DDR的案例
2萬字一文帶你看懂汽車智能座艙的存儲DDR市場、技術
目前市場上打造的L2級別的駕駛，都沒有使用到激光雷達，只有谷歌的waymo使用了4顆激光雷達還有奧迪A8的使用了1顆激光雷達，不過從自動駕駛的路徑上來看，分布式的域控制器，在L3級別之前，如果激光雷達的成本沒有大幅下降，目前是不會使用的，但是要達到L4，必須使用，此時對于DDR帶寬要求會變大。
L5級別的自動駕駛會上到中央處理器，此時對于該處理器的要求會更高，按照目前的算力要求來看，CPU至少需要100-200TFLOPS的算力。
同時我們看看DDR的帶寬至少需要448GB/s，目前普通的DDR是無法滿足要求的，需要使用顯卡上用到的GDDR6，需要使用到8顆DDR。
最終我們來看看DDR 在自動駕駛不同階段的帶寬要求匯總，可以看到在L2階段帶寬要求68GB/s，使用LPDDR4可以滿足，在L3階段的帶寬要求為150GB/s，此時需要使用LPDDR5，在L4和L5階段帶寬要求分別是300GB/s和480GB/s，需要使用到GDDR6。
這期主要是從大局觀、車規(guī)DDR的特點、域控制器智能座艙方面來介紹DDR的帶寬和容量需求，下期內容咱們接著聊硬核內容，DDR的工作原理的那些事，有趣好玩是我的宗旨，期待你的關注。
上期內容從DDR的大局觀來分析看DDR的價格趨勢是上漲的，同時也說了車載DDR的目前容量還是偏小，主要還是使用DDR3和LPDDR3為主，后續(xù)3-5年會逐漸切換到DDR4，而且分析了域控制對于DDR帶寬的要求，智能駕駛對于DDR帶寬的要求，這期咱們的內容有點硬核，主要說說DDR的工作原理和設計注意的事項，都是機哥工作10年的干貨，DDR太高深莫測，我就點到為止。
展開 Ansys DDR Plus：效率提升5倍以上，開啟SI仿真全自動化時代
DDR Plus自動識別的DDR通道
正是在這樣的行業(yè)需求下，Ansys DDR Plus應運而生。作為一款面向高速DDR設計的全自動化SI仿真平臺，Ansys DDR Plus專注于DDR協(xié)議驗證場景，通過智能化和流程自動化，顯著縮短DDR的Sign-off周期。平臺支持DDR3/4/5、LPDDR4(X)、LPDDR5(X)等主流協(xié)議，可自動識別PCB設計中的DDR通道，并支持BGA與Wire-Bond等封裝形式，實現從建模到仿真的一站式流程打通。
在實際應用中，Ansys DDR Plus可基于Ansys HFSS與Ansys SIwave自動提取通道S參數，并自動搭建Read/Write仿真鏈路，支持Nexxim與HSPICE求解器。系統(tǒng)還能自動生成DDR驗證所需的關鍵分析指標，并在后處理中集成JEDEC規(guī)范的Sign-off標準，大幅減少人工干預與重復勞動。通過統(tǒng)一的Web-Based操作界面，工程師無需頻繁切換工具，即可高效完成復雜驗證任務。
相比傳統(tǒng)手工流程，Ansys DDR Plus帶來的價值不僅體現在效率提升，更體現在工程模式的升級。它將工程師從繁瑣的工具操作中解放出來，使其將更多精力投入設計優(yōu)化與創(chuàng)新決策。實際項目數據顯示，整體驗證效率可提升約5倍，總耗時從44.6小時壓縮至9.5小時，同時顯著降低配置錯誤率并提升結果一致性。
當DDR設計持續(xù)邁向更高速度與更高復雜度，驗證效率已成為企業(yè)競爭力的重要組成部分。Ansys DDR Plus的推出，不僅重新定義了DDR SI仿真的工作方式，也標志著DDR驗證正式邁入自動化時代。對于追求更快迭代、更高可靠性與更短上市周期的工程團隊而言，這不僅是一款工具，更是一種全新的生產力引擎。
展開 基于FPGA的一種DDR4存儲模塊設計
1 整體設計方案
整體設計方案使用模塊化，主要包括光口傳輸模塊、DDR4存儲模塊、SRIO接口模塊。本設計主要對控制芯片FPGA內部邏輯進行了優(yōu)化設計，其中包括DDR4控制器、不同時鐘域之間的數據緩存FIFO。整體方案傳輸流程如圖1所示。
光口模塊：主要是接收采集模塊傳輸過來的數據。
DDR4存儲模塊：用于緩存數據，由于SRIO接口的數據傳輸速率慢，需要通過DDR4存儲模塊先將高速數據存儲到DDR4中，然后再通過SRIO的時鐘將數據傳輸給SRIO接口模塊。
SRIO接口模塊：接收DDR4讀出來的數據，然后傳輸給上位機進行測試分析。
2 DDR4 SDRAM內部結構
DDR4 SDRAM是一種內部可配置高速動態(tài)隨機存儲器，其內部由多個Bank組成，Bank又是由很多行和列構成[3]，DDR4的尋址操作就是對行列地址進行操作。DDR4存儲器有幾個重要概念，即Bank、Bank Group及Page， 例如512Mx16的8Gb容量的DDR4， 內部主要包括2個Bank Group，每個Bank Group包括4個Bank[3]。每個Bank是由多個Page組成的，通過多Page地址去選擇相應的Page。
展開 ANSYS網絡培訓——DDR系統(tǒng)虛擬驗證平臺
培訓時間：
2016年4月19日
14:00 - 15:00
聯系人：
ANSYS中國
info-china@ansys.com
400-819-8999
培訓內容簡介：
DDR系統(tǒng)的市場應用越來越廣泛，其傳輸速率已經超2Gbps，而隨之帶來的設計挑戰(zhàn)也越來越大，時序裕量變不斷變小，系統(tǒng)電平降低，DDR本身的并行傳輸特性使得信號間的串擾耦合不斷加大，設計者必須小心的對待系統(tǒng)中每一個設計因素，封裝與PCB布線、ODT配置等。本次網絡培訓將介紹ANSYS最新發(fā)布的電磁仿真軟件中集成了全新的DDR系統(tǒng)虛擬驗證平臺，可以幫助設計者提取封裝/PCB等結構的無源傳輸模型，完成瞬態(tài)分析，并通過集成的DDR4/LPDDR5等DDR標準，自動對仿真結果進行測量分析，直接得到DDR系統(tǒng)的Pass/Fail指標，大大提高仿真設計效率，幫助設計者在有限的設計周期內盡可能提高DDR系統(tǒng)的可靠性與穩(wěn)定性。
報名方式
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展開 
高密度DDR3系列芯片
<h1><strong>高密度DDR3芯片特點</strong></h1><p>高密度DDR3芯片是一種具有較高存儲容量的動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）芯片。其特點主要包括以下幾個方面：</p><p>1. 高存儲容量：相較于傳統(tǒng)DDR3芯片，具有更大的存儲容量，可以提供更多的存儲空間。</p><p>2. 高速度：采用了更先進的制造工藝和設計技術，使得其數據傳輸速度更快，能夠更高效地處理大量數據。</p><p>3. 低功耗：在設計上優(yōu)化了功耗控制，能夠在提供高性能的同時，降低功耗，延長電池壽命。</p><p>4. 高穩(wěn)定性：采用了更可靠的電路設計和制造工藝，具有較高的穩(wěn)定性和可靠性，能夠長時間穩(wěn)定運行。</p><h1><strong>高密度DDR3芯片的應用領域</strong></h1><p>高密度DDR3芯片在各個領域都有廣泛的應用，主要包括以下幾個方面：</p><p>1. 服務器和數據中心：提供大容量的內存支持，適用于服務器和數據中心等需要處理大量數據的場景；</p><p>2. 人工智能和機器學習：芯片的高速度和高存儲容量使其成為人工智能和機器學習應用中的重要組成部分；</p><p>3. 移動設備：芯片的低功耗和高性能特點使其成為移動設備如智能手機和平板電腦的理想選擇；</p><p>4.
展開 高密度DDR4芯片：卓越性能與微型化技術的完美融合
高密度DDR4芯片作為當前內存技術的杰出代表，不僅憑借其卓越的性能表現和微型化技術贏得了廣泛認可，還在多個方面展現出了獨特的優(yōu)勢。
首先，從微型化技術的角度來看，高密度DDR4芯片采用了先進的制程工藝和緊湊的封裝設計。這一創(chuàng)新舉措使得芯片能夠在保持高性能的同時，實現了更小的體積和更輕的重量。這不僅為電子系統(tǒng)提供了更多的空間布局選擇，還降低了整體能耗和散熱壓力，進一步增強了系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。
其次，在性能表現方面，高密度DDR4芯片展現出了令人矚目的數據傳輸能力。其數據傳輸速度高達2400Mb/s，比傳統(tǒng)的DDR3內存快了近一倍。這意味著在系統(tǒng)處理大規(guī)模數據任務時，高密度DDR4芯片能夠提供更快的數據處理速度和更高的工作效率。同時，該芯片還具備出色的數據吞吐能力，能夠滿足多任務處理和實時響應的需求，為用戶提供更流暢、更便捷的使用體驗。
此外，高密度DDR4芯片還具備出色的低功耗特性。通過降低工作電壓至1.2伏特，該芯片在保持高性能的同時，有效減少了能源消耗和熱量產生。這一特性使得高密度DDR4芯片在長時間運行或高溫環(huán)境下也能保持穩(wěn)定的性能表現，減少了系統(tǒng)故障和損壞的風險。
值得一提的是，高密度DDR4芯片還具備寬廣的工作溫度范圍。其工作溫度范圍可達-40℃至+95℃，能夠在極端環(huán)境下穩(wěn)定工作。無論是極寒的戶外設備還是高溫的生產線，該芯片都能保持出色的性能表現，為各種復雜多變的工業(yè)應用場景提供了強有力的支持。
與分立式芯片封裝相比，FBGA（細間距球柵陣列）封裝空間效率和元件優(yōu)化達到了顯著水平；
從空間占用角度看，FBGA（細間距球柵陣列）封裝實現了高達75%的空間節(jié)省。這一優(yōu)勢源于它將多個功能單元緊密地集成在一個芯片內部，從而顯著減少了所需的物理空間。這對于追求極致緊湊和高效能的現代電子產品來說，具有極其重要的價值。
展開 【放大招！】Mentor DDRx 接口一站式解決方案促銷計劃
為方便大家更好地了解、使用HyperLynx? DDRx仿真驗證功能，即日起，截止至2020年9月30號，Mentor提供3種DDRx接口驗證解決方案促銷計劃：
DDR3 仿真驗證專家套包 促銷價：$15K
以一套PCB設計工具的價格，將獲得一個DDR3 PCB設計驗證平臺。
HyperLynx? DDR3仿真驗證專家套包DDR3 接口設計驗證提供了強大的集成電氣設計規(guī)則檢查，信號串擾和時序分析，直流壓降分析，板級熱分析于驗證平臺，顯著縮短PCB的設計和調試周期。? 預設DDR3接口PCB設計驗證規(guī)則
? 分析電源平面分割等導致銅損耗造成的電壓降
? 自動布線后 DDR3 接口信號時序驗證
? 分析信號組和耦合關系的集成信號串擾和系統(tǒng)級時序仿真分析
? 與Mentor Xpedition/ PADS緊密集成，并支持導入業(yè)界通用的設計工具Altium? Designer, OrCAD?, Allegro?, 和CADSTAR?等設計數據導入
DDR3 仿真驗證套包 促銷價：$10K
以一套PCB設計工具的價格，將獲得一個DDR3 PCB設計驗證平臺。
HyperLynx? DDR3仿真驗證套包DDR3 接口設計驗證提供了強大的集成電氣設計規(guī)則檢查，信號完整性、串擾和時序分析于驗證平臺，顯著縮短PCB的設計和調試周期。
展開 DDR4 vs LPDDR4 vs LPDDR4x：有什么區(qū)別？
2、不同的功耗
類似于DDR5降低電壓和功耗的方式，LPDDR4X的作用相同。它將I / O電壓降低了50％（1.12至0.61v），從而大大降低了存儲器以及存儲器控制器的功耗。
LPDDR4低功耗解決方案，與LPDDR3相比，功耗降低了37％。LPDDR4X的卓越節(jié)能解決方案在性能方面比超快LPDDR4進一步提高，與LPDDR4相比，其能耗降低了17％。
總結一下：
LPDDR4X可以視為LPDDR4的節(jié)能優(yōu)化版本。它具有與LPDDR4相同的頻率，帶寬和工作電壓。
唯一的區(qū)別是封裝上的電源引腳設計和測試規(guī)格不同，并且功耗得到了優(yōu)化。
簡而言之，LPDDR4X內存是LPDDR4節(jié)能的優(yōu)化版本。功耗降低約10-20％，更有利于節(jié)電。
LPDDR5 與 LPDDR4X對比呢？
LPDDR4
總線時鐘頻率1600-2133Mhz，架構 86x，電壓1.8/1.1/1.1V
LPDDR4X
總線時鐘頻率2133Mhz，架構64x與86x，電壓為1.8/1.1/0.6V
LPDDR5
數據速率3200Mhz，架構64x，電壓1.8/1.05/0.9/0.5V
就數據傳輸而言，新的LPDDR5大約比LPDDR4x快1.5倍 。LPDDR5的傳輸速度為51.2 Gbps，頻率為6,400 Mbps。
LPDDR4和LPDDR4x通過使用32bit雙通道架構（2 x 16bit）提高了。LPDDR5將移回單個16bit通道，但是，每個通道中的存儲體數量已增加到2倍。
展開 電子設計基本概念100問解析（91-100問）
答：PCB設計中常用的存儲器有如下幾種：
? SDRAM，Synchronous Dynamic Random Access Memory（同步動態(tài)隨機存儲器）的簡稱，SDRAM采用3.3v工作電壓，帶寬64位，SDRAM將CPU與RAM通過一個相同的時鐘鎖在一起，使RAM和CPU能夠共享一個時鐘周期，以相同的速度同步工作，與 EDO內存相比速度能提高50%；
? DDR， Dual Data Rate雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器,嚴格的說DDR應該叫DDR SDRAM，人們習慣稱為DDR。與傳統(tǒng)的單數據速率相比，DDR技術實現了一個時鐘周期內進行兩次讀/寫操作，即在時鐘的上升沿和下降沿分別執(zhí)行一次讀/寫操作；
? DDR2，DDR2（Double Data Rate 2）SDRAM是由JEDEC（電子設備工程聯合委員會）進行開發(fā)的新生代內存技術標準，它與上一代DDR內存技術標準最大的不同就是，雖然同是采用了在時鐘的上升/下降沿同時進行數據傳輸的基本方式，但DDR2內存卻擁有兩倍于上一代DDR內存預讀取能力（即：4bit數據讀預?。?。換句話說，DDR2內存每個時鐘能夠以4倍外部總線的速度讀/寫數據，并且能夠以內部控制總線4倍的速度運行;
? DDR3，DDR3（Double Data Rate 3）SDRAM是DDR2的升級產品，采用8bit預取設計，而DDR2為4bit預取，采用點對點的拓撲架構，以減輕地址/命令與控制總線的負擔，采用100nm以下的生產工藝，將工作電壓從DDR2的1.8V降至1.5V，增加異步重置（Reset）與ZQ校準功能；
? FLASH，Flash內存即Flash Memory，全名叫Flash EEPROM Memory，又名閃存，是一種長壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲的數據信息）的存儲器。
展開 電子設計基本概念100問解析（91-100問）
答：PCB設計中常用的存儲器有如下幾種：
? SDRAM，Synchronous Dynamic Random Access Memory（同步動態(tài)隨機存儲器）的簡稱，SDRAM采用3.3v工作電壓，帶寬64位，SDRAM將CPU與RAM通過一個相同的時鐘鎖在一起，使RAM和CPU能夠共享一個時鐘周期，以相同的速度同步工作，與 EDO內存相比速度能提高50%；
? DDR， Dual Data Rate雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器,嚴格的說DDR應該叫DDR SDRAM，人們習慣稱為DDR。與傳統(tǒng)的單數據速率相比，DDR技術實現了一個時鐘周期內進行兩次讀/寫操作，即在時鐘的上升沿和下降沿分別執(zhí)行一次讀/寫操作；
? DDR2，DDR2（Double Data Rate 2）SDRAM是由JEDEC（電子設備工程聯合委員會）進行開發(fā)的新生代內存技術標準，它與上一代DDR內存技術標準最大的不同就是，雖然同是采用了在時鐘的上升/下降沿同時進行數據傳輸的基本方式，但DDR2內存卻擁有兩倍于上一代DDR內存預讀取能力（即：4bit數據讀預?。?。換句話說，DDR2內存每個時鐘能夠以4倍外部總線的速度讀/寫數據，并且能夠以內部控制總線4倍的速度運行;
? DDR3，DDR3（Double Data Rate 3）SDRAM是DDR2的升級產品，采用8bit預取設計，而DDR2為4bit預取，采用點對點的拓撲架構，以減輕地址/命令與控制總線的負擔，采用100nm以下的生產工藝，將工作電壓從DDR2的1.8V降至1.5V，增加異步重置（Reset）與ZQ校準功能；
? FLASH，Flash內存即Flash Memory，全名叫Flash EEPROM Memory，又名閃存，是一種長壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲的數據信息）的存儲器。
展開 電子設計基本概念100問解析（91-100問）
答：PCB設計中常用的存儲器有如下幾種：
? SDRAM，Synchronous Dynamic Random Access Memory（同步動態(tài)隨機存儲器）的簡稱，SDRAM采用3.3v工作電壓，帶寬64位，SDRAM將CPU與RAM通過一個相同的時鐘鎖在一起，使RAM和CPU能夠共享一個時鐘周期，以相同的速度同步工作，與 EDO內存相比速度能提高50%；
? DDR， Dual Data Rate雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器,嚴格的說DDR應該叫DDR SDRAM，人們習慣稱為DDR。與傳統(tǒng)的單數據速率相比，DDR技術實現了一個時鐘周期內進行兩次讀/寫操作，即在時鐘的上升沿和下降沿分別執(zhí)行一次讀/寫操作；
? DDR2，DDR2（Double Data Rate 2）SDRAM是由JEDEC（電子設備工程聯合委員會）進行開發(fā)的新生代內存技術標準，它與上一代DDR內存技術標準最大的不同就是，雖然同是采用了在時鐘的上升/下降沿同時進行數據傳輸的基本方式，但DDR2內存卻擁有兩倍于上一代DDR內存預讀取能力（即：4bit數據讀預?。Q句話說，DDR2內存每個時鐘能夠以4倍外部總線的速度讀/寫數據，并且能夠以內部控制總線4倍的速度運行;
? DDR3，DDR3（Double Data Rate 3）SDRAM是DDR2的升級產品，采用8bit預取設計，而DDR2為4bit預取，采用點對點的拓撲架構，以減輕地址/命令與控制總線的負擔，采用100nm以下的生產工藝，將工作電壓從DDR2的1.8V降至1.5V，增加異步重置（Reset）與ZQ校準功能；
? FLASH，Flash內存即Flash Memory，全名叫Flash EEPROM Memory，又名閃存，是一種長壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲的數據信息）的存儲器。
展開 
2023年人工智能訓練與推理工作站、服務器、集群硬件配置推薦
性能指標
價格
1.1
UltraLAB GA320i 14932-MAX
intel第13代超頻處理器(14核，其中6核4.9Ghz/8核3.8GHz)/32GB DDR5/ RTX4080 /1TB PCIe SSD /6TB SATA/微塔式(2000w) /24"2K圖顯
16GB
48.5T
￥35,000
1.2
UltraLAB GA320i 15064-MAT
intel第13代超頻處理器(14核，其中6核5.0Ghz/8核3.8GHz)/64GB DDR5/ RTX4090 /1TB PCIe SSD /8TB SATA/微塔式(2000w) /24"2K圖顯
24GB
82.58T
￥46,500
1.3
UltraLAB GA320i 157128-PCT
intel第13代超頻處理器(24核，其中8核5.7Ghz/16核4.0GHz)/128GB DDR5/ RTX4090 /3.84TB PCIe SSD/16TB SATA/微塔式(2000w) /24"2K圖顯
24GB
82.58T
￥57,000
1.4
UltraLAB GA320i 153128-MBF
intel第13代超頻處理器(14核，其中8核5.3Ghz /8核4.0GHz)/128GB DDR5/RTX6000Ada 48GB /3.84TB PCIe SSD
展開 內存的技術發(fā)展-《內存的故事》續(xù)
二、DDR5
由于DRAM本身的局限性，它的技術進步一直很痛苦。DDR3到DDR4的小進步花了五年；DDR4從2012年發(fā)布第一版到今天DDR5還沒有發(fā)布(注：顯存GDDR5只是DDR3的變種)。
DRAM標準由JEDEC JC-42工作組制訂。雖然有投票機制，但DRAM的節(jié)奏其實一直由英特爾主導。
原因很簡單，英特爾確定PC路線圖：CPU或北橋芯片決定什么時間支持新標準內存。
得益于半導體工藝的進步，DDR5的核心電壓從DDR4的1.2V下降到1.1V，這有望節(jié)省20%的功耗。
(DDR5可以使系統(tǒng)通道數再翻倍。圖：Mircon)
DDR5的Burst Length和Prefetch (預讀取)從DDR4的8n增加到16n，這樣在時鐘頻率不變的情況下帶寬翻倍。為了控制高速帶來的各種信號干擾和抖動問題，DDR5還引入了核心時鐘的各種優(yōu)化調整。新的On-die ECC功能也是對服務器的大利好。
但這些這也將帶來更多的設計、測試和兼容挑戰(zhàn)，需要CPU(含內存控制器)的很大改動，從目前看大概要等到2022年。
三、LPDDR5
低功耗LPDDR5單獨拿出來因為從LPDDR4開始已經和標準DDR分道揚鑣了。
雖然LPDDR5和DDR5使用的新技術很多是共通的，但著眼點有很大不同。LPDDR5是功耗第一速度第二，而DDR5追求速度第一功耗第二。
因為LPDDR4已經是16n預讀取，LPDDR5主要靠Bank group訪問實現速度提升。它追求的是超低功耗，所以供電電壓和核心電壓比DDR5都更低。
x86領域的技術進步被英特爾帶慢了節(jié)奏，但在手機領域則不同。
展開 6*RTX4090+靜音---2022年最強深度學習工作站/集群硬件配置方案
理想算法
價格
2.1
UltraLAB GT420M 12864-MB2T
Xeon銀牌4314處理器(16核2.8Ghz) /64GB DDR4/2*RTX4090 /2TB M2NVME +8TB SATA/雙塔式(2000w) /27"-4K圖顯
36GB
165T
CNN+RNN
￥79,990
2.2
UltraLAB GT420M 128128-MB4T
Xeon銀牌4316處理器(20核2.8Ghz) /128GB DDR4/4*RTX3090三風扇/ 960GB SSD /2TB M2.SSD/16TB SATA /雙塔式(2000w)/27"-4K圖顯
96GB
142T
高性能多用途
￥108,000
2.3
UltraLAB GT420M 128128-PC4T
Xeon銀牌4316處理器(20核2.8Ghz) /128GB DDR4/ 4*RTX4090 /3.84TB U2.NVME/16TB SATA /雙塔式(雙2000w)/27"-4K圖顯
96GB
330T
CNN+RNN
￥135,000
2.4
UltraLAB GR420M 125192-PD6T
AMD霄龍7773x(64核2.5GHz)/192GB DDR4/6*RTX3090/7.68TB U2.NVME /3塊16TB SATA/雙塔式(雙2000w)/27"-4K圖顯
展開 結構/流體/多物理場/電磁仿真最快最完美工作站集群23v2
29500
1.3
AX430 148192-MB
Xeon W7-2495X超頻處理器（24核4.8GHz）/192GB（6通道*32GB） DDR5/QuadroT400 4GB/2TB NVME /8TB SATA/塔式（1500W）/24寸2K圖顯
72000
（二) 增強型
2.1
EX650i 228192-SBA
2顆Xeon 銀4314處理器（32核@2.8GHz ）/ 192GB （12通道*16GB）DDR4 /QuaroT400 4GB /2TB NVME系統(tǒng)盤 +6TB SATA企業(yè)級/塔式(1300w)/24寸-2K圖顯
41000
2.2
EX650i 228256-MBA
2顆Xeon 銀4316處理器（40核@2.8GHz ）/ 256GB（16通道*16GB） DDR4 /QuaroT400 4GB /2TB SSD系統(tǒng)盤 +6TB SATA企業(yè)級/塔式(1300w)/24寸-2K圖顯
49500
2.3
EX650i 235256-MBA
2顆Xeon 金6326處理器（32核@3.3GHz ）/ 256GB（16通道*16GB）DDR4 /QuaroT1000 4GB /3.84TB NVME系統(tǒng)盤 +4TB SATA企業(yè)級/塔式(1300w)/24寸-2K圖顯
57000
2.4
EX650i 235256-MBB
2顆
展開 