電路損耗
關(guān)注創(chuàng)建者：匿名 創(chuàng)建時(shí)間：2021-08-13
電路損耗的實(shí)例教程
改善辦法：降低開(kāi)關(guān)頻率、使用變頻芯片甚至跳頻芯片（在空載或很輕負(fù)載的情況下芯片進(jìn)入間歇式振蕩）
09
整流管上的吸收損耗
輸出整流管上的結(jié)電容與整流管的吸收電容在開(kāi)關(guān)狀態(tài)下引起的尖峰電流反射到原邊回路上，引起的開(kāi)關(guān)損耗。另外還有吸收電路上的電阻充放電引起的損耗。
改善方法：在其他指標(biāo)允許的前提下盡量降低吸收電容的容值，降低吸收電阻的阻值。
當(dāng)然還有整流管上的開(kāi)關(guān)損耗、導(dǎo)通損耗和反向恢復(fù)損耗，這應(yīng)該在允許的情況下盡量選擇導(dǎo)通壓降低和反向恢復(fù)時(shí)間短的二極管。
10
輸出反饋電路的損耗
展開(kāi) 輸出反饋電路的損耗
輸出反饋電路的損耗
改善方法：恒流啟動(dòng)方式啟動(dòng)，啟動(dòng)完成后關(guān)閉啟動(dòng)電路降低損耗。
03
與開(kāi)關(guān)電源工作相關(guān)的損耗
04
鉗位電路損耗
有放電電阻存在，mos開(kāi)關(guān)管每次開(kāi)關(guān)都會(huì)產(chǎn)生放電損耗
改善方法：用TVS鉗位如下圖，可免除電阻放電損耗（注意：此處只能降低電阻放電損耗，漏感能量引起的尖峰損耗是不能避免的）
當(dāng)然最根本的改善辦法是，降低變壓器漏感。
隨著通過(guò)集成電路損耗的功率的快速升高，改進(jìn)的散熱器設(shè)計(jì)需要減小它們與強(qiáng)制空氣流之間的熱阻力。已經(jīng)使用諸如擠壓、機(jī)加工與壓鑄的制造方法來(lái)制造傳統(tǒng)的縱向翅片設(shè)計(jì)，然而這些技術(shù)并不適合用來(lái)制造更加復(fù)雜的散熱器設(shè)計(jì)，而更加復(fù)雜的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)可以改進(jìn)散熱器的性能。 3D打印在制造復(fù)雜的散熱器方面打開(kāi)了廣闊的前景。
或不均勻或梯度
根據(jù)3D科學(xué)谷的市場(chǎng)研究，國(guó)內(nèi)在3D打印用于集成電路的散熱系統(tǒng)方面進(jìn)行了積極的探索。通過(guò)3D打印的散熱結(jié)構(gòu)可以是不均勻材料密度分布的復(fù)雜結(jié)構(gòu)，散熱結(jié)構(gòu)可以是點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)，柵格或格架，還可以是突出或延伸的翅片。可以利用選擇性激光熔融3D打印增材制造技術(shù)來(lái)制造金屬結(jié)構(gòu)，散熱器可以由鋁、銅、氮化鋁(AIN)、陶瓷或含有石墨、石墨烯或碳納米管的合成物而制成。
根據(jù)3D科學(xué)谷的市場(chǎng)觀察，在變梯度分形點(diǎn)陣夾芯強(qiáng)化相變熱沉方面，西南電子技術(shù)研究所（中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十研究所）開(kāi)發(fā)了一種技術(shù)方案予以實(shí)現(xiàn)：強(qiáng)化傳熱結(jié)構(gòu)按陣列分布在相變熱沉殼體中，每個(gè)變梯度分形點(diǎn)陣夾芯單元按相變熱沉熱傳遞與熱交換特性，以變梯度V結(jié)構(gòu)作為第一級(jí)強(qiáng)化傳熱結(jié)構(gòu)，并以此為基礎(chǔ)，在第一級(jí)強(qiáng)化傳熱結(jié)構(gòu)的變梯度V形端，以形狀相同的變梯度V結(jié)構(gòu)逐級(jí)遞增形成多級(jí)強(qiáng)化傳熱結(jié)構(gòu)，各級(jí)強(qiáng)化傳熱結(jié)構(gòu)比表面積依次呈倍數(shù)增加，其中，第一級(jí)強(qiáng)化傳熱結(jié)構(gòu)可將熱量快速?gòu)?qiáng)化傳導(dǎo)至遠(yuǎn)離熱擴(kuò)散底板的區(qū)域，第二級(jí)強(qiáng)化傳熱結(jié)構(gòu)、第三級(jí)強(qiáng)化傳熱結(jié)構(gòu)將熱量快速擴(kuò)散至遠(yuǎn)離熱擴(kuò)散底板的相變材料完成熱交換。
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電路損耗的最新內(nèi)容
一期一會(huì) | 什么是電源完整性？3個(gè)月前
寄生損耗
這是指電路中由于能量傳遞導(dǎo)致的功率損耗，這部分能量損耗對(duì)電路的功能或輸出都沒(méi)有貢獻(xiàn)。在電源完整性方面，這包括由電容、電感和電阻效應(yīng)引起的功率損耗。寄生損耗不僅會(huì)降低電路效率，還會(huì)導(dǎo)致不必要的熱量，進(jìn)而影響性能和系統(tǒng)穩(wěn)健性。除了電源完整性之外，寄生損耗還會(huì)影響信號(hào)完整性。
焦耳熱
當(dāng)電流遇到材料中的電阻時(shí)，一些電能會(huì)被轉(zhuǎn)換為熱能。
損耗階段表明芯片的失效率開(kāi)始因?yàn)樾酒瑑?nèi)在電路損耗而上升，代表已到達(dá)了芯片的極限使用壽命。
AEC-Q100芯片可靠性驗(yàn)證
AEC-Q100作為汽車(chē)電子可靠性驗(yàn)證的標(biāo)準(zhǔn)，其主要目的：
（1）客戶有可以參考的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范；
（2）芯片供貨商可以排除芯片可能存在的潛在故障。
（3）高電壓（800V）低電流充電：
800V架構(gòu)使整車(chē)具有更高的效率，800V電壓平臺(tái)推出后，相較于400V平臺(tái)，工作電流更小，進(jìn)而節(jié)省線束體積、降低電路內(nèi)阻損耗，變相提升了功率密度和能量使用效率。
Rm動(dòng)態(tài)等效電阻：代表電路的損耗。
晶振的阻抗表達(dá)式如下（假設(shè)Rm可以忽略不記）：
下圖Figure 2說(shuō)明了晶振的阻抗與頻率的關(guān)系
其中Fs是當(dāng)Z=0時(shí)的串聯(lián)諧振頻率，其表達(dá)式如下：
Fa是當(dāng)電抗Z趨于無(wú)窮大時(shí)的并聯(lián)諧振頻率，假如Fs為已知量，那么其表達(dá)式如下：
fs和fa之間的區(qū)域（圖2中的陰影區(qū)域）是并聯(lián)諧振的區(qū)域。
800V電壓平臺(tái)推出后，相較于400V 平臺(tái)，工作電流更小，進(jìn)而節(jié)省線束體積、降低電路內(nèi)阻損耗，變相提升了功率密度和能量使用效率。在功率不變前提下，預(yù)計(jì) 800V 平臺(tái)的推出，續(xù)航里程將增加 10%、充電速度將提升一倍以上。當(dāng)然，實(shí)際快充技術(shù)的普及需要充電樁功率和電池充電倍率的同步匹配。
針對(duì)這些問(wèn)題出現(xiàn)了軟開(kāi)關(guān)技術(shù)， 它是以諧振為主的輔助換流手段， 解決了電路中的開(kāi)關(guān)損耗和開(kāi)關(guān)噪聲問(wèn)題， 使開(kāi)關(guān)頻率可以大幅度提高。 軟開(kāi)關(guān)技術(shù)總的來(lái)說(shuō)可以分為零電壓（ZVS） 和零電流(ZCS) 兩類， 按照其出現(xiàn)的先后， 可以將其分為準(zhǔn)諧振、 零開(kāi)關(guān) PWM和 PWM 三大類。每一類都包括拓?fù)浜捅姸嗟呐缮負(fù)洹?/div>
降壓轉(zhuǎn)換器在PWM 和空閑(跳脈沖)模式下效率曲線，注意：輕載時(shí)，空閑模式下的效率高于PWM模式
優(yōu)化SMPS
開(kāi)關(guān)電源因其高效率指標(biāo)得到廣泛應(yīng)用，但其效率仍然受SMPS 電路的一些固有損耗的制約。
一、電子產(chǎn)品熱設(shè)計(jì)的目的
電子產(chǎn)品在工作時(shí)會(huì)產(chǎn)生不同程度的熱能，尤其是一些功耗較大的元器件，如變壓器、大功率晶體管、電力電子器件、大規(guī)模集成電路、功率損耗大的電阻等，實(shí)際上它們是一個(gè)熱源，會(huì)使產(chǎn)品的溫度升高。在溫度發(fā)生變化時(shí)，幾乎所有的材料都會(huì)出現(xiàn)膨脹或收縮現(xiàn)象，這種膨脹或收縮會(huì)引起零件間的配合、密封及內(nèi)部的應(yīng)力問(wèn)題。
但是， 高溫共燒陶瓷(HTCC)電路互連基板中，W、Mo的電阻率較高，電路損耗較大。隨著超大規(guī)模集成電路的應(yīng)用頻率和電路速度提升，電子設(shè)備的小型化等趨勢(shì)對(duì)高密度封裝提出更高要求。
800V電壓平臺(tái)推出后，相較于400V 平臺(tái)，工作電流更小，進(jìn)而節(jié)省線束體積、降低電路內(nèi)阻損耗，變相提升了功率密度和能量使用效率。在功率不變前提下，預(yù)計(jì) 800V 平臺(tái)的推出，續(xù)航里程將增加 10%、充電速度將提升一倍以上。
