2.如果利用硅材料對通信波段的光波進行調制，有如下經驗公式： 注： ：材料的折射率變化量， ：材料的光吸收系數(shù)變化量， ， ：電子和空穴在單位體積（cm-3）的濃度變化量。在1550 nm和1300 nm下，空穴的吸收系數(shù)變化更小，折射率系數(shù)變化更大。

圖9 光學效率圖 Ansys Lumerical軟件試用，培訓，歡迎聯(lián)系摩爾芯創(chuàng)。 參考文獻 1. F. Hirigoyen, A. Crocherie, J. M. Vaillant, and Y.

源電荷施加的力F（以牛頓為單位）、測試電荷q（以庫侖為單位）和電場強度E（以伏特/米為單位）之間的關系如下： 運動的電荷周圍會產生磁場。這個磁場會影響其他電荷和磁鐵。在磁場中，運動電荷的受力方向與其運動方向和磁感線垂直。

(a) 4 V 反向偏壓下 PN 結中的自由載流子密度（單位為 cm-3）；(b) CHARGE 仿真的小信號電容與參考文獻 [4] 中的測量值高度一致；(c) 干涉儀一臂末端的額外相移與施加電壓的關系；(d) 每條臂上的光損耗與施加電壓的關系；(e) INTERCONNECT 模擬的透射光譜與參考文獻 [4] 中報告的 (f) 測量光譜 圖 10 顯示了具有標稱摻雜的耗盡型移相器仿真的主要結果

2.2FDTD仿真方法與結構設計 研究采用3D時域有限差分（FDTD）電磁仿真技術（Ansys Lumerical FDTD模擬套件）作為主要研究工具，該方法能夠精確求解麥克斯韋方程組，捕捉亞波長尺度的電磁場分布，特別適合處理多層薄膜結構中的光干涉和外耦合效率。

1.打開 Ansys Workbench 并插入一個“靜態(tài)結構（Static Structural）”系統(tǒng)。 2.在“工程數(shù)據(jù)（Engineering Data）”下定義材料屬性。

</p><div contenteditable="false" width="100%"><jsk id="C_Play4099473ab63871f09bae5017f0e90102" videoid="4099473ab63871f09bae5017f0e90102" duration="7分12秒"><img src="https://img.jishulink.com/static/web

inline-block;" data-regular="true"><img src="https://img.jishulink.com/202510/attachment/0f1e714dddad4133b4f8376076eb63a4.png"></figure></figure><p><br></p>

疲勞分析系統(tǒng)中的單位制和結構系統(tǒng)中的單位制保持一致。在本例中，ANSYS結構單元設置為公制單位 (MPA,MM,N,TNMM,DEGC)。 進行疲勞分析之前，我們需要加載載荷歷程文件，并將其加載到load Mapper中。 1.4映射加載歷史文件 操作步驟： 1.從主菜單中選擇“文件：打開數(shù)據(jù)文件”。

注意：應力與應變、位移的區(qū)別 ? 應力：反映內力強度（單位：Pa，MPa 等），是 “力的密集程度”； ? 應變：反映變形程度（無量綱，如伸長率），是 “變形的比例”； ? 位移：反映位置變化（單位：m，mm 等），是 “實際移動距離”。