粉體的案例
高硬度高純度粉體超細研磨與分散技術迭代，威海圓環氮化硅磨介行業領先
高硬度高純度粉體超細研磨與分散技術迭代，威海圓環氮化硅磨介行業領先
一、超細粉體材料是大國科技競爭重要的基礎材料
超細粉體業內通常是指從微米級、亞微米級到100納米以上的一系列超細材料。材料被粉粹成超細粉體后，由于粉粒體積小、粒度分布窄、質量均勻, 從而具有表面活性高、比表面積大、燒結體強度大、溶解速度快、化學反應速度快，以及獨特的電磁性、光學性能、力學和化學等宏觀特性，因而超細粉體廣泛應用于電子信息、醫藥、化工、模具、高鐵、航天、新能源、新材料等領域。
當前，超細粉體在鋰電池材料、磁性材料、隱形隱身材料、電子陶瓷材料、超塑材料、新型冶金材料、建筑材料、高耐磨材料及半導體等材料領域的應用和研究突飛猛進，可以這么講超細粉體材料是大國科技競爭重要的基礎材料。
二、傳統高純度粉體超細研磨與分散磨介技術現狀及其優劣勢
研磨與分散超細粉體的通常要求磨介損耗污染少、粉體高細度、顆粒度窄分布等，這些對超細粉體每個理化指標的要求在研磨與分散工藝中都是一個大難題。業內高純度粉體超細研磨與分散磨介根據不同物料和工況及要求通常使用氧化鋯微珠、氧化鋯球、氧化鋯柱、氧化鋯珠等氧化鋯陶瓷材料。
▲氧化鋯微珠、氧化鋯陶瓷柱、氧化鋯球、氧化鋯陶瓷珠各種類型氧化鋯磨介
1、氧化鋯磨介在高純度粉體超細研磨與分散中技術優勢
高純度粉體超細研磨與分散中常用的是氧化鋯磨介球，氧化鋯磨介球別名釔穩定氧化鋯珠，氧化鋯球，95氧化鋯陶瓷球，鋯珠等都是常用名稱。氧化鋯研磨球表面光滑，圓整度好，流動性高，具有高抗彎強度、高韌性、強大的抗壓力和較高的耐磨性等性能優點。
氧化鋯磨介球近年來開始在磷酸鐵鋰、碳纖維、鋰電池用材料、油墨、涂料、精細陶瓷等材料的粉碎工程領域內得到廣泛使用。
展開 一文了解納米氧化鋯復合陶瓷粉體
下面小編簡要就制備納米氧化鋯陶瓷所需的粉體材料進行介紹。
1、Ni-P包覆納米氧化鋯復合粉體
Ni-P包覆納米氧化鋯復合粉體制備工藝過程是首先利用化學沉淀法制備了納米ZrO2粉體，然后采用化學鍍方法制備了Ni-P包覆納米ZrO2粉體。由于ZrO2在化學鍍鎳溶液中不具備自催化活性，必須對ZrO2納米粒子進行前處理，一般采用一步鈀催化法，Pd2+直接吸附在ZrO2粉體表面上，然后在還原性溶液中將Pd2+還原成金屬鈀，這樣的納米粉體表面就具有了化學鍍鎳所具有的催化活性。一般對于非導電性能的粉體預處理過程采用敏化-活化兩步法。但是兩步法處理后，殘留在粉體中的亞鎳離子很難除去，常常給粉體的活性帶來不利影響，目前用一步鈀催化法和原位鈀等預處理。
目前，Ni-P包覆納米氧化鋯復合粉體制備的陶瓷材料在半導體納米材料中得到越來越廣泛的應用和研究。
圖2 Ni-P包覆納米氧化鋯復合粉體SEM圖
2、氧化鋯增韌氧化鋁陶瓷復合粉體
氧化鋯增韌氧化鋁陶瓷是目前人們研究最廣泛的結構陶瓷材料之一。氧化鋯增韌氧化鋁陶瓷的增韌機理是基體晶粒的細化、相變韌化、微裂紋增韌、裂紋的轉向與分叉。氧化鋯增韌氧化鋁陶瓷的性能主要由其在燒結過程中形成的顯微結構，而顯微結構又主要由原料的粉體狀態來決定，所以有目的地進行粉體制備和粉體性能調控、處理，以制備優質Al2O3/ZrO2納米復合陶瓷粉體是制備性能優異氧化鋯增韌氧化鋁陶瓷的前提。Al2O3/ZrO2納米復合陶瓷粉體制備方法主要有機械混合法、多相懸浮液混合法、溶膠-凝膠法、化學沉淀法等。
展開 氧化鋁粉體，新質生產力變革下的不可或缺
固相反應法是將兩種或以上的粉末混合，在一定的溫度和氣氛下，反應生成粉體。固相法工藝簡單易行，產量大，周期短，但粉體粒度難以控制，粒度分布寬易團聚，主要應用于對粉體的純度或粒度要求較低的領域。
（1）機械球磨法是使用氣流磨、行星磨、振動磨、球機等設備，使球磨介質與物料碰撞，利用機械力實現粉體的細化。球機類型、球磨轉速、球時間、料球比等都會影響破碎的效果和粉體的粒度分布。
（2）機械化學法又稱高能球磨法，利用機械能誘發化學反應或材料的組織結構變化，制備超細粉體。Tonejc等人以商業勃姆石為原料，通過高能球制備剛玉型氧化鋁粉體，發現高能球磨可以代替加熱過程引發化學反應和相變。
（3）非晶晶化法制備粉體是將非晶態的鋁化合物熱處理，使鋁的化合物從非晶態轉變為熱力學穩定的結晶態，得到氧化鋁粉體。
（4）燃燒法是按一定比例把反應物放入爐子中燃燒，直接得到產物的方法。該方法原料單一，工藝簡單，不產生有害氣體。
1.3 液相法
液相法又稱濕化學法,是用均相溶液反應物通過物理化學變化制備粉體的方法，主要有水熱合成法、溶膠凝膠法、微乳液法、有機醇鹽水解法、化學沉淀法等。
（1）水熱法是在密閉容器中，高溫高壓條件下以水或有機溶劑為反應介質，在臨界溫度發生水解反應，分離和熱處理制備粉體的方法。反應介質、溫度、壓力、反應時間、前驅體成分等對生成粉體的顆粒形貌、粒度及分布有很大影響。水熱法易于制備結晶良好，無團聚的超細氧化鋁粉體，但需要在高溫高壓下反應，對設備要求高，產率低，僅限于實驗室制備，不適合大規模工業化生產。
（2）溶膠凝膠法是利用鋁的有機鹽或無機鹽在低溫下反應制備前驅體溶膠，濃縮形成前驅體凝膠并發泡，熱處理煅燒制得超細氧化鋁粉體。
展開 IGBT功率器件散熱陶瓷基板用氮化鋁粉體企業推薦
氮化鋁粉體應用于陶瓷基板、陶瓷結構件、導熱填料等。
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山東國瓷功能材料股份有限公司
山東國瓷功能材料股份有限公司是一家新材料平臺型企業，2005年4月成立，2012年1月在深圳創業板上市。一代材料一代產業，公司主要從事各類高端陶瓷材料及制品的研發、生產和銷售，形成了電子材料、催化材料、生物醫療材料、新能源材料、精密陶瓷和其他材料六大業務板塊，產品廣泛應用在電子信息和通訊、汽車及工業催化、生物醫療、新能源汽車、半導體、建筑陶瓷、太陽能光伏等領域。國瓷高導熱陶瓷基板項目公示材料顯示，項目建成后可實現年產氧化鋁粉體3000t，氮化鋁粉體200t，高導熱陶瓷基板200萬片。通過豐富的產品、工藝、品牌、方案組合，用心做出更好的材料，努力實現“好材料、好生活”的企業使命。
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合肥開爾納米能源科技股份有限公司
合肥開爾納米成立于2009年，集納米材料研發、生產及應用銷售為一體的高新技術企業。已完成納米粉體材料產業基地的一期工程建設，已建成48條生產線并形成年產500噸特種納米陶瓷粉體及其他納米粉體材料的生產能力。開爾納米氮化鋁粉體主要應用于電路基板、散熱器、耐高溫坩堝等產品。
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蘇州錦藝新材料科技股份有限公司
蘇州錦藝新材料科技股份有限公司于2005年創立，致力于提供高端無機非金屬粉體新材料應用解決方案，是一家集研發、生產、銷售、技術服務為一體的國家級高新技術企業。
展開 
納米陶瓷粉體的分散研究
納米陶瓷具有優良性能的前提是納米顆粒堆積均勻，燒結收縮一致，晶粒均勻長大，但是由于納米粉體顆粒細小、顆粒間存在著較強的結合力，如靜電力、范德華力、毛細管力、機械咬合力等，使納米粉體存在團聚度高、流動性差等特點，嚴重影響了粉體的成型性能，進而導致陶瓷材料的性能下降。因此，納米陶瓷粉體的分散研究就變得尤為重要。
物理分散法
01
機械分散法
機械分散屬于物理分散方法，是借助外界剪切力或撞擊力等機械能使納米粒子在介質中充分分散的一種方法。機械分散法一般采用普通球磨、攪拌磨、行星磨和 剪切式高速攪拌器等方式進行。
其中，普通球磨、研磨效率較低，常用于已分散的料漿經擱置后的二次分散。攪拌磨、行星磨研磨效率高，簡單易行，是最常用的一種分散超細粉體的方法。但球磨最大的缺點是在研磨過程中，由于球與球、球與筒、球與料以及料與筒之間的撞擊、研磨，使球磨筒和球本身被磨損，磨損的物質進人料漿中成為雜質，這些雜質會對漿料的純度及其后成品的性能產生影響。另外，球磨可能會改變粉體的物理化學性質。因此，球磨分散方法會給料漿帶來一定的影響，分散時要控制好分散的時間。
展開 粉體加工行業的好幫手！
廣泛應用于陶瓷、食品、醫藥、化工、農藥、飼料、玻璃、水泥、燃料等粉體加工行業。主要用于自動防止粉體在管道、料門、料倉等輸送過程中產生粘附、堵塞和架橋。
適用于零件或結構件的疲勞試驗；料門的抖動、壓實；線性和碗式加料器，篩子和濾網；振動臺及拌和設備自動落料及防止粘附 。
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展開 高效率低能耗干法超細研磨與分散技術升級，威海圓環隆重推出氮化硅磨介圈
7、氮化硅磨介圈替代氧化鋯珠的高效率干法超細研磨與分散技術優勢
氮化硅磨介圈在大的球磨機里不僅起到研磨粉碎的作用，更重要的是眾多的氮化硅磨介圈環在大的球磨機中研磨時，會發生共振現象，氮化硅磨介圈自動排列成一條條繩狀，研磨節奏感強，眾多氮化硅磨介圈繩之間互相鞭打，研磨和混料效果好；由于有節奏的繩狀鞭打現象，粉體在線接觸切割的擊打下，研磨的粉體之間的粒徑差均勻，研磨粒徑范圍分布更窄；氮化硅磨介圈研磨高純石英砂、氫氧化鋁、鋯英砂、滑石、氧化鋁、稀土、二氧化鈦等各種硬質礦物，礦物填料、壓電陶瓷、絕緣材料、磁性材料、涂料、油墨和釉料粉除了混料更均勻，更重要的是對粉粒本身的整形功能，以確保被研磨粉體外形的一致性和產品質量的一致性。
▲高效率低能耗干法超細研磨與分散技術升級，威海圓環首推氮化硅磨介圈
由于氮化硅磨介圈比氧化鋯珠硬度高，氮化硅磨介圈比氧化鋯珠更適宜對高硬度粉體研磨；氮化硅磨介圈對粉體是線切割，氧化鋯珠對粉體是點切割，氮化硅磨介圈比氧化鋯珠不僅對粉體研磨效率更高，而且研磨的粉體粒度形體更整齊；氮化硅磨介圈比氧化鋯珠磨耗低，氮化硅磨介圈24小時的磨耗只有百萬分之一，在其超20年以上有效的使用壽命周期內，研磨設備無需再添加磨介，不僅可以降低粉體制備成本，還可以降低研磨介質的磨損及對研磨材料的污染，有利于獲取更高純度的超細粉體。所以，從磨介介質綜合角度來說，使用氮化硅磨介圈替代氧化鋯球對高純度粉體進行高效率低能耗干法超細研磨與分散技術升級，對于高純度粉體提質增效更具經濟性和發展前景。
展開 同軸送粉TIG熔覆過程數值模擬與試驗研究
圖6 電弧的電勢分布
2.5.4 粉體顆粒運動軌跡模擬
圖7為不同時間下同軸送粉TIG熔覆的粉體顆粒運動軌跡數值模擬結果。可知，大部分粉體顆粒成功進入熔池區域，通過COMSOL軟件對粉體顆粒的分布進行統計，可知，共釋放了270顆粉體顆粒，其中192顆粉體顆粒到達熔池參與熔覆過程，只有少部分粉體顆粒飛出熔池區或殘留在工件表面，粉體顆粒的利用率為71%，提高了熔覆質量和性能。
圖7 粉體顆粒運動軌跡數值模擬結果
3 試驗驗證
3.1 試驗條件
同軸送粉TIG熔覆試驗用時代逆變WSM-400型焊機，北京隆源生產的AFS系列送粉器，送粉氣和保護氣均為質量分數為99.99%的高純氬氣，母材為316L不銹鋼，尺寸為250 mm×150 mm×10 mm，可在寬度方向進行多次熔覆，熔覆材料由比例為98∶2的316L粉末和SiC粉末均勻混合而成，其粒徑分別約為20、8μm。為保證送粉效果，鎢極伸出長度為7 mm，鎢極尖端距母材316 L不銹鋼板表面距離為8 mm，對應的電弧電壓約為15 V，使用CCD相機對電弧進行拍攝。
3.2 試驗結果與分析
3.2.1 宏觀形貌
為了保證焊接質量，提前打開保護氣，待氣體穩定輸出時啟動焊接按鈕，電弧穩定燃燒后再送粉，調節氣流使粉體顆粒輸送流暢穩定，在焊接時，焊槍按照指定的焊接方向運動。TIG熔覆的工藝參數有焊接電流、送粉量和SiC濃度。其中送粉量是單位長度熔覆層接受的粉體顆粒質量，在數值上等于單位時間送粉量與焊接速度的比值。SiC濃度是復合粉體顆粒中SiC的質量分數。用焊接電流分別為100、130、160 A，送粉量為6 g/mm,SiC濃度為1.5%的工藝參數進行熔覆試驗，獲得的單層單道熔覆層如圖8所示。可見，焊縫平直，熄弧位置無凹坑且焊縫熔寬一致。
展開 納米氫氧化鎂阻燃機理及制備方法
1 制備方法
液相化學法是目前廣泛采用的制備納米氫氧化鎂粉體（VK-MH01D,VK-MHT01）的方法，已用于制備納米 Mg(OH)2的液相法有：直接沉淀法、水熱反應法等。
1.1 直接沉淀法
直接沉淀法是在金屬鹽溶液中加入沉淀劑，僅通過沉淀操作從溶液中直接得到某一目標金屬的納米顆粒沉淀物，將陰離子從沉淀中除去，經干燥即可得到納米粉體。常見的沉淀劑有NaOH、NH3.H2O、CO(NH2)2等。該法操作簡便易行，對設備、技術要求不高，不易引入雜質，產品純度高，有良好的化學計量性，制備成本較低；但產品粒度較大，粒度分布較寬。邱龍臻等以氯化鎂、氫氧化鈉為原料，采用表面活性劑包覆的溶液沉淀法制備出了不易團聚的納米 Mg(OH)2粉體，經透射電鏡表征，其形態是短軸方向尺寸為 6~9 nm，長軸方向尺寸為 50~100 nm 的針狀粒子。隨著 Mg(OH)2（VK-MH01D,VK-MHT01）粒徑的減小，光致發光光強度顯著增強。將其以 1︰1 的比例與 EVA 混合，能很好地均勻分散在 EVA 基體中，氫氧化鎂幾乎沒有發生團聚現象。而且，EVA/納米 Mg(OH)2復合材料也表現出了優異的阻燃性能，該材料的極限氧指數(LOI)為 38.3，而相同填充量的 EVA/ 微米級 Mg(OH)2材料的 LOI 僅為 24。王志強等以工業氯化鎂、氨水為前驅體，在水-乙醇體系下合成了粒度為 100～200 nm 的氫氧化鎂超細粉體。研究了水與乙醇的比例對粉體顆粒形貌、粒度、Mg2+沉淀率的影響。
1.2 水熱反應法
水熱反應法是利用水熱反應制備粉體的一種方法。在高溫高壓下，反應物在水溶液或蒸汽等流體中反應生成目的產物，再經分離和熱處理得到納米粉體。反應溫度一般在 100～400 ℃，壓力從 0.1 MPa～幾十乃至幾百 MPa。
展開 國產光伏用高純石英砂、超細石英粉研磨技術升級，氮化硅陶瓷磨介環破題“磨不細、混不均、分不散、提不純”
其生產制造熔融石英坩堝的高純石英粉體就是用氮化硅陶瓷磨介環研磨的。美國賽瑞丹公司在造價約30-40萬人民幣的罐體為2.8mX8m的連續球磨機里，投入近總價值4000多萬人民幣約40噸氮化硅陶瓷磨介環，來研磨混料制備光伏石英坩堝所需高純石英砂、超細石英粉原料。如此高價值的研磨磨介作為生產消耗資料投入，在國內高純石英砂、超細石英粉制備行業生產廠家看來是不可想象的。
▲威海圓環生產的研磨光伏高純石英砂、超細石英粉所用的氮化硅磨介環
氮化硅磨介環研磨光伏石英坩堝所需原料高純石英砂、超細石英粉的5種優勢
氮化硅磨介環研磨光伏石英坩堝所需原料高純石英砂、超細石英粉的優勢1、氮化硅陶瓷磨介環硬度高、磨耗低可大幅提升高純石英砂、超細石英粉粉體產品的純度、質量和附加值。 氮化硅磨介環維氏硬度14-18Gpa，硬度僅次于金剛石和立方氮化硼；在維氏硬度、彈性模量、抗壓強度、斷裂模量、熱膨脹系數、比熱、使用上限溫度、抗沖擊能力等研磨介質的維度參數上，氮化硅磨介都全面優于常用的氧化鋯、瑪瑙等磨介。
氮化硅磨介環24小時的磨耗只有百萬分之一，氮化硅磨介環因研磨消耗非常低，降低了研磨介質的磨損及對研磨材料的污染，有利于獲取更高純度的超細粉體。
例如，當前我國在研磨鋰電池隔膜用的高純氧化鋁粉體時，常用的是氧化鋯珠來研磨，研磨一噸的氧化鋁粉體，磨耗大約五至六公斤左右的氧化鋯磨介，損耗的氧化鋯磨介粉末以雜質混合在氧化鋁粉體中，導致原先純度為99.99的氧化鋁粉的純度會降到99.47。雖然說雜質氧化鋯磨介粉末對鋰電池隔膜的危害性不是特別大，但是也給氧化鋁粉體提純帶來難度，這也是我國造出來的鋰電池，與日本制造的鋰電池性能相差較大的原因之一。
展開 小小球，大作為——球形氧化鋁
03
球鋁的制備方法
氧化鋁粉體顆粒的形貌與粒徑分布會直接影響其在眾多領域的應用性能。相對于常見 的不規則、纖維狀或片狀形貌的氧化鋁顆粒，球形氧化鋁粉體因其規則的形貌、更高的堆積密度、更小的比表面積與好的流動性等優勢，可以更好提高產品的應用性能。因而，制備高球形度、粒徑分布窄且分散好的氧化鋁粉體一直是人們研究的熱點之一。球形氧化鋁粉體材料的制備方法不同，則生成產物的性質也不盡相同。為滿足市場對不同性質產物的需求，使用了不同的方式來合成球形氧化鋁。目前，球形氧化鋁粉體的制備方法主要包括均相沉淀法、溶膠－凝膠法、滴球法、模板法與噴射法等。
3.1 均相沉淀法
沉淀法是在溶液中借助合適的化學反應，通過控制產生沉淀所需的離子，使其在溶液中慢慢形成晶核，再聚集長大，并逐漸從溶液中析出的過程，這個過程一般是非平衡態的。如果降低均相溶液中待沉淀離子的濃度，形成晶核的速度也會變得緩慢， 同時得到的沉淀顆粒的粒徑較小，并可以均勻的、長時間的分散在溶液中，維持一種平衡狀態，該方法即為均相沉淀法。
3.2 溶膠-凝膠法
溶膠-凝膠法制備球形氧化鋁主要是以金屬醇氧化合物或有機金屬前驅體所得溶膠的相變為基礎。通過在溶液中合成含有懸浮粒子的溶液，經低溫聚合形成濕凝膠，進而干燥凝膠除去溶劑，經一系列的熱處理后得到產物。如今，大多學者都將溶膠-凝膠法與乳液法相結合，來制備形貌更好的球形氧化鋁
3.3 滴球法
滴球法制備球形氧化鋁是在溶膠-乳液-凝膠法的基礎上加以改進，將乳液法的工藝技術用于老化階段，而產物氧化鋁直接進入油層，通過表面張力形成溶膠，然后放入氨水溶液中形成凝膠，最終進行干燥煅燒處理，獲得球形氧化鋁粉體顆粒。
展開 
鋰電池極片設計基礎、常見缺陷和對電池性能的影響
其中，涂層的平均密度為：
鋰電池電極是一種粉體顆粒組成的涂層，由于粉體顆粒表面粗糙，形狀不規則，在堆積時，顆粒與顆粒間必有孔隙，而且有些顆粒本身又有裂縫和孔隙，所以粉體的體積包括粉體自身的體積、粉體顆粒間的孔隙隙和顆粒內部的孔隙，因此，相應的有多種電極涂層密度及孔隙率的表示法。
粉體顆粒的密度是指單位體積粉體的質量。根據粉體所指的體積不同，分為真密度、顆粒密度、堆積密度三種。各種密度定義如下：
a. 真密度指粉體質量除以不包括顆粒內外空隙的體積(真實體積)，求得的密度。即排除所有的空隙占有的體積后，求得的物質本身的密度。
b. 顆粒密度指粉體質量除以包括開口細孔與封閉細孔在內的顆粒體積，求得的密度。即排除顆粒之間的空隙，但不排除顆粒內部本身的細小孔隙，求得的顆粒本身的密度。
c. 堆積密度，即涂層密度，指粉體質量除以該粉體所組成涂層的體積，求得的密度。其所用的體積包括顆粒本身的孔隙以及顆粒之間空隙在內的總體積。
對于同一種粉體，真密度>顆粒密度>堆積密度。
粉體的孔隙率是粉體顆粒涂層中孔隙所占的比率，即粉體顆粒間空隙和顆粒本身孔隙所占體積與涂層總體積之比，常用百分率表示。粉體的孔隙率是與粒子形態、表面狀態、粒子大小及粒度分布等因素有關的一種綜合性質，其孔隙率的大小直接影響著電解液的浸潤和鋰離子傳輸。一般來說，孔隙率越大，電解液浸潤容易，鋰離子傳輸較快。所以在鋰電池設計中，有時要測定孔隙率，常用壓汞法、氣體吸附法等進行測定。也可通過密度計算求得。當采用不同的密度進行計算時，孔隙率含義也不同。
當活物質、導電劑、粘結劑的密度都采用真密度計算孔隙率時，所計算的孔隙率包括顆粒之間的空隙、顆粒內部空隙。
展開 陶瓷基板助力高功率器件散熱消暑
01
介紹
陶瓷基板制備工藝流程多、流程復雜繁瑣，一款導熱性能優異的陶瓷基板離不開性能優異的粉體、精細的制備技術和嚴苛的測試。
1.1 陶瓷粉體
目前常用的高導熱陶瓷粉體原料有氧化鋁（Al2O3）、氮化鋁（AlN）、氮化硅（Si3N4）、碳化硅（SiC）和氧化鈹（BeO）等。隨著國家大力發展綠色環保方向，由于氧化鈹有毒性逐漸開始退出歷史的舞臺。碳化硅又因為其絕緣性差，無法應用在微電子電路中。而Al2O3、AlN、Si3N4陶瓷粉體具有無毒、高溫穩定性好、導熱性好，以及與Si、SiC和GaAs等半導體材料相匹配的熱膨脹系數，得到了廣泛推廣應用。幾種粉體的熱導率和綜合評價如下表所示，目前主流用于制備陶瓷基板的粉體原料還是以氧化鋁和氮化鋁為主。
來源：熱管理材料整理
市場中粉體的制備方法主要有硅粉直接氮化法、自蔓延高溫合成法、碳熱還原法。
（1）硅粉直接氮化法和自蔓延高溫合成法是比較主流的方法，但由于反應溫度接近甚至超過原料的熔點，往往造成產物形貌不規則、ɑ相含量低、團聚嚴重，需要進一步破碎，在后續處理中容易引入其他雜質；
（2）碳熱還原法是具有原料豐富、工藝簡單、成本低等優點，非常適合大批量生產；其中碳熱還原法成為目前最常用的粉體制備技術之一。
1.2 陶瓷基板制備工藝
流延成型技術是標準的濕法成型工藝，可一次性成型制備厚度范圍在幾十微米到毫米級別的陶瓷生坯，并通過進一步的層壓、脫脂、燒結形成陶瓷基片，主要應用于電子基板、多層電容器、多層封裝、壓電陶瓷等。與傳統的粉末冶金干法制備工藝相比，流延工藝制備出的陶瓷薄片均勻性好、通透性高，在要求比較高的集成電路 領域深受歡迎。
展開 涂料常用屬性的計算方法，備用收藏！
我們在測試粉體的吸油量時，當顏料剛剛被亞麻油粘結成糊狀，而沒有多余的亞麻油時，這時的顏料體積濃度就剛好處在CPVC值，所以顏料的吸油量和CPVC值就可以通過以下方法計算：
CPVC=1/[1+( OA?ρ/93.5)]
式中：OA --- 顏料的吸油量，ρ--- 顏料的密度，93.5---亞麻油的密度
這種方式適合計算出單一粉體的CPVC值，因為各個粉體的吸油量可以測出，如果是混合粉體，這種計算方式就很不適合，恰恰現在涂料中粉料的使用幾乎全部是混合粉體，所以我們可以把這種計算CPVC值的方法再進一步延伸，即混合顏料的計算方法如下：
CPVC =1/{1+Σ[(OA?ρ?V/93.5]}
式中：OA--- 某個粉體的吸油量， ρ--- 某個粉體的密度， V --- 某個粉體在整個粉體體積中所占有的體積%。
如：在某個配方中金紅石鈦白100kg，重鈣200kg，硅灰石100kg，硫酸鋇80kg。
展開 陶瓷基板—“前世與今生”
（1）陶瓷粉體是流延漿料的主相，是坯片的主要成分， 影響著流延成品的導熱性、電阻率、介電常數、化學穩定 性以及機械強度。陶瓷粉體的顆粒尺寸、粒度分布以及粉體的結晶形貌都對流延工藝以及流延膜的質量有較大影響， 因此在選擇粉體的時候需要考慮以下特征：化學純度、顆粒尺寸、粉體形貌；
（2）粘結劑作為流延漿料體系的唯一連續相，它能包裹住粉料顆粒，并固化形成三維立體結構，增加流延膜的強度。粘結劑和增塑劑共同作用可以提高生坯片的強 度，并改善韌性與延展性，便于生坯片與載體膜的脫離以及后續加工；
（3）粉體顆粒在漿料中的分散性和均勻性與流延膜的 品質息息相關。解決粉體團聚的主要方式有物理分散與化學分散，而在漿料中加入分散劑是流延技術中最常用的手段；
（4）除上述成分外，流延漿料還會加入一些功能性添加 劑來改善流延膜制備過程產生的缺陷，如消泡劑、潤滑 劑、均質劑、絮凝劑、控流劑等；
1.4 陶瓷燒結
燒結是利用熱能使粉末坯體致密化的技術，其具體的定義是指多孔狀態的坯體在高溫條件下，表面積減小，孔隙率降低，力學性能（機械強度等）提高的致密化過程。坯體在燒結過程中要發生一系列的物理化變化，如膨脹，收縮，氣體的產生，液相的出現，舊晶相的消失，新晶相的形成等。在不同的溫度，氣氛條件下，所發生變化的內容與程度也不相同，從而形成不同的晶相組成和顯微結構，決定了陶瓷制品不同的質量和性能。
來源：百度
燒結可分為有液相參加的燒結和純固相燒結兩類。燒結過程對陶瓷生產具有很重要的意義。為降低燒結溫度，擴大燒成范圍，通常加入一些添加物作助熔劑，形成少量液相，促進燒結。
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