碳化硅芯片的案例
4分鐘，做個碳化硅芯片通！
芯片是如何制造的？
網絡熱議的碳化硅芯片與傳統硅基芯片有什么區別？
浙江大學杭州國際科創中心（以下簡稱科創中心）先進半導體研究院研究的寬禁帶半導體技術，到底能為我們的生活帶來什么巨大改變？
為大家解開謎團，走進神秘的芯片世界。科創中心先進半導體研究院特別推出了一支科普宣傳片，讓你四分鐘，做個芯片通！
碳化硅來了！
寬禁帶半導體材料開啟新時代
以碳化硅和氮化鎵為代表的寬禁帶半導體材料，突破原有半導體材料在大功率、高頻、高速、高溫環境下的性能限制，在5G通信、物聯網、新能源、國防尖端武器裝備等前沿領域，發揮重要作用。在摩爾定律遇到瓶頸、中國智造2025的大背景下，寬禁帶半導體材料，無疑是中國半導體產業一次好機會！
碳化硅芯片這樣制造
新材料，“芯”未來！
展開 日本視角：當下中國看液晶、未來中國看碳化硅？
CINNO Research產業資訊，碳化硅（SiC）作為新一代功率半導體的主流產品，其市場已開始全面擴大。加上再生能源的助推，車載應用方向的市場較預期提前一年迎來爆發期，因此，碳化硅已成為功率半導體的主要投資對象。之前，有不少半導體廠家在討論擴大300mm硅晶圓的產能，如今這一趨勢已不再，主流趨勢已轉向碳化硅。且該趨勢已在全球范圍蔓延，不限于日本、歐美地區的功率半導體廠家。受到中美貿易摩擦的影響，中國暫時無法量產尖端半導體，但已開啟碳化硅成熟制程（Legacy）的國產化量產之路。
日媒曾發文《約100家中國企業全方位進軍碳化硅市場》，雖然中國的碳化硅生產份額僅有1%，但短時間內，已有約100家中企進軍碳化硅結晶制造、晶圓加工、晶圓外延、晶圓制造、封裝、模組、設計（Fabless）等領域；此外，中國大陸目前有20多處碳化硅芯片生產研發基地。面向中國內地龐大的市場需求，業界普遍看好中國大陸市場：“中國大陸的碳化硅芯片生產有望呈現指數級增長。”基于上述行業情況，目前日本國內出現了“碳化硅會不會成為下一個液晶”的聲音。
太陽能電池、LED、液晶過度競爭，中國企業占據上風
7一8年前，業界有聲音這樣描述電子行業：“曾經的中國在太陽能電池、LED，現在的中國在FPD，未來的中國在半導體”。該聲音意在說明中國大陸企業大舉進軍太陽能電池、LED、液晶生產，中國政府予以相關企業資金補助，促使中國企業以生產數量、生產成本優勢，席卷全球市場。
在中國大陸，一旦出現需求增長的“萌芽”，就會有企業如“雨后春筍”般進入市場，經過一系列的激烈競爭后，會有少數幸存企業擁有全球競爭力。只有從激烈競爭中脫穎而出的少數企業才能獲得市場份額。
展開 碳化硅“狂飆”：追趕、內卷、替代
基于IDM模式的優勢，IDM企業華潤微的碳化硅產品進展順利，去年碳化硅器件整體銷售規模同比增長約2.3倍，待交訂單超過1000萬元，投片量逐月穩步增加。
士蘭微也是采用IDM模式，旗下士蘭明鎵在去年已實施“碳化硅功率器件芯片生產線”項目的建設，去年10月，士蘭微籌劃非公開發行募資65億元，募投項目之一便是用于“年產14.4萬片碳化硅功率器件生產線建設項目”，并在今年4月26日定增獲上交所審核通過。
士蘭微董事長陳向東曾在接受采訪時表示，通過發揮IDM一體化優勢，士蘭微碳化硅功率器件芯片量產線進展順利，已具備月產2000片6英寸SiC芯片的生產能力，預計到今年年底SiC芯片生產能力將提升至6000片/月；士蘭SiC MOS芯片性能指標已達到國際先進水平；士蘭微用于汽車主驅的碳化硅功率模塊已向國內客戶送樣，爭取在今年年底前上車，同時士蘭微碳化硅產品在光伏、儲能、充電樁、OBC等領域也已展開全面推廣。
更多的廠商嗅到了SiC代工的商機。2023年5月22日，安徽長飛先進宣布其位于武漢的SiC晶圓廠正式啟動，據悉該項目規模達年產36萬片SiC MOSFET晶圓，包括外延、器件設計、晶圓制造、封裝等，預計2025年建設完成。
瞻芯電子也于2020年初啟動了碳化硅芯片晶圓廠項目籌備，該工廠于2022年7月正式投片生產，標志著瞻芯電子由Fabless邁向IDM的戰略轉型。
國內SiC功率器件的廠商大多有向IDM模式演進的趨勢。
但IDM模式也并非適用于任何企業。有業內人士指出，目前國內很多碳化硅廠商體量并不大，尚未實現盈利，若是大規模建廠的話，運營成本太高，對現金流的考驗非常大，工藝開發的難度和客戶認可度也是問題。
展開 國內碳化硅產業鏈！
碳化硅（SiC）材料是功率半導體行業主要進步發展方向，用于制作功率器件，可顯著提高電能利用率。可預見的未來內，新能源汽車是碳化硅功率器件的主要應用場景。特斯拉作為技術先驅，已率先在Model 3中集成全碳化硅模塊，其他一線車企亦皆計劃擴大碳化硅的應用。隨著碳化硅器件制造成本的日漸降低、工藝技術的逐步成熟，碳化硅功率器件行業未來可期。
【什么是碳化硅?】
碳化硅（SiC）是第三代化合物半導體材料。半導體產業的基石是芯片，制作芯片的核心材料按照歷史進程分為：第一代半導體材料（大部分為目前廣泛使用的高純度硅），第二代化合物半導體材料（砷化鎵、磷化銦），第三代化合物半導體材料（碳化硅、氮化鎵） 。碳化硅因其優越的物理性能：高禁帶寬度（對應高擊穿電場和高功率密度）、高電導率、高熱導率，將是未來最被廣泛使用的制作半導體芯片的基礎材料。
【碳化硅的物理化學性能】
碳化硅在半導體芯片中的主要形式為襯底。半導體芯片分為集成電路和分立器件，但不論是集成電路還是分立器件，其基本結構都可劃分為“襯底-外延-器件” 結構。碳化硅在半導體中存在的主要形式是作為襯底材料。
碳化硅晶片是碳化硅晶體經過切割、研磨、拋光、清洗等工序加工形成的單晶薄片。
碳化硅晶片作為半導體襯底材料，經過外延生長、器件制造等環節，可制成碳化硅基功率器件和微波射頻器件，是第三代半導體產業發展的重要基礎材料。
根據電阻率不同，碳化硅晶片可分為導電型和半絕緣型。其中，導電型碳化硅晶片主要應用于制造耐高溫、耐高壓的功率器件，市場規模較大；半絕緣型碳化硅襯底主要應用于微波射頻器件等領域，隨著 5G 通訊網絡的加速建設，市場需求提升較為明顯。
展開 
干貨 | 一文看懂臺灣第三代半導體供應鏈
過去電動車都使用硅制成的IGBT 電源轉換芯片，但特斯拉Model 3 首次采用意法半導體制造的碳化硅元件，為電動車轉換電能。根據英飛凌提供的數據，同樣一輛電動車，換上碳化硅芯片后，續航力能提高4%，由于電動車每一分電源都極為昂貴，各家車廠都積極布局碳化硅技術。英飛凌預期，到2025 年，碳化硅芯片將占汽車電子功率元件2 成。
2018 年，日本羅姆半導體宣布，在2024 年之前將增加碳化硅產能16 倍。法國雷諾汽車也宣布，和意法半導體結盟，所需的碳化硅芯片由意法半導體獨家供應。2019 年，德國福斯集團跟美國Cree 合作，由Cree 獨家和福斯合作發展碳化硅技術，同年Cree 也宣布投資10 億美元，興建巨型碳化硅工廠。所有人都已經看到，過去汽車是否省油，是由引擎決定，未來電動車要如何省電，則是由第三代半導體技術決定。
臺積電：布局多年，已能改用8 吋設備生產
臺積電在這個領域，早已發展多年，其他臺灣公司是向歐洲技轉，但臺積電則是自己花錢，由最基礎堆疊不同材料的外延技術開始研究。外界觀察，臺積電仍是以硅基板的化合物半導體為主，這種技術在通訊上應用有限，但在電動車等應用上相當有競爭力。根據臺積電年報，臺積電在硅基板氮化鎵上，2020 年已開發出150 伏特和650 伏特兩種平臺。臺積電將因此搭上電動車第三代半導體的成長大潮。去年2 月，宣布和臺積電合作，臺積電已經為意法生產車用的化合物半導體芯片。
事實上，在消費性電子用的電源轉換芯片上，外資指出臺積電從2014 年開始就幫愛爾蘭的IC 設計公司Navitas 代工生產。2021 年，Navitas 宣布，他們已經賣出了1,300 萬個第三代半導體變壓器，目前每個月出貨量達到100萬個，良率幾乎是百分之百。
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過去電動車都使用硅制成的IGBT 電源轉換芯片，但特斯拉Model 3 首次采用意法半導體制造的碳化硅元件，為電動車轉換電能。根據英飛凌提供的數據，同樣一輛電動車，換上碳化硅芯片后，續航力能提高4%，由于電動車每一分電源都極為昂貴，各家車廠都積極布局碳化硅技術。英飛凌預期，到2025 年，碳化硅芯片將占汽車電子功率元件2 成。
2018 年，日本羅姆半導體宣布，在2024 年之前將增加碳化硅產能16 倍。法國雷諾汽車也宣布，和意法半導體結盟，所需的碳化硅芯片由意法半導體獨家供應。2019 年，德國福斯集團跟美國Cree 合作，由Cree 獨家和福斯合作發展碳化硅技術，同年Cree 也宣布投資10 億美元，興建巨型碳化硅工廠。所有人都已經看到，過去汽車是否省油，是由引擎決定，未來電動車要如何省電，則是由第三代半導體技術決定。
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臺積電在這個領域，早已發展多年，其他臺灣公司是向歐洲技轉，但臺積電則是自己花錢，由最基礎堆疊不同材料的外延技術開始研究。外界觀察，臺積電仍是以硅基板的化合物半導體為主，這種技術在通訊上應用有限，但在電動車等應用上相當有競爭力。根據臺積電年報，臺積電在硅基板氮化鎵上，2020 年已開發出150 伏特和650 伏特兩種平臺。臺積電將因此搭上電動車第三代半導體的成長大潮。去年2 月，宣布和臺積電合作，臺積電已經為意法生產車用的化合物半導體芯片。
事實上，在消費性電子用的電源轉換芯片上，外資指出臺積電從2014 年開始就幫愛爾蘭的IC 設計公司Navitas 代工生產。2021 年，Navitas 宣布，他們已經賣出了1,300 萬個第三代半導體變壓器，目前每個月出貨量達到100萬個，良率幾乎是百分之百。
展開 特斯拉引領，SiC加速進入汽車
這家美國汽車制造商成為第一家在批量生產的汽車中使用碳化硅芯片的同行，并將其納入其部分 Model 3。此舉為節能材料在電動汽車供應鏈中提供了動力，并對芯片行業產生了影響。
日本芯片制造商羅姆首席戰略官 Kazuhide Ino 表示：“到目前為止，芯片制造商一直在共同努力建立碳化硅市場，但我們已經到了相互競爭的階段。”
碳化硅，簡稱SiC，含有硅和碳。它的化學鍵比硅中的強，是世界上第三硬的物質。加工它需要先進的技術，但與標準硅片相比，這種材料的穩定性和其他特性讓芯片制造商將能量損失減少了一半以上。
碳化硅芯片也能很好地散熱，允許使用更小的逆變器——這是調節電機功率流動的關鍵電動汽車組件。
“Model 3 的空氣阻力系數與跑車一樣低，”日本名古屋大學教授山本正史說。“按比例縮小逆變器使其流線型設計成為可能。”
拆解過程中可以看到包含碳化硅芯片的特斯拉 Model 3 逆變器。（照片提供：名古屋大學教授山本正義）
特斯拉的舉動震動了芯片行業。6 月，德國芯片制造商英飛凌科技推出了一款用于電動汽車逆變器的 SiC 模塊。
英飛凌日本部門的一位經理表示：“SiC 擴張的時間顯然比我們預期的更近了。”
現代汽車將在其下一代電動汽車中使用英飛凌制造的 SiC 芯片。據稱，與硅相比，這些芯片可使汽車續航里程增加 5% 以上。
法國汽車制造商雷諾于 6 月與總部位于瑞士的意法半導體簽署了一項協議，將從 2026 年開始供應 SiC 芯片。該協議還涵蓋用氮化鎵制成的芯片，氮化鎵是另一種半導體晶片的替代材料。
展開 800V“絕配”碳化硅
作者丨王小西
責編丨羅超
編輯丨朱錦斌
10月份，美國《華爾街日報》報道，全球汽車行業正把數以十億美元計的資金投向以碳化硅（SiC）材料制成的芯片。
比如通用汽車公司，其副總裁希爾潘·阿明就表示：“電動汽車用戶正追求更長的續航里程，我們把碳化硅視為電力電子設計中的一種重要材料。”
在說這話之前，通用汽車已經與總部位于達勒姆（北卡羅來納州）的沃爾夫斯皮德公司達成了一項協議，將使用后者生產的碳化硅器件。
而相輔相成的是，碳化硅的崛起，跟汽車行業正在推進的800V高壓平臺系統算是“絕配”。在800V高壓平臺趨近的趨勢下，行業預計，未來幾年SiC功率元器件將隨著800V平臺的大規模上車進入快速爆發階段。
為什么這么說？因為，在800V甚至更高水平的平臺上，原本的硅基IGBT芯片達到了材料極限，碳化硅則具備耐高壓、耐高溫、高頻等優勢，無疑是IGBT最佳的替代方案。
作為今年熱炒的第三代功率半導體材料，碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）應用在更高階的高壓功率元器件以及高頻通訊元器件領域，代表5G時代的主要材料。特別是碳化硅，可謂集“萬千寵愛于一身”。
當然，碳化硅面臨的一大挑戰是它高企的價格。而如何確保以碳化硅芯片實現的成本節約效益，蓋過碳化硅芯片較高生產成本這一不利因素，就成為當下最重要的任務。
展開 英飛凌又簽長期合同，汽車碳化硅出貨量超100萬件！
今天，
英飛凌
宣布與Showa Denko（
昭和電工
）簽訂了碳化硅供應合同，合同期為兩年。
據“三代半風向”了解，這是英飛凌第三次與碳化硅材料供應商簽訂長期供應合同。此前，英飛凌曾與科銳和GTAT簽訂了5年的碳化硅供應合同。
對于這次簽約，英飛凌表示是為了滿足市場的快速增長需求，“未來5年，每年增長40%”。與此同時，英飛凌的出貨量也在大幅增長，去年有15個汽車平臺采用其碳化硅產品，而最近，英飛凌已經打入20個汽車平臺，出貨量超過100萬件（包含硅器件，標題有誤）。
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碳化硅每年增長40%？
三次簽訂長期供應合同
5月6日，英飛凌和昭和電工發布公告稱，雙方已經簽訂了為期2年的碳化硅供應合同，其中包括可選的擴展條款，昭和電工將為英飛凌提供包括外延在內的各種碳化硅材料。
英飛凌表示，這次簽約是為了滿足市場對SiC基產品不斷增長的需求，“SiC半導體市場有望在未來五年內以每年30％到40％的速度增長。”
該公司還表示，在這個不斷增長的市場中，與昭和電工的簽約，是英飛凌多元化采購戰略的重要一步，此外，他們計劃與昭和電工在材料的戰略開發方面進行合作，以降低成本，提高質量。
據了解，2018年2月，英飛凌與科銳宣布簽訂了戰略性長期供貨協議，主要涉及150 mm（6英寸）碳化硅產品。
2020年11月9日，英飛凌與美國GT Advanced Technologies（GTAT）簽訂了為期五年的碳化硅圓棒合同。
展開 “華為系”押寶碳化硅，這些應用將加速？
據“三代半風向”了解，禾望電氣非常熱衷采用碳化硅技術，曾多次發表相關主題演講：2020年12月，禾望電氣做了題為“SiC器件在新能源變換器中的應用”的主題報告，分享了SiC器件在光伏發電中的應用以及SiC器件在EV主驅動器中的應用。2018年11月23日，禾望參加中國太陽能光伏發展峰會，介紹其Boost全碳化硅方案。
矽臻智誠成立于2021年3月11日，落戶上海寶山，主要專注于碳化硅芯片設計，團隊核心成員畢業?于復旦?，從事碳化硅半導體技術20余年。
今年4月份，矽臻智誠首個產品系列——國內面積最小的碳化硅二極管產品將進行量產，可應用在光伏、風電電能轉換器上、新能源車充電樁、以太網電源等場合。同時，矽臻智誠設計研發的另一款應用于電動汽車核心驅動部件，目前國內還全部依靠進口的MOSFET產品樣品也已進入到測試階段，下半年有望量產。
高斯寶也入股
剛與Cree合作
值得一提的是，另一家華為艾默生系電源企業——
高斯寶
也投資了矽臻智誠。其董事長阮世良參股的深圳市
新甄半導體
投資合伙企業持有矽臻智誠股權比例
6.3%
。
高斯寶成立于2006年，總部位于深圳，是一家專注于電力電子產品的企業。產品覆蓋PoE電源、通訊裸板電源、工業定制類電源、冗余電源、服務器電源、云算力電源、網絡能源系統，節能環保及新能源汽車領域等。
6月11日，科銳宣布與高斯寶達成合作，高斯寶將在下一代通用冗余電源解決方案中采用科銳的Wolfspeed650V碳化硅金氧半場效晶體管。
據介紹，高斯寶與科銳Wolfspeed碳化硅技術的結合，將為服務器設備提供更有的電源方案。
展開 從碳化硅模塊看特斯拉核心芯片選型策略
特斯拉Model 3/Y所采用的是TPAK碳化硅MOSFET模塊，該模塊的優秀設計使其成為一款不錯的通用高壓大功率封裝。本文就從這款碳化硅模塊展開來談談筆者觀察到的特斯拉核心功率芯片選型策略。
TPAK
TPAK不包括引腳的塑封部分尺寸為20mm x 28mm x 4mm，其中不僅可以裝入碳化硅MOSFET裸芯片，還可以選擇IGBT或者氮化鎵HEMT作為其核心芯片。這意味著TPAK不僅可以作為一款高性能的碳化硅驅動模塊，還可以成為一款高性價比的IGBT功率模塊，甚至在車規大功率氮化鎵技術成熟后，無縫接入氮化鎵裸芯片成為高頻功率開關器件。
TPAK外觀。此版本由意法半導體生產（來源：System Plus Consulting）
同時，結合浸淫多年的多管并聯技術，特斯拉可以在其電動汽車驅動系統中，按照不同的功率等級選擇不同數量的TPAK并聯，并根據不同的效率和成本要求選擇碳化硅MOSFET或者IGBT作為TPAK核心芯片。與此同時，因為都是同一種封裝，特斯拉僅需在外部電路、機械結構和散熱設計僅需小幅改動的情況下，即可滿足各種各樣的電動車驅動需求，這大大增加了設計彈性。
例如，在理想情況下，雙電機版本的特斯拉電動車可以選用多個碳化硅TPAK并聯驅動主電機，滿足大部分工況下的性能和效率要求。而另一電機則可選用較少數量并聯的碳化硅版本或者IGBT版本TPAK，以實現在一定成本控制下的四驅或加速要求。亦或在未來采用氮化鎵+碳化硅或者氮化鎵+IGBT的方案。
4個TPAK SiC并聯的Model 3逆變器（來源：Munro & Associates）
不僅如此，TPAK中的每種裸片還可以從不同的芯片供應商處采購，建立二供乃至多供體系。
展開 
碳化硅材料技術對器件可靠性的影響
來源：基本半導體
碳化硅產業鏈包含碳化硅粉末、碳化硅晶錠、碳化硅襯底、碳化硅外延、碳化硅晶圓、碳化硅芯片和碳化硅器件封裝環節。其中襯底、外延片、晶圓、器件封測是碳化硅價值鏈中最為關鍵的四個環節，襯底成本占到碳化硅器件總成本的50%，外延、晶圓和封裝測試成本分別為25%、20%和5%。碳化硅材料的可靠性對最終器件的性能有著舉足輕重的意義，基本半導體從產業鏈各環節探究材料特性及缺陷產生的原因，與上下游企業協同合作提升碳化硅功率器件的可靠性。
01碳化硅晶錠生長及制備方法
碳化硅有多達250余種同質異構體，用于制作功率半導體的主要是4H-SiC單晶結構。碳化硅單晶生長過程中，4H晶型生長窗口小，對溫度和氣壓設計有著嚴苛標準，生長過程中控制不精確將會得到2H、3C、6H和15R等其他結構的碳化硅晶體。
展開 富士康宣布投資1億美元在印度建芯片合資工廠
近日消息，據報道，iPhone主要代工廠商富士康宣布，將與印度自然資源集團Vedanta合作，在印度建立一家芯片工廠。
富士康稱，兩家公司已同意成立一家芯片合資企業，富士康將投資1.187億美元，持有該合資公司40%的股份。Vedanta是印度最大的鋁生產商，領先的石油和天然氣供應商，Vedanta董事長阿尼爾·阿加瓦爾（Anil Agarwal）將擔任合資公司的董事長。
該合資公司旨在滿足印度當地電子行業的巨大需求。同時，這也將使富士康成為，響應印度“芯片制造本土化”戰略的主要外國科技制造商。富士康在一份聲明中稱：“該合資公司將支持印度總理納倫德拉·莫迪（Narendra Modi）的愿景，即在印度創建半導體制造生態系統。”
知情人士稱，該芯片項目的進展，還將取決于印度中央政府和邦政府的補貼，以及銀行的貸款。去年12月，印度科技部長表示，印度已批準一項100億美元的激勵計劃，以吸引全球半導體和顯示器制造商來印度建廠，從而推動印度進一步打造全球電子產品生產中心。
印度政府當時在一份聲明中稱，根據該計劃，印度政府將向符合條件的顯示器和半導體制造商提供高達項目成本50%的財政支持。當時就有消息人士稱，以色列的Tower Semiconductor和富士康等，都有興趣在印度建芯片工廠。
富士康董事長劉揚偉已將芯片開發，定為該公司推動電動汽車發展的基礎之一。富士康去年收購了臺灣地區芯片制造商Macronix在新竹的芯片工廠，以開發汽車用碳化硅芯片。
展開 碳化硅功率器件的性能分析與多芯片并聯應用研究--碳化硅MOSFET&功率模塊
半導體芯片正面引線鍵合所用的鍵合線有多種材料，常見的有鋁（Al）、金（Au）、銅（Cu），本文中采用了ＡI鍵合線，由于商業芯片正表面基本為Al層，所以鍵合線和芯片之間鍵合程度高。此外，鍵合線的線徑由材料和電流容量決定，根據經驗公式
可以得到鍵合線線徑，其中Imax為鍵合線上最大安全導通電流值，k為材料相關系數，d為線徑（英制單位），參看表5.2。比如每個芯片最大導通60A，每個芯片可以連接三根鍵合線，那么每根鍵合線20A，最大長度超過0.1cm，那么每根鋁線的線徑都要大于12mil。
密封膠的選取要考慮半導體芯片的工作性能，本文采用的SiC MOSFET芯片最高耐壓1200V，芯片厚度為0.2mm，所以密封膠的絕緣強度應該不小于6kV/mm，另外芯片最高工作結溫150°Ｃ，所以密封膠的最高有效溫度要大于150°Ｃ。最后選擇一種硅酮密封膠，固化后有效溫度范圍-45－200°Ｃ，絕緣強度為19.7kV/mm。
導電端子和底部基板需要金屬材料，銅的導熱和導電性能都比較好，因此本文在兩處都采用了銅。
文章所述之功率模塊的基本結構如圖5.2所示，主要構成為：芯片為SiC MOSFET或者碳化硅二極管，襯底陶瓷用0.62ｍｍ氮化鋁（DBC工藝），焊料分別為錫銅焊料和錫鉛焊料（厚度大約都為0.2mm），鍵合線為鋁線（功率線徑12～15mil,，信號線徑5mil５），密封膠為硅酮電子密封膠。
展開 干貨 | 碳化硅材料技術對器件可靠性的影響
前言
碳化硅產業鏈包含碳化硅粉末、碳化硅晶錠、碳化硅襯底、碳化硅外延、碳化硅晶圓、碳化硅芯片和碳化硅器件封裝環節。其中襯底、外延片、晶圓、器件封測是碳化硅價值鏈中最為關鍵的四個環節，襯底成本占到碳化硅器件總成本的50%，外延、晶圓和封裝測試成本分別為25%、20%和5%。碳化硅材料的可靠性對最終器件的性能有著舉足輕重的意義，基本半導體從產業鏈各環節探究材料特性及缺陷產生的原因，與上下游企業協同合作提升碳化硅功率器件的可靠性。
01
碳化硅晶錠生長及制備方法
碳化硅有多達250余種同質異構體，用于制作功率半導體的主要是4H-SiC單晶結構。
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