MOS驅動電路的案例
MOS管驅動電路設計，如何讓MOS管快速開啟和關閉？
關于MOS管驅動電路設計，本文談一談如何讓MOS管快速開啟和關閉。
一般認為MOSFET（MOS管）是電壓驅動的，不需要驅動電流。然而，在MOS管的G極和S極之間有結電容存在，這個電容會讓驅動MOS變的不那么簡單。
下圖的3個電容為MOS管的結電容，電感為電路走線的寄生電感：
如果不考慮紋波、EMI和沖擊電流等要求的話，MOS管開關速度越快越好。因為開關時間越短，開關損耗越小，而在開關電源中開關損耗占總損耗的很大一部分，因此MOS管驅動電路的好壞直接決定了電源的效率。
怎么做到MOS管的快速開啟和關閉呢？
對于一個MOS管，如果把GS之間的電壓從0拉到管子的開啟電壓所用的時間越短，那么MOS管開啟的速度就會越快。與此類似，如果把MOS管的GS電壓從開啟電壓降到0V的時間越短，那么MOS管關斷的速度也就越快。
由此我們可以知道，如果想在更短的時間內把GS電壓拉高或者拉低，就要給MOS管柵極更大的瞬間驅動電流。
大家常用的PWM芯片輸出直接驅動MOS或者用三極管放大后再驅動MOS的方法，其實在瞬間驅動電流這塊是有很大缺陷的。
展開 干貨 | MOS管驅動電路設計，如何讓MOS管快速開啟和關閉？
關于MOS管驅動電路設計，本文談一談如何讓MOS管快速開啟和關閉。
一般認為MOSFET（MOS管）是電壓驅動的，不需要驅動電流。然而，在MOS管的G極和S極之間有結電容存在，這個電容會讓驅動MOS變的不那么簡單。
下圖的3個電容為MOS管的結電容，電感為電路走線的寄生電感：
如果不考慮紋波、EMI和沖擊電流等要求的話，MOS管開關速度越快越好。因為開關時間越短，開關損耗越小，而在開關電源中開關損耗占總損耗的很大一部分，因此MOS管驅動電路的好壞直接決定了電源的效率。
怎么做到MOS管的快速開啟和關閉呢？
對于一個MOS管，如果把GS之間的電壓從0拉到管子的開啟電壓所用的時間越短，那么MOS管開啟的速度就會越快。與此類似，如果把MOS管的GS電壓從開啟電壓降到0V的時間越短，那么MOS管關斷的速度也就越快。
由此我們可以知道，如果想在更短的時間內把GS電壓拉高或者拉低，就要給MOS管柵極更大的瞬間驅動電流。
大家常用的PWM芯片輸出直接驅動MOS或者用三極管放大后再驅動MOS的方法，其實在瞬間驅動電流這塊是有很大缺陷的。
展開 干貨｜MOS管驅動電路設計，如何讓MOS管快速開啟和關閉？
由此我們可以知道，如果想在更短的時間內把GS電壓拉高或者拉低，就要給MOS管柵極更大的瞬間驅動電流。
大家常用的PWM芯片輸出直接驅動MOS或者用三極管放大后再驅動MOS的方法，其實在瞬間驅動電流這塊是有很大缺陷的，比較好的方法是使用專用的MOSFET驅動芯片。
MOS驅動電路設計需要注意的地方：
因為驅動線路走線會有寄生電感，而寄生電感和MOS管的結電容會組成一個LC振蕩電路，如果直接把驅動芯片的輸出端接到MOS管柵極的話，在PWM波的上升下降沿會產生很大的震蕩，導致MOS管急劇發(fā)熱甚至爆炸，一般的解決方法是在柵極串聯(lián)10歐左右的電阻，降低LC振蕩電路的Q值，使震蕩迅速衰減掉。
因為MOS管柵極高輸入阻抗的特性，一點點靜電或者干擾都可能導致MOS管誤導通，所以建議在MOS管G極和S極之間并聯(lián)一個10K的電阻以降低輸入阻抗。
如果擔心附近功率線路上的干擾耦合過來產生瞬間高壓擊穿MOS管的話，可以在GS之間再并聯(lián)一個18V左右的TVS瞬態(tài)抑制二極管。
展開 MOS管驅動電路設計，如何讓MOS管快速開啟和關閉？
由此我們可以知道，如果想在更短的時間內把GS電壓拉高或者拉低，就要給MOS管柵極更大的瞬間驅動電流。
大家常用的PWM芯片輸出直接驅動MOS或者用三極管放大后再驅動MOS的方法，其實在瞬間驅動電流這塊是有很大缺陷的，
比較好的方法是使用專用的MOSFET驅動芯片。
MOS驅動電路設計需要注意的地方：
因為驅動線路走線會有寄生電感，而寄生電感和MOS管的結電容會組成一個LC振蕩電路，如果直接把驅動芯片的輸出端接到MOS管柵極的話，在PWM波的上升下降沿會產生很大的震蕩，導致MOS管急劇發(fā)熱甚至爆炸，一般的解決方法是在柵極串聯(lián)10歐左右的電阻，降低LC振蕩電路的Q值，使震蕩迅速衰減掉。
因為MOS管柵極高輸入阻抗的特性，一點點靜電或者干擾都可能導致MOS管誤導通，所以建議在MOS管G極和S極之間并聯(lián)一個10K的電阻以降低輸入阻抗。
如果擔心附近功率線路上的干擾耦合過來產生瞬間高壓擊穿MOS管的話，可以在GS之間再并聯(lián)一個18V左右的TVS瞬態(tài)抑制二極管。
展開 
干貨｜MOS管驅動電路設計，如何讓MOS管快速開啟和關閉？
大家常用的PWM芯片輸出直接驅動MOS或者用三極管放大后再驅動MOS的方法，其實在瞬間驅動電流這塊是有很大缺陷的，比較好的方法是使用專用的MOSFET驅動芯片。
MOS驅動電路設計需要注意的地方：
因為驅動線路走線會有寄生電感，而寄生電感和MOS管的結電容會組成一個LC振蕩電路，如果直接把驅動芯片的輸出端接到MOS管柵極的話，在PWM波的上升下降沿會產生很大的震蕩，導致MOS管急劇發(fā)熱甚至爆炸，一般的解決方法是在柵極串聯(lián)10歐左右的電阻，降低LC振蕩電路的Q值，使震蕩迅速衰減掉。
因為MOS管柵極高輸入阻抗的特性，一點點靜電或者干擾都可能導致MOS管誤導通，所以建議在MOS管G極和S極之間并聯(lián)一個10K的電阻以降低輸入阻抗。
如果擔心附近功率線路上的干擾耦合過來產生瞬間高壓擊穿MOS管的話，可以在GS之間再并聯(lián)一個18V左右的TVS瞬態(tài)抑制二極管。
TVS可以認為是一個反應速度很快的穩(wěn)壓管，其瞬間可以承受的功率高達幾百至上千瓦，可以用來吸收瞬間的干擾脈沖。
展開 干貨 | 工程師不得不知的MOS管驅動電路設計細節(jié)
一般認為MOSFET是電壓驅動的，不需要驅動電流。然而，在MOS的G S兩級之間有結電容存在，這個電容會讓驅動MOS變的不那么簡單。
如果不考慮紋波和EMI等要求的話，MOS管開關速度越快越好，因為開關時間越短，開關損耗越小，而在開關電源中開關損耗占總損耗的很大一部分，因此MOS管驅動電路的好壞直接決定了電源的效率。
對于一個MOS管，如果把GS之間的電壓從0拉到管子的開啟電壓所用的時間越短，那么MOS管開啟的速度就會越快。與此類似，如果把MOS管的GS電壓從開啟電壓降到0V的時間越短，那么MOS管關斷的速度也就越快。
由此我們可以知道，如果想在更短的時間內把GS電壓拉高或者拉低，就要給MOS管柵極更大的瞬間驅動電流。
大家常用的PWM芯片輸出直接驅動MOS或者用三極管放大后再驅動MOS的方法，其實在瞬間驅動電流這塊是有很大缺陷的。
比較好的方法是使用專用的MOSFET驅動芯片如TC4420來驅動MOS管，這類的芯片一般有很大的瞬間輸出電流，而且還兼容TTL電平輸入，MOSFET驅動芯片的內部結構如下：
MOS驅動電路設計需要注意的地方：
因為驅動線路走線會有寄生電感，而寄生電感和MOS管的結電容會組成一個LC振蕩電路，如果直接把驅動芯片的輸出端接到MOS管柵極的話，在PWM波的上升下降沿會產生很大的震蕩，導致MOS管急劇發(fā)熱甚至爆炸，一般的解決方法是在柵極串聯(lián)10歐左右的電阻，降低LC振蕩電路的Q值，使震蕩迅速衰減掉。
展開 干貨｜大神分享mos管驅動電路設計
對于開關電源來說，驅動電路作為控制電路和功率電路的接口，其作用至關重要，本文就將詳細探討開關電源的驅動電路的參數(shù)設計以及驅動芯片的選型。
常用的mos管驅動電路結構如圖1所示，驅動信號經過圖騰柱放大后，經過一個驅動電阻Rg給mos管驅動。其中Lk是驅動回路的感抗，一般包含mos管引腳的感抗，PCB走線的感抗等。在現(xiàn)在很多的應用中，用于放大驅動信號的圖騰柱本身也是封裝在專門的驅動芯片中。本文要回答的問題就是對于一個確定的功率管，如何合理地設計其對應的驅動電路（如驅動電阻阻值的計算，驅動芯片的選型等等）。
圖1：常用的mos管驅動電路
注1：圖中的Rpd為mos管柵源極的下拉電阻，其作用是為了給mos管柵極積累的電荷提供泄放回路，一般取值在10k~幾十k這一數(shù)量級。由于該電阻阻值較大，對于mos管的開關瞬態(tài)工作情況基本沒有影響，因此在后文分析mos的開關瞬態(tài)時，均忽略Rpd的影響。
注2：Cgd，Cgs ，Cds為mos管的三個寄生電容，在考慮mos管開關瞬態(tài)時，這三個電容的影響至關重要。
1、驅動電阻的計算
1.1、驅動電阻的下限值
驅動電阻下限值的計算原則為：驅動電阻必須在驅動回路中提供足夠的阻尼，來阻尼mos開通瞬間驅動電流的震蕩。
圖2 mos開通時的驅動電流
當mos開通瞬間，Vcc通過驅動電阻給Cgs充電，如圖2所示（忽略Rpd的影響）。
展開 干貨 | 4個MOS管驅動的全橋電路原理講解
01
H橋驅動原理
1.1 電機驅動
電路首先，單片機能夠輸出直流信號，但是它的驅動才能也是有限的，所以單片機普通做驅動信號，驅動大的功率管如MOS管，來產生大電流從而驅動電機，且占空比大小能夠經過驅動芯片控制加在電機上的均勻電壓到達轉速調理的目的。電機驅動主要采用N溝道MOSFET構建H橋驅動電路，H 橋是一個典型的直流電機控制電路，由于它的電路外形酷似字母 H，故得名曰“H 橋”。4個開關組成H的4條垂直腿，而電機就是H中的橫杠。要使電機運轉，必須使對角線上的一對開關導通，經過不同的電流方向來控制電機正反轉，其連通電路如圖所示。
1.2 H橋驅動原理
實踐驅動電路中通常要用硬件電路便當?shù)乜刂崎_關，電機驅動板主要采用兩種驅動芯片，一種是全橋驅動HIP4082，一種是半橋驅動IR2104，半橋電路是兩個MOS管組成的振蕩，全橋電路是四個MOS管組成的振蕩。其中，IR2104型半橋驅動芯片能夠驅動高端和低端兩個N溝道MOSFET，能提供較大的柵極驅動電流，并具有硬件死區(qū)、硬件防同臂導通等功用。運用兩片IR2104型半橋驅動芯片能夠組成完好的直流電機H橋式驅動電路，而且IR2104價錢低廉，功用完善，輸出功率相對HIP4082較低，此計劃采用較多。
展開 干貨｜如何讓MOS管快速開啟和關閉？
關于MOS管驅動電路設計，本文談一談如何讓MOS管快速開啟和關閉。
一般認為MOSFET（MOS管）是電壓驅動的，不需要驅動電流。
然而，在MOS管的G極和S極之間有結電容存在，這個電容會讓驅動MOS變的不那么簡單。
下圖的3個電容為MOS管的結電容，電感為電路走線的寄生電感：
如果不考慮紋波、EMI和沖擊電流等要求的話，MOS管開關速度越快越好。因為開關時間越短，開關損耗越小，而在開關電源中開關損耗占總損耗的很大一部分，因此MOS管驅動電路的好壞直接決定了電源的效率。
怎么做到MOS管的快速開啟和關閉呢？
對于一個MOS管，如果把GS之間的電壓從0拉到管子的開啟電壓所用的時間越短，那么MOS管開啟的速度就會越快。與此類似，如果把MOS管的GS電壓從開啟電壓降到0V的時間越短，那么MOS管關斷的速度也就越快。
由此我們可以知道，如果想在更短的時間內把GS電壓拉高或者拉低，就要給MOS管柵極更大的瞬間驅動電流。
展開 步進電機驅動電路解析，步進電機驅動電路原理圖、電路性能比較及電路實例
步進電機驅動電路
雙極性步進電機的驅動電路如圖所示，它會使用八顆晶體管來驅動兩組相位。雙極性驅動電路可以同時驅動四線式或六線式步進電機，雖然四線式電機只能使用雙極性驅動電路，它卻能大幅降低量產型應用的成本。雙極性步進電機驅動電路的晶體管數(shù)目是單極性驅動電路的兩倍，其中四顆下端晶體管通常是由微控制器直接驅動，上端晶體管則需要成本較高的上端驅動電路。雙極性驅動電路的晶體管只需承受電機電壓，所以它不像單極性驅動電路一樣需要箝位電路。
步進電動機不能直接接到工頻交流或直流電源上工作，而必須使用專用的步進電動機驅動器，如圖2所示，它由脈沖發(fā)生控制單元、功率驅動單元、保護單元等組成。圖中點劃線所包圍的二個單元可以用微機控制來實現(xiàn)。驅動單元與步進電動機直接耦合，也可理解成步進電動機微機控制器的功率接口，這里予以簡單介紹。
1. 單電壓功率驅動接口
實用電路如圖3所示。在電機繞組回路中串有電阻Rs，使電機回路時間常數(shù)減小，高頻時電機能產生較大的電磁轉矩，還能緩解電機的低頻共振現(xiàn)象，但它引起附加的損耗。一般情況下，簡單單電壓驅動線路中，Rs是不可缺少的。Rs對步進電動機單步響應的改善如圖3（b）。
雙電壓驅動的功率接口如圖4所示。雙電壓驅動的基本思路是在較低（低頻段）用較低的電壓UL驅動，而在高速（高頻段）時用較高的電壓UH驅動。這種功率接口需要兩個控制信號，Uh為高壓有效控制信號，U為脈沖調寬驅動控制信號。圖中，功率管TH和二極管DL構成電源轉換電路。當Uh低電平，TH關斷，DL正偏置，低電壓UL對繞組供電。反之Uh高電平，TH導通，DL反偏，高電壓UH對繞組供電。這種電路可使電機在高頻段也有較大出力，而靜止鎖定時功耗減小。
3.高低壓功率驅動接口
高低壓功率驅動接口如圖5所示。
展開 超結MOS在全橋電路上的應用-REASUNOS瑞森半導體
一、前言
全橋電路定義
全橋電路是一種常見的電子電路，由四個開關管和一個負載組成，可將直流電轉換為交流電。
全橋電路的應用領域
全橋電路廣泛應用于電力電子領域，如開關電源、變頻器、逆變器、電動汽車、工業(yè)自動化等領域 。在電路中，全橋電路可以使直流電轉換成交流電；在電機控制中，全橋電路可用于變頻調速和正弦波控制。
多層外延超結MOS在全橋電路上的應用
二、全橋電路的原理
全橋電路通過控制開關管的通斷來改變電源與負載之間的電壓極性，實現(xiàn)對負載的驅動。在上半周期內，開關管Q1、Q4閉合，Q2、Q3斷開，電源的正極通過Q1進入負載，負載的負極通過Q4回到電源的負極。在下半周期內，開關管Q2、Q3閉合，Q1、Q4斷開，電源的正極通過Q3進入負載，負載的負極通過Q2回到電源的負極。這樣就能實現(xiàn)直流電源向交流負載的轉換。
全橋線路的工作原理
三、全橋電路對于MOS管的需求
（1）主要損耗構成：①MOS管的導通損耗直接由導通Rdson決定，要求MOS管的Rdson更低。②MOS管的開關損耗，由MOS管的米勒平臺等參數(shù)決定，要求MOS管開關特性好，開關速度快，交越損耗小；
（2）后端是感性負載，需要二極管反向續(xù)流，要求功率MOS二極管反向恢復特性較好，具有較短反向恢復時間trr。
四、全橋電路MOS管選型
根據(jù)不同的應用需求，全橋電路還可分為全橋逆變電路、全橋整流電路等，瑞森半導體多層外延超結MOS系列，可應用于全橋電路不同的應用中。
瑞森半導體超結MOS全系列采用多層外延工藝，具有低導通損耗、大通流能力、低柵極電荷、低開啟電壓、出色的非鉗位感性開關能力等工藝特色。
展開 
點陣LED顯示驅動LED驅動電路LED屏驅動廠家 VK1616
LED顯示驅動、LED數(shù)顯驅動原廠、LED數(shù)顯驅動芯片、LED驅動IC、點陣LED顯示驅動、LED屏驅動IC、數(shù)顯驅動芯片、數(shù)碼管芯片、數(shù)碼管驅動、數(shù)顯屏驅動、數(shù)顯IC、數(shù)顯芯片、數(shù)顯驅動、LED數(shù)顯IC、數(shù)顯驅動原廠、LED屏驅動芯片、LED數(shù)顯驅動IC、LED數(shù)顯驅動IC、LED驅動電路、數(shù)顯LED屏驅動、LED數(shù)顯屏驅動、LED顯示屏驅動、LED數(shù)碼管驅動、數(shù)顯LED驅動、LED數(shù)顯驅動、數(shù)碼管顯示IC、數(shù)碼管顯示芯片、數(shù)碼管驅動芯片、LED顯示驅動芯片、顯示數(shù)碼管驅動、LED控制電路、數(shù)顯LED驅動芯片、數(shù)顯LED驅動IC、LED驅動芯片、數(shù)碼管顯示屏驅動、數(shù)碼管驅動原廠、LED驅動廠家、LED驅動原廠、LED數(shù)碼驅動、LED數(shù)碼屏驅動、LED數(shù)顯芯片、數(shù)碼管驅動IC、顯示LED驅動、數(shù)碼管LED驅動、LED顯示IC、點陣數(shù)顯驅動、點陣數(shù)碼管驅動、點陣LED驅動、點陣數(shù)顯驅動芯片、點陣數(shù)顯驅動IC、點陣LED驅動芯片、點陣LED驅動IC、LED數(shù)顯原廠、點陣數(shù)碼管顯示芯片、數(shù)碼管驅動廠家、數(shù)顯LED原廠
展開 干貨｜由一個實例，講到MOS管電源開關電路的軟啟動
后來同事指點說，解決這個問題需要增加緩啟動電路，也叫軟啟動電路。
同事繼續(xù)解釋道：
這個電路的供電是由一個PMOS控制通斷的，軟啟動的設計是讓PMOS的導通時間變緩，電路上的做法是在PMOS的柵極和源極之間接一個合適的電容，PMOS的導通時間就會變緩了。
作者聽了同學的解答之后，在PMOS的柵極和源極之間接了一個電容，發(fā)現(xiàn)開機沖擊電流降下來了。
試了幾個不同容值的電容，對應的效果不一樣。最后作者選了一個合適的電容換上去，電池的開機沖擊電流降到了2.6A：
可惜作者在文章中沒有給出具體的原理圖。
不過從作者的描述來看，差不多就是我之前寫過的《帶軟開啟功能的MOS管電源開關電路》。只是電路參數(shù)有區(qū)別，能通過的電流、能承受的耐壓等不一樣，但是軟啟動的原理是一樣的。
作為上面案例的補充，讓我們重溫一下MOS管電源開關電路軟啟動的原理。下面用來講解的電路，以5V的電壓為例，一般控制1A左右的電流的通斷，已經大批量使用：
▲ 本文要講解的電路
電源開關電路，經常用在各“功能模塊”電路的電源通斷控制，是常用電路之一。
本文要講解的電源開關電路，是用MOS管實現(xiàn)的，且?guī)? 軟開啟功能，非常經典。
既然帶“軟”開啟功能，不妨把這個電路理解為一個“軟”妹紙，讓咱們深入去了解她吧！
一、電路說明
電源開關電路，尤其是MOS管電源開關電路，經常用在各“功能模塊”電路的電源通斷控制，如下框圖所示：
▲ 框圖中“1個MOS管符號”代表“1個完整的MOS管電源開關電路”
在設計時，只要增加一個電容（C1），一個電阻（R2），就可以實現(xiàn)軟開啟（soft start）功能。
展開 數(shù)顯驅動電路/數(shù)碼管驅動IC-VK1S38A SSOP24內部集成有數(shù)據(jù)鎖存器、LED驅動
產品品牌：永嘉微電/VINKA
產品型號：VK1S38A
封裝形式：SSOP24
概述
VK1S38A是一種帶鍵盤掃描接口的數(shù)碼管或點陣LED驅動控制專用芯片，內部集成有3線串行接口、數(shù)據(jù)鎖存器、LED 驅動、鍵盤掃描等電路。SEG腳接LED陽極，GRID腳接LED陰極，可支持8SEGx8GRID的點陣LED顯示面板，最大支持8x3按鍵矩陣。適用于家電設備（智能熱水器、微波爐、洗衣機、空調、電磁爐）、機頂盒、電子秤、智能電表等產品的顯示屏驅動。采用SSOP24L的封裝形式。
工業(yè)設備液晶驅動液晶顯示驅動電路VK1056B點陣式液晶驅動IC
產品品牌：永嘉微電/VINKA
產品型號：VK1056B
封裝形式：SOP24
VK1056B是一個點陣式存儲映射的LCD驅動器，可支持最大 56點（14SEG×4COM）的LCD屏，也支持2COM和3COM的 LCD屏。單片機可通過三條通信線配置顯示參數(shù)和發(fā)送顯示 數(shù)據(jù)，也可通過指令進入省電模式。G106+156
? 工作電壓 2.4-5.2V ? 內置256 kHz RC振蕩器（上電默認） ? 偏置電壓（BIAS）可配置為1/2、1/3 ? COM周期（DUTY）可配置為1/2、1/3、1/4 ? 內置顯示RAM為14×4位 ? 省電模式（通過關顯示和關振蕩器進入） ? 3線串行接口 ? VLCD腳調節(jié)LCD電壓 ? 軟件配置LCD顯示參數(shù) ? 寫命令和寫數(shù)據(jù)2種命令格式 ? 寫顯示數(shù)據(jù)地址自動加1 ? VLCD腳提供LCD驅動電壓（≤VDD） ? 封裝 SOP24(300mil) (15.4mm × 7.5mm PP=1.27mm)
應用領域：
? 電表/瓦斯表 ? 按摩儀/美容儀 ? 醫(yī)用儀器 ? 車載設備 ? 冷氣機/暖風機
展開 