MOS的案例
干貨｜MOS管驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)，如何讓MOS管快速開啟和關(guān)閉？
關(guān)于MOS管驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)，本文談一談如何讓MOS管快速開啟和關(guān)閉。
一般認(rèn)為MOSFET（MOS管）是電壓驅(qū)動(dòng)的，不需要驅(qū)動(dòng)電流。然而，在MOS管的G極和S極之間有結(jié)電容存在，這個(gè)電容會讓驅(qū)動(dòng)MOS變的不那么簡單。
下圖的3個(gè)電容為MOS管的結(jié)電容，電感為電路走線的寄生電感：
如果不考慮紋波、EMI和沖擊電流等要求的話，MOS管開關(guān)速度越快越好。因?yàn)殚_關(guān)時(shí)間越短，開關(guān)損耗越小，而在開關(guān)電源中開關(guān)損耗占總損耗的很大一部分，因此MOS管驅(qū)動(dòng)電路的好壞直接決定了電源的效率。
怎么做到MOS管的快速開啟和關(guān)閉呢？
對于一個(gè)MOS管，如果把GS之間的電壓從0拉到管子的開啟電壓所用的時(shí)間越短，那么MOS管開啟的速度就會越快。與此類似，如果把MOS管的GS電壓從開啟電壓降到0V的時(shí)間越短，那么MOS管關(guān)斷的速度也就越快。
展開 干貨 | MOS管驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)，如何讓MOS管快速開啟和關(guān)閉？
關(guān)于MOS管驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)，本文談一談如何讓MOS管快速開啟和關(guān)閉。
一般認(rèn)為MOSFET（MOS管）是電壓驅(qū)動(dòng)的，不需要驅(qū)動(dòng)電流。然而，在MOS管的G極和S極之間有結(jié)電容存在，這個(gè)電容會讓驅(qū)動(dòng)MOS變的不那么簡單。
下圖的3個(gè)電容為MOS管的結(jié)電容，電感為電路走線的寄生電感：
如果不考慮紋波、EMI和沖擊電流等要求的話，MOS管開關(guān)速度越快越好。因?yàn)殚_關(guān)時(shí)間越短，開關(guān)損耗越小，而在開關(guān)電源中開關(guān)損耗占總損耗的很大一部分，因此MOS管驅(qū)動(dòng)電路的好壞直接決定了電源的效率。
怎么做到MOS管的快速開啟和關(guān)閉呢？
對于一個(gè)MOS管，如果把GS之間的電壓從0拉到管子的開啟電壓所用的時(shí)間越短，那么MOS管開啟的速度就會越快。與此類似，如果把MOS管的GS電壓從開啟電壓降到0V的時(shí)間越短，那么MOS管關(guān)斷的速度也就越快。
由此我們可以知道，如果想在更短的時(shí)間內(nèi)把GS電壓拉高或者拉低，就要給MOS管柵極更大的瞬間驅(qū)動(dòng)電流。
大家常用的PWM芯片輸出直接驅(qū)動(dòng)MOS或者用三極管放大后再驅(qū)動(dòng)MOS的方法，其實(shí)在瞬間驅(qū)動(dòng)電流這塊是有很大缺陷的。
展開 MOS管驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)，如何讓MOS管快速開啟和關(guān)閉？
關(guān)于MOS管驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)，本文談一談如何讓MOS管快速開啟和關(guān)閉。
一般認(rèn)為MOSFET（MOS管）是電壓驅(qū)動(dòng)的，不需要驅(qū)動(dòng)電流。然而，在MOS管的G極和S極之間有結(jié)電容存在，這個(gè)電容會讓驅(qū)動(dòng)MOS變的不那么簡單。
下圖的3個(gè)電容為MOS管的結(jié)電容，電感為電路走線的寄生電感：
如果不考慮紋波、EMI和沖擊電流等要求的話，MOS管開關(guān)速度越快越好。因?yàn)殚_關(guān)時(shí)間越短，開關(guān)損耗越小，而在開關(guān)電源中開關(guān)損耗占總損耗的很大一部分，因此MOS管驅(qū)動(dòng)電路的好壞直接決定了電源的效率。
怎么做到MOS管的快速開啟和關(guān)閉呢？
對于一個(gè)MOS管，如果把GS之間的電壓從0拉到管子的開啟電壓所用的時(shí)間越短，那么MOS管開啟的速度就會越快。與此類似，如果把MOS管的GS電壓從開啟電壓降到0V的時(shí)間越短，那么MOS管關(guān)斷的速度也就越快。
由此我們可以知道，如果想在更短的時(shí)間內(nèi)把GS電壓拉高或者拉低，就要給MOS管柵極更大的瞬間驅(qū)動(dòng)電流。
大家常用的PWM芯片輸出直接驅(qū)動(dòng)MOS或者用三極管放大后再驅(qū)動(dòng)MOS的方法，其實(shí)在瞬間驅(qū)動(dòng)電流這塊是有很大缺陷的。
展開 MOS管驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)，如何讓MOS管快速開啟和關(guān)閉？
關(guān)于MOS管驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)，本文談一談如何讓MOS管快速開啟和關(guān)閉。
一般認(rèn)為MOSFET（MOS管）是電壓驅(qū)動(dòng)的，不需要驅(qū)動(dòng)電流。然而，在MOS管的G極和S極之間有結(jié)電容存在，這個(gè)電容會讓驅(qū)動(dòng)MOS變的不那么簡單。
下圖的3個(gè)電容為MOS管的結(jié)電容，電感為電路走線的寄生電感：
如果不考慮紋波、EMI和沖擊電流等要求的話，MOS管開關(guān)速度越快越好。
因?yàn)殚_關(guān)時(shí)間越短，開關(guān)損耗越小，而在開關(guān)電源中開關(guān)損耗占總損耗的很大一部分，因此MOS管驅(qū)動(dòng)電路的好壞直接決定了電源的效率。
怎么做到MOS管的快速開啟和關(guān)閉呢？
對于一個(gè)MOS管，如果把GS之間的電壓從0拉到管子的開啟電壓所用的時(shí)間越短，那么MOS管開啟的速度就會越快。
與此類似，如果把MOS管的GS電壓從開啟電壓降到0V的時(shí)間越短，那么MOS管關(guān)斷的速度也就越快。
展開 
干貨｜MOS管驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)，如何讓MOS管快速開啟和關(guān)閉？
一般認(rèn)為MOSFET（MOS管）是電壓驅(qū)動(dòng)的，不需要驅(qū)動(dòng)電流。然而，在MOS管的G極和S極之間有結(jié)電容存在，這個(gè)電容會讓驅(qū)動(dòng)MOS變的不那么簡單。
下圖的3個(gè)電容為MOS管的結(jié)電容，電感為電路走線的寄生電感：
如果不考慮紋波、EMI和沖擊電流等要求的話，MOS管開關(guān)速度越快越好。因?yàn)殚_關(guān)時(shí)間越短，開關(guān)損耗越小，而在開關(guān)電源中開關(guān)損耗占總損耗的很大一部分，因此MOS管驅(qū)動(dòng)電路的好壞直接決定了電源的效率。
怎么做到MOS管的快速開啟和關(guān)閉呢？
對于一個(gè)MOS管，如果把GS之間的電壓從0拉到管子的開啟電壓所用的時(shí)間越短，那么MOS管開啟的速度就會越快。與此類似，如果把MOS管的GS電壓從開啟電壓降到0V的時(shí)間越短，那么MOS管關(guān)斷的速度也就越快。
由此我們可以知道，如果想在更短的時(shí)間內(nèi)把GS電壓拉高或者拉低，就要給MOS管柵極更大的瞬間驅(qū)動(dòng)電流。
展開 干貨｜大神分享mos管驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)
圖3：mos關(guān)斷時(shí)的對應(yīng)電流
該電流igd會流過驅(qū)動(dòng)電阻Rg，在mos管GS之間又引入一個(gè)電壓，當(dāng)該電壓高于mos管的門檻電壓Vth時(shí)，mos管會誤開通，為了防止mos管誤開通，應(yīng)當(dāng)滿足：
由上式解得：
式(6)給出了驅(qū)動(dòng)電阻Rg的上限值，式(6)中Cgd為mos管gd的寄生電容，Vth為mos管的門檻電壓，均可以在對應(yīng)的datasheet中查到，dV/dt則可以根據(jù)電路實(shí)際工作時(shí)mos的DS電壓和mos管關(guān)斷時(shí)DS電壓上升時(shí)間(該時(shí)間一般在datasheet中也能查到)求得。
從上面的分析可以看到，在mos管關(guān)斷時(shí)，為了防止誤開通，應(yīng)當(dāng)盡量減小關(guān)斷時(shí)驅(qū)動(dòng)回路的阻抗。基于這一思想，下面再給出兩種很常用的改進(jìn)型電路，可以有效地避免關(guān)斷時(shí)mos的誤開通問題。
圖4：改進(jìn)電路1
圖4給出的改進(jìn)電路1是在驅(qū)動(dòng)電阻上反并聯(lián)了一個(gè)二極管，當(dāng)mos關(guān)斷時(shí)，關(guān)斷電流就會流經(jīng)二極管Doff，這樣mos管gs的電壓就為二極管的導(dǎo)通壓降，一般為0.7V，遠(yuǎn)小于mos的門檻電壓（一般為2.5V以上），有效地避免了mos的誤開通。
圖5：改進(jìn)電路2
圖5給出的改進(jìn)電路2是在驅(qū)動(dòng)電路上加入了一個(gè)開通二極管Don和關(guān)斷三級管Qoff。當(dāng)mos關(guān)斷時(shí)，Qoff打開，關(guān)斷電流就會流經(jīng)該三極管Qoff，這樣mos管gs的電壓就被鉗位至地電平附近，從而有效地避免了mos的誤開通。
1.3、驅(qū)動(dòng)電阻阻值的選擇
根據(jù)1.1節(jié)和1.2節(jié)的分析，就可以求得mos管驅(qū)動(dòng)電阻的上限值和下限值，一般來說，mos管驅(qū)動(dòng)電阻的取值范圍在5~100歐姆之間，那么在這個(gè)范圍內(nèi)如何進(jìn)一步優(yōu)化阻值的選取呢？
展開 碳化硅MOS/超高壓MOS在電焊機(jī)上的應(yīng)用-REASUNOS瑞森半導(dǎo)體
家用焊機(jī)和工業(yè)焊機(jī)MOS管選型
二、典型應(yīng)用拓?fù)鋱D
單相逆變線電路
單相逆變線電路
三相逆變線電路
三相逆變線電路
三、典型應(yīng)用及選型推薦
單相逆變線電路
在220V 輸入前提下，采用單相逆變電路，推薦使用瑞森半導(dǎo)體高壓MOS系列：
新型的橫向變摻雜技術(shù)；
專有的功率MOS結(jié)構(gòu)；
高溫特性優(yōu)良。
單相逆變線路的電焊機(jī)推薦高壓MOS系列
三相逆變線電路
輸入電壓由單相220V AC變成三相380V AC后，原用500V系列已經(jīng)無法滿足要求，推薦使用瑞森半導(dǎo)體超高壓MOS系列：
損耗低，穩(wěn)定性強(qiáng)；
較低的開關(guān)速度達(dá)到更好的EMI兼容性；
耐高壓、大電流、可完全實(shí)現(xiàn)進(jìn)口替代。
三相逆變線路的電焊機(jī)推薦超高壓MOS
除了超高壓MOS，三相逆變電路還可推薦選用1200V以上的碳化硅MOS系列來做開關(guān)管。
軍工研究所實(shí)驗(yàn)室及CNAS實(shí)驗(yàn)室驗(yàn)證；
成功量產(chǎn)650V、1200V 、 1700V(國內(nèi)領(lǐng)先)；
具有競爭力的Ronsp，與1代產(chǎn)品相比，Ronsp減小20%，與2代產(chǎn)品相比更具競爭力。
三相逆變線路的電焊機(jī)推薦碳化硅MOS系列
展開 干貨 | 詳解MOS管和IGBT的區(qū)別
在電子電路中，MOS管和IGBT管會經(jīng)常出現(xiàn)，它們都可以作為開關(guān)元件來使用，MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相似。那為什么有些電路用MOS管，而有些電路用IGBT管？
下面我們就來了解一下，MOS管和IGBT管到底有什么區(qū)別吧！
1、什么是MOS管？
場效應(yīng)管主要有兩種類型，分別是結(jié)型場效應(yīng)管（JFET）和絕緣柵場效應(yīng)管（MOS管）。
MOS管即MOSFET，中文全稱是金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，由于這種場效應(yīng)管的柵極被絕緣層隔離，所以又叫絕緣柵場效應(yīng)管。
MOSFET又可分為N溝耗盡型和增強(qiáng)型；P溝耗盡型和增強(qiáng)型四大類。
MOSFET種類與電路符號
有的MOSFET內(nèi)部會有個(gè)二極管，這是體二極管，或者叫寄生二極管、續(xù)流二極管。
關(guān)于寄生二極管的作用，有兩種解釋：
MOSFET的寄生二極管，作用是防止VDD過壓的情況下，燒壞MOS管，因?yàn)樵谶^壓對MOS管造成破壞之前，二極管先反向擊穿，將大電流直接到地，從而避免MOS管被燒壞。
防止MOS管的源極和漏極反接時(shí)燒壞MOS管，也可以在電路有反向感生電壓時(shí)，為反向感生電壓提供通路，避免反向感生電壓擊穿MOS管。
MOSFET具有輸入阻抗高、開關(guān)速度快、熱穩(wěn)定性好、電壓控制電流等特性，在電路中，可以用作放大器、電子開關(guān)等用途。
2、什么是IGBT？
展開 《Materials Advances》：南洋理工大制備高效、可循環(huán)油水分離的3D多孔MoS2–PVP氣凝膠
MoS2是具有石墨烯狀結(jié)構(gòu)的層狀過渡金屬二硫化物，在催化，電池和傳感器領(lǐng)域具有廣闊的前景。
近期，南洋理工大學(xué)使用冷凍干燥法成功地制造了3D MoS2-PVP氣凝膠。作為表面活性劑，PVP可以輕松地附著在MoS2納米片的表面，并促進(jìn)納米片之間的相互連接。3D MoS2-PVP氣凝膠具有高吸附能力和強(qiáng)大的可回收性。經(jīng)過30個(gè)循環(huán)后，通過擠壓和蒸餾，氣凝膠的結(jié)構(gòu)和吸附能力保持在93.5％和92.9％，它可用作環(huán)境修復(fù)吸附材料。相關(guān)成果“A three-dimensional porous MoS2-PVP aerogel as a highly efficient and recyclable sorbent for oils and organic solvents”發(fā)表在《Materials Advances》。
結(jié)果與討論
圖1描繪了3D MoS2-PVP氣凝膠的組裝過程。兩親性PVP可用作支撐氣凝膠的框架。MoS2的橫向尺寸約為200-600 nm。相比于純的PVP，添加的MoS2 氣凝膠的比表面積增大。
圖 1 3D MoS 2 –PVP氣凝膠的組裝過程。
XRD圖證實(shí)PVP是無定形性質(zhì)，且MoS2-PVP氣凝膠的強(qiáng)度比高于MoS2-PVP，說明PVP促進(jìn)MoS 2納米片的剝離（圖2a-b）。FTIR光譜中，MoS2-PVP凝膠的特征峰藍(lán)移至3289、1686、1420和1131 cm-1，表明MoS 2和PVP之間的相互作用（圖2c-d）。
圖2 （a和b）MoS2，MoS2-PVP氣凝膠和PVP的XRD圖譜。（c和d）MoS2，MoS2 -PVP氣凝膠和PVP的FTIR光譜。
3D MoS2-PVP氣凝膠可以穩(wěn)定地站立在花朵的表面（圖3a），且具有良好的疏水性。
展開 奧胡斯大學(xué)Nano Energy：可控地蝕刻MoS2 Basal面以增強(qiáng)其電化學(xué)析氫性能
【本文亮點(diǎn)】
（1）利用水蒸氣可控的對MoS2進(jìn)行蝕刻。研究了MoS2不同層數(shù)上的蝕刻行為的溫度依賴性。通過控制蝕刻溫度，在MoS2 Basal面上觀察到1D（納米溝道），2D（單層三角形凹坑）和3D（六邊形深坑）的蝕刻行為。通過時(shí)間分辨蝕刻行為系統(tǒng)地研究了三種蝕刻機(jī)制。
（2）采用橫向力顯微鏡研究了蝕刻邊緣的原子分辨率結(jié)構(gòu)。研究發(fā)現(xiàn)蝕刻邊緣表現(xiàn)出具有周期S邊緣/ Mo邊緣的新周期性結(jié)構(gòu)。
（3）通過時(shí)間分辨原位TEM進(jìn)一步研究了水蒸汽蝕刻機(jī)理，揭示了該方法在工業(yè)用高比表面積的MoS2納米顆粒上的潛在應(yīng)用。
（4）通過在水蒸汽蝕刻的MoS2單片樣品上制備電化學(xué)microcell定量研究其催化活性。研究表明起始電位和Tafel斜率都顯著降低。
（5）采用DFT理論計(jì)算，詳細(xì)研究了蝕刻MoS2增強(qiáng)析氫效率的反應(yīng)機(jī)理。
【引言】
二硫化鉬（MoS2）以其價(jià)格低廉，地球含量豐富及較高的催化效率而有望取代鉑催化劑而被應(yīng)用于水分解領(lǐng)域。實(shí)驗(yàn)和理論研究表明，其催化活性主要來自于MoS2的邊緣活性位點(diǎn)，然而MoS2 Basal面則體現(xiàn)出催化惰性的特征。因此，開發(fā)一種能有效激活MoS2 Basal面的合理方法是提高MoS2催化性能的關(guān)鍵。目前已報(bào)道了多種潛在的方法可以提高MoS2的催化活性，如引入缺陷，相轉(zhuǎn)變或者構(gòu)建納米結(jié)構(gòu)。在構(gòu)建納米結(jié)構(gòu)的MoS2方面，目前大多數(shù)研究主要采用自下而上（bottom-up method）的化學(xué)合成方法。相對而言，自上而下（top-down method）的方法研究的相對較少。本文采用水蒸氣作為蝕刻氣體，實(shí)現(xiàn)了對MoS2 Basal面的可控蝕刻。在MoS2 Basal面上可控的蝕刻，產(chǎn)生了1D, 2D 和3D的納米結(jié)構(gòu)。
展開 干貨｜如何讓MOS管快速開啟和關(guān)閉？
關(guān)于MOS管驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)，本文談一談如何讓MOS管快速開啟和關(guān)閉。
一般認(rèn)為MOSFET（MOS管）是電壓驅(qū)動(dòng)的，不需要驅(qū)動(dòng)電流。
然而，在MOS管的G極和S極之間有結(jié)電容存在，這個(gè)電容會讓驅(qū)動(dòng)MOS變的不那么簡單。
下圖的3個(gè)電容為MOS管的結(jié)電容，電感為電路走線的寄生電感：
如果不考慮紋波、EMI和沖擊電流等要求的話，MOS管開關(guān)速度越快越好。因?yàn)殚_關(guān)時(shí)間越短，開關(guān)損耗越小，而在開關(guān)電源中開關(guān)損耗占總損耗的很大一部分，因此MOS管驅(qū)動(dòng)電路的好壞直接決定了電源的效率。
怎么做到MOS管的快速開啟和關(guān)閉呢？
對于一個(gè)MOS管，如果把GS之間的電壓從0拉到管子的開啟電壓所用的時(shí)間越短，那么MOS管開啟的速度就會越快。與此類似，如果把MOS管的GS電壓從開啟電壓降到0V的時(shí)間越短，那么MOS管關(guān)斷的速度也就越快。
由此我們可以知道，如果想在更短的時(shí)間內(nèi)把GS電壓拉高或者拉低，就要給MOS管柵極更大的瞬間驅(qū)動(dòng)電流。
展開 
MOS管：為什么Vgs上升時(shí)會有一個(gè)小平臺？
如下是一個(gè)NMOS的開關(guān)電路，階躍信號VG1設(shè)置DC電平2V，方波（振幅2V，頻率50Hz），T2的開啟電壓2V，所以MOS管T2會以周期T=20ms進(jìn)行開啟和截止?fàn)顟B(tài)的切換。
首先仿真Vgs和Vds的波形，會看到Vgs=2V的時(shí)候有一個(gè)
小平臺
，有人會好奇為什么Vgs在上升時(shí)會有一個(gè)小平臺？
MOS管Vgs小平臺
帶著這個(gè)疑問，我們嘗試將電阻R1由5K改為1K，再次仿真，發(fā)現(xiàn)這個(gè)平臺變得很小，幾乎沒有了，這又是為什么呢？
MOS管Vgs小平臺有改善
為了理解這種現(xiàn)象，需要理論知識的支撐。
MOS管的等效模型
我們通常看到的MOS管圖形是左邊這種，右邊的稱為MOS管的等效模型。
其中：Cgs稱為GS寄生電容，Cgd稱為GD寄生電容，輸入電容Ciss=Cgs+Cgd，輸出電容Coss=Cgd+Cds，反向傳輸電容Crss=Cgd，也叫米勒電容。
米勒效應(yīng)的罪魁禍?zhǔn)拙褪敲桌针娙荩桌招?yīng)指其輸入輸出之間的分布電容Cgd在反相放大的作用下，使得等效輸入電容值放大的效應(yīng)，米勒效應(yīng)會形成米勒平臺。
首先我們需要知道的一個(gè)點(diǎn)是：因?yàn)?em>MOS管制造工藝，必定產(chǎn)生Cgd，也就是米勒電容必定存在，所以米勒效應(yīng)不可避免。
那米勒效應(yīng)的缺點(diǎn)是什么呢？
MOS管的開啟是一個(gè)從無到有的過程，MOS管D極和S極重疊時(shí)間越長，MOS管的導(dǎo)通損耗越大。因?yàn)橛辛嗣桌针娙荩辛嗣桌掌脚_，MOS管的開啟時(shí)間變長，MOS管的導(dǎo)通損耗必定會增大。
展開 干貨 | 工程師不得不知的MOS管驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)細(xì)節(jié)
然而，在MOS的G S兩級之間有結(jié)電容存在，這個(gè)電容會讓驅(qū)動(dòng)MOS變的不那么簡單。
如果不考慮紋波和EMI等要求的話，MOS管開關(guān)速度越快越好，因?yàn)殚_關(guān)時(shí)間越短，開關(guān)損耗越小，而在開關(guān)電源中開關(guān)損耗占總損耗的很大一部分，因此MOS管驅(qū)動(dòng)電路的好壞直接決定了電源的效率。
對于一個(gè)MOS管，如果把GS之間的電壓從0拉到管子的開啟電壓所用的時(shí)間越短，那么MOS管開啟的速度就會越快。與此類似，如果把MOS管的GS電壓從開啟電壓降到0V的時(shí)間越短，那么MOS管關(guān)斷的速度也就越快。
由此我們可以知道，如果想在更短的時(shí)間內(nèi)把GS電壓拉高或者拉低，就要給MOS管柵極更大的瞬間驅(qū)動(dòng)電流。
大家常用的PWM芯片輸出直接驅(qū)動(dòng)MOS或者用三極管放大后再驅(qū)動(dòng)MOS的方法，其實(shí)在瞬間驅(qū)動(dòng)電流這塊是有很大缺陷的。
比較好的方法是使用專用的MOSFET驅(qū)動(dòng)芯片如TC4420來驅(qū)動(dòng)MOS管，這類的芯片一般有很大的瞬間輸出電流，而且還兼容TTL電平輸入，MOSFET驅(qū)動(dòng)芯片的內(nèi)部結(jié)構(gòu)如下：
MOS驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)需要注意的地方：
因?yàn)轵?qū)動(dòng)線路走線會有寄生電感，而寄生電感和MOS管的結(jié)電容會組成一個(gè)LC振蕩電路，如果直接把驅(qū)動(dòng)芯片的輸出端接到MOS管柵極的話，在PWM波的上升下降沿會產(chǎn)生很大的震蕩，導(dǎo)致MOS管急劇發(fā)熱甚至爆炸，一般的解決方法是在柵極串聯(lián)10歐左右的電阻，降低LC振蕩電路的Q值，使震蕩迅速衰減掉。
因?yàn)?em>MOS管柵極高輸入阻抗的特性，一點(diǎn)點(diǎn)靜電或者干擾都可能導(dǎo)致MOS管誤導(dǎo)通，所以建議在MOS管G S之間并聯(lián)一個(gè)10K的電阻以降低輸入阻抗。
展開 MOS管和IGBT管有什么區(qū)別？
在電路設(shè)計(jì)中，MOS管和IGBT管會經(jīng)常出現(xiàn)，它們都可以作為開關(guān)元件來使用，MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相似，那為什么有些電路用MOS管？而有些電路用IGBT管？
下面我們就來了解一下，MOS管和IGBT管到底有什么區(qū)別吧！
什么是MOS管？
場效應(yīng)管主要有兩種類型，分別是結(jié)型場效應(yīng)管（JFET）和絕緣柵場效應(yīng)管（MOS管）。
MOS管即MOSFET，中文全稱是金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，由于這種場效應(yīng)管的柵極被絕緣層隔離，所以又叫絕緣柵場效應(yīng)管。
MOSFET又可分為N溝耗盡型和增強(qiáng)型；P溝耗盡型和增強(qiáng)型四大類。
▲ MOSFET種類與電路符號
有的MOSFET內(nèi)部會有個(gè)二極管，這是體二極管，或者叫寄生二極管、續(xù)流二極管。
關(guān)于寄生二極管的作用，有兩種解釋：
1、MOSFET的寄生二極管，作用是防止VDD過壓的情況下，燒壞MOS管，因?yàn)樵谶^壓對MOS管造成破壞之前，二極管先反向擊穿，將大電流直接到地，從而避免MOS管被燒壞。
2、防止MOS管的源極和漏極反接時(shí)燒壞MOS管，也可以在電路有反向感生電壓時(shí)，為反向感生電壓提供通路，避免反向感生電壓擊穿MOS管。
MOSFET具有輸入阻抗高、開關(guān)速度快、熱穩(wěn)定性好、電壓控制電流等特性，在電路中，可以用作放大器、電子開關(guān)等用途。
什么是IGBT？
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由晶體三極管和MOS管組成的復(fù)合型半導(dǎo)體器件。
展開 MOS管和IGBT的區(qū)別
在電子電路中，MOS管和IGBT管會經(jīng)常出現(xiàn)，它們都可以作為開關(guān)元件來使用，MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相似。那為什么有些電路用MOS管，而有些電路用IGBT管？
下面我們就來了解一下，MOS管和IGBT管到底有什么區(qū)別吧！
1、什么是MOS管？
場效應(yīng)管主要有兩種類型，分別是結(jié)型場效應(yīng)管（JFET）和絕緣柵場效應(yīng)管（MOS管）。
MOS管即MOSFET，中文全稱是金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，由于這種場效應(yīng)管的柵極被絕緣層隔離，所以又叫絕緣柵場效應(yīng)管。
MOSFET又可分為N溝耗盡型和增強(qiáng)型；P溝耗盡型和增強(qiáng)型四大類。
MOSFET種類與電路符號
有的MOSFET內(nèi)部會有個(gè)二極管，這是體二極管，或者叫寄生二極管、續(xù)流二極管。
關(guān)于寄生二極管的作用，有兩種解釋：
MOSFET的寄生二極管，作用是防止VDD過壓的情況下，燒壞MOS管，因?yàn)樵谶^壓對MOS管造成破壞之前，二極管先反向擊穿，將大電流直接到地，從而避免MOS管被燒壞。
防止MOS管的源極和漏極反接時(shí)燒壞MOS管，也可以在電路有反向感生電壓時(shí)，為反向感生電壓提供通路，避免反向感生電壓擊穿MOS管。
MOSFET具有輸入阻抗高、開關(guān)速度快、熱穩(wěn)定性好、電壓控制電流等特性，在電路中，可以用作放大器、電子開關(guān)等用途。
展開 