電阻爐溫度控制電路的案例
圖解兩種典型的電阻爐溫度控制電路
圖一：晶閘管電阻爐溫度控制電路
如下圖所示，將電爐絲與雙向晶閘管V串聯(lián)，調(diào)節(jié)電位器的電阻值，改變V的導(dǎo)通角，就可改變加在電爐絲兩端的電壓（其調(diào)節(jié)范圍為0~220V），從而達(dá)到控制電爐溫度的目的。
該電阻爐溫度控制電路雙向晶閘管釆用的是“等電位觸發(fā)”電路，雙向晶閘管V無論是正觸發(fā)還是負(fù)觸發(fā)，其控制極G與陰極T2的電位是相同的，但觸發(fā)電流要足夠，若觸發(fā)電流不足，就不會使雙向晶閘管導(dǎo)通。對于不同型號的雙向晶閘管，應(yīng)采用不同阻值的電位器RP，RP取值范圍為幾十至幾千歐姆。VD1、VD2可采用1N4001型，其作用是確保V的同步觸發(fā)，在各自觸發(fā)的正負(fù)半周里，不允許有負(fù)半周和正半周的干擾脈沖進(jìn)入。
圖二：溫控儀電阻爐控制電路
上圖所示是一種溫控儀控制的電加熱爐電路。主電路選用帶有分勵脫扣器的低壓斷路器QF作為主開關(guān)。命上QF，溫控儀PT 得電開始測溫運(yùn)行，若此時窯內(nèi)溫度低于PT的設(shè)定溫度值，PT 的觸點（1-2）閉合，使接觸器KM得電吸合，其主觸點閉合，電爐加熱升溫；當(dāng)升溫達(dá)到預(yù)置溫度時，PT的觸點（1-3）閉合，使KM斷電釋放，同時使時間繼電器KT1得電吸合并自鎖。此后PT隨電爐溫的升降而反復(fù)動作，KM也會反復(fù)吸合和釋放，保持電爐內(nèi)溫度基本恒定。當(dāng)KT1延時時間到，其常開延時閉合觸點閉合，使KT2吸合，使電鈴HA響鈴，響鈴時間可預(yù)先設(shè)定，預(yù)定時間到，KT2的常幵延時閉合觸點閉合，使低壓斷路器QF的分勵線圈QF得電，QF跳閘，電爐停電。
展開 基于FLUENT/UDF模擬PID電阻加熱溫度控制過程
基于FLUENT/UDF 模擬先以0.5℃/s升溫，再保持70℃溫度不變工況，模擬根據(jù)PID溫度控制過程，根據(jù)設(shè)置sensor溫度和仿真sensor溫度來評估，PID參數(shù)設(shè)置合理性；
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球墨鑄鐵經(jīng)驗匯總：原材料選擇、熔煉工藝制定、溫度控制、爐前球化孕育處理
它的選用應(yīng)根據(jù)熔煉設(shè)備、鐵液的含硫量、鐵水出爐溫度的不同而定。使用沖天爐生產(chǎn)時，因鐵水溫度相應(yīng)較低，硫量較高，鐵液純凈度較差，因此，要選用含稀土、鎂含量較高的球化劑，通常選用Mg7-9%，Re5%或7%的球化劑；而電爐生產(chǎn)時，由于鐵水溫度達(dá)到要求，鐵水冶金質(zhì)量好，純凈度高，應(yīng)選用稀土、鎂含量較低的球化劑一般選用含Mg6-8%，Re2-4%的球劑，薄小件選用Mg5-7%，Rel-3%的球化劑。 孕育劑是球鐵生產(chǎn)環(huán)節(jié)中的重要鐵合金材料，球化處理后加入孕育劑不僅能消除滲碳體，而且還可以提高球化率、細(xì)化石墨球，使之圓整、分布均勻。實踐證明，孕育效果和孕育劑的成分有很大關(guān)系。目前，國內(nèi)應(yīng)用最多的是75硅鐵，有些單位采用含有鋇、鍶、鈣、鋁、鉍等元素組成的長效復(fù)合孕育劑，如硅鋇、硅鍶、硅鈣等。
3、爐前控制
3.1 化學(xué)成分的選擇 眾所周知，球鐵的組織和性能與化學(xué)成分組成有著密切的關(guān)系。所謂球鐵的成分設(shè)計主要就是碳和硅，其他如錳、磷、硫是靠原材料加以控制。
3.1.1 碳、硅 生產(chǎn)鑄態(tài)鐵素體球鐵是采用高碳、低硅，大孕育量的方法。碳、硅元素對球鐵性能有較大影響。通常是以碳當(dāng)量來綜合考慮。碳當(dāng)量的選擇主要著眼于改善鑄造性能、消除鑄造缺陷，獲得健全鑄件和高的機(jī)械性能。我公司鑄態(tài)鐵素體球鐵要求鐵素體基體組織含量大于80%，且不允許有滲碳體存在。因此在設(shè)計碳當(dāng)量時應(yīng)以鑄件不出現(xiàn)石墨飄浮，不出白口，保證球化為準(zhǔn)則，碳當(dāng)量控制在4.3-4.8%，其中碳為3.3-3.9%，原鐵水硅量為1.2-1.6%，終硅量為2.6-3.0%。但硅量不宜過高，因為硅強(qiáng)化鐵素體基體，使之變脆，塑性韌性下降。
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