IT薄膜的案例
Q2’23高機能薄膜產業觀察：新型顯示新能源雙輪驅動，護航高機能薄膜產業發展穩中向好
全球高機能薄膜市場分析與預測報告大綱
第一章：全球高機能薄膜產業概述
一、高機能薄膜分類及定義
1.新型顯示用高機能薄膜介紹
2.新能源用高機能薄膜介紹
3.其他高機能薄膜介紹
二、全球高機能薄膜產業鏈及市場概述
1.全球新型顯示用高機能薄膜產業鏈及市場概述
2.全球新能源用高機能薄膜產業鏈及市場概述
3.全球其他高機能薄膜產業鏈及市場概述
第二章：全球新型顯示用高機能薄膜市場分析與預測
一、全球新型顯示用高機能薄膜技術發展現狀
1.全球新型顯示用反射膜技術發展現狀
2.全球新型顯示用擴散膜技術發展現狀
3.全球新型顯示用增亮膜技術發展現狀
4.全球新型顯示用復合膜技術發展現狀
5.全球新型顯示用偏光片技術發展現狀
6.全球新型顯示用量子點膜技術發展現狀
二、全球新型顯示用高機能薄膜產能分析與預測
1.全球新型顯示用反射膜產能分析與預測
2.全球新型顯示用擴散膜產能分析與預測
3.全球新型顯示用增亮膜產能分析與預測
4.全球新型顯示用復合膜產能分析與預測
5.全球新型顯示用偏光片產能分析與預測
6.全球新型顯示用量子點膜產能分析與預測
三、全球新型顯示用高機能薄膜市場規模分析與預測
1.全球新型顯示用反射膜市場規模分析與預測
2.全球新型顯示用擴散膜市場規模分析與預測
3.全球新型顯示用增亮膜市場規模分析與預測
展開 薄膜｜SKC決議出售薄膜業務！集中于二次電池、半導體等未來產業
CINNO Research產業資訊，SK集團下屬材料與化工企業SKC拆分了其薄膜業務。SKC決定集中于于二次電池、半導體、環保等未來事業。
根據韓媒Zdnet報道，9月16日，SKC召開了臨時股東大會，審議通過了關于薄膜業務的分拆計劃書，還表決了關于刪除薄膜業務和變更控股業務的章程修訂案。
SKC的二次電池材料部門SK Nexilis生產的二次電池用銅箔
今年6月，SKC召開董事會，決定分拆出售薄膜業務。并簽約以1.6萬億韓元（約80.5億人民幣）出售給Hahn&Company公司。向其轉讓了SKC的薄膜業務和薄膜加工子公司SKC Hitech&Marketing，以及位于美國、中國的工廠。
SKC決定清理薄膜業務，投資二次電池、半導體、環保未來業務。
SKC在章程中增加了控股業務，成為負責SK集團創新材料的業務控股公司。
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CINNO于2012年底創立于上海，是致力于推動國內電子信息與科技產業發展的國內獨立第三方專業產業咨詢服務平臺。公司創辦十年來，始終圍繞泛半導體產業鏈，在多維度為企業、政府、投資者提供權威而專業的咨詢服務，包括但不限于產業資訊、市場咨詢、盡職調查、項目可研、管理咨詢、投融資等方面，覆蓋企業成長周期各階段核心利益訴求點，在顯示、半導體、消費電子、智能制造及關鍵零組件等細分領域，積累了數百家大陸、臺灣、日本、韓國、歐美等高科技核心優質企業客戶。
展開 旭化成退出薄膜業務！三井化學以約3.83億元收購其光掩模薄膜業務
三井化學旨在通過收購該業務從而抓住強勁的市場需求來加強其現有薄膜業務。
據日本經濟新聞報道，本次收購價格將根據最終協議進行調整后確定。即三井化學將根據與旭化成商定的74億日元（約人民幣3.83億元）薄膜業務價格為基礎進行調整。
從旭化成收購薄膜材料業務
此次轉讓包括旭化成在日本、韓國、北美和中國制造、開發和銷售光掩模薄膜業務，以及受委托制造光掩模薄膜的Asahi Kasei的合并子公司Asahi Kasei EMS Co., Ltd. 的所有股份（業務），生效日期為2023年7月1日（預定）。
收購該業務后，三井化學將在日本國內擁有兩個薄膜生產基地：巖國大竹工廠（山口縣和木町）和目前的旭化成延岡工廠（宮崎縣延岡市）。
三井化學目前參與了用于半導體的小型薄膜業務。從旭化成那里，三井化學將在半導體業務的基礎上收購用于LCD的大型薄膜業務。除了強化LCD等陣容外，通過業務規模的擴大將繼續推動新產品開發能力的提高。
旭化成退出薄膜業務之后，將把重點放在全球市場上占有很大份額的半導體制造用光敏樹脂材料上。
光掩模
光掩模，也叫半導體光罩，是半導體光刻工藝中的高精密工具，主要由基板和不透光材料組成，起到光刻機與大硅片的橋梁和紐帶作用。
從規?？?，光掩膜僅約占芯片總成本的13%，其價值遠低于占比38%的硅片，關注度更是與硅片相去甚遠。但小小的光掩膜價值卻非比尋常，它不僅是芯片制造中必不可少的核心材料之一，其質量的好壞更是直接決定芯片最終的性能。
全球領先的光掩模制造商的總部也大多設在日本。據CSET預計，日本企業控制了53%的商業光掩模市場，美國企業占比40%，臺灣企業占比7%。比如DNP、日本凸版印刷Toppan Photomasks兩家大廠都是日本廠商。
展開 50-600nm厚度的高遷移率、柔性大面積石墨烯薄膜
50-600nm厚度的高遷移率、柔性大面積石墨烯薄膜
50-600nm厚度的高遷移率、柔性大面積石墨烯薄膜
本文以氧化石墨烯(GO，杭州高稀科技)/聚丙烯腈(PAN)復合薄膜為前驅體，利用基底替換和協同石墨化策略，制備了大面積、密堆積的組裝石墨烯納米膜(nMAG)(橫向尺寸，20cm；厚度范圍，50-600 nm)。nMAG具有良好的電學性能：載流子遷移率，1540 cm2V?1 s?1；電導率，2.04 MS m?1；載流子壽命4.7 ps。將其應用于電磁屏蔽，nMAG的高電導率降低了其最低商用厚度(100 nm，20 dB)；將其應用于紅外探測，nMAG的強光致熱發射效應將石墨烯/硅二極管的響應波長從1.5 μm擴展到了4 μm。此外，作者將nMAG(200 nm)和聚乙烯醇(PVA)層層組裝成10 μm厚的石墨烯膜，通過PVA的分解構建nMAG氣體逸散通道，抑制氣囊的產生、降低組裝石墨烯厚膜的褶皺密度，進而提升薄膜導電、導熱能力。 展到了4 μm。此外，作者將nMAG(200 nm)和聚乙烯醇(PVA)層層組裝成10 μm厚的石墨烯膜，通過PVA的分解構建nMAG氣體逸散通道，抑制氣囊的產生、降低組裝石墨烯厚膜的褶皺密度，進而提升薄膜導電、導熱能力。 02 成果掠影 浙江大學高超課題組以氧化石墨烯(GO，28 μm，杭州高稀科技)/聚丙烯腈(PAN)薄膜為前驅體，利用基底替換和協同石墨化策略，制備了大尺寸和緊密堆疊的組裝石墨烯納米膜(nMAG，橫向尺寸20 cm，厚度范圍50-600 nm)。PAN的引入，可以交聯氧化石墨烯、減少復合薄膜和基底的界面作用力，進而消除基底剝離對基底種類、結構及面積的依賴性；在高溫二維晶化過程中，PAN可以輔助構建原子級氣體逸散通道，促進納米膜厚度提升；此外，氧化石墨烯可以催化PAN二維結晶，形成完整的石墨烯晶格。nMAG具有良好的電學性能：載流子遷移率，1540 cm2V?1 s?1；電導率，2.04 MS m?1；載流子壽命4.7 ps。
展開 
一文了解LNG薄膜罐
LNG薄膜罐總覽
LNG薄膜罐是法國GTT公司開發的一種新型儲罐，內罐由兩層薄膜結構
和兩層保溫層構成，是一個封閉的低溫保溫系統。主薄膜層由波紋型的不銹
鋼薄膜制成，次薄膜層由復合材料制成，能夠在零下163攝氏度存儲LNG并
防止其泄漏，同時還能限制LNG的蒸發損失。
LNG薄膜罐與常見的9%鎳鋼儲罐在設計上的主要不同點在于薄膜罐設
計更為緊湊，在提升安全穩定性、增大有效罐容、降低單方造價、縮短建造
周期、節能降耗等方面具有明顯的技術和經濟優勢。
全球已有近百座薄膜型儲罐建成，罐容為8000立方米到2萬立方米 。韓
國天然氣公司(KOGAS )的10座10萬立方米薄膜型儲罐自使用以來未出現任
何問題;法國天然氣蘇伊士集團(GDF Suez)的2座1.2萬立方米薄膜型儲罐未進行任何維護仍處于正常運行狀態;東京煤氣公司的2座1.2萬立方米薄膜型儲罐未出
現任何問題，正在正常運行。
中國首座陸上LNG薄膜罐建造項目——華港燃氣集團河間LNG調峰儲備
庫工程。據悉2022年10月15日，中國首座陸上液化天然氣薄膜型全容罐在
中國河北省河間市順利投產，運行良好。該儲罐采用法國GTT最新一代陸上
薄膜型全容罐GST技術。該項目由華港燃氣集團投資，中石油工程建設有限
公司華北分公司總包，滬東中華造船（集團）有限公司承擔薄膜罐內罐圍護
系統的建造。華港燃氣集團河北河間LNG調峰站項目總投資2.72億元，建設
1座2.9萬立方米LNG薄膜型全容罐及配套設施，最大氣化和供氣能力為100
萬標方/天。。
展開 石墨烯基散熱薄膜的研究進展
01
石墨烯散熱膜
在本節中，介紹了制備的最新技術綜述了石墨烯薄膜及其衍生物，包括不同的前驅體及其對改善石墨烯薄膜k的貢獻。
1.1 單層或多層石墨烯薄膜
為了獲得具有完美晶格結構的單層石墨烯，高取向熱解石墨膜(HOPG)的機械剝離是最可行的方法之一。這些微尺寸的石墨烯片被廣泛用于石墨烯晶格中傳熱或聲子輸運的基礎研究。另一方面，隨著化學氣相沉積(CVD)技術的快速發展，高質量的單層或多層石墨烯薄膜可供研究或應用。Gao等人將熱CVD法應用于單層石墨烯薄膜的生長。應用于Pt芯片時，熱點溫度從394 K降至381 K。超高速生長技術推動了CVD石墨烯的規?；苽洹＠?，一英寸大小的單晶石墨烯在Cu-Ni合金襯底上快速生長。Xu等人開發了一種供氧的超快速CVD來生長單晶石墨烯。但由于石墨烯從襯底轉移而不破壞晶格結構相對困難，因此CVD石墨烯薄膜作為導熱材料的應用仍然存在障礙。
1.2 還原氧化石墨烯薄膜
雖然單層或多層石墨烯表現出良好的面內κ，但在沒有襯底的情況下直接應用在熱點上仍然存在障礙。因此，人們在石墨烯或氧化石墨烯片的組裝方法上付出了很大的努力，以獲得獨立的氧化石墨烯薄膜。由于Rouff等通過真空過濾制備出具有優異拉伸強度的氧化石墨烯薄膜，氧化石墨烯在水中具有優異的分散性，因此被廣泛應用于制作二維薄膜或者有機溶劑。在過去的十年中，基于氫鍵相互作用形成一層又一層致密結構的各種組裝方法被開發出來，如靜電紡絲、濕紡、鑄造、噴涂、葉片和棒材涂層。例如，在聚四氟乙烯磁盤中通過溫和蒸發工藝制備的氧化石墨烯薄膜，其k為1100 W/mk，具有20 dB的優異EMI屏蔽性能。在圖2(a-e)中，Xin等報道了用連續卷對卷方法電噴涂沉積氧化石墨烯薄膜，在2200℃退火后，薄膜的κ達到~1200 W/mk。
展開 原來它們是造成光學薄膜損傷的影響因素
今天為大家分享一下關于造成光學薄膜損傷影響因素的內容，歡迎大家學習一下哦！
薄膜厚度
隨著光學薄膜的厚度增加，LIDT會迅速減小。首先，光學薄膜中可能出現的駐波場分布直接受光學薄膜厚度大小的影響，從前面的分析可知，激光與薄膜相互作用的場效應首先發生在靠近空氣的幾個膜層厚度中；其次，由于應力的累積效應，單一膜層內的應力總是會隨著膜層數目的增加而增加：最后，雜質缺陷吸收的概率隨著光學薄膜的厚度逐漸增大而增加，導致吸收源變多，從而使薄膜更易于發生損傷。
薄膜內雜質缺陷
對于一般的電介質光學薄膜來說，非線性吸收效應作用不大，此時光學薄膜中的雜質缺陷是導致激光破壞的重要因素。鍍膜前對基底的加工、清洗、處理等過程會不可避免地引入雜質：蒸發鍍膜過程中，往往在鍍膜材料中會形成雜質，主要有異于原材料的污染介質、膜層非正常生長而形成的結瘤和微孔以及材料非正常結合的覆蓋物等。由于雜質缺陷在光學薄膜中的存在，增大了激光作用時被損傷破壞的可能，降低了光學薄膜的LIDT。另外，作為吸收激光能量的潛在熱源，膜層內雜質區域熱量的異常吸收和積累總是會引起局部區域材料體積膨脹，膜層內部產生應力，進而發生損傷。
薄膜制備工藝
由于光學薄膜的沉積技術、制備原理、方法和工藝的不同，導致薄膜特性差異明顯，如微觀結構不同、折射率等光學參數不同、雜質缺陷的引入量不同等，這些因素都會影響薄膜的激光損傷破壞機理和過程，因此有不同的破壞閾值。對于蒸鍍法，適當增大沉積速率會促使薄膜向著顆粒細小且致密的方向生長形成膜層，增大了薄膜的折射率。而薄膜的晶粒尺寸、吸收效應和殘余應力都會隨沉積溫度的升高而變大，這些都會減小薄膜的LIDT。例如，離子束輔助沉積最突出的特點是使薄膜變得致密，有利于提高LIDT。
展開 石墨烯基導熱薄膜的研究進展
石墨烯薄膜制備過程中也存在厚度增加，熱導率降低的問題，目前熱導率超過 3000W/(m·K)的薄膜厚度均不超過 1 μm。文獻的研究表明，GF 厚度由 75 μm 增加到 200 μm時，熱導率從 1204 W/(m·K)降低到 1070W/(m·K)。圖 9(a）, （b)中，辛國慶教授等發現在相同退火溫度下，隨著薄膜密度的增加，薄膜的熱導率和導電率都會隨之增加。
圖9 薄膜性能與厚度的關系：(a, b) 在不同溫度下退火的 GP 的熱導率、導電率與厚度的關系；(c, d)不同制備方法的 3 種薄膜的熱導率、導電率與厚度的關系。
圖 9(c）, （d)中，浙江大學高超教授團隊通過疊加層數來調節膜的厚度，無論是以自融合、刮涂或層壓法（PGF、BGF、LGF）制備薄膜，隨著厚度增加，其熱導率和導電率都會以不同速率降低。而對于 LGF 與 PGF，由于制備方法不同，導致相同層數的薄膜厚度相差 10 μm，使得高密度 PGF 的熱導率高于低密度 LGF 約 600 W/(m·K)。如表 3 中所示，朱英教授團隊使用真空抽濾制備的薄膜，在經過退火和機械壓實后，薄膜的密度不斷增加，厚度逐步減少，也促使薄膜的導電率和熱導率不斷提高。
表3 在不同處理過程后的薄膜性能對比
這是由于厚度增加會造成內部排列混亂，可能存在的缺陷和層間熱阻增加，導致聲子散射嚴重，阻礙了熱傳輸。許多研究中選擇通過機械壓實降低薄膜的厚度，提高密度。如圖 10 所示，薄膜經過壓縮后厚度降低，密度提高，微觀石墨烯層的平整度及層間的有序性排列提高，促進了石墨化。
展開 芯片制造的核心工藝：一文看懂薄膜沉積
芯片是由一系列有源和無源電路元件堆疊而成的3D結構，薄膜沉積是芯片前道制造的核心工藝之一。從芯片截取橫截面來看，芯片是由一層層納米級元件堆疊而成，所有有源電路元件（例如晶體管、存儲單元等）集中在芯片底部，另外的部分由上層的鋁/銅互連形成的金屬層及各層金屬之間的絕緣介質層組成。芯片前道制造工藝包括氧化擴散、薄膜沉積、涂膠顯影、光刻、離子注入、刻蝕、清洗、檢測等，薄膜沉積是其中的核心工藝之一，作用是在晶圓表面通過物理/化學方法交替堆疊SiO2、SiN等絕緣介質薄膜和Al、Cu等金屬導電膜等，在這些薄膜上可以進行掩膜版圖形轉移（光刻）、刻蝕等工藝，最終形成各層電路結構。由于制造工藝中需要薄膜沉積技術在晶圓上重復堆疊薄膜，因此薄膜沉積技術可視為前道制造中的“加法工藝”。
薄膜沉積是決定薄膜性能的關鍵，相關工藝和設備壁壘很高。芯片制造的關鍵在于將電路圖形轉移到薄膜上這一過程，薄膜的性能除了與沉積材料有關，最主要受到薄膜沉積工藝的影響。薄膜沉積工藝/設備壁壘很高，主要來自：第一，芯片由不同模塊工藝集成，薄膜沉積是大多數模塊工藝的關鍵步驟，薄膜本身在不同模塊/器件中的性能要求繁多且差異化明顯；第二，薄膜沉積工藝需要滿足不同薄膜性能要求，新材料出現或器件結構的改變要求不斷研發新的工藝或設備；第三，更嚴格的熱預算要求更低溫的生長工藝，薄膜性能不斷提升要求設備具備更好集成度，另外，沉積過程還要考慮沉積速率、環境污染等指標。下面幾節，我們從薄膜種類與應用、芯片制造模塊工藝、性能指標等角度來闡釋薄膜沉積行業的高壁壘。
展開 薄膜電容器分類及特性介紹
薄膜電容器分類及特性介紹
薄膜電容器(Film Capacitor)又稱塑料薄膜電容(Plastic Film Capacitor)。其以塑料薄膜為電介質。
電容器依著介質的不同，它的種類很多，例如：電解質電容、紙質電容、薄膜電容、陶瓷電容、云母電容、空氣電容等。但是在音響器材中使用最頻繁的，當 屬電解電容器和薄膜(Film)電容器。電解電容大多被使用在需要電容量很大的地方，例如主電源部分的濾波電容，除了濾波之外，并兼做儲存電能之用。而薄 膜電容則廣泛被使用在模擬信號的交連，電源噪聲的旁路(反交連)等地方。
薄膜電容器結構及分類
薄膜電容器是以金屬箔當電極，將其和聚乙酯，聚丙烯，聚笨乙烯或聚碳酸酯等塑料薄膜，從兩端重疊后，卷繞成圓筒狀的構造之電容器。而依塑料薄膜的種類又被分別稱為聚乙酯電容(又稱Mylar電容)，聚丙烯電容(又稱PP電容)，聚苯乙烯電容(又稱PS電容)和聚碳酸電容。
特性
薄膜電容器由于具有很多優良的特性，因此是一種性能優秀的電容器。它的主要等性如下：無極性， 絕緣阻抗很高，頻率特性優異(頻率響應寬廣)，而且介質損失很小?；谝陨系膬烖c，所以薄膜電容器被大量使用在模擬電路上。尤其是在信號交連的部份，必須 使用頻率特性良好，介質損失極低的電容器，方能確保信號在傳送時，不致有太大的失真情形發生。
其結構和紙介電容相同，介質是滌綸或者聚苯乙烯等。滌綸薄膜電容，介電常數較高，體積小，容量大，穩定性比較好，適宜做旁路電容。聚苯乙烯薄膜電容，介質損耗小，絕緣電阻高，但是溫度系數大，可用于高頻電路。
在所有的塑料薄膜電容當中，聚丙烯(PP)電容和聚苯乙烯(PS)電容的特性最為顯著，當然這兩種電容器的價格也比較高。
展開 基于comsol進行共振薄膜聲學超材料的模態分析
研究背景：
從聲學超材料出現到薄膜型和薄板型聲學超材料局域共振隔聲機理的廣泛研究，其負等效質量和負等效密度特性打破了傳統吸隔聲材料質量定律的限制，為低頻吸隔聲提供了新途徑。由吸聲系數理論模型可知，薄膜型結構的吸聲性能與振型模態、相對聲阻抗率有關。對有無附加質量塊的薄膜型結構進行預應力模態分析，探討振型模態與吸聲系數曲線的對應關系。
研究內容：
由吸聲系數理論模型可知，薄膜型結構的吸聲性能與振型模態、相對聲阻抗率有關，對有無附加質量塊的薄膜型結構進行預應力模態分析，探討振型模態與吸聲系數曲線的對應關系。
圖1.薄膜型結構
圖2.無中心質量塊薄膜型結構的固有模態分析
圖3. 含中心質量塊薄膜型結構的固有模態分析
數值模擬：
分別對有無附加質量塊的薄膜型結構進行預應力模態分析，預應力模態仿真選取的聚酰亞胺薄膜彈性模量為 2.35GPa，泊松比為 0.38，選取的結構鋼質量塊彈性模量為 200GPa，泊松比為 0.30。進行COMSOL 預應力模態仿真時，圓形薄膜結構采用膜單元(Membrane)，薄膜中心質量塊結構進行添加質量處理，除邊界條件的設置外，還需在薄膜表面施加初始面應力 200N/m。仿真分析的步驟如下所示。
（1）建立幾何模型
圖4.幾何模型的構建
（2）設置物理場
圖5.物理場的設置
（3）模態分析
無附加質量塊張緊圓膜結構和附加圓形質量塊薄膜型結構的前6階固有頻率和模態振型仿真結果如圖?？梢钥闯鲈赾omsol中利用膜單元對薄膜型結構的固有模態分析結果與原文中對應的十分準確。
圖6. 復現無中心質量塊薄膜型結構的固有模態
圖7.
展開 
半導體設備系列：薄膜生長設備，國產突破可期
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一、薄膜設備：用于沉積物質，實現晶圓表面薄膜生長
薄膜生長：采用物理或化學方法使物質附著于襯底材料表面的過程，常見生長物質包括金屬、氧化物、氮化物等不同薄膜。根據工作原理不同，薄膜沉積生長設備可分為：物理氣相沉積(PVD)、化學氣相沉積（CVD）和外延等類別。
PVD 和 CVD 是主要的薄膜設備，ALD 是產業技術發展趨勢。
在半導體領域，薄膜主要分為絕緣薄膜、金屬薄膜。大部分絕緣薄膜使用CVD，金屬薄膜常用PVD（主要是濺射）。其他常用的鍍膜方式包括ECD、SOD、MOCVD、Epitaxy等。在薄膜設備整體中，CVD的使用越來越廣泛，基于CVD發展的ALD更是行業升級的技術方向。
展開 :具有面內可逆折疊-伸展性能的柔性導電薄膜
在薄膜折疊過程中，形成的褶皺和堆疊區域吸收了一部分體積，而液膜在液體表面張力的作用下保持穩定；當外部的壓縮力被釋放后，褶皺和堆疊區域恢復到其初始狀態，這種折疊-展開過程是完全可逆的。復合薄膜的折疊行為受液膜厚度和復合薄膜微米框架的影響。該團隊控制液膜厚度為60 μm（遠大于彈性毛細長度），從而在界面處形成硬毛細管壁，使折疊過程有利于能量降低。另一方面，在PVDF-HFP網絡中引入平行或三角形PLA微米框架，能夠使復合薄膜克服動力學的阻礙，實現面內的充分折疊。
圖2.面內可逆的折疊-展開性能。(a-d)在可逆折疊-展開過程中，復合薄膜的宏觀和微觀形態變化。(e)液膜厚度對復合薄膜折疊性能的影響。
圖3.設計微米框架增強薄膜的形變程度。(a)在折疊過程中，隨著薄膜收縮程度的增大，自由邊弧度變大。當圓心角大于180o時自由邊將沿固定邊滑動，使薄膜變窄。(b)當自由邊的總長度（2L）大于固定邊的總長度（2W）（2L > 2W）時，薄膜只能實現不充分的折疊，最終變成一條線。通過引入平行(c)或三角形(d)微米框架滿足2L < 2W，可實現薄膜的充分折疊。
該團隊進一步利用PVDF-HFP膜對高導電的[EMIm][NTf2]/PEDOS:PSS復合液體的超浸潤性質，制備了高導電性的可逆面內折疊-展開的復合薄膜。該薄膜在面內折疊-展開過程中，方塊電阻始終穩定在40 ~ 50 Ω sq-1之間。本工作發展了一種制備具有面內可逆折疊-展開性能的柔性導電薄膜的新方法。根據這一設計思路，有機結合不同的納米結構網絡和不同性能的液體，可以實現許多其它功能性甚至響應性材料的設計。
圖4.制備能夠面內折疊-展開的高導電薄膜。
展開 南京師范大學劉慈慧/狄云松/甘志星團隊《AFM》:具有Janus浸潤性和界面穩定漂浮性的仿生可調結構色薄膜
在實驗中即使薄膜被翻轉過來，在水的運動下也能恢復和保持初始狀態。
圖2 Janus浸潤性薄膜上下表面相異超浸潤性和抗旋轉能力。a)浮在水面上的薄膜的示意圖。b)證明了漂浮在水面上的仿生Janus薄膜的超浸潤性。c)仿生Janus浸潤性薄膜在水的運動下保持其原始的形狀，顯示出良好的抗旋轉能力。d)被翻轉的仿生Janus浸潤性薄膜，在水的運動下恢復了原來的狀態。
在界面平衡試驗中，探討了三種樣品與空氣-水界面的相互作用，包括全面超疏水(ASHB)薄膜、全面超親水(ASHL)薄膜和超疏水/超親水(SHB/SHL)協同Janus浸潤性薄膜。實驗結果表明了Janus浸潤性薄膜在相互作用力的協同效應下顯示了獨特的穩定性。
圖3 展示了樣品薄膜與空水界面之間的靜止狀態和光學圖像。a）ASHB薄膜在按壓界面時可產生空氣陷阱，但當膜從水面上抽出時，液體橋并不明顯。b） 相比之下，ASHL薄膜并沒有產生一個空氣陷阱，而是顯示了一個液體橋。c） 對于仿生Janus浸潤性薄膜，可以同時觀察到了空氣陷阱和液體橋。
此外在復雜液體環境中，對Janus浸潤性薄膜的穩定性進行了進一步探究。下圖表明了Janus浸潤性薄膜（上表面為超疏水層，下表面為超親水層）在與不同極性的油水界面接觸時，能夠保持平坦和緊密地停留在界面上。體現了Janus浸潤性薄膜在復雜的液體界面上良好的穩定性，為實際應用鋪平了道路。
圖4 通過運動捕捉所提出的樣品薄膜與雙液相系統之間的界面可浮性的方案和光學圖像。雙液相系統由正己烷/水、辛烷/水和庚烷/水組成。a)ASHB薄膜在三種雙液相系統上扭曲。
展開 基于計算機輔助的光學薄膜優化設計方法
基于計算機輔助的光學薄膜優化設計方法
金揚利，馬勉軍，陳壽，王濟洲，蘭州物理研究所
摘要：概述了光學薄膜優化設計的發展和原理，介紹了當前光學薄膜優化設計中集中常用方法，預測了優化設計方法的趨勢。
關鍵詞：光學薄膜，優化設計，計算機輔助
論文簡介
1.引言：光學薄膜作為一門學科，已經走上百年的路程。如今，光學薄膜在光學、激光、航天等領域都得到了廣泛的應用。隨著新的精密光學儀器的不斷涌現，對鍍膜光學元件的光譜性能要求也越來越高，常規解析法設計的光學薄膜膜系結構已不能完全滿足使用要求。
計算機技術的飛速發展為數值方法應用于光學薄膜設計提供了便利，如今，基于計算機輔助的光學 薄膜優化設計已經成為一種廣泛應用的膜系設計方法。
2.光學薄膜優化設計的發展
3.光學薄膜優化設計的原理和評價函數
3.1光學薄膜優化設計的原理
3.2評價函數
4 幾種常用的光學薄膜優化設計方法
4.1 單純形法
4.2 模擬退火法
4.3 針形法
4.4 遺傳算法
4.5優化方法的改進
5 總結和發展趨勢
基于計算機輔助的光學薄膜優化設計方法.pdf
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