Fluent芯片散熱的案例
國內(nèi)芯片熱沉最大工廠于深圳寶安落成，湃泊閉環(huán)解決芯片散熱卡脖子難題
來源 | 湃泊科技官方
2024年1月3日，湃泊科技的芯片熱沉工廠在深圳市寶安區(qū)松崗江碧環(huán)保科技創(chuàng)新產(chǎn)業(yè)園落成，全面建成后月產(chǎn)值將達500萬顆，不僅將成為國內(nèi)最大激光熱沉工廠，或也將成為全球在芯片熱沉細分領(lǐng)域最大的現(xiàn)代化工廠。
湃泊所聚焦的芯片熱沉賽道屬于高功率激光芯片的一個環(huán)節(jié)，“激光芯片”屬于高端制造，但在近年來已經(jīng)絕大部分實現(xiàn)了國產(chǎn)替代，除了熱沉陶瓷散熱片環(huán)節(jié)，一直被日本、美國公司所壟斷。
事實上，中國在高功率激光制造環(huán)節(jié)下游，比如高鐵、新能源汽車、包括軍工、航天，近幾年到未來增長非常快。也就是說，中國幾乎是芯片熱沉最大的應(yīng)用市場，但是在激光芯片熱沉環(huán)節(jié)是缺失的。完全受制于日本企業(yè)，甚至現(xiàn)在激光芯片散熱片比芯片本身還要貴。
使命、愿景、價值觀
湃泊創(chuàng)始人安屹向媒體解釋：“芯片散熱卡在三高問題：高熱、高壓、高頻，這是最大的痛點，湃泊下決心要從生產(chǎn)鏈條的根本上，和上下游的國內(nèi)廠商一塊兒解決這三大問題。”
所以，湃泊從創(chuàng)立初期，就致力于用國內(nèi)供應(yīng)鏈閉環(huán)，替代原來只能依靠日本、歐洲、美國的這條產(chǎn)業(yè)鏈。從熱沉設(shè)計，陶瓷預(yù)處理，PVD薄膜工藝，精細電鍍，光刻蝕刻，高精密研磨拋光整個鏈路，都將在深圳寶安的熱沉工廠實現(xiàn)閉環(huán)。
車間局部
湃泊熱沉新工廠在寶安建成之后，將極大擴充原來工廠的產(chǎn)能，成為國內(nèi)熱沉最大的生產(chǎn)供應(yīng)商。新廠開業(yè)現(xiàn)場，湃泊科技總經(jīng)理安屹、副總經(jīng)理付靜之致辭，大米創(chuàng)投基金董事長艾民、東莞市國資委主任梁燕、深圳寶安區(qū)松崗街道辦書記張元星也發(fā)表講話，將湃泊科技比喻為中國“未來的京瓷”。
展開 ANSYS workbench 芯片穩(wěn)態(tài)散熱分析 ￥10
本案例適合哪些人學(xué)習(xí)：
1、學(xué)習(xí)型仿真工程師
2、理工科院校學(xué)生
你會得到什么：
1、學(xué)習(xí)芯片的三維模型處理
2、學(xué)習(xí)芯片穩(wěn)態(tài)散熱分析步的建立
3、學(xué)習(xí)芯片穩(wěn)態(tài)散熱分析的載荷施加
4、學(xué)習(xí)芯片穩(wěn)態(tài)散熱的施加
案例介紹：
所使用軟件為ANSYS workbench2020R2.
案例介紹了ANSYS workbench 芯片穩(wěn)態(tài)散熱分析分析。
本案例完整得提供了分析相關(guān)所有分析文件。
PCB芯片散熱焊盤如何設(shè)計？
01
前言
工作中的電路板有許多發(fā)熱比較大的元器件，比如MOS管、LED、三極管，尤其在滿載的情況下更為嚴重，散熱通孔是眾所周知的一種通過電路板表面貼裝元件的散熱方法。
在結(jié)構(gòu)上，板上開有一個通孔，如果該板是單層雙面板，則使銅箔連接電路板的頂面和底面，以增加用于散熱的面積和體積，降低熱阻。
在多層板的情況下，熱通孔可以連接多個層，或者可以僅限于層的部分連接，但是在所有情況下，基本原理都是相同的。
將貼片元件的散熱焊盤貼片安裝在PCB上，可以降低熱阻。熱阻取決于用于散熱的PCB上銅箔的面積和厚度，以及板的厚度和材料。本質(zhì)上，這些材料越寬越厚，散熱效果就越大。
但銅箔的厚度通常需要符合標準規(guī)格，且不能過厚。此外，由于微型化仍然是基本設(shè)計要求，因此PCB的面積應(yīng)依照實際需求設(shè)計，實際的銅箔的厚度也不能做的得非常大，因此當(dāng)PCB超過一定的單面散熱面積時，單面電路板散熱效果會大打折扣。FR-4的導(dǎo)熱系數(shù)非常低。
解決這些問題的一種措施是使用熱通孔，通孔是通過鉆孔和鍍銅而形成的，與PTH或通孔用于層之間的電氣互連的方法相同。為了有效地使用散熱孔，散熱孔應(yīng)靠近加熱元件放置。
如下圖所示，利用了熱平衡的影響，因此很明顯將具有較大溫差的區(qū)域連接起來效果會很不錯。
02
空心過孔與填充過孔影響
空心式通孔相比填充式通孔相比，空心式通孔將導(dǎo)致更高的熱阻。對于直徑為0.6mm的通孔，使用35 um(1 oz.)鍍銅，垂直于熱焊盤的面積僅為0.06 mm2，而焊料填充通孔的面積為0.28 mm2，導(dǎo)致熱阻為64°C/W，而填充了焊料則為42°C/W，如果完全填充銅則為14°C/W。
展開 芯片與散熱器之間的接觸熱阻的評估
芯片與散熱器接觸面間填充的介質(zhì)，由于其導(dǎo)熱率低于固體材料，芯片上表面的部分熱量無法有效導(dǎo)出，從而在兩接觸面之間會形成溫度差，熱量流經(jīng)接觸面時仿佛遇到了阻力，該物理現(xiàn)象便稱為接觸熱阻。
接觸熱阻的形成對芯片散熱是不利的，然而芯片與散熱器之間的接觸熱阻確是客觀存在的，只能減小，無法消除。接觸熱阻的大小與材料表面粗糙度、接觸壓力以及填充介質(zhì)均有關(guān)系，表面粗糙度越小，接觸壓力越大，介質(zhì)導(dǎo)熱率越高，形成的接觸熱阻就越小。
接觸熱阻的評估，在風(fēng)險評估和方案篩選階段可忽略，但在詳細設(shè)計計算時，必須慎重評估，不可忽略，可根據(jù)以前的仿真和實測的復(fù)盤，反推出接觸熱阻的大小，典型值可用0.3℃/W進行計算評估，具體跟平面度、粗糙度、緊固力和填充介質(zhì)有關(guān)。
展開 
芯片封裝結(jié)構(gòu)的散熱分析
隨著封裝結(jié)構(gòu)越來越小型化，我們越來越需要仔細評估芯片封裝結(jié)構(gòu)的散熱效應(yīng)，對于產(chǎn)品可靠性的影響。以及相關(guān)熱應(yīng)力對于芯片性能的影響。設(shè)計出合理的散熱封裝結(jié)構(gòu)可以有效的提高產(chǎn)品性能，本文以常見BGA封裝結(jié)構(gòu)為例，采用ANSYS穩(wěn)態(tài)散熱對封裝結(jié)構(gòu)進行分析。雖然模型很簡單，但是對于封裝結(jié)構(gòu)的優(yōu)化設(shè)計很有幫助。
一、模型
BGA的模型主要有芯片，基板，EMC，焊球，粘結(jié)層等組成，在建模的時候，我省略了一部分。
二、因主要考慮穩(wěn)態(tài)的散熱問題，計算量不大，因此可以采用全模型進行分析。
三、對以上各層材料都賦予材料參數(shù)，熱導(dǎo)率可由材料供應(yīng)商出獲得；
四、熱源主要為芯片產(chǎn)生的熱，可以根據(jù)功率和芯片面積進行換算。本例子中，芯片的熱生產(chǎn)率設(shè)定為0.075w/mm^2;
五、熱對流換熱系數(shù)設(shè)定為2e-4 w/(mm^2*K)
六、模型外面還會通過輻射進行散熱，可以設(shè)定底部或者上部材料的黑度值為0.9；
七、環(huán)境溫度設(shè)置為22C；
八、計算的結(jié)果如下：
可以看出，在該工作功率下，芯片的溫升僅為31C。
展開 fluent 電機水冷散熱 ￥10
圖 19 殘差曲線圖 20 散熱效率及功率圖 21整體模型溫度圖 22 水道內(nèi)部壓力圖 23 水道內(nèi)部流速
歡迎土豪贊助。
一種用于服務(wù)器芯片散熱的液冷板實驗研究
芯片是數(shù)據(jù)處理的核心部件，數(shù)據(jù)量的爆炸式增長對服務(wù)器芯片的性能提出了更高的要求。當(dāng)服務(wù)器芯片的工作溫度高于額定工作溫度10 ℃時，服務(wù)器芯片的可靠性降低到50%。因此，服務(wù)器芯片的熱管理技術(shù)是制約數(shù)據(jù)中心發(fā)展的瓶頸之一。
風(fēng)冷散熱，結(jié)構(gòu)簡單，經(jīng)濟可靠。傳統(tǒng)的低功耗服務(wù)器普遍采用風(fēng)冷方式。然而，對于大規(guī)模數(shù)據(jù)中心而言，風(fēng)冷能耗較高，且其密度低、散熱能力有限。然而，用于液冷的冷卻介質(zhì)比熱容是空氣的1000-3500倍，導(dǎo)熱系數(shù)是空氣的15-25倍，可以達到更高的熱流密度散熱。應(yīng)用于服務(wù)器的液冷技術(shù)可分為單相間接液冷、兩相間接液冷、熱管冷卻和浸沒式液冷。
浸沒式液體冷卻由于與冷卻介質(zhì)直接接觸，具有極低的熱阻。浸沒式液冷需要額外的密封手段和一套完整的專用服務(wù)器或機柜，這給數(shù)據(jù)中心維護和改造帶來了巨大挑戰(zhàn)。間接液冷技術(shù)適應(yīng)性強，可用于新舊數(shù)據(jù)中心的改造。液冷板是間接液冷的關(guān)鍵部件之一。液冷板的材料、結(jié)構(gòu)和制造工藝對散熱性能有很大影響。
目前微通道成形技術(shù)包括微銑削、微線切割、激光微加工、光刻等。液冷板的焊接方法有回流焊、擴散焊、摩擦焊等。微通道采用電火花線切割加工。雖然微通道液冷板具有優(yōu)良的散熱性能，但微通道液冷板的制造工藝存在一定的弊端。
為了保證良好的密封條件，液冷板需要焊接成一個整體。大多數(shù)焊接工藝存在成本高、生產(chǎn)效率低的問題。即使采用效率更高的回流焊，微通道也容易被焊料堵塞。微通道液冷板制造工藝的缺陷阻礙了其在數(shù)據(jù)中心的大規(guī)模部署。
02
成果掠影
為了解決服務(wù)器冷卻技術(shù)中結(jié)構(gòu)復(fù)雜、制造成本高、制造周期長等問題，華南理工大學(xué)潘敏強教授團隊提出了一種新型的加工工藝的液冷板。輥粘工藝起源于制冷行業(yè)的蒸發(fā)器制造工藝。
展開 一種用于芯片散熱的復(fù)合相變熱界面材料
圖7.采用VASCFs/SR墊片和VASCFs/PA/SR相變熱墊片時，模擬芯片在加熱功率為30 W時的溫升曲線(a)和平衡溫度(b)，以及散熱原理示意圖。
END
★ 平臺聲明
部分素材源自網(wǎng)絡(luò)，版權(quán)歸原作者所有。分享目的僅為行業(yè)信息傳遞與交流，不代表本公眾號立場和證實其真實性與否。如有不適，請聯(lián)系我們及時處理。歡迎參與投稿分享！
Fluent 滑移網(wǎng)格+高鐵制動盤制動過程散熱仿真(一)
上一節(jié)已經(jīng)展開了動網(wǎng)格制動盤散熱過程的教學(xué)，因此本節(jié)展開滑移網(wǎng)格的耦合教學(xué)。
1 workbench 設(shè)置
本案例分為三個模塊，其中分別是滑移網(wǎng)格運動區(qū)域，固體結(jié)構(gòu)和外部靜止域。
2 SCDM 設(shè)置
2.1 導(dǎo)入幾何
與Fluent 動網(wǎng)格+高鐵制動盤制動過程仿真(一)一致，因此不做過多闡述：
固體域區(qū)域需要注意，各部分命名如下圖：
2.2 網(wǎng)格設(shè)置
采用Fluent meshing進行網(wǎng)格劃分，增加固體域網(wǎng)格劃分，不做過多闡述：
3 FLUENT 設(shè)置
3.1 General設(shè)置與網(wǎng)格導(dǎo)入
首先導(dǎo)入網(wǎng)格，由于是三部分網(wǎng)格，因此需要通過附加case的方式，將其余兩部分網(wǎng)格導(dǎo)入，然后勾選穩(wěn)態(tài)計算，具體設(shè)置如下圖所示。
展開 智芯文庫|封裝行業(yè)正在采用新技術(shù)應(yīng)對芯片散熱問題
這就是為什么許多高級封裝產(chǎn)品適用于大批量或價格彈性的組件，例如服務(wù)器芯片。對具有增強散熱性能的制造工藝的材料需求一直在強勁增長。
Chiplet模塊仿真與測試進展
工程師們正在尋找新的方法來在封裝模塊構(gòu)建之前對封裝可靠性進行熱分析。例如，西門子提供了一個基于雙 ASIC 的模塊的示例，該模塊包含一個扇出再分布層 (RDL)，該扇出再分配層 (RDL) 安裝在 BGA 封裝中的多層有機基板頂部。它使用了兩種模型，一種用于基于 RDL 的 WLP，另一種用于多層有機基板 BGA。這些封裝模型是參數(shù)化的，包括在引入 EDA 信息之前的襯底層堆疊和 BGA，并支持早期材料評估和芯片放置選擇。接下來，導(dǎo)入 EDA 數(shù)據(jù)，對于每個模型，材料圖可以對所有層中的銅分布進行詳細的熱描述。
量化熱阻
如何通過硅芯片、電路板、膠水、TIM 或封裝蓋傳遞是眾所周知的。存在標準方法來跟蹤每個界面處的溫度和電阻值，它們是溫差和功率的函數(shù)。
“熱路徑由三個關(guān)鍵值來量化——從器件結(jié)到環(huán)境的熱阻、從結(jié)到外殼（封裝頂部）的熱阻以及從結(jié)到電路板的熱阻，”
詳細的熱模擬是探索材料和配置選項的最便宜的方法。“運行芯片的模擬通常會識別一個或多個熱點，因此我們可以在熱點下方的基板中添加銅以幫助散熱或更換蓋子材料并添加散熱器等。對于多個芯片封裝，我們可以更改配置或考慮采用新方法來防止熱串?dāng)_。有幾種方法可以優(yōu)化高可靠性和熱性能，”
在模擬之后，包裝公司執(zhí)行實驗設(shè)計 (DOE) 以達到最終的包裝配置。但由于使用專門設(shè)計的測試車輛的 DOE 步驟耗時且成本更高，因此首先利用仿真。
選擇 TIM
在封裝中，超過 90% 的熱量通過封裝從芯片頂部散發(fā)到散熱器，通常是帶有垂直鰭片的陽極氧化鋁基。
展開 ANSYS與FLUENT瞬態(tài)散熱模型對比
最近在做熱分析時，得到這樣一個ansys的算例——帶空金屬板冷卻的瞬態(tài)熱分析，使用fluent軟件進行了仿真，與ansys的結(jié)果做以對比。
問題描述如下：一長方形金屬板，板得長度為15cm，板得中央是一個半徑為1cm的圓孔。板得初始溫度為500℃，將其突然放置于溫度為20℃，表面?zhèn)鳠嵯禂?shù)為100W/(㎡*℃)的流體介質(zhì)中，試計算：
1）第1s及第50s這兩個時刻金屬板內(nèi)的溫度分布；
2）金屬板上4個頂點在前50s內(nèi)的溫度變化（本文只取左上角點A，如圖1所示）。
該金屬板得基本材料性質(zhì)如下：
密度為5000kg/m3，比熱容為200J/(kg*℃)，導(dǎo)熱系數(shù)為5W/(m*℃)。
圖1
對于這個問題，模型比較簡單，本文對其操作步驟不再詳述，重點在對比ansysy和fluent的仿真結(jié)果上。
圖2
圖3
從上圖中可以看出，Ansys的分析結(jié)果：1s時，A點的最大溫度為499.999℃，最小溫度為464.98℃；50s時，最大溫度為437.713℃，最小溫度為270.812℃。Fluent仿真結(jié)果：1s時，A點的最大溫度為499.99℃，最小溫度為465.37℃；50s時，最大溫度為437.4℃，最小溫度為275.72℃。從上面的兩組數(shù)據(jù)可以看出，兩種軟件的結(jié)果是吻合的，相差在1%左右。
圖4
從上圖中可以看出，ANSYS和FLUENT的結(jié)果趨勢完全吻合，最大相差4%。
針對兩款軟件對此問題的求解的結(jié)果的差別，或許是求解方式上的差別，ansys是基于有限元的求解方法，fluent是基于有限體積的求解方法。
展開 
聚燦光電使用T3Ster大大提升LED芯片散熱能力
故事摘要
芯片的散熱性能是LED燈具品質(zhì)的重要因素之一。由于LED燈具的發(fā)光原理和工作方式，芯片會受到較高的溫度影響，如果芯片的散熱性能不足，則會導(dǎo)致芯片過熱和壽命縮短，甚至引發(fā)燈具故障。因此，在LED燈具設(shè)計和制造過程中，必須考慮芯片的散熱問題，并采取有效的散熱措施。
聚燦光電依托自身的技術(shù)實力和創(chuàng)新能力，并結(jié)合先進的半導(dǎo)體器件封裝熱特性測試儀——T3Ster來解決芯片散熱問題。
在聚燦光電的研發(fā)過程中，T3Ster技術(shù)被廣泛應(yīng)用，為公司的芯片設(shè)計和制造提供了重要的支持。通過T3Ster技術(shù)進行測試，聚燦光電的芯片散熱性能得到了極大的提升，這不僅增加了芯片的使用壽命，也提高了芯片的穩(wěn)定性和可靠性，使得聚燦光電的產(chǎn)品具有更高的市場競爭力。
聚燦光電簡介
聚燦光電是一家集研發(fā)、生產(chǎn)、銷售三方面為一體的高新技術(shù)企業(yè)，主要產(chǎn)品為GaN基高亮度LED外延片、芯片，主要應(yīng)用于顯示背光、通用照明、醫(yī)療美容等中高端應(yīng)用領(lǐng)域。。目前，公司已經(jīng)發(fā)展成為國內(nèi)高亮度LED芯片的主流廠家之一。
客戶遇到的挑戰(zhàn)
市場上大部分的熱阻測試設(shè)備，采用落后的采樣方法（脈沖法），其測量的數(shù)據(jù)量非常稀少（整個溫度變化過程總計都不超過150個采樣點），因此測試曲線的精度和平滑性都很差，完全無法準確分析出器件內(nèi)部封裝構(gòu)造的結(jié)構(gòu)函數(shù)，而且也提供不了頻域分析結(jié)果，分析結(jié)果中的RC網(wǎng)絡(luò)級數(shù)甚至都不超過10個，這些參數(shù)尤其是平滑的溫度變化曲線是所有后續(xù)分析的最重要基礎(chǔ)數(shù)據(jù)。
客戶如何接觸到T3Ster
T3Ster熱阻測試儀在市場上廣受認可，很多企業(yè)實驗室會選擇這款儀器來使用。通過庭田科技公司的專家顧問團隊給予的售前技術(shù)支持，聚燦光電更全面的了解到T3Ster無可比擬的產(chǎn)品優(yōu)勢。
客戶為何選擇T3Ster？
展開 基于Fluent電磁流場散熱特性仿真
表2 方案一和方案二的仿真溫度對比
3.2.2 風(fēng)道高度對散熱效果的影響
導(dǎo)風(fēng)筋可將進風(fēng)聚集至散熱片，構(gòu)成散熱片專用風(fēng)道，同時聚風(fēng)板可將進風(fēng)聚集到線圈盤上表面與微晶面板下表面之間的間隙處，構(gòu)成線圈盤專用風(fēng)道，當(dāng)進風(fēng)流經(jīng)該風(fēng)道時，不僅可為線圈盤散熱，還可有效隔絕來自微晶面板的輻射傳熱。然而，線圈盤專用風(fēng)道的高度會影響進風(fēng)量，進而影響發(fā)熱元件的散熱效果，因此方案二和方案三采用了不同的風(fēng)道高度，來探究其對散熱效果的影響。
方案二和方案三的內(nèi)部散熱結(jié)構(gòu)如圖5(b)所示，導(dǎo)風(fēng)筋、聚風(fēng)板、軸流風(fēng)機、PCB電路板以及線圈盤的位置相同，不同點是方案三將微晶面板向上偏移2mm，進而線圈盤專用風(fēng)道的高度與方案二相比增加了2mm。兩個方案通過仿真模型計算出的內(nèi)部溫度云圖如圖7所示。基于圖7可看出，高溫區(qū)域受進風(fēng)影響向電磁爐的出風(fēng)口方向移動。然而，方案三的高溫區(qū)域堆積在邊緣處，沒有從出風(fēng)口排出，說明將微晶面板向上偏移2mm后，線圈盤上方的空間增大，空氣由出風(fēng)口排出的路徑也相應(yīng)增長，不利于經(jīng)熱交換之后的熱空氣排出電磁爐，不利于線圈盤的散熱。
圖7 方案二和方案三的溫度云圖
兩個方案計算出不同測溫點的溫度總結(jié)于表3。方案三各點溫度均高于方案二，說明將線圈盤專用風(fēng)道的高度增加后，線圈盤的散熱效果有所減弱，進而影響到位于線圈盤下方的散熱片的散熱。
表3 方案二和方案三的仿真溫度對比
4 總結(jié)
通過運用Fluent計算流體動力學(xué)仿真，對電磁爐內(nèi)部散熱結(jié)構(gòu)的設(shè)計提供了思路，具體為：
（1）線圈盤與散熱片可采用分層放置的方式，即線圈盤放置于散熱片的上方，這樣可利用導(dǎo)風(fēng)筋和聚風(fēng)板的結(jié)構(gòu)，形成線圈盤和散熱片專用風(fēng)道，合理分配進風(fēng)量，有利于發(fā)熱元件的散熱。
展開 FCBGA封裝的 CPU 芯片散熱性能影響因素研究
同時，芯片集成化和小封裝的需求也不斷增長，這就導(dǎo)致了芯片的功率密度(單位面積的功耗)越來越高，因此芯片散熱問題日趨嚴峻。芯片散熱是將芯片晶圓產(chǎn)生的熱量傳遞到外界環(huán)境中去,主要通過對流、傳導(dǎo)和輻射3種換熱形式進行。
圖1 服務(wù)器CPU功耗增長趨勢
02
CPU 散熱方式
對于FCBGA(Flip Chip Ball Grid Array)倒裝球柵陣列封裝的CPU芯片來說，通常有2個傳熱路徑：一部分熱量通過封裝底面的焊盤傳導(dǎo)至主板上進行散熱；另外一部分熱量通過封裝頂面?zhèn)鲗?dǎo)至散熱器，再由散熱器向外界環(huán)境散熱。根據(jù)FCBGA封裝的結(jié)構(gòu)特性和相關(guān)研究表明，約90%以上的熱量是通過封裝頂面?zhèn)鲗?dǎo)至散熱器進行散熱。因此，為提高芯片散熱效率，需要盡量減少芯片晶圓到外界環(huán)境的散熱熱阻。如圖2所示，為某FCBGA封裝的CPU傳熱結(jié)構(gòu)和傳熱熱阻鏈路示意圖。
展開 Ansys fluent16.0流固耦合散熱仿真
穩(wěn)態(tài)求解：風(fēng)扇用MRF模型，在cell zone conditions中勾選Frame motion，設(shè)置好旋轉(zhuǎn)中心和轉(zhuǎn)速；
一、流固耦合交界面處理方法：
1、在SCDM中設(shè)置共享拓撲；
2、打開fluent meshing，軟件自動生成contact，每個接觸重命名為interface，在fluent中會自動生成交界面；
3、把自動生成的contact刪除，單獨命名各個接觸面為interface，之后在fluent/mesh interfaces中手動匹配；
4、將接觸的part進行form new part操作，之后就不用進行交界面的耦合操作（共節(jié)點）；
二、常見報錯：
1、 does not support overlapping geometry in contact region;
2、 does not support overlapping geometry in named sections;
第一種報錯是因為有一個面被設(shè)置在了多個接觸對中，檢查接觸面，刪除重復(fù)接觸面；
第二種報錯是因為有一個面被重復(fù)的命名，檢查named section，刪除重復(fù)命名截面；
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