絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）的案例
基于富勒烯浮柵層的雙極型柔性突觸晶體管
受到這種有潛力的生物學功能的啟發，具有橫向和縱向導電通道的浮柵存儲晶體管被提出來模擬生物突觸的信號傳遞以及學習過程。然而絕大多數晶體管都是單極型電荷捕獲，同時具有較大的操作電壓以及很高的能耗。因此，開發簡單溶液法制備的低操作電壓的雙極型突觸晶體管不僅能大大減少集成能耗，還能提高突觸權重可調節范圍。
【成果簡介】
深圳大學周曄研究員和韓素婷副教授等在柔性場效應晶體管中第一次采用簡單的溶液法制備的C60和PMMA的混合體系作為浮柵層和隧穿層，系統性研究柔性晶體管在不同形貌下的電學性質，包括窗口，開關比，保持時間以及耐力屬性等等，同時成功模擬了生物突觸的多種學習與記憶功能，對今后有機突觸晶體管的開發有一定的指導和借鑒意義。
相應工作以“Gate-Tunable Synaptic Plasticity through Controlled Polarity of Charge Trapping in Fullerene Composites”為題，發表在Advanced Functional Materials (2018, 1805599)上，共同第一作者為深圳大學高等研究院研究生任意及電子科學與技術學院本科生楊嘉欽。
【圖文導讀】
圖1
柔性晶體管的表征以及電學性能
a.三維柔性晶體管器件示意圖。
b. 器件的橫截面SEM圖像側視圖。
c. 均勻并五苯薄膜的AFM形貌圖。
d. PET基底上不同比例C60和PMMA混合層的吸收光譜。
e. 只包含PMMA的晶體管的轉移特性曲線；插圖是制備的柔性器件圖。
f.器件的輸出特性曲線。
g-i.
展開 “第三代半導體”助力新能源汽車彎道超車
具體來說，碳化硅（SiC）可作為襯底主要應用在功率半導體與射頻半導體領域，而由導電型碳化硅襯底制成的功率半導體器件包括：結勢壘肖特基功率二極管（JBS）、PiN功率二極管和混合PiN肖特基二極管（MPS）；金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）、雙極型晶體管（BJT）、結型場效應晶體管（JFET）、絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）和門極可關斷晶閘管（GTO）等，能夠應用于電子電氣領域中新能源汽車、光伏發電等方面。眾多新能源車企已經開始將SiC應用于其新能源汽車的主控電路中。
碳化硅（SiC）在新能源汽車領域的應用及優勢有：
1.新能源汽車直流充電樁：減積減重；提高充電效率至少1%，達到96%以上的轉化效率；由于SiC功率器件對溫度依賴性較低，提高夏季高溫時段電能轉化效率；降低電能損耗，提升大型充電站的經濟效益；充電樁系統成本與硅基基本持平，性價比較高。
2.新能源汽車車載充電機（OBC）：減積減重、提高效率、降低損耗。
3.新能源汽車電機驅動系統：利用SiC功率模塊體積比硅基模塊縮小1/3~2/3，減積減重；電力損耗減少47%，開關損耗85%，提升電力使用效率；開關頻率可達硅基IGBT10倍以上，提高開關頻率將顯著減小電感器、電容器等周邊部件的體積和成本。減積減重；發熱量也只有硅器件的1/2，有非常優異的高溫穩定性，散熱處理更容易，散熱體積減小，可使得車輛冷卻系統的體積減少60%，甚至消除了二次液體的冷卻系統，減積減重；可實現逆變器與馬達一體化，減積減重。可綜合提高新能源汽車5%~10%左右的續航里程。
不過，由于第三代半導體仍是個新興技術，全球市場處于初期階段，歐美、日本等由于產業起步較早，發展較為成熟，近年來還不斷擴大產能，推動產業鏈協同，目前仍占據著產業主要話語權。
展開 新能源汽車電機驅動系統關鍵技術展望
（一）功率半導體器件技術
電機控制器的發展以功率半導體器件為主線，正從硅基絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）、傳統單面冷卻封裝技術，向寬禁帶半導體（如SiC、GaN等）、定制化模塊封裝、雙面冷卻集成等方向發展。同時，得益于成熟的技術迭代，以及相比于寬禁帶半導體器件更低的成本，硅基IGBT仍然是當前與未來較長時間內電機控制器產品的主要選擇。
在硅基IGBT芯片技術上，英飛凌科技公司針對新能源汽車市場高功率密度需求，已研發出EDT2芯片技術，實現了750V/270A IGBT芯片量產，富士集團等日本廠商也都相繼研發出了高功率密度IGBT芯片技術，并已批量應用于汽車IGBT模塊產品。此外，與硅基器件（如IGBT、MOSFET等）相比，SiC器件屬于第三代半導體材料功率器件，具有高熱導率、耐高溫、禁帶寬度大、擊穿場強高、飽和電子漂移速率大等優勢，結溫耐受可以達到225 ℃甚至更高，遠高于當前硅基IGBT 175 ℃的最高應用結溫。SiC器件開關速度更快，可應用于更高的開關頻率，更適用于高速電機的控制。同時，相比硅基IGBT，SiC器件的開關損耗和導通損耗均大幅降低，有助于降低整車百千米耗電量，提升整車續航里程[1]。但是當前SiC器件成本仍遠高于硅基IGBT，這成為阻礙SiC器件推廣的重要因素。
同時，銅線鍵合、芯片倒裝、銀燒結、瞬態液相焊接等新型封裝技術可以提高IGBT功率模塊的載流密度與壽命，因此也成為當前的研究熱點。目前，電裝、德爾福、英飛凌、株洲中車時代電氣股份有限公司等已研制出基于雙面冷卻的IGBT模塊與電機控制器產品，部分已隨整車產品獲得批量應用。基于硅基IGBT的電機控制器設計在未來相當長一段時間內仍將為市場的主流選擇，硅基IGBT器件芯片與功率模塊封裝技術將在不斷的優化迭代中獲得提升。
展開 新能源汽車電機驅動系統關鍵技術展望
（一）功率半導體器件技術
電機控制器的發展以功率半導體器件為主線，正從硅基絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）、傳統單面冷卻封裝技術，向寬禁帶半導體（如SiC、GaN等）、定制化模塊封裝、雙面冷卻集成等方向發展。同時，得益于成熟的技術迭代，以及相比于寬禁帶半導體器件更低的成本，硅基IGBT仍然是當前與未來較長時間內電機控制器產品的主要選擇。
在硅基IGBT芯片技術上，英飛凌科技公司針對新能源汽車市場高功率密度需求，已研發出EDT2芯片技術，實現了750V/270A IGBT芯片量產，富士集團等日本廠商也都相繼研發出了高功率密度IGBT芯片技術，并已批量應用于汽車IGBT模塊產品。此外，與硅基器件（如IGBT、MOSFET等）相比，SiC器件屬于第三代半導體材料功率器件，具有高熱導率、耐高溫、禁帶寬度大、擊穿場強高、飽和電子漂移速率大等優勢，結溫耐受可以達到225 ℃甚至更高，遠高于當前硅基IGBT 175 ℃的最高應用結溫。SiC器件開關速度更快，可應用于更高的開關頻率，更適用于高速電機的控制。同時，相比硅基IGBT，SiC器件的開關損耗和導通損耗均大幅降低，有助于降低整車百千米耗電量，提升整車續航里程[1]。但是當前SiC器件成本仍遠高于硅基IGBT，這成為阻礙SiC器件推廣的重要因素。
同時，銅線鍵合、芯片倒裝、銀燒結、瞬態液相焊接等新型封裝技術可以提高IGBT功率模塊的載流密度與壽命，因此也成為當前的研究熱點。目前，電裝、德爾福、英飛凌、株洲中車時代電氣股份有限公司等已研制出基于雙面冷卻的IGBT模塊與電機控制器產品，部分已隨整車產品獲得批量應用。基于硅基IGBT的電機控制器設計在未來相當長一段時間內仍將為市場的主流選擇，硅基IGBT器件芯片與功率模塊封裝技術將在不斷的優化迭代中獲得提升。
展開 
第三代半導體技術競爭白熱化！碳化硅(SiC)的前世今生！
而由導電型碳化硅襯底制成的功率半導體器件包括：結勢壘肖特基功率二極管（JBS）、PiN功率二極管和混合PiN肖特基二極管（MPS）；金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）、雙極型晶體管（BJT）、結型場效應晶體管（JFET）、絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）和門極可關斷晶閘管（GTO）等，能夠應用于電子電氣領域中新能源汽車、光伏發電等方面。而由半絕緣型襯底制成的射頻半導體器件包括射頻開關、LNA、功率放大器、濾波器等，可廣泛應用于5G通訊、衛星、雷達等領域。
氮化鎵（GaN）
目前氮化鎵單晶生長尺寸在2英寸和4英寸，一般不作為襯底材料，而是采用異質外延技術生長GaN-on-SiC器件、GaN-on-Si器件以及藍寶石基氮化鎵外延器件等。在器件及應用方面，首先，GaN-on-SiC器件、GaN-on-Si器件可作為微波射頻器件，應用于5G 通信、雷達預警、衛星通訊等方面。
此外，GaN寬帶隙功率晶體管可以在高壓和高開關頻率條件下提供高功率效率，使其能夠應用于智能電網、高速軌道交通、新能源汽車、消費電子等電力電子方向，其性能遠遠超過硅MOSFET產品。根據Yole數據，GaN射頻全球市場在2018年為6.45億美元，預計2024年達到約 20億美元；在GaN電源市場方面，受消費者快速充電器應用推動，到2024 年全球市場規模將超過3.5億美元。基于硅襯底GaN還可制造藍光LED和白光LED，GaN因其材料的高頻特性是制備紫外光器件的良好材料，可應用在包括滅火抑爆系統、紫外制導、紫外通信等在內的軍事領域，以及火焰探測、電暈放電檢測、醫學監測診斷等在內的民用領域。
展開 考慮焊料空洞損傷的IGBT雙向熱網絡模型
蔡彥閣1，杜明星1，姚婉榮2
（1.天津理工大學 天津市復雜系統控制理論及應用重點實驗室
2.天津中科華盈科技有限公司）
摘 要 ：絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）模塊的老化狀態和封裝結構對 IGBT 芯片的結溫及溫度分布產生影響，但傳統熱網絡模型往往會忽視硅膠和外殼對結溫的影響，造成結溫估計不準確。針對此問題建立考慮硅膠和外殼的雙向熱網絡模型，在考慮芯片焊料層空洞的基礎上對模型進行優化，并利用有限元仿真，分析硅膠和外殼對 IGBT 模塊芯片溫度分布的影響，進而分析出現空洞后熱網絡模型參數的計算方法。最后，通過實驗證明雙向熱網絡模型的正確性。與傳統熱網絡模型相比，該模型的參數計算方法簡單，結溫計算準確，更適用于 IGBT 模塊可靠性的檢測和診斷。
展開 一期一會 | 什么是電動汽車動力總成？
DC-AC逆變器包含有絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）或碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管（SiC MOSFET）功率器件，這些器件通過印刷電路板（PCB）或功率母排相連。這些電源半導體器件可作為高速開關，“開”“關”電機的大電流和高電壓，以模擬正弦電流波形。
DC-DC轉換器：DC-DC轉換器可調節電池的高壓DC輸出，提供為照明、娛樂系統或空調等輔助系統供電所需的低壓DC電源。其集成了不同電力電子器件，包括功率半導體、功率二極管、電容和磁性元件等。此外，也可將一款DC-DC轉換器集成到包含充電器和接線盒的供電模塊（PDM）中。
車輛控制單元：車輛控制單元是電動汽車的中央通信中心，收集并處理來自各種系統、傳感器和控制器的數據，它可實現車載充電器、電池、電機以及其它系統之間的工作同步。
配電單元：配電單元可確保車內的每個系統都能獲得適量的電能。其集成了開關、熔斷器和繼電器等電力電子器件，偶爾還包含半導體器件，這樣，不僅可防止系統過載，還能提升效率。
固件和電子控制單元：通過由固件供電的電子控制單元（ECU）協調，可確保數據的高效交換和處理，從而使電動汽車動力總成組件實現高效安全的工作。
熱管理系統：熱管理系統可防止電池和電機免受極端溫度的影響，確保整個電動汽車驅動系統和生態系統的高效安全流程。
3、電動汽車動力總成的機電能量轉換
牽引電機：牽引電機是產生道路牽引力，驅動車輛前進的主要組件，其通常具有：
定子：這是電機的固定部分，由硅鋼片（導磁鋼片）和纏繞在定子周圍周向間隔的槽中的銅線圈組成。
轉子：這是電機的旋轉部分，通常由硅鋼片和永磁體組成，其經過精心設計，與定子結構協同作用以產生扭矩。
展開 一文讀懂：第三代半導體行業現狀和投資機遇
但是在晶體材料質量和產業化能力方面距離國際先進水平存在一定差距。
2.2 SiC 功率器件的發展現狀
SiC 功率半導體器件包括二極管和晶體管，其中二極管主要有結勢壘肖特基（JBS）功率二極管、pin功率二極管和混合pin肖特基二極管（MPS）；晶體管主要有金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）、雙極型晶體管（BJT）、結型場效應晶體管（JFET）、絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）和門極可關斷晶閘管（GTO）等。
2001 年，德國英飛凌（Infineon）公司最先發布SiC JBS 產品，同年美國 Cree 公司也實現了 SiCJBS。由于 SiC 晶體管的技術難度大，產業化進度落后于二極管。2010年，日本 Rohm公司首先量產SiC MOSFET 產品，2011年美國 Cree公司開始銷售SiC MOSFET 產品。SiC IGBT 和 GTO 等器件由于技術難度更大，仍處于研發階段，距離產業化有較大的差距。SiC JBS二極管和MOSFET晶體管由于其性能優越，成為目前應用最廣泛、產業化成熟度最高的SiC功率器件。
隨著國際上 SiC 功率器件技術的進步和制造工藝從 4英寸升級到 6英寸，器件產業化水平不斷提高，SiC 功率器件的成本迅速下降。全球 SiC 功率器件市場的發展趨勢。2017 年全球 SiC 功率器件（主要是SiC JBS和MOSFET）的市場接近17億美元。
展開 電機散熱系統的研究現狀與發展趨勢
GALEA等在水冷電機的定子槽內嵌裝具有高熱導率的熱路并建立了電機熱路模型，如圖13所示，定子槽內的熱路結構可以根據定子槽型進行調整。研究結果表明，在同等工作狀態下，該方案可以有效降低繞組溫度約40%。
圖13 針對不同槽型設計的槽內熱路散熱方案
Fig.13 Cooling schemes of internal thermal circuit
for different slot designs
POLIKARPOVA等在軸向磁通永磁同步電機的定子與機殼之間安裝了導熱銅棒，同時在電機繞組端部與機殼之間灌封了導熱陶瓷材料，如圖14所示，采用有限元仿真與實驗測試相結合的方法驗證了散熱方案的有效性，結果表明該方案可以降低繞組溫升13～17 ℃。
圖14 采用導熱膠和銅棒增強散熱的水冷電機
Fig.14 Potting material and copper bars enhanced
water cooling motor
近年來，相變熱管理技術得到了飛速發展，在大功率LED、絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)、筆記本電腦和智能手機等高熱流密度電子器件中得到了廣泛應用。相變熱管理技術主要包括相變儲熱技術和相變傳熱技術兩大類。相變儲熱技術利用相變材料的相變潛熱儲存大量的熱量，可以達到緩解溫度沖擊、抑制溫升的作用，石蠟是常用的相變儲熱材料。相變傳熱技術利用工質的氣液相變循環實現高效傳熱的技術。熱管是常用的相變傳熱器件之一，主要包括殼體、吸液芯和工質三部分，其工作原理如圖15所示。熱管的殼體是密封結構并進行了抽真空處理，吸液芯附著在殼體內壁，工質在蒸發段遇熱氣化并吸收大量的熱量，導致蒸發段氣體壓力上升并驅動工質氣體向冷凝段移動；蒸汽在冷凝段遇冷液化并釋放熱量，冷凝后的液態工質在吸液芯的驅動下回到蒸發段。
展開 基于電動汽車電池加熱器的控制方法優化
1、電池低溫加熱系統介紹本文以某款純電動汽車為研究對象，該車型的電池加熱系統主要由動力電池、加熱器PTC、水泵、PTC水溫傳感器以及相關的管路組成，見圖1。動力電池采用一款容量為170Ah的三元鋰離子電池，在檢測到電池的溫度低于一定值后進入低溫加熱模式，請求PTC工作，通過調節PTC的不同加熱檔位將PTC的水溫控制在目標溫度區間，在PTC工作的同時請求水泵運轉提供7L/min的流量，使冷卻液流經電池內部與電池進行熱量交換實現電池的加熱功能。
本系統的核心是通過控制PTC工作將水溫加熱到一個目標溫度值并維持在目標值附近。本文設定的加熱目標溫度區間是45-50℃，設定的目標值過低會導致加熱效率過低，設置過高會導致電池內部溫差過大，通過請求PTC以不同的檔位進行加熱來維持冷卻液在目標溫度區間內。2、PTC介紹2.1 PTC檔位介紹PTC加熱器，是一類以鈦酸鋇（BaTiO3）鈦酸鍶（SrTiO3），鈦酸鉛（PbTiO3）為基本組成的半導體陶瓷。這種陶瓷在較低溫度時，電阻值偏低，但當溫度在某一溫度（稱為居里溫度）以上時，其自身電阻急劇上升3~8個數量級（103~108倍），電阻體具有較大的正溫度系數。PTC具有換熱效率高、安全性高和壽命長的優點。本文的加熱器是由三個不同加熱功率的PTC（PTC1、PTC2、PTC3）組成，每個PTC分別由1個，絕緣柵雙極型晶體管（InsulatedGateBipolarTransistor，IGBT）控制通斷，通過汽車總線將加熱需求以及加熱檔位發送給PTC控制器，PTC控制器根據需求指令及當前狀態，控制不同的PTC工作將車載動力電源的電能轉化為熱能。
展開 本征導熱聚合物研究：機理、結構與性能及應用
來源 | 化學進展
作者 | 周文英1，王芳1，楊亞亭1，王蘊1，趙瑩瑩2，張亮青2
單位 | 1.西安科技大學化學與化工學院；2.西安科技大學材料科學與工程學院
摘要：散熱已成為制約超高頻、大功率微電子器件和高電壓電氣絕緣設備日益微型化的技術瓶頸和發展面臨的重要挑戰，急需高性能的導熱材料實現快速散熱。相比導熱高分子復合材料，本征結構的導熱高分子材料因同步的高導熱及高絕緣強度、優異柔韌性、輕質高強等優異的綜合性能及優勢受到了國內外學者的廣泛研究和關注。本文首先討論了聚合物的本征導熱機理，系統深入地分析和評述了單體及分子鏈結構、結晶、取向、分子鏈間作用、交聯、缺陷等結構因素，以及溫度、壓力、環境等因素對聲子熱傳遞及聚合物導熱的影響機理，進一步歸納了本征導熱聚合物的制備策略和途徑。最后總結了當前本征導熱聚合物研究面臨的主要問題和挑戰，展望了未來發展方向及其在眾多領域的重要潛在應用。
關鍵詞：導熱聚合物 聲子傳遞 有序結構 取向 氫鍵
01
前言
大功率及高能量密度的電子器件如 5G 網絡基站、電動汽車電池系統、CPU 芯片、絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）等面臨著因高熱通量、不均勻溫度分布及局部過熱導致的性能、安全可靠性及壽命急劇下降，甚至起火和爆炸的危險和嚴峻挑戰，急需優良的熱管理系統以保證電子器件的長期安全可靠運行。高性能導熱材料在電子器件的熱管理系統中發揮著至關重要的作用。
結構無序分子鏈的無規纏結狀態加上鏈末端、界面、空隙、雜質等缺陷對聲子的散射效應而顯著限制了熱載流子的傳輸效率，導致了高分子極低的熱導率（k~0.2 Ｗ/(ｍ·Ｋ)。
展開 
國內國外主要IGBT廠商匯總！
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由 BJT（雙極型三極管）和 MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件， 兼有 MOSFET 的高輸入阻抗和 GTR 的低導通壓降兩方面的優點。GTR 飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET 驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT 綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為 600V 及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
IGBT 模塊是由 IGBT（絕緣柵雙極型晶體管芯片）與 FWD（續流二極管芯片）通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導體產品；封裝后的 IGBT 模塊直接應用于變頻器、UPS 不間斷電源等設備上；
IGBT 模塊具有節能、安裝維修方便、散熱穩定等特點；當前市場上銷售的多為此類模塊化產品，一般所說的 IGBT 也指 IGBT 模塊；隨著節能環保等理念的推進，此類產品在市場上將越來越多見；
IGBT 是能源變換與傳輸的核心器件，俗稱電力電子裝置的“CPU”，作為國家戰略性新興產業，在軌道交通、智能電網、航空航天、電動汽車與新能源裝備等領域應用極廣。
展開 SiC有何魔力？盤點車企與SiC的那些事兒
2009年，本田技術研究所公開了正與日本新電元工業共同研發的SiC制 BJT（雙極晶體管，bipolar junction transistor）的開發情況。
羅姆不僅與本田技術研究所，還與日產汽車共同進行著SiC器件和逆變器的研究開發。兩者均和羅姆公司就HEV／EV應用SiC半導體技術進行了多年的合作研究。
本田公司開發的燃料電池車Clarity，作為量產車，其中燃料電池升壓轉換器是采用世界首創的碳化硅智能功率模塊(SiC-IPM) ，以及四相交錯控制，磁力結合電抗器等新技術。由于采用了這類新技術，比采用傳統型技術的升壓轉換器體積縮小了約40%左右。
SiC-IPM 使進行轉換(開關) 的全部功率模塊元件，由傳統型的硅制功率元 件(絕緣柵雙極型晶體管IGBT) 替換為更高性能的SiC 材質的元件。新型的SiC 功率元件具有非常高的性能。
現代汽車
2021年3月25日，德國緯湃獲得現代汽車一份訂單，價值“數億歐元（超過7億人民幣）”，將為現代提供800V碳化硅逆變器。
緯湃科技計劃從2025年開始量產首臺碳化硅逆變器，屆時市場對碳化硅解決方案的需求預計大幅提升。緯湃科技首選羅姆半導體作為碳化硅(SiC)功率器件合作伙伴。
2021年9月3日，據《首爾經濟日報》報道，韓國現代汽車計劃在2022年推出的一款新車上使用其公司內部開發的碳化硅芯片。
報道稱，現代汽車計劃在內部開發以碳化硅技術為基礎的功率芯片，由其子公司現代摩比斯主導芯片設計工藝，并與多家公司進行了合作，包括系統芯片制造商Magnachip Semiconductor。
2022年1月7日，碳化硅襯底公司Scenic與合作方簽訂了潔凈室建設合同，準備量產SiC晶片。
展開 SiC有何魔力？盤點車企與SiC的那些事兒
2009年，本田技術研究所公開了正與日本新電元工業共同研發的SiC制 BJT（雙極晶體管，bipolar junction transistor）的開發情況。
羅姆不僅與本田技術研究所，還與日產汽車共同進行著SiC器件和逆變器的研究開發。兩者均和羅姆公司就HEV／EV應用SiC半導體技術進行了多年的合作研究。
本田公司開發的燃料電池車Clarity，作為量產車，其中燃料電池升壓轉換器是采用世界首創的碳化硅智能功率模塊(SiC-IPM) ，以及四相交錯控制，磁力結合電抗器等新技術。由于采用了這類新技術，比采用傳統型技術的升壓轉換器體積縮小了約40%左右。
SiC-IPM 使進行轉換(開關) 的全部功率模塊元件，由傳統型的硅制功率元 件(絕緣柵雙極型晶體管IGBT) 替換為更高性能的SiC 材質的元件。新型的SiC 功率元件具有非常高的性能。
現代汽車
2021年3月25日，德國緯湃獲得現代汽車一份訂單，價值“數億歐元（超過7億人民幣）”，將為現代提供800V碳化硅逆變器。
緯湃科技計劃從2025年開始量產首臺碳化硅逆變器，屆時市場對碳化硅解決方案的需求預計大幅提升。緯湃科技首選羅姆半導體作為碳化硅(SiC)功率器件合作伙伴。
2021年9月3日，據《首爾經濟日報》報道，韓國現代汽車計劃在2022年推出的一款新車上使用其公司內部開發的碳化硅芯片。
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