半導體技術的案例
助力汽車半導體產業發展，2025 廣州國際新能源汽車功率半導體技術展覽會與您相約“羊城”廣州
隨著半導體技術的升級與發展，功率半導體已經成為推動新能源汽車和智能汽車產業升級的關鍵因素。汽車不再只是單純的交通工具，而是逐漸演變為一個智能移動空間，集成了多種先進技術和功能。特別是在新能源汽車領域，功率半導體在提升能源效率和車輛性能方面起到了至關重要的作用。
在全球新能源車市場快速擴張的背景下，中國市場表現尤為突出。隨著國家政策的大力支持和市場需求的不斷增長，國內半導體企業迎來了前所未有的發展機遇。然而，功率半導體行業也面臨著激烈的市場競爭和技術更新的挑戰。車企需要在保障產品性能和可靠性的同時，不斷推動技術創新，以應對市場變化和需求升級。
為推動新能源汽車半導體產業發展，2025年11月20日至22日，亞洲領先的車用功率半導體技術專業展，將在廣州保利世貿博覽館盛大召開。隸屬于AUTO TECH 展系列的AUTO TECH 2025 廣州國際新能源汽車功率半導體技術展覽會，展品覆蓋車用功率器件IGBT/MOSFET、SiC、GaN、基礎功率器件、材料、封裝測試、生產設備、散熱管理等技術產品，組委會將邀請比亞迪、廣汽埃安、特斯拉、豐田、小鵬、理想、小米、極氪、長城、上汽、本田、日產、大眾、寶馬、蔚來、華為、匯川技術、寧德時代、博世、英飛凌、電裝、瑞薩、安森美、意法半導體等汽車OEM廠商及Tier1 & 2 零部件供應商的上萬名采購、技術工程師匯聚一堂，參加展會以尋求供應商及合作伙伴。同期還將舉辦2025中國新能源汽車功率半導體產業技術論壇，為廣大汽車行業人士奉送一場“美味佳肴”。誠邀廣大同仁共同探索新能源汽車功率半導體產業前沿技術發展，您豈能錯過！
AUTO TECH 2025 華南展——誠邀您與行業同仁一道共迎汽車人的行業盛會，奏響汽車產業新篇章。
展開 由第三代半導體電力電子技術路線圖引發的思考
此次，《第三代半導體電力電子技術路線圖》的發布，可以幫助行業和企業把握技術研發和新產品推出的最佳時間，幫助政府更好明確技術研發戰略、重點任務、發展方向和未來市場，集中有限優勢資源為產學研的結合構建平臺，能使利益相關方在技術活動中步調一致，減少科研盲目性和重復性，將市場、技術和產品有機結合。
據悉，繼電力電子路線圖之后，第三代半導體產業技術創新戰略聯盟還將陸續組織光電、微波射頻等其他應用領域的技術路線圖。
文/半導體行業觀察 張健
展開 武漢電子展 | 2025武漢國際半導體產業與電子技術博覽會（OVC），5月引領半導體行業新變革
2025武漢國際半導體產業與電子技術博覽會（OVC）已成為半導體及電子技術產業協同發展的重要平臺，加速技術創新與產業升級。展會不僅加速了技術創新與產業升級，也為產業鏈上下游企業的緊密合作搭建了重要的橋梁，推動武漢半導體及電子元器件產業的發展，為全球半導體產業注入新的活力。
2025武漢國際半導體產業與電子技術博覽會（OVC）注定將成為一次推動全球半導體產業轉型升級的重要盛會。從技術創新到商業合作，從產業鏈協同到跨界融合，這場展會為行業提供了無限可能。屆時，無論您是行業專家、企業高管，還是技術愛好者，都將收獲技術與思想的雙重盛宴。讓我們相約武漢，共同見證這一科技盛會，探索半導體產業的無盡可能。2025年5月15日-17日在武漢·中國光谷科技會展中心，期待您的參與！
展開 深挖熱電技術應用需求 半導體致冷芯片切入應用藍海
在為學生提供一個自我展示機會的同時，發掘半導體熱電技術新的應用領域，更好地推動半導體熱電產業的發展。而事實證明，參賽作品無論從創意性還是實用性，都為后面開發新的產品提供了很好的素材。
盡管半導體熱電致冷芯片的技術發展及應用日趨成熟，但仍存在需要攻克的難題。例如，目前熱電轉化效率相對較低，限制了其大功率制冷及余熱回收方面的大規模應用，這就需要行業在材料技術、制造技術、傳熱技術、電控技術等方面取得突破，并能夠使多種學科有效結合，進一步提升熱電技術的轉化效率，共同推動熱電技術的提升和發展。
提及半導體熱電技術的應用前景，富信表示非常有信心。一方面，半導體熱電技術本身有著很多其它技術無法比擬的優勢，甚至成為某些領域唯一的技術解決方案；另一方面，隨著科學技術的進步和人們生活水平的提高，一些先進的儀器裝備及新興的應用領域對半導體熱電技術提出了新的需求。只要這項技術得到堅持推廣，讓更多的人了解、掌握并應用這項技術，富信認為在不久的將來，半導體熱電技術一定會有一個更加廣闊的應用空間和市場前景。
展開 
2026 武漢半導體技術博覽會（OVC）︱聚焦半導體晶圓制造裝備、零部件、材料、先進封裝、IC設計、第三代半導體等重點領域
組委會將嚴格篩選演講嘉賓和演講主題，以技術為主，配合適量的品牌宣傳，以確保技術論壇介紹世界范圍內最先進的、最前沿的半導體技術，為廣大半導體行業人士奉送一場“美味佳肴”。
?中國半導體設備供應鏈發展論壇
?功率半導體IGBT/SiC 產業論壇
?化合物半導體技術與應用發展論壇
?AI加速半導體材料創新發展論壇
?功率mosfet-Si硅/SiC碳化硅|半導體功率器件技術論壇
?碳化硅襯底材料生長與加工技術創新發展論壇
?第三代半導體材料制造與裝備技術高峰論壇
?半導體器件性能開發與測試技術論壇
※ 展會優勢
展會舉辦地背景：2023年，湖北省電子信息產業實現主營業務收入8209億元，同比增長兩成，其中電子信息制造業主營業務收入為5101億元。根據今日發布的《湖北省突破性發展光電子信息產業三年行動方案（2022―2024年）》，到2024年，全省以光電子信息為特色的電子信息產業規模力爭突破萬億元，進一步鞏固和提升在全國“獨樹一幟”的領先地位，為打造具有全球影響力的世界級光電子信息產業集群奠定堅實基礎；推進集成電路、光通信、激光、新型顯示和智能終端等領域重點突破，帶動軟件和信息技術服務業、新一代信息通信等相關領域發展。
● 集成電路領域，依托武漢新芯、高德紅外、光迅科技等龍頭企業，以及江城實驗室等創新平臺，打造特色集成電路產業集群。
● 光通信領域，依托中國信科、長飛、華工科技、華為武研所等龍頭企業，以及國家信息光電子創新中心、武漢光電國家研究中心、光谷實驗室等創新平臺，進一步鞏固湖北光通信產業全國領先地位，打造世界一流的光通信產業高地。
● 激光領域，依托華工激光、銳科激光、帝爾激光等龍頭企業，建設國內領先、具備全球競爭力的激光產業基地。
展開 深度解析：第三代半導體材料的關鍵技術、產業集群、發展趨勢與展望等！
隨著全球第三代半導體產業化水平的持續推進，中國越來越多的科研單位在細分領域和主要環節進行科學研究，如清華大學、北京大學、浙江大學、西安電子科技大學、復旦大學等單位，這些單位完善了中國第三代半導體研究體系。為建設以企業為主體、市場為導向、產學研用深度融合的技術創新體系，全面提升中國第三代半導體領域的自主創新能力，支撐第三代半導體產業集群式發展，深圳、蘇州、南京、山西、湖南、北京等國家級第三代半導體技術創新中心相繼成立，中國第三代半導體技術研發格局基本形成。
圖7.中國第三代半導體產業研究機構分布圖（來源：DeepTech）
中國第三代半導體技術創新機構形成以北京、江蘇和廣東三地為核心全國多點分布的格局。北京市研發力量全國最強，不僅有頂級的科研單位代表，如中科院半導體所、中科院物理所、清華大學、北京大學、國網研究院等，主要企業如天科合達、中科鋼研、泰科天潤、世紀金光等也匯聚于此。江蘇省和廣東省緊隨其后，形成了以大學、科研院所、國家級技術創新中心、省市級技術創新平臺、企業研發中心為代表的完善的研發體系。上海市、山東省、山西省、湖南省、江西省、福建省、安徽省、浙江省等地區依托大學、大院、大所以及龍頭企業正在建設符合區域發展的研究隊伍。
中國第三代半導體技術創新人才形成以院士為引領，杰青、長江學者、國家高層次人才計劃、青年學者等多層次人才梯隊結構。鄭有炓、甘子釗、王立軍、江風益、郝躍、劉明等院士專家構成了中國第三代半導體領域第一人才梯隊，在前沿領域進行探索研究，為中國第三代半導體技術指明了方向。以徐現剛、陳小龍、張榮、王新強、龍世兵等杰青和長江學者為代表的專家，以及張清純、嚴群、張波等國家計劃重點人才形成了中國第三代半導體領域第二人才梯隊，在學科建設、技術引領、人才培養方面發揮重要作用。
展開 從光刻技術發展看半導體技術路線
從1947年第一個晶體管問世算起，半導體技術一直在迅猛發展，現在它仍保持著強勁的發展態勢，繼續遵循摩爾定律指明的方向前進，大尺寸、細線寬、高精度、高效率、低成本的IC生產，正在對半導體產業鏈帶來前所未有的挑戰。
集成電路在制造過程中經歷了材料制備、掩膜、光刻、清洗、刻蝕、摻雜、化學機械拋光等多個工序，其中尤以光刻工藝最為關鍵，決定著制造工藝的先進程度。隨著集成電路由微米級向鈉米級發展，光刻采用的光波波長也從近紫外（NUV）區間的436nm、365nm波長進入到深紫外（DUV）區間的248nm、193nm波長。目前大部分芯片制造工藝采用了248nm和193nm光刻技術。目前對于13.5nm波長的EUV極端遠紫外光刻技術研究也在提速前進。
可以說，隨著芯片集成度的提高，對光刻技術提出了越來越高的要求，而光刻技術的演進，在某種程度上也反映了半導體技術的發展路線。上世紀中葉，IEEE電子和電子工程師協會設立了ITRS組織，該組織每年都會發布一份半導體領域中技術路線圖——ITRS（International Technology Roadmap for Semiconductors）。但在2017年，IEEE停止更新ITRS，并將其重新重命名為IRDS，他們認為這樣可以更全面地反應各種系統級新技術。
展開 聚焦OVC 2025 武漢半導體與電子技術展，開啟未來科技新紀元
聚焦OVC 2025 武漢半導體與電子技術展，開啟未來科技新紀元
在2025年5月15日至17日，武漢將迎來一場科技界的盛會——2025 武漢國際半導體產業與電子技術博覽會（OVC）。這場展會不僅是中西部地區領先的半導體與電子技術盛會，更是一個專業的半導體/電子設計、研發與制造技術展。
【展會概覽】
2025 武漢國際半導體產業與電子技術博覽會（OVC）將在武漢·中國光谷科技會展中心盛大開幕，預計展出面積將達到30000平方米，匯聚400家領先展商，吸引30000名專業觀眾，并舉辦多場專業論壇。這場展會是中西部地區電子信息產業的重要推動力，旨在促進先進技術在中西部地區的創新應用。
OVC 2025 武漢半導體與電子技術展將集中展示集成電路、電子元器件、半導體/芯片、顯示技術、物聯網技術、傳感器、連接器、無線、電源、測試技術、電子材料、半導體制造裝備、智能硬件、生產設備和行業解決方案。從IC設計到電子元器件，從半導體材料到智能制造，2025 武漢半導體與電子技術展覆蓋了半導體與電子產業的全鏈條。
展會同期還將舉辦包括功率半導體器件與集成電路會議、半導體制造與先進封裝論壇、中國國際醫療電子技術論壇等在內的數場高峰論壇，匯聚業內大咖，共話未來商機。組委會將邀請國內外半導體、工業電子、汽車電子、醫療電子、物聯網、消費電子、通信等行業數萬名專業工程師采購參觀。為半導體與電子行業供應商和采購商搭建起一座直接溝通的橋梁，推動區域乃至全球半導體與電子產業的發展。
【行業前景】
半導體是一種導電性可受控制、范圍可從絕緣體至導體之間的材料，半導體行業代表了一個國家的工業技術的基礎水平，半導體行業在全球的信息技術產業中都處于相當重要的領域。
展開 從光刻技術發展看半導體技術路線
來源：
天天IC
從1947年第一個晶體管問世算起，半導體技術一直在迅猛發展，現在它仍保持著強勁的發展態勢，繼續遵循摩爾定律指明的方向前進，大尺寸、細線寬、高精度、高效率、低成本的IC生產，正在對半導體產業鏈帶來前所未有的挑戰。
集成電路在制造過程中經歷了材料制備、掩膜、光刻、清洗、刻蝕、摻雜、化學機械拋光等多個工序，其中尤以光刻工藝最為關鍵，決定著制造工藝的先進程度。隨著集成電路由微米級向鈉米級發展，光刻采用的光波波長也從近紫外（NUV）區間的436nm、365nm波長進入到深紫外（DUV）區間的248nm、193nm波長。目前大部分芯片制造工藝采用了248nm和193nm光刻技術。目前對于13.5nm波長的EUV極端遠紫外光刻技術研究也在提速前進。
可以說，隨著芯片集成度的提高，對光刻技術提出了越來越高的要求，而光刻技術的演進，在某種程度上也反映了半導體技術的發展路線。上世紀中葉，IEEE電子和電子工程師協會設立了ITRS組織，該組織每年都會發布一份半導體領域中技術路線圖——ITRS（International Technology Roadmap for Semiconductors）。但在2017年，IEEE停止更新ITRS，并將其重新重命名為IRDS，他們認為這樣可以更全面地反應各種系統級新技術。
展開 半導體前沿技術研究：中、美、日、歐哪家強？
參加IEDM會議的代表有來自世界各地的學者、科學家、工程師、企業高管和政府機構人員，主要議題包括納米級CMOS晶體管技術、先進存儲器、顯示技術、傳感器/MEMS器件、量子和納米器件、光電器件、功率器件、能量采集技術和超高速器件，以及半導體工藝技術、芯片設計和仿真等。此外，該會議也會討論和展示硅基、化合物和有機半導體材料和器件的最新研究進展。
由于疫情原因，2020年IEDM會議通過線上虛擬會議的形式于12月12-18日舉行，本次會議的主要議題包括：IMEC代表討論邏輯器件繼續擴展的方法;美光的代表介紹先進存儲器的技術創新;三星代表展望未來的半導體共生技術;英特爾代表討論3D堆疊納米紙晶體管結構;TSMC展示其5nm CMOS FinFET工藝;以及AI和量子計算等。
國際固態電路會議(ISSCC，www.isscc.org)
由IEEE固態電路協會主辦的國際固態電路會議(ISSCC)是一個專注于固態電路和系統級芯片(SoC)最新技術的全球論壇，為來自世界各地的IC設計工程師提供了一個站在技術前沿與業界專家交流溝通的機會。該會議起始于1954年，每年2月份在舊金山舉行。
ISSCC現在設有如下小組委員會：模擬、數字轉換器、能效數字(EED)、高性能數字(HPD)、成像、MEMS、醫療和顯示(IMMD)、存儲器、RF、技術方向(原新興技術)、無線和有線。另外，還按區域設有歐洲分會和遠東分會。
VLSI技術和電路研討會(VLSI，www.vlsisymposium.org)
VLSI技術和電路研討會是兩個緊密相關的國際會議，研討議題涉及半導體技術和電路，從工藝技術到系統級芯片設計都有覆蓋。
該研討會每年6月份召開，分別在日本京都和美國檀香山輪流舉行。
展開 大功率半導體技術現狀及其進展
摘要：介紹了現代硅基大功率半導體器件的歷史演變和新型器件結構的研究進展，以及寬禁帶半導體材料和器件的現狀；闡述了國內大功率半導體器件在軌道交通、直流輸電和新能源汽車等領域的研發進展和應用現狀；最后討論了大功率半導體技術面臨的技術挑戰和發展趨勢。
0 引言
經過 60 余年的技術發展，大功率半導體行業已經開發出多種硅（Si）基功率器件，單極型器件以金屬氧化物半導體場效應管（Metal Oxide Semiconductor,MOS）為代表，雙極型器件包括二極管、功率晶體管和晶閘管等，復合型器件包括絕緣柵雙極晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT）等。圍繞功率轉換，功率半導體器件結構和工藝以提高功率容量、增大功率密度、降低功率損耗和提升能源轉換效率為主要的技術發展方向 [1-2] 。
功率半導體器件的發展不斷推動著能源技術和軌道牽引傳動技術的發展。1957 年晶閘管的發明使得牽引傳動技術進入電力電子技術時代 [1]，晶閘管的誕生促進了交直傳動技術的進步與發展。1965 年第 1 臺晶閘管整流機車問世，同時全球也興起了單相工頻交流電網電氣化的高潮。20 世紀 70 年代初，大功率晶閘管特別是門極可關斷晶閘管（Gate Turn-off Thyristor, GTO）的出現和微機控制技術的發展，推動了交流傳動技術逐步取代交直傳動技術。20 世紀 90 年代中期，隨著高壓 IGBT 技術的成熟，交流傳動功率開關器件被 IGBT 所取代，在高速、重載和城市軌道交通等領域獲得廣泛應用。
展開 
聚焦功率半導體產業︱APSME 2025 亞洲國際功率半導體、材料及裝備技術展將在廣州盛大召開
2025 亞洲國際功率半導體、材料及裝備技術展覽會，以“聚焦前沿技術突破，賦能產業創新融合”為主題。將于2025年11月20-22日在廣州保利世貿博覽館盛大召開！
APSME 2025 亞洲國際功率半導體、材料及裝備技術展覽會匯聚全球優質品牌廠商齊聚現場，打造功率半導體全產業鏈創新展示、一站式采購及技術交流平臺，集中展示半導體器件、功率模塊、材料、封裝技術、測試技術、生產設備、散熱管理等熱門產品，致力于先進半導體器件、封裝測試、工藝流程、創新應用及產業鏈間的合作，為上游及材料設備搭建交流協作的橋梁。展會期間還將舉辦一系列技術論壇，展示全球產業動態及未來技術趨勢。
展開 2025武漢國際半導體產業與電子技術博覽會（OVC）：為中西部電子信息產業發展賦能
2025武漢國際半導體產業與電子技術博覽會（OVC）：為中西部電子信息產業發展賦能
在2025年5月15日至17日，武漢將迎來一場備受矚目的行業盛會——2025武漢國際半導體產業與電子技術博覽會（OVC）。這場展會不僅是中西部地區電子信息產業的一次集中展示，更是全球半導體與電子技術交流合作的重要平臺。
【行業背景與發展趨勢】
隨著中國產業轉型升級的大趨勢和中西部地區加速開放，電子集群在中西部地區不斷崛起，電子信息產業已經成為中西部地區多省市的支柱產業。在電子研發和制造方面，中高端芯片、元器件、材料以及電子生產設備的需求在萬億級以上，顯示出巨大的市場潛力和發展空間。
【展會亮點與特色】
1.全面的技術展示：OVC 2025 武漢半導體與電子技術展將集中展示半導體、集成電路、電子元器件、PCB、顯示技術、物聯網技術、傳感器、連接器、無線電源、電子材料、智能硬件、半導體制造裝備、封裝測試及材料和電子生產設備等，覆蓋了半導體與電子產業的全鏈條。
2.專業的觀眾群體：組委會將邀請國內外半導體、工業電子、汽車電子、醫療電子、物聯網、消費電子、通信等行業數萬名專業工程師采購參觀，為參展企業提供了一個技術交流、產品展示和貿易洽談的平臺。
3.同期舉辦的論壇與活動：預計有10+技術論壇，為行業人士提供深入交流和學習的機會。
【市場分析與機遇】
1.新能源汽車與5G通信的推動：在新能源汽車、5G通信、太空探索等領域的快速驅動下，第三代半導體材料如碳化硅和氮化鎵的需求大增，為半導體行業帶來新的增長點。
2.產業生態構建：OVC 2025 武漢半導體與電子技術展已成為半導體及電子技術產業協同發展的重要平臺，加速技術創新與產業升級。
展開 一文了解大功率半導體技術歷史進程與現狀
摘要：介紹了現代硅基大功率半導體器件的歷史演變和新型器件結構的研究進展，以及寬禁帶半導體材料和器件的現狀；闡述了國內大功率半導體器件在軌道交通、直流輸電和新能源汽車等領域的研發進展和應用現狀；最后討論了大功率半導體技術面臨的技術挑戰和發展趨勢。
關鍵詞：功率半導體器件；硅材料；晶閘管；門極可關斷晶閘管；集成門極換流晶閘管；絕緣柵雙極晶體管；金屬氧化物半導體場效應晶體管；寬禁帶
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引言
經過 60 余年的技術發展，大功率半導體行業已經開發出多種硅（Si）基功率器件，單極型器件以金屬氧化物半導體場效應管（Metal Oxide Semiconductor,MOS）為代表，雙極型器件包括二極管、功率晶體管和晶閘管等，復合型器件包括絕緣柵雙極晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT）等。圍繞功率轉換，功率半導體器件結構和工藝以提高功率容量、增大功率密度、降低功率損耗和提升能源轉換效率為主要的技術發展方向。
功率半導體器件的發展不斷推動著能源技術和軌道牽引傳動技術的發展。1957 年晶閘管的發明使得牽引傳動技術進入電力電子技術時代，晶閘管的誕生促進了交直傳動技術的進步與發展。1965 年第 1 臺晶閘管整流機車問世，同時全球也興起了單相工頻交流電網電氣化的高潮。20 世紀 70 年代初，大功率晶閘管特別是門極可關斷晶閘管（Gate Turn-off Thyristor, GTO）的出現和微機控制技術的發展，推動了交流傳動技術逐步取代交直傳動技術。20 世紀 90 年代中期，隨著高壓 IGBT 技術的成熟，交流傳動功率開關器件被 IGBT 所取代，在高速、重載和城市軌道交通等領域獲得廣泛應用。
展開 “國產芯片”瑞森半導體（REASUNOS）將亮相2023慕尼黑上海電子展
瑞森半導體始終關注客戶需求，將產品研發放在首要位置，公司于2022年成立瑞森半導體科技（湖南）有限公司，并與湖南大學創建“湖南大學半導體學院產教融合基地”，進行半導體技術與應用創新的深度研發合作。
