jié)果及曝光圖像
結(jié)論：
? CS方法可以獲得更簡(jiǎn)單合理的光源圖形及其強(qiáng)度分布。
? 優(yōu)化的光源圖形隨采樣像素的數(shù)量而變化，選取較多的采樣像素優(yōu)化的光源進(jìn)行成像后，PAE相對(duì)較低；選取較少的采樣像素優(yōu)化后，最后成像的 PAE 較高。
展開(kāi) 基于VirtualLab Fusion的原子光刻基片定位方案的光學(xué)系統(tǒng)仿真
張寶武1，霍劍鋒1，饒鵬輝2，張明月1，劉媛媛1，余桂英1，王道檔1
（1.中國(guó)計(jì)量大學(xué)計(jì)量測(cè)試工程學(xué)院，浙江 杭州310018； 2.訊技光電科技（上海）有限公司，上海200092）
摘要：為了探究原子光刻中基片與會(huì)聚激光場(chǎng)間距對(duì)沉積納米光柵質(zhì)量的影響，我們基于VirtualLab Fusion平臺(tái)實(shí)現(xiàn)了基片定位控制方案中光學(xué)系統(tǒng)的建模和仿真。結(jié)果顯示：基片在切割會(huì)聚激光時(shí)將產(chǎn)生直邊衍射圖像，其輪廓形狀和最大值都會(huì)隨著基片切割激光截面區(qū)域大小的變化而變化：虛擬光電探測(cè)器上所得到的反射光強(qiáng)度值將隨著基片－會(huì)聚激光間距的變化給出了倒置的高斯線型，其最低點(diǎn)出現(xiàn)在基片中心和會(huì)聚激光場(chǎng)軸線重合時(shí)的位置上。當(dāng)會(huì)聚激光場(chǎng)截面恰好被基片阻擋一半時(shí)，探測(cè)處的強(qiáng)度值降至45.5%。這種光強(qiáng)隨基片位置的變化情況為精確地定位基片位置提供了理論支撐。
關(guān)鍵詞：原子光刻；鉻原子；會(huì)聚激光；VirtualLab Fusion平臺(tái)
納米科技的快速發(fā)展，迫切需要相關(guān)檢測(cè)儀器具有量值溯源的特性，以保證加工對(duì)象的精度和成品率．現(xiàn)在開(kāi)發(fā)出來(lái)的計(jì)量型納米測(cè)量?jī)x器有如下原因而不能滿足現(xiàn)場(chǎng)或者一般實(shí)驗(yàn)室快速 溯源檢測(cè)的要求。１）設(shè)計(jì)復(fù)雜，價(jià)格昂貴，工作環(huán)境要求苛刻；2）只能建立在國(guó)家級(jí)計(jì)量院所
展開(kāi) 仿真研究推進(jìn)納米光刻工藝的升級(jí)，助力計(jì)算機(jī)芯片制造
納米光刻技術(shù)
納米光刻技術(shù)是一種利用光刻手段在物體上制作納米量級(jí)圖形的加工方法，目前是集成電路制造領(lǐng)域的主流納米加工技術(shù)。雖然傳統(tǒng)的光刻工藝可以滿足一定的生產(chǎn)需求，但它卻存在著諸多局限性：首先，光學(xué)衍射效應(yīng)會(huì)降低分辨率，在一定程度上影響產(chǎn)品的質(zhì)量；其次，較低的生產(chǎn)效率和高昂的生產(chǎn)成本也是制約相關(guān)產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要因素。
清華大學(xué)摩擦學(xué)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室（以下簡(jiǎn)稱“摩擦實(shí)驗(yàn)室”）是清華大學(xué)首批建成的國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室之一，主要從事摩擦學(xué)理論與技術(shù)、機(jī)械表面科學(xué)與性能控制、生物摩擦學(xué)與生物機(jī)械、微納制造理論與技術(shù)等方面的研究。目前，摩擦實(shí)驗(yàn)室的研究人員正在借助仿真手段探索一種低成本、高效率的新型納米光刻工藝。
旋轉(zhuǎn)式近場(chǎng)光刻技術(shù)
在光學(xué)領(lǐng)域，由于衍射現(xiàn)象的存在，傳統(tǒng)的光學(xué)系統(tǒng)很難突破半波長(zhǎng)的成像分辨率。近年來(lái)，為突破這一限制，研究人員利用表面等離子共振能夠產(chǎn)生場(chǎng)強(qiáng)熱點(diǎn)（hotspot）的現(xiàn)象，研發(fā)出了等離子體透鏡，以實(shí)現(xiàn)超高分辨率聚焦。然而，這種超高分辨率成像和聚焦方法的工作距離很短，僅適用于介質(zhì)表面，因此在實(shí)際應(yīng)用中很難控制。為了能夠穩(wěn)定控制透鏡及聚焦點(diǎn)，摩擦實(shí)驗(yàn)室的研究人員基于硬盤驅(qū)動(dòng)器的飛行原理和近場(chǎng)光學(xué)理論，提出了一種名為旋轉(zhuǎn)式近場(chǎng)光刻技術(shù)的新型光刻工藝。
硬盤在運(yùn)行時(shí)，磁頭滑塊會(huì)在盤片表面穩(wěn)定飛行，其飛行高度的高低取決于盤片的旋轉(zhuǎn)速度和磁頭滑塊的形狀。通過(guò)將表面等離子體透鏡集成在磁頭滑塊表面、并將超高分辨率的光刻膠涂于盤片表面，當(dāng)磁頭在盤片表面穩(wěn)定飛行時(shí)，表面等離子體透鏡即可對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光。由于表面等離子體透鏡具有優(yōu)異的聚光效應(yīng)，因此能夠形成突破衍射極限的近場(chǎng)光斑，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)高分辨率、快速、無(wú)掩膜的納米光刻加工。
圖 1 為旋轉(zhuǎn)式近場(chǎng)光刻技術(shù)的工作原理圖。整個(gè)光刻系統(tǒng)由控制器、光學(xué)系統(tǒng)和加工系統(tǒng)三部分組成。
展開(kāi) 
光刻技術(shù)第14期 | 矢量SMO數(shù)值計(jì)算與分析-考慮PW的仿真結(jié)果
01/簡(jiǎn)介
為驗(yàn)證矢量HSMO技術(shù)對(duì)工藝窗口（PW）的優(yōu)化效果，采用考慮離焦的像質(zhì)評(píng)價(jià)函數(shù)
02/仿真條件
以AttPSM為例，對(duì)比HSMO（聯(lián)合優(yōu)化光源+掩模）與OPC（僅優(yōu)化掩模，光源不變）技術(shù)。仿真目標(biāo)圖形包括一維孤立線條（占空比1:4，CD=45nm）、一維半密集線條（占空比1:2，CD=45nm）、二維密集接觸孔（占空比1:1，CD=60nm）。
仿真采用193nm浸沒(méi)式光刻系統(tǒng)，取有限掩模區(qū)域仿真，孤立線條、半密集線條、密集接觸孔的掩模尺寸分別為3420nm×3420nm、3060nm×3060nm、2640nm×2640nm，掩模像素尺寸分別為12nm×12nm、12nm×12nm、16nm×16nm，掩模矩陣大小分別為285×285、255×255、165×165。HSMO采用41×41光源矩陣（密集采點(diǎn)），OPC采用9×9光源矩陣（稀疏采點(diǎn)）。
03/掩模延拓和測(cè)量點(diǎn)
為量化工藝變化穩(wěn)定性，需計(jì)算初始光源掩模、OPC優(yōu)化后、HSMO優(yōu)化后的PW。HSMO優(yōu)化后的掩模需進(jìn)行周期性延拓（如圖所示），并在半密集線條、孤立線條的上邊緣、中心線、下邊緣設(shè)3個(gè)PW測(cè)量點(diǎn)，密集接觸孔僅在中心線設(shè)1個(gè)測(cè)量點(diǎn)，以重疊PW作為評(píng)價(jià)指標(biāo)。
采用HSMO優(yōu)化后的掩模圖形
04/仿真參數(shù)與流程
關(guān)鍵參數(shù)：NA、相干因子σin/σout、優(yōu)化步長(zhǎng)SΩ、罰函數(shù)加權(quán)系數(shù)γS/γD/γW等可見(jiàn)表格。
展開(kāi) 線上研討會(huì) | 用 SYNOPSYS 和 ASAP 聯(lián)合設(shè)計(jì)仿真設(shè)計(jì)分析光刻鏡頭（免費(fèi)）
會(huì)議主題
用 SYNOPSYS 和 ASAP 聯(lián)合設(shè)計(jì)仿真設(shè)計(jì)分析光刻鏡頭
SYNOPSYS? 光學(xué)設(shè)計(jì)軟件與 ASAP 高級(jí)光學(xué)系統(tǒng)分析軟件都是在光學(xué)領(lǐng)域受眾較為廣泛的光學(xué)軟件。
考慮大家對(duì)于不同軟件之間進(jìn)行交互操作以及具體案例操作流程不熟悉的情況，武漢墨光將在
05月12號(hào)
開(kāi)展
用 SYNOPSYS 和 ASAP 聯(lián)合設(shè)計(jì)仿真設(shè)計(jì)分析光刻鏡頭 線上研討會(huì)
。給大家分享關(guān)于運(yùn)用不同光學(xué)設(shè)計(jì)軟件對(duì)光刻鏡頭的設(shè)計(jì)到分析的案例演示。從而帶大家更加直觀的了解 SYNOPSYS 和 ASAP 如何進(jìn)行交互操作。
展開(kāi) 光刻技術(shù)第1期 | 計(jì)算光刻技術(shù)介紹
而當(dāng)前主流的基于模型的OPC技術(shù)，通過(guò)構(gòu)建完整的光刻系統(tǒng)仿真體系實(shí)現(xiàn)了精度突破——其不僅建立了涵蓋光源、鏡頭、掩膜等核心要素的光學(xué)成像模型，還融入了光刻膠曝光、顯影全過(guò)程的物理化學(xué)模型，通過(guò)軟件仿真模擬光刻全流程，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)圖形誤差的精準(zhǔn)預(yù)測(cè)與校正。
該技術(shù)的核心體系涵蓋光學(xué)成像物理仿真、光學(xué)鄰近效應(yīng)校正以及光源-掩膜協(xié)同優(yōu)化等關(guān)鍵技術(shù)。其作用機(jī)制在于，通過(guò)專業(yè)軟件對(duì)光刻系統(tǒng)的核心元素（包括光源、掩膜版、光學(xué)鏡頭等）進(jìn)行精準(zhǔn)模擬與參數(shù)優(yōu)化，從技術(shù)層面助力光刻機(jī)突破硬件限制，更精準(zhǔn)地刻蝕芯片的微小結(jié)構(gòu)。最終，這一技術(shù)不僅實(shí)現(xiàn)了光刻分辨率的顯著提升，還有效保障了芯片生產(chǎn)的良率，為集成電路向更小特征尺寸發(fā)展提供了核心支撐。上述兩項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)與光學(xué)成像物理仿真等技術(shù)相互協(xié)同，形成“模擬-優(yōu)化-校正”的完整技術(shù)鏈條。通過(guò)專業(yè)軟件對(duì)光刻系統(tǒng)光源、掩膜版、光學(xué)鏡頭等核心元素進(jìn)行全流程精準(zhǔn)模擬與參數(shù)優(yōu)化，從軟件層面突破光刻機(jī)硬件性能限制，助力其更精準(zhǔn)地刻蝕芯片微小結(jié)構(gòu)，最終實(shí)現(xiàn)光刻分辨率與芯片生產(chǎn)良率的雙重提升，為集成電路向更小特征尺寸迭代提供核心技術(shù)支撐。
03/先進(jìn)技術(shù)與未來(lái)發(fā)展方向
反向光刻技術(shù)（ILT）是計(jì)算光刻的前沿發(fā)展方向，其核心邏輯是在既定工藝條件下，以光刻目標(biāo)圖形為已知量，反向求解適配的掩膜圖形。與傳統(tǒng)技術(shù)僅修正設(shè)計(jì)圖形不同，ILT直接以晶圓需實(shí)現(xiàn)的圖形為目標(biāo)，通過(guò)復(fù)雜數(shù)學(xué)計(jì)算反演生成理想掩膜圖形，可顯著提升成像對(duì)比度。近年來(lái)，借助算法優(yōu)化與硬件加速，全芯片級(jí)ILT已成功應(yīng)用于量產(chǎn)產(chǎn)線。
人工智能（AI）與深度學(xué)習(xí)為計(jì)算光刻注入新動(dòng)能。
展開(kāi) 光刻技術(shù)第3期 | 光刻中的SMO技術(shù)
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</figure><p><strong>04/優(yōu)化過(guò)程與工作流程</strong></p><p><br></p><p>優(yōu)化過(guò)程（基于邊緣放置誤差EPE）</p><p class="ql-align-justify">在仿真中，于圖形的邊、角按規(guī)則插入評(píng)估點(diǎn)，對(duì)各照明條件下的EPE加權(quán)求和形成成本函數(shù)。通過(guò)迭代修飾光源和掩模，使成本函數(shù)值最小，直至相鄰優(yōu)化結(jié)果差異小于預(yù)設(shè)值（收斂標(biāo)準(zhǔn)）。</p><p class="ql-align-justify"><br></p><p><span style="color: rgb(10, 149, 186);">優(yōu)化算法分為兩類：</span></p><p>- 梯度優(yōu)化算法：基于光刻模型梯度信息優(yōu)化，速度快但易陷入局部最優(yōu)。</p><p>- 啟發(fā)式優(yōu)化算法：結(jié)合多種機(jī)制保障全域最優(yōu)，但效率較低。</p><p class="ql-align-justify"><br></p><p><span style="color: rgb(10, 149, 186);">工作流程</span></p><p>1. 圖形選擇：用測(cè)試圖形（如through pitch線寬、尖端對(duì)尖端等）結(jié)合SRAM結(jié)構(gòu)和工藝弱點(diǎn)，通過(guò)頻譜分析篩選關(guān)鍵圖形。</p><p>2. 仿真計(jì)算：建立光刻仿真條件（機(jī)臺(tái)信息、照明方式、薄膜堆棧等），開(kāi)展SMO計(jì)算。</p><p>3.
展開(kāi) 光刻技術(shù)第2期 | 光刻中的OPC技術(shù)
SRAF的應(yīng)用效果高度依賴參數(shù)控制：輔助圖形的放置位置需避開(kāi)主圖形關(guān)鍵區(qū)域，尺寸需嚴(yán)格匹配光刻系統(tǒng)特性，避免因光照干擾導(dǎo)致主圖形失真。通過(guò)合理設(shè)計(jì)SRAF，可有效改善不同圖形密度下的曝光一致性，減少稀疏圖形與密集圖形的成像差異，是提升整體光刻性能、保障芯片全域圖形質(zhì)量的重要技術(shù)補(bǔ)充。
04/OPC的工作原理與主要方法
OPC的核心工作原理是通過(guò)對(duì)掩模版布局的精準(zhǔn)調(diào)整，補(bǔ)償光刻過(guò)程中光線的非理想傳播特性。其核心邏輯為“偏差預(yù)測(cè)-反向修正”：借助專業(yè)軟件計(jì)算仿真，提前預(yù)判光刻曝光后晶圓上可能出現(xiàn)的圖形偏差，再根據(jù)預(yù)判結(jié)果對(duì)原始掩模圖形進(jìn)行反向修正，最終使晶圓上的實(shí)際成像結(jié)果盡可能貼合設(shè)計(jì)目標(biāo)。
從技術(shù)演進(jìn)來(lái)看，OPC主要形成了兩種核心修正方法：
一是基于規(guī)則的修正。該方法依賴工程師預(yù)先制定的固定修正規(guī)則表，針對(duì)特定圖形尺寸、線間距等場(chǎng)景自動(dòng)匹配修正方案。其優(yōu)勢(shì)在于操作簡(jiǎn)便、計(jì)算效率高，在早期技術(shù)節(jié)點(diǎn)（圖形結(jié)構(gòu)相對(duì)簡(jiǎn)單）中得到廣泛應(yīng)用，但隨著芯片圖形復(fù)雜度提升，固定規(guī)則難以覆蓋所有失真場(chǎng)景，修正精度逐漸無(wú)法滿足需求。
二是基于模型的修正。作為當(dāng)前先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)的主流方法，它通過(guò)構(gòu)建完整的光刻工藝仿真模型，對(duì)光源、光學(xué)系統(tǒng)、光刻膠顯影等全流程進(jìn)行模擬，以邊緣放置誤差（EPE）為核心評(píng)價(jià)指標(biāo)開(kāi)展迭代修正——通過(guò)反復(fù)調(diào)整掩模圖形并仿真驗(yàn)證，持續(xù)縮小實(shí)際圖形與設(shè)計(jì)圖形的EPE，最終實(shí)現(xiàn)高精度圖形還原，完美適配復(fù)雜圖形與先進(jìn)制程的需求。
展開(kāi) 不止EUV，先進(jìn)芯片制造還有新選擇
目前，基于嵌段共聚物的DSA光刻技術(shù)已經(jīng)被用于制造各種半導(dǎo)體器件，如鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FinFET）、存儲(chǔ)器、位元圖案介質(zhì)和光子器件等。在SPIE上發(fā)表的一篇論文中，也指出了DSA應(yīng)用于DRAM的可能性。
DSA工業(yè)化面臨的挑戰(zhàn)
上文我們敘述了DSA技術(shù)的應(yīng)用前景和優(yōu)勢(shì)，但是DSA真正工業(yè)化仍然面臨著一些挑戰(zhàn)。在胡曉華, 熊詩(shī)圣的《先進(jìn)光刻技術(shù):導(dǎo)向自組裝》論文中點(diǎn)出，DSA光刻技術(shù)應(yīng)用于工業(yè)化主要分大兩步，首先是采用“自上而下”的光刻工藝制備引導(dǎo)圖形。然后，嵌段共聚物分子在制備的引導(dǎo)圖形上進(jìn)行自組裝。目前進(jìn)行自組裝的研究已經(jīng)頗多，此前一直困擾DSA光刻的缺陷問(wèn)題也逐漸控制到半導(dǎo)體行業(yè)所能接受的范圍。并已經(jīng)在300mm晶圓DSA先導(dǎo)線上進(jìn)行了實(shí)踐，證明了其進(jìn)入工業(yè)化的可行性。
在胡曉華, 熊詩(shī)圣的《先進(jìn)光刻技術(shù):導(dǎo)向自組裝》論文中指出，問(wèn)題主要是在引導(dǎo)圖形上，目前關(guān)于DSA圖形化工藝的計(jì)算光刻以及EDA研究非常少，這是DSA光刻工業(yè)化中所面臨的最大挑戰(zhàn)。因?yàn)樵趯?shí)際芯片制造中，其版圖非常復(fù)雜，并不是簡(jiǎn)單的規(guī)則圖形。IBM研究團(tuán)隊(duì)提出在芯片制造中融入DSA工藝，開(kāi)發(fā)一套計(jì)算光刻工具，實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)工藝協(xié)同優(yōu)化，形成材料、設(shè)備、工藝、計(jì)算光刻、仿真模擬和EDA的完整產(chǎn)業(yè)鏈，推動(dòng)DSA光刻技術(shù)真正進(jìn)入工業(yè)化生產(chǎn)。
當(dāng)然，嵌段共聚物DSA光刻技術(shù)進(jìn)入工業(yè)生產(chǎn)，還需對(duì)DSA工藝、材料以及與現(xiàn)有半導(dǎo)體產(chǎn)線的兼容性問(wèn)題進(jìn)行全面了解。工藝方面，需要選擇合適的設(shè)備，優(yōu)化工藝條件，以實(shí)現(xiàn)高通量制造；材料方面，要保證嵌段共聚物的批量化生產(chǎn)、電子級(jí)純度以及穩(wěn)定性。此外，還需采用先進(jìn)的設(shè)備對(duì)缺陷進(jìn)行檢測(cè)和分析。
展開(kāi) 不止EUV，先進(jìn)芯片制造還有新選擇
在胡曉華, 熊詩(shī)圣的《先進(jìn)光刻技術(shù):導(dǎo)向自組裝》論文中點(diǎn)出，DSA光刻技術(shù)應(yīng)用于工業(yè)化主要分大兩步，首先是采用“自上而下”的光刻工藝制備引導(dǎo)圖形。然后，嵌段共聚物分子在制備的引導(dǎo)圖形上進(jìn)行自組裝。目前進(jìn)行自組裝的研究已經(jīng)頗多，此前一直困擾DSA光刻的缺陷問(wèn)題也逐漸控制到半導(dǎo)體行業(yè)所能接受的范圍。并已經(jīng)在300mm晶圓DSA先導(dǎo)線上進(jìn)行了實(shí)踐，證明了其進(jìn)入工業(yè)化的可行性。
在胡曉華, 熊詩(shī)圣的《先進(jìn)光刻技術(shù):導(dǎo)向自組裝》論文中指出，問(wèn)題主要是在引導(dǎo)圖形上，目前關(guān)于DSA圖形化工藝的計(jì)算光刻以及EDA研究非常少，這是DSA光刻工業(yè)化中所面臨的最大挑戰(zhàn)。因?yàn)樵趯?shí)際芯片制造中，其版圖非常復(fù)雜，并不是簡(jiǎn)單的規(guī)則圖形。IBM研究團(tuán)隊(duì)提出在芯片制造中融入DSA工藝，開(kāi)發(fā)一套計(jì)算光刻工具，實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)工藝協(xié)同優(yōu)化，形成材料、設(shè)備、工藝、計(jì)算光刻、仿真模擬和EDA的完整產(chǎn)業(yè)鏈，推動(dòng)DSA光刻技術(shù)真正進(jìn)入工業(yè)化生產(chǎn)。
當(dāng)然，嵌段共聚物DSA光刻技術(shù)進(jìn)入工業(yè)生產(chǎn)，還需對(duì)DSA工藝、材料以及與現(xiàn)有半導(dǎo)體產(chǎn)線的兼容性問(wèn)題進(jìn)行全面了解。工藝方面，需要選擇合適的設(shè)備，優(yōu)化工藝條件，以實(shí)現(xiàn)高通量制造；材料方面，要保證嵌段共聚物的批量化生產(chǎn)、電子級(jí)純度以及穩(wěn)定性。此外，還需采用先進(jìn)的設(shè)備對(duì)缺陷進(jìn)行檢測(cè)和分析。
任何新技術(shù)在工業(yè)化的道路上都是漫長(zhǎng)且崎嶇的，EUV光刻技術(shù)也是經(jīng)歷了幾十多年的發(fā)展，DSA這項(xiàng)光刻技術(shù)無(wú)疑也將面臨一些波折。不過(guò)DSA這項(xiàng)革新的自下而上的圖形形成方法，使其在更先進(jìn)的工藝節(jié)點(diǎn)中頗具潛力。再考慮到其對(duì)芯片制造成本上可能實(shí)現(xiàn)的節(jié)約，這些都將繼續(xù)支撐DSA研究者們繼續(xù)探索下去，我們也期待DSA真正能夠助力5nm、3nm甚至更小工藝節(jié)點(diǎn)芯片的研發(fā)。
展開(kāi) 
限時(shí)福利丨SYNOPSYS? 案例視頻免費(fèi)領(lǐng)取！
01
視頻匯總列表
1
SYNOPSYS? 無(wú)焦鏡頭設(shè)計(jì)
2
SYNOPSYS? 實(shí)用相機(jī)鏡頭的設(shè)計(jì)
3
SYNOPSYS? 菲涅爾鏡頭設(shè)計(jì)
4
用 SYNOPSYS? 設(shè)計(jì)投影物鏡
5
用 SYNOPSYS? 和 ASAP 聯(lián)合設(shè)計(jì)仿真分析光刻鏡頭
6
用 SYNOPSYS? 設(shè)計(jì)激光光束整形器
7
SYNOPSYS? 紅外鏡頭用于夜視和熱成像的設(shè)計(jì)
8
SYNOPSYS? 多焦點(diǎn) DOE 鏡頭設(shè)計(jì)
9
用 SYNOPSYS? 進(jìn)行光柵設(shè)計(jì)
10
SYNOPSYS? 自由曲面設(shè)計(jì)
11
SYNOPSYS? 零基礎(chǔ)學(xué)習(xí)設(shè)計(jì)變焦鏡頭
12
SYNOPSYS? 每月一題1——監(jiān)控鏡頭設(shè)計(jì)
13
SYNOPSYS? 每月一題2——長(zhǎng)波非制冷雙視場(chǎng)鏡頭設(shè)計(jì)
14
SYNOPSYS? 每月一題3——工業(yè)遠(yuǎn)心標(biāo)準(zhǔn)鏡頭設(shè)計(jì)
15
SYNOPSYS? 每月一題4——手機(jī)鏡頭初始結(jié)構(gòu)自動(dòng)設(shè)計(jì)
16
SYNOPSYS? 每月一題5——FP 測(cè)風(fēng)儀光學(xué)系統(tǒng)設(shè)計(jì)
17
SYNOPSYS? 每月一題6——車載環(huán)視鏡頭
18
SYNOPSYS? 每月一題7——相機(jī)定焦鏡頭
02
活動(dòng)詳情
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ASAP 研討會(huì)匯總
SUMMARY OF SEMINARS
《 用 SYNOPSYS 和 ASAP 聯(lián)合設(shè)計(jì)仿真分析光刻鏡頭 》線上研討會(huì)
