ansys多核的案例
Mechanical驅動電機溫度分析 附ANSYS EM如何設置多核計算下載
●對于舊版EM，需要給磁鋼添加0激勵
●新版僅需要在Set EddyEffect里勾選上磁鋼
2.Maxwell電機損耗計算網格剖分處理
●盡管ANSYS EM的網格技術很好，不容易發散，但是或多或少網格會影響仿真結果，如果處理不得當，嚴重的結果根據不可信，特別是Maxwell 3D下
●對于渦流損耗，其網格的處理很關鍵
●掌握一些網格處理技巧有利于結果的準確性，要注意3D與2D各自區別
2.1 電機鐵芯剖分
通過前面部分詳細講解了網格技術，它的特點和類型，它是倒金字塔型的，2D下越接近等邊三角形網格剖分越好，3D下越接近等面四邊體越好
●鐵芯的剖分主要以內部剖分規格為主，表面為輔
●需要根據鐵芯的尺寸大小來確認最大邊長
●可能的把鐵芯分成幾部分，不同部分給不同最大邊長，這樣有利于合理利用資源
●在3D下網格要求很高，特別是其規整性直接影響計算結果
2.2 磁鋼等剖分
磁鋼主要是由于渦流存在引起損耗，利用軟件特別的處理
●磁鋼的剖分主要以內部剖分規則為主，表面為輔
●需要根據鐵芯的尺寸大小來確認最大邊長
●可能的把鐵芯分成幾部分，不同部分給不同最大邊長，
這樣有利于合理利用資源
●在3D下網格要求很高，特別是其規整性直接影響計算結果
●磁鋼的剖分主要以內部剖分規格為主，表面為輔
下載地址：ANSYS EM如何設置多核計算
展開 Ansys多物理場解決方案為英特爾16nm工藝節點的簽核驗證提供支持
Ansys電源完整性和電磁分析工具為高性能計算（HPC）、5G和AI等應用優化半導體產品
主要亮點
Ansys? Redhawk-SC?、Ansys? Totem?和Ansys? PathFinder-SC?為英特爾16nm工藝節點的電源完整性、信號完整性和可靠性簽核提供支持
Ansys多物理場平臺支持英特爾16nm工藝的全新射頻功能和其他先進特性，能夠通過與芯片相關的預測準確性來加速完成設計并提高性能
Ansys多物理場解決方案已獲得英特爾代工服務（IFS）認證，支持對采用英特爾16nm芯片制造工藝設計的先進集成電路（IC）進行簽核驗證。憑借Ansys電源完整性和信號完整性平臺的預測準確性，設計人員可避免揮霍的過度設計，從而提高邊緣AI、圖形處理和無線通信產品的性能。Ansys與IFS合作驗證了無縫的電子設計自動化（EDA）流程，可為雙方客戶提升生產力。
Ansys RedHawk-SC和Ansys Totem被公認為數字和模擬設計中電源完整性簽核的行業標準。這兩款解決方案的云端數據架構可提供業界罕有的容量，支持對全芯片設計進行分層或平面分析。
展開 Ansys RedHawk-SC多物理場簽核解決方案通過所有臺積電高級工藝技術認證
我們期待與Ansys繼續合作，通過臺積電工藝技術（包括目前全球最先進的5nm制程技術）提供的高速高容量多物理場簽核設計解決方案幫助雙方客戶推動其芯片技術的創新。”
Ansys副總裁兼總經理John Lee表示：“我們與臺積電合作的廣度與深度體現了多物理場簽核方案在AI、5G、高性能計算、機器學習、網絡、汽車等許多應用領域的重要性和價值。RedHawk-SC能夠滿足對極端并行處理和強大計算容量日益增長的需求，跟上晶體管技術的發展步伐，并支持三維集成電路封裝技術的不斷普及。”
ANSYS系列直播錄播
ANSYS官方聯合技術鄰，為了配合ANSYS 2020 R1新品發布會，同時為了讓廣大用戶深入了解此次新版本功能，便于大家學到最新的仿真技術在前沿行業的應用，精心打造了30天網絡學習計劃。
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展開 Ansys憑借新一代驅動設計產品榮獲2021年臺積電OIP年度合作伙伴獎
Ansys榮獲 “聯合研發4nm設計基礎架構” 和 “聯合研發3DFabric?設計解決方案” 兩大獎項
主要亮點
Ansys多物理場簽核技術對于經典摩爾定律普及以及臺積電突破性的2.5D/3D多芯片技術至關重要
憑借向臺積電N4工藝技術提供晶圓代工廠認證的先進電源完整性與可靠性簽核認證工具，Ansys榮獲“聯合研發4nm設計基礎架構”獎項
憑借向臺積電的3D芯片堆疊與高級封裝技術綜合系列——3DFabric?，提供經過晶圓代工廠認證的熱、電源完整性和可靠性解決方案，Ansys榮獲“聯合研發3DFabric?設計解決方案”獎項
近日，Ansys 榮獲兩項臺積電2021年OIP年度最佳合作伙伴獎，分別是“聯合研發4nm設計基礎架構”和“聯合研發3DFabric?設計解決方案”獎項。年度最佳合作伙伴獎旨在表彰臺積電開放創新平臺?（OIP）生態系統合作伙伴在過去一年中對新一代設計支持所做出的杰出貢獻。Ansys和其他OIP生態系統合作伙伴的共同努力有效推動了半導體行業的創新。
展開 
ANSYS 解決內存不足的幾種方法。
在ansys product lancher 里面lauch標簽頁選中parallel performance for ansys.
(2). 在D:\professional\Ansys Inc\v90\ANSYS\apdl\start90.ans中添加一行：/config,nproc,2.別忘了把目錄換成你自己的安裝目錄.
多核處理器算法求解器的選擇：
求解器選擇一般的sparse，front，pcg等加速比都不是很好，也就10-30％ 吧，加速比好的amg，dsparse等分布求解器不錯，但需要額外花錢買license。
展開 Ansys憑借新一代驅動設計產品榮獲2021年臺積電OIP年度合作伙伴獎
Ansys榮獲 “聯合研發4nm設計基礎架構” 和 “聯合研發3DFabric?設計解決方案” 兩大獎項
主要亮點
Ansys多物理場簽核技術對于經典摩爾定律普及以及臺積電突破性的2.5D/3D多芯片技術至關重要
憑借向臺積電N4工藝技術提供晶圓代工廠認證的先進電源完整性與可靠性簽核認證工具，Ansys榮獲“聯合研發4nm設計基礎架構”獎項
憑借向臺積電的3D芯片堆疊與高級封裝技術綜合系列——3DFabric?，提供經過晶圓代工廠認證的熱、電源完整性和可靠性解決方案，Ansys榮獲“聯合研發3DFabric?設計解決方案”獎項
近日，Ansys 榮獲兩項臺積電2021年OIP年度最佳合作伙伴獎，分別是“聯合研發4nm設計基礎架構”和“聯合研發3DFabric?設計解決方案”獎項。年度最佳合作伙伴獎旨在表彰臺積電開放創新平臺?（OIP）生態系統合作伙伴在過去一年中對新一代設計支持所做出的杰出貢獻。Ansys和其他OIP生態系統合作伙伴的共同努力有效推動了半導體行業的創新。
展開 Ansys與Synopsys聯合為三星提供全新參考流程，加速RFIC半導體設計
該參考流程集成了一系列Ansys解決方案，包括Ansys RaptorX?電磁建模系列提供的電磁簽核分析、Ansys Exalto?電磁提取與簽核以及Ansys VeloceRF電感器和變壓器設計工具
該參考流程的主要構成部分包括：Synopsys定制設計系列，采用Synopsys PrimeSim?統一電路仿真解決方案；以及由Ansys? RaptorX?電磁建模系列，Ansys? Exalto?電磁提取與簽核以及Ansys? VeloceRF?電感器和變壓器設計工具提供的電磁簽核分析。
三星電子代工設計技術團隊副總裁Sangyun Kim指出：“高頻和無線電應用，正在逐漸擴展到更多的工業和消費類應用，從智能手機到5G/6G、自動駕駛汽車、可穿戴設備和物聯網。隨著越來越多的客戶采用射頻和電磁設計，我們與Ansys和Synopsys合作開發的14LPU參考流程，為快速完成更可靠的設計提供了一種平穩且深思熟慮的方法，其充分利用了我們第4代14nm工藝技術的速度和性能特點。”
Synopsys EDA產品部總經理Shankar Krishnamoorthy表示：“Synopsys和Ansys利用數十年的專業技術和開發經驗，為雙方客戶降低風險并加速成功。我們與Ansys通過最新合作開發出支持三星先進的14nm工藝節點的Synopsys全新射頻設計參考流程，可提供開放式的優化流程，從而為先進的5G/6G無線系統提供卓越的設計質量。”
Ansys副總裁兼電子、半導體和光學事業部總經理John Lee稱：“隨著頻率攀升至射頻范圍，我們的客戶在優化功耗、尺寸、可靠性和性能等方面面臨著許多新的多物理場挑戰。
展開 Ansys聯合Keysight、Synopsys為臺積電最先進的4nm射頻FinFET工藝提供全新參考流程加速RFIC半導體設計
如欲了解更多信息，敬請訪問：www.synopsys.com
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3.3 有限元分析仿真工作站硬件配置推薦
ANSYS有限元分析多核并行計算碰到很多問題：
情況1 機器核數不斷增加，但求解速度不理想
情況2 機器越貴性能并不高
情況3 機器核數增加，求解時間反倒下降
......
