共模電感的案例
干貨｜圖文并茂詳解共模電感
(1)差模電流通過共模線圈，磁力線方向相反，感應(yīng)磁場削弱，從如下圖磁力線方向可以看出—實(shí)線箭頭表示電流方向，虛線表示磁場方向
(2)共模電流通過共模線圈，磁力線方向相同，感應(yīng)磁場加強(qiáng)，從如下圖磁力線方向可以看出—實(shí)線箭頭表示電流方向，虛線表示磁場方向
共模線圈的電感或者稱為自感系數(shù)，我們知道電感是表征產(chǎn)生磁場的能力，對(duì)于共模線圈或者共模電感，當(dāng)共模電流流過線圈時(shí)，由于磁力線方向相同，在不考慮漏感的情況下，磁通量疊加，其原理是互感，下圖紅色線圈產(chǎn)生的磁力線穿過藍(lán)色線圈，同時(shí)藍(lán)色線圈產(chǎn)生的磁力線也穿過紅色線圈，彼此相互感應(yīng)。
從電感的角度來看，電感量也是成倍增加，磁鏈代表了總磁通量，對(duì)于共模電感，當(dāng)磁通量是原來的2倍時(shí)，匝數(shù)沒有發(fā)生變化，電流也沒沒有發(fā)生變化，那么意味著電感量增加為原來的2倍，也就意味著等效磁導(dǎo)率變?yōu)樵瓉淼?倍。
等效磁導(dǎo)率何以增加一倍，從下面的電感公式來看，由于匝數(shù)N不改變、磁路和磁芯截面積由磁芯的物理尺寸決定，因此也沒有改變，唯一就是磁導(dǎo)率u增加了一倍，因而可以產(chǎn)生更多的磁通量
所以，共模電感在共模電流通過時(shí)，工作在互感模式下，在互感的作用下，等效電感量被成本增加，因而共模感抗會(huì)成倍增加，因而對(duì)共模信號(hào)有良好的濾波作用，也就是將共模信號(hào)用大阻抗阻擋，不讓其通過共模電感，也就是不讓此信號(hào)傳輸?shù)诫娐返南乱患?jí)，如下是電感產(chǎn)生的感抗ZL。
展開 四個(gè)腿的電感是什么？有什么作用？
1) 差模電流通過共模線圈，磁力線方向相反，感應(yīng)磁場削弱，從如下圖磁力線方向可以看出—實(shí)線箭頭表示電流方向，虛線表示磁場方向
2) 共模電流通過共模線圈，磁力線方向相同，感應(yīng)磁場加強(qiáng)，從如下圖磁力線方向可以看出—實(shí)線箭頭表示電流方向，虛線表示磁場方向。
共模線圈的電感或者稱為自感系數(shù)，我們知道電感是表征產(chǎn)生磁場的能力。
對(duì)于共模線圈或者共模電感，當(dāng)共模電流流過線圈時(shí)，由于磁力線方向相同，在不考慮漏感的情況下，磁通量疊加，其原理是互感。
下圖紅色線圈產(chǎn)生的磁力線穿過藍(lán)色線圈，同時(shí)藍(lán)色線圈產(chǎn)生的磁力線也穿過紅色線圈，彼此相互感應(yīng)。
從電感的角度來看，電感量也是成倍增加，磁鏈代表了總磁通量。
對(duì)于共模電感，當(dāng)磁通量是原來的2倍時(shí)，匝數(shù)沒有發(fā)生變化，電流也沒沒有發(fā)生變化，此時(shí)電感量增加為原來的2倍，意味著等效磁導(dǎo)率變?yōu)樵瓉淼?倍。
等效磁導(dǎo)率何以增加一倍，從下面的電感公式來看，由于匝數(shù)N不改變、磁路和磁芯截面積由磁芯的物理尺寸決定，因此也沒有改變，唯一就是磁導(dǎo)率u增加了一倍，因而可以產(chǎn)生更多的磁通量。
所以，共模電感在共模電流通過時(shí)，工作在互感模式下。
在互感的作用下，等效電感量被成倍增加，共模感抗也會(huì)成倍增加，因而對(duì)共模信號(hào)有良好的濾波作用，也就是將共模信號(hào)用大阻抗阻擋，不讓其通過共模電感，即不讓此信號(hào)傳輸?shù)诫娐返南乱患?jí)，如下是電感產(chǎn)生的感抗ZL。
認(rèn)識(shí)共模電感在共模模式下的電感量，主要線索是認(rèn)識(shí)互感，一切的磁性元器件。無論什么名稱只要把握磁場的變化形式，透過現(xiàn)象看磁場變化的本質(zhì)，也會(huì)容易理解。
展開 EMS中的浪涌抗擾度電路分析！
不用擔(dān)心，因?yàn)?em>共模電感器中未耦合的部分，作為差模路徑中的差模電感器，將分配部分電壓。事實(shí)上，在共模電感器之后，電路已經(jīng)得到了保護(hù)。經(jīng)過測(cè)試驗(yàn)證，選擇常用的整流二極管1N4007即可。
2.共模浪涌試驗(yàn)
當(dāng)對(duì)ACL-PE或ACN-PE測(cè)試6KV浪涌時(shí)，即共模浪涌試驗(yàn)，共模路徑等效為內(nèi)阻約12Ω，脈沖電壓為6KV電壓源和共模電感.Y電容串聯(lián)。由于Y電容的選擇Y1級(jí)電容，其耐壓性較高，6KV共模浪涌的能量不足以損壞它，所以只需要保證PE如果布線與其它布線保持一定的間接，就可以輕松通過共模浪涌試驗(yàn)。
然而，由于共模電感器的兩端在浪涌試驗(yàn)過程中會(huì)產(chǎn)生高壓和飛弧。如果靠近周圍設(shè)備，可能會(huì)損壞周圍設(shè)備。因此，一個(gè)放電管或壓敏電阻可以并聯(lián)在其上限制其電壓，從而起到滅弧的作用。如圖所示MOV2所示。
還有一種方法PCB在設(shè)計(jì)過程中，在共模電感器的兩端增加放電齒，使電感器通過兩個(gè)放電尖端放電，避免通過其他路徑放電，從而盡量減少對(duì)周圍和后部設(shè)備的影響。如圖3所示ZLG致遠(yuǎn)電子型號(hào)為PA1HBxOD-10W電源模塊PCB放電齒的實(shí)物圖加入共模電感。
圖3.放電齒實(shí)物圖
總結(jié)
EDA365電子論壇
EMC實(shí)驗(yàn)通常是非常實(shí)用的，但是如果我們?cè)谠O(shè)計(jì)中掌握了一些基本的原則EMC在前級(jí)電路中，將有更多的方向進(jìn)行測(cè)試，以縮短項(xiàng)目開發(fā)的時(shí)間。
展開 【知識(shí)分享】四個(gè)腿的電感是什么？有什么作用？
1) 差模電流通過共模線圈，磁力線方向相反，感應(yīng)磁場削弱，從如下圖磁力線方向可以看出—實(shí)線箭頭表示電流方向，虛線表示磁場方向
2) 共模電流通過共模線圈，磁力線方向相同，感應(yīng)磁場加強(qiáng)，從如下圖磁力線方向可以看出—實(shí)線箭頭表示電流方向，虛線表示磁場方向。
共模線圈的電感或者稱為自感系數(shù)，我們知道電感是表征產(chǎn)生磁場的能力。
對(duì)于共模線圈或者共模電感，當(dāng)共模電流流過線圈時(shí)，由于磁力線方向相同，在不考慮漏感的情況下，磁通量疊加，其原理是互感。
下圖紅色線圈產(chǎn)生的磁力線穿過藍(lán)色線圈，同時(shí)藍(lán)色線圈產(chǎn)生的磁力線也穿過紅色線圈，彼此相互感應(yīng)。
從電感的角度來看，電感量也是成倍增加，磁鏈代表了總磁通量。
對(duì)于共模電感，當(dāng)磁通量是原來的2倍時(shí)，匝數(shù)沒有發(fā)生變化，電流也沒沒有發(fā)生變化，此時(shí)電感量增加為原來的2倍，意味著等效磁導(dǎo)率變?yōu)樵瓉淼?倍。
等效磁導(dǎo)率何以增加一倍，從下面的電感公式來看，由于匝數(shù)N不改變、磁路和磁芯截面積由磁芯的物理尺寸決定，因此也沒有改變，唯一就是磁導(dǎo)率u增加了一倍，因而可以產(chǎn)生更多的磁通量。
所以，共模電感在共模電流通過時(shí)，工作在互感模式下。
在互感的作用下，等效電感量被成倍增加，共模感抗也會(huì)成倍增加，因而對(duì)共模信號(hào)有良好的濾波作用，也就是將共模信號(hào)用大阻抗阻擋，不讓其通過共模電感，即不讓此信號(hào)傳輸?shù)诫娐返南乱患?jí)，如下是電感產(chǎn)生的感抗ZL。
認(rèn)識(shí)共模電感在共模模式下的電感量，主要線索是認(rèn)識(shí)互感，一切的磁性元器件。無論什么名稱只要把握磁場的變化形式，透過現(xiàn)象看磁場變化的本質(zhì)，也會(huì)容易理解。
展開 
詳解消滅EMC的三大利器：電容器/電感/磁珠
EDA365電子論壇
共模電感
由于EMC所面臨解決問題大多是共模干擾，因此共模電感也是我們常用的有力元件之一。
共模電感是一個(gè)以鐵氧體為磁芯的共模干擾抑制器件，它由兩個(gè)尺寸相同，匝數(shù)相同的線圈對(duì)稱地繞制在同一個(gè)鐵氧體環(huán)形磁芯上，形成一個(gè)四端器件，要對(duì)于共模信號(hào)呈現(xiàn)出大電感具有抑制作用，而對(duì)于差模信號(hào)呈現(xiàn)出很小的漏電感幾乎不起作用。
原理是流過共模電流時(shí)磁環(huán)中的磁通相互疊加，從而具有相當(dāng)大的電感量，對(duì)共模電流起到抑制作用，而當(dāng)兩線圈流過差模電流時(shí)，磁環(huán)中的磁通相互抵消，幾乎沒有電感量，所以差模電流可以無衰減地通過。
因此共模電感在平衡線路中能有效地抑制共模干擾信號(hào)，而對(duì)線路正常傳輸?shù)牟?em>模信號(hào)無影響。
共模電感在制作時(shí)應(yīng)滿足以下要求：
（1）繞制在線圈磁芯上的導(dǎo)線要相互絕緣，以保證在瞬時(shí)過電壓作用下線圈的匝間不發(fā)生擊穿短路；
（2）當(dāng)線圈流過瞬時(shí)大電流時(shí)，磁芯不要出現(xiàn)飽和；
（3）線圈中的磁芯應(yīng)與線圈絕緣，以防止在瞬時(shí)過電壓作用下兩者之間發(fā)生擊穿；
（4）線圈應(yīng)盡可能繞制單層，這樣做可減小線圈的寄生電容，增強(qiáng)線圈對(duì)瞬時(shí)過電壓的而授能力。
通常情況下，同時(shí)注意選擇所需濾波的頻段，共模阻抗越大越好，因此我們?cè)谶x擇共模電感時(shí)需要看器件資料，主要根據(jù)阻抗頻率曲線選擇。
展開 一文看雷擊浪涌的防護(hù)解析
然而，這兩部分并非真正獨(dú)立，因?yàn)?em>共模扼流圈可以提供相當(dāng)大的差模電感。
這部分差模電感可由分立的差模電感來模擬。
為了利用差模電感，在設(shè)計(jì)過程中，共模與差模不應(yīng)同時(shí)進(jìn)行，而應(yīng)該按照一定的順序來做。
首先，應(yīng)該測(cè)量共模噪聲并將其濾除掉。
采用差模抑制網(wǎng)絡(luò)（Differential Mode Rejection Network），可以將差模成分消除，因此就可以直接測(cè)量共模噪聲了。
如果設(shè)計(jì)的共模濾波器要同時(shí)使差模噪聲不超過允許范圍，那么就應(yīng)測(cè)量共模與差模的混合噪聲。
因?yàn)橐阎?em>共模成分在噪聲容限以下，因此超標(biāo)的僅是差模成分，可用共模濾波器的差模漏感來衰減。
對(duì)于低功率電源系統(tǒng)，共模扼流圈的差模電感足以解決差模輻射問題，因?yàn)椴?em>模輻射的源阻抗較小，因此只有極少量的電感是有效的。
對(duì)4000Vp以下的浪涌電壓進(jìn)行抑制，一般只需采用LC電路進(jìn)行限流和平滑濾波，把脈沖信號(hào)盡量壓低到2~3倍脈沖信號(hào)平均值的水平即可。
由于L1、L2有50周電網(wǎng)電流流過，電感很容易飽和，因此，L1、L2一般都采用一種漏感很大的共模電感。
用在交流，直流的都有，通常我們?cè)陔娫碋MI濾波器，開關(guān)電源中常見到，而直流側(cè)少見，在汽車電子中能夠看到用在直流側(cè)。
加入共模電感是為了消除并行線路上的共模干擾（有兩線的，也有多線的）。
由于電路上兩線阻抗的不平衡，共模干擾最終體現(xiàn)在差模上。
用差模濾波方法很難濾除。
共模電感到底需要用在哪。
共模干擾通常是電磁輻射，空間耦合過來的，那么無論是交流還是直流，你有長線傳輸，就涉及到共 模濾波就得加共模電感。
例如：
USB線好多就在線上加磁環(huán)。
開關(guān)電源入口，交流電是遠(yuǎn)距離傳輸過來的，就需要加。
通常直流側(cè)不需要遠(yuǎn)傳就不需要加了。
展開 【干貨分享】EMC中的基石-電磁兼容濾波知識(shí)大全
EMC技能:整改小技巧
1、150kHz-1MHz，以差模為主，1MHz-5MHz，差模和共模共同起作用，5MHz 以后基本上是共模。差模干擾的分容性藕合和感性藕合。一般1MHz以上的干擾是共模，低頻段是差摸干擾。用一個(gè)電阻串個(gè)電容后再并到Y(jié)電容的引腳上，用示波器測(cè)電阻兩引腳的電壓可以估測(cè)共模干擾。
2、保險(xiǎn)過后加差模電感或電阻。
3、小功率電源可采用PI型濾波器處理(建議靠近變壓器的電解電容可選用較大些)。
4、前端的π型EMI零件中差模電感只負(fù)責(zé)低頻EMI，體積別選太大(DR8太大，能用電阻型式或DR6更好)否則幅射不好過，必要時(shí)可串磁珠，因?yàn)楦哳l會(huì)直接飛到前端不會(huì)跟著線走。5、傳導(dǎo)冷機(jī)時(shí)在0.15MHz-1MHz超標(biāo)，熱機(jī)時(shí)就有7dB余量。主要原因是初級(jí)BULk電容DF值過大造成的，冷機(jī)時(shí)ESR比較大，熱機(jī)時(shí)ESR比較小，開關(guān)電流在ESR上形成開關(guān)電壓，它會(huì)壓在一個(gè)電流LN線間流動(dòng)，這就是差模干擾。解決辦法是用ESR低的電解電容或者在兩個(gè)電解電容之間加一個(gè)差模電感。
6、測(cè)試150kHz總超標(biāo)的解決方案：加大X電容看一下能不能下來，如果下來了說明是差模干擾。如果沒有太大作用那么是共模干擾，或者把電源線在一個(gè)大磁環(huán)上繞幾圈， 下來了說明是共模干擾。如果干擾曲線后面很好，就減小Y電容，看一下布板是否有問題，或者就在前面加磁環(huán)。
7、可以加大PFC輸入部分的單繞組電感的電感量。
8、PWM線路中的元件將主頻調(diào)到60kHz左右。
9、用一塊銅皮緊貼在變壓器磁芯上。
10、共模電感的兩邊感量不對(duì)稱，有一邊匝數(shù)少一匝也可引起傳導(dǎo)150kHz-3MHz超標(biāo)。
展開 硬件特訓(xùn)班問題解答【57問-8】
希望老師給個(gè)常用的推薦電路配置，謝謝
(1)其實(shí)對(duì)于電源入口或者通訊接口其防護(hù)設(shè)計(jì)都是類似的，其重點(diǎn)永遠(yuǎn)都是一樣的，即EMC輔助電路設(shè)計(jì)
(2)EMC輔助電路設(shè)計(jì)和EMC設(shè)計(jì)都是類似的，即EMI濾波和EMS防護(hù)
(3)EMI濾波我們主要考慮差模濾波和共模濾波，其關(guān)鍵是根據(jù)具體產(chǎn)品決定幾階濾波，比如說共模濾波，我們可以通過共模電容+共模電感實(shí)現(xiàn)二階共模濾波，其差模也類似，大家可以參考220VAC電源入口的XY電容以及共模電感差模電感其設(shè)計(jì)
(4)EMS防護(hù)，首先其設(shè)計(jì)規(guī)則是多階防護(hù)逐級(jí)遞減，其一般是通過GDT,TVS,MOS等共同來實(shí)現(xiàn);其實(shí)我們的EMS防護(hù)主要是針對(duì)于surge進(jìn)行防護(hù)，當(dāng)然造成surge的機(jī)制非常多，有靜電，有雷擊，有電網(wǎng)的電壓突然跌落等等等等；而浪涌的表現(xiàn)形式也有兩種:共模浪涌能量和差模浪涌能量，所以在EMS防護(hù)電路設(shè)計(jì)里面我們也要把這兩塊考慮進(jìn)去，也就是紀(jì)要防護(hù)共模浪涌能量也要防護(hù)差模浪涌能量
(5)其常見的設(shè)計(jì)套路如下圖:
(6)至于說XY電容，共模電感，差模電感，EMC基礎(chǔ)，GDT,MOV,TVS其內(nèi)部結(jié)構(gòu)，工作原理，具體選型，設(shè)計(jì)等等更詳細(xì)的內(nèi)容可以參考老白硬件特訓(xùn)班:
https://item.taobao.com/item.htm?spm=a1z10.5-c-s.w4002-21870440440.43.c3cb1839bIEpvV&id=6315286
2.
展開 【干貨分享】PCB布局思路分析
11、 接口保護(hù)器件擺放順序要求：(1)一般電源防雷保護(hù)器件的順序是：壓敏電阻、保險(xiǎn)絲、抑制二極管、EMI濾波器、電感或者共模電感，對(duì)于原理圖 缺失上面任意器件順延布局;(2)一般對(duì)接口信號(hào)的保護(hù)器件的順序是：ESD(TVS管)、隔離變壓器、共模電感、電容、電阻，對(duì)于原理圖缺失上面任意器件順延布局;嚴(yán)格按照原理圖的順序(要有判斷原理圖是否正確的能力)進(jìn)行“一字型”布局。
12、電平變換芯片(如RS232)靠近連接器(如串口)放置。
13、 易受ESD干擾的器件，如NMOS、 CMOS器件等，盡量遠(yuǎn)離易受ESD干擾的區(qū)域(如單板的邊緣區(qū)域)。
14、 時(shí)鐘器件布局：(1)晶體、晶振和時(shí)鐘分配器與相關(guān)的IC器件要盡量靠近;(2)時(shí)鐘電路的濾波器(盡量采用“∏”型濾波)要靠近時(shí)鐘 電路的電源輸入管腳;(3)晶振和時(shí)鐘分配器的輸出是否串接一個(gè)22歐姆的電阻;(4)時(shí)鐘分配器沒用的輸出管腳是否通過電阻接地;(5)晶體、晶振和時(shí)鐘分配器的布局要注意遠(yuǎn)離大功率的元器件、散熱器等發(fā)熱的器件;(6)晶振距離板邊和接口器件是否大于1inch。
15、開關(guān)電源是否遠(yuǎn)離AD\DA轉(zhuǎn)換器、模擬器件、敏感器件、時(shí)鐘器件。
16、開關(guān)電源布局要緊湊，輸入\輸出要分開， 嚴(yán)格按照原理圖的要求進(jìn)行布局，不要將開關(guān)電源的電容隨意放置。
展開 干貨｜開關(guān)電源電路各種損耗的分析
01
輸入部分損耗
1、脈沖電流造成的共模電感T的內(nèi)阻損耗加大
適當(dāng)設(shè)計(jì)共模電感，包括線徑和匝數(shù)
2、放電電阻上的損耗
在符合安規(guī)的前提下加大放電電阻的組織
3、熱敏電阻上的損耗
在符合其他指標(biāo)的前提下減小熱敏電阻的阻值
02
啟動(dòng)損耗
普通的啟動(dòng)方法，開關(guān)電源啟動(dòng)后啟動(dòng)電阻回路未切斷，此損耗持續(xù)存在。
改善方法：恒流啟動(dòng)方式啟動(dòng)，啟動(dòng)完成后關(guān)閉啟動(dòng)電路降低損耗。
PCB這樣布局，才能事半功倍
11、 接口保護(hù)器件擺放順序要求：(1)一般電源防雷保護(hù)器件的順序是：壓敏電阻、保險(xiǎn)絲、抑制二極管、EMI濾波器、電感或者共模電感，對(duì)于原理圖 缺失上面任意器件順延布局;(2)一般對(duì)接口信號(hào)的保護(hù)器件的順序是：ESD(TVS管)、隔離變壓器、共模電感、電容、電阻，對(duì)于原理圖缺失上面任意器件順延布局;嚴(yán)格按照原理圖的順序(要有判斷原理圖是否正確的能力)進(jìn)行“一字型”布局。
12、電平變換芯片(如RS232)靠近連接器(如串口)放置。
13、 易受ESD干擾的器件，如NMOS、 CMOS器件等，盡量遠(yuǎn)離易受ESD干擾的區(qū)域(如單板的邊緣區(qū)域)。
14、 時(shí)鐘器件布局：(1)晶體、晶振和時(shí)鐘分配器與相關(guān)的IC器件要盡量靠近;(2)時(shí)鐘電路的濾波器(盡量采用“∏”型濾波)要靠近時(shí)鐘 電路的電源輸入管腳;(3)晶振和時(shí)鐘分配器的輸出是否串接一個(gè)22歐姆的電阻;(4)時(shí)鐘分配器沒用的輸出管腳是否通過電阻接地;(5)晶體、晶振和時(shí)鐘分配器的布局要注意遠(yuǎn)離大功率的元器件、散熱器等發(fā)熱的器件;(6)晶振距離板邊和接口器件是否大于1inch。
15、開關(guān)電源是否遠(yuǎn)離AD\DA轉(zhuǎn)換器、模擬器件、敏感器件、時(shí)鐘器件。
16、開關(guān)電源布局要緊湊，輸入\輸出要分開， 嚴(yán)格按照原理圖的要求進(jìn)行布局，不要將開關(guān)電源的電容隨意放置。
展開 
干貨｜詳盡分析開關(guān)電源電路的各種損耗
輸入部分損耗
1、脈沖電流造成的共模電感T的內(nèi)阻損耗加大
適當(dāng)設(shè)計(jì)共模電感，包括線徑和匝數(shù)
2、放電電阻上的損耗
在符合安規(guī)的前提下加大放電電阻的組織
3、熱敏電阻上的損耗
在符合其他指標(biāo)的前提下減小熱敏電阻的阻值
啟動(dòng)損耗
普通的啟動(dòng)方法，開關(guān)電源啟動(dòng)后啟動(dòng)電阻回路未切斷，此損耗持續(xù)存在。
改善方法：恒流啟動(dòng)方式啟動(dòng)，啟動(dòng)完成后關(guān)閉啟動(dòng)電路降低損耗。
干貨｜詳細(xì)分析開關(guān)電源電路的各種損耗
輸入部分損耗
1、脈沖電流造成的共模電感T的內(nèi)阻損耗加大
適當(dāng)設(shè)計(jì)共模電感，包括線徑和匝數(shù)
2、放電電阻上的損耗
在符合安規(guī)的前提下加大放電電阻的組織
3、熱敏電阻上的損耗
在符合其他指標(biāo)的前提下減小熱敏電阻的阻值
啟動(dòng)損耗
普通的啟動(dòng)方法，開關(guān)電源啟動(dòng)后啟動(dòng)電阻回路未切斷，此損耗持續(xù)存在。
改善方法：恒流啟動(dòng)方式啟動(dòng)，啟動(dòng)完成后關(guān)閉啟動(dòng)電路降低損耗。
干貨 | 開關(guān)電源電路各種損耗的分析
▲
了解更多精彩內(nèi)容 點(diǎn)擊上方
藍(lán)字
關(guān)注我們
01
輸入部分損耗
1、脈沖電流造成的共模電感T的內(nèi)阻損耗加大
適當(dāng)設(shè)計(jì)共模電感，包括線徑和匝數(shù)
2、放電電阻上的損耗
在符合安規(guī)的前提下加大放電電阻的組織
3、熱敏電阻上的損耗
在符合其他指標(biāo)的前提下減小熱敏電阻的阻值
02
啟動(dòng)損耗
普通的啟動(dòng)方法，開關(guān)電源啟動(dòng)后啟動(dòng)電阻回路未切斷，此損耗持續(xù)存在。
MTC-PD65W1C-CTA1快充電源-使用MTC-650V Cascode D-GaN
EMI濾波器(EMI小板) :
為了符合CISPR22B/EN55022的標(biāo)準(zhǔn)，需設(shè)計(jì)合適的濾波電路，例如共模電感(LM1/LM2)、X電容(CX1)、Y電容(CY1)、濾波電感(L1)且配合電流較佳回路達(dá)到較好的EMI效果，EMI小板設(shè)計(jì)主要是降低電磁干擾。
USB PD3.0 (協(xié)議小板) :
協(xié)議小板主要是采用協(xié)議芯片SC2151A設(shè)計(jì)，其由受電端發(fā)出電壓需求給協(xié)議IC后，控制主板改變輸出電壓，本協(xié)議必需符合 PD3.0之協(xié)議。
本協(xié)議芯片支持
-支援 DFP / UFP / DRP USB PD 3.0
-內(nèi)鍵PD 3.0協(xié)議
本報(bào)告內(nèi)容包括65W1C電氣規(guī)格、線路圖、BOM、主變壓器設(shè)計(jì)參數(shù)、線路布局，是效能量測(cè)及EMI測(cè)試結(jié)果。
優(yōu)勢(shì):
返馳式谷底偵測(cè)減少開關(guān)損失
輕載Burst Mode增加效率
較佳效能可達(dá)93%
空載損耗低于50mW
控制IC可支持頻率高達(dá)160 kHz
系統(tǒng)頻率有Jitter降低EMI干擾
控制IC可直接驅(qū)動(dòng)GaN
進(jìn)階保護(hù)功能如下：
(1) VDD過電壓及欠電壓保護(hù)
(2) 導(dǎo)通時(shí)較大峰值電流保護(hù)
(3) 輸出過電壓保護(hù)
(4) 輸出短路保護(hù)
可輸出65W功率
該快充電源廣泛應(yīng)用于：電源適配器、LED照明驅(qū)動(dòng)器、LCD顯示器電源、帶充電界面排插等領(lǐng)域。
臺(tái)灣美祿在GaN/氮化鎵領(lǐng)域頗有建樹，技術(shù)以及產(chǎn)品方面已經(jīng)很完善，如果想了解更多GaN/氮化鎵的技術(shù)資料，歡迎致電聯(lián)系：133 9280 5792(微信同號(hào))
展開 