Wire Bond工藝
關(guān)注創(chuàng)建者：圖元TOPBRAIN 創(chuàng)建時間：2022-06-24
Wire Bond工藝的實例教程
圖：IGBT 標準封裝結(jié)構(gòu)橫切面
如上圖所示，可以看到IGBT模塊橫切面的界面，目前殼封工藝的模塊基本結(jié)構(gòu)都相差不大。IGBT模塊封裝的流程大致如下：
貼片→真空回流焊接→超聲波清洗→X-ray缺陷檢測→引線鍵合→靜態(tài)測試→二次焊接→殼體灌膠與固化→端子成形→功能測試（動態(tài)測試、絕緣測試、反偏測試）
貼片，首先將IGBT wafer上的每一個die貼片到DBC上。DBC是覆銅陶瓷基板，中間是陶瓷，雙面覆銅，DBC類似PCB起到導(dǎo)電和電氣隔離等作用，常用的陶瓷絕緣材料為氧化鋁（Al2O3）和氮化鋁（AlN）；
真空焊接，貼片后通過真空焊接將die與DBC固定，一般焊料是錫片或錫膏；
X-ray空洞檢測，需要檢測在敢接過程中出現(xiàn)的氣泡情況，即空洞，空洞的存在將會嚴重影響器件的熱阻和散熱效率，以致出現(xiàn)過溫、燒壞、爆炸等問題。一般汽車IGBT模塊要求空洞率低于1%；
接下來是wire bonding工藝，用金屬線將die和DBC鍵合，使用最多的是鋁線，其他常用的包括銅線、銅帶、鋁帶；
中間會有一系列的外觀檢測、靜態(tài)測試，過程中有問題的模塊直接報廢；
重復(fù)以上工序?qū)BC焊接和鍵合到銅底板上，然后是灌膠、封殼、激光打碼等工序；
出廠前會做最后的功能測試，包括電氣性能的動態(tài)測試、絕緣測試、反偏測試等等。
7、常見的汽車IGBT模塊封裝類型有哪些？
展開 圖：IGBT 標準封裝結(jié)構(gòu)橫切面
圖片來源，翠展微
如上圖所示，可以看到IGBT模塊橫切面的界面，目前殼封工藝的模塊基本結(jié)構(gòu)都相差不大。IGBT模塊封裝的流程大致如下：
貼片→真空回流焊接→超聲波清洗→X-ray缺陷檢測→引線鍵合→靜態(tài)測試→二次焊接→殼體灌膠與固化→端子成形→功能測試（動態(tài)測試、絕緣測試、反偏測試）
貼片，首先將IGBT wafer上的每一個die貼片到DBC上。DBC是覆銅陶瓷基板，中間是陶瓷，雙面覆銅，DBC類似PCB起到導(dǎo)電和電氣隔離等作用，常用的陶瓷絕緣材料為氧化鋁（Al2O3）和氮化鋁（AlN）；
真空焊接，貼片后通過真空焊接將die與DBC固定，一般焊料是錫片或錫膏；
X-ray空洞檢測，需要檢測在敢接過程中出現(xiàn)的氣泡情況，即空洞，空洞的存在將會嚴重影響器件的熱阻和散熱效率，以致出現(xiàn)過溫、燒壞、爆炸等問題。一般汽車IGBT模塊要求空洞率低于1%；
接下來是wire bonding工藝，用金屬線將die和DBC鍵合，使用最多的是鋁線，其他常用的包括銅線、銅帶、鋁帶；
中間會有一系列的外觀檢測、靜態(tài)測試，過程中有問題的模塊直接報廢；
重復(fù)以上工序?qū)BC焊接和鍵合到銅底板上，然后是灌膠、封殼、激光打碼等工序；
出廠前會做最后的功能測試，包括電氣性能的動態(tài)測試、絕緣測試、反偏測試等等。
展開 2.接插件用：電鍍Ni/Au或化學(xué)鍍Ni/Au（硬金，含P及Co）
3.線焊用：wire bonding 工藝
熱風(fēng)整平（HASL或HAL）
從熔融Sn/Pb焊料中出來的PCB經(jīng)熱風(fēng)（230℃）吹平的方法。
1.基本要求：
(1). Sn/Pb=63/37（重量比）
(2).涂覆厚度至少>3um
(3)避免形成非可焊性的Cu3Sn的出現(xiàn)， Cu3Sn出現(xiàn)的原因是錫量不足，如Sn/Pb合金涂覆層太薄，焊點組成由可焊的Cu6Sn5– Cu4Sn3-- Cu3Sn2—不可焊的Cu3Sn
2.工藝流程
去除抗蝕劑—板面清潔處理—印阻焊及字符—清潔處理—涂助焊劑— 熱風(fēng)整平—清潔處理
3.缺點：
a.鉛錫表面張力太大，容易形成龜背現(xiàn)象。
b.焊盤表面不平整，不利于SMT焊接。
化學(xué)鍍Ni/Au是指PCB連接盤上化學(xué)鍍Ni(厚度≥3um)后再鍍上一層0.05-0.15um薄金，或鍍上一層厚金(0.3-0.5um)。由于化學(xué)鍍層均勻，共面性好，并可提供多次焊接性能，因此具有推廣應(yīng)用的趨勢。其中鍍薄金（0.05-0.1um）是為了保護Ni的可焊性，而鍍厚金（0.3-0.5um）是為了線焊(wire bonding)工藝需要。
1.Ni層的作用：
a.作為Au、Cu之間的隔離層，防止它們之間相互擴散，造成其擴散部位呈疏松狀態(tài)。
b.作為可焊的鍍層，厚度至少>3um
2.Au的作用：
Au是Ni的保護層，厚度0.05-0.15之間，不能太薄，因金的氣孔性較大如果太薄不能很好的保護Ni，造成Ni氧化。其厚度也不能>0.15um，因焊點中會形成金銅合金Au3Au2(脆 ),當(dāng)焊點中Au超過3%時，可焊性變差。
展開 
Wire Bond工藝的相關(guān)專題、標簽、搜索
Wire Bond工藝ansys綁定 bondansys綁定bondabaqus創(chuàng)建wireabaqus修改wirewire單元abaqus 化學(xué)工藝制造工藝綜合 wire bondwire bondwire bond鍵合wb半導(dǎo)體最新芯片基板設(shè)計與封裝wire bond設(shè)計規(guī)范wire bond鍵合wb半導(dǎo)體芯片電子綜合電力電wbbga基板設(shè)計：最新芯片基板設(shè)計與封裝wire bond設(shè)計規(guī)范，項目評估、wbbga基板設(shè)計：最新芯片基板設(shè)計與封裝wire bond設(shè)計規(guī)范，項目評估、項目設(shè)計、項目后處理
Wire Bond工藝的最新內(nèi)容
一般汽車IGBT模塊要求空洞率低于1%；
接下來是wire bonding工藝，用金屬線將die和DBC鍵合，使用最多的是鋁線，其他常用的包括銅線、銅帶、鋁帶；
中間會有一系列的外觀檢測、靜態(tài)測試，過程中有問題的模塊直接報廢；
重復(fù)以上工序?qū)BC焊接和鍵合到銅底板上，然后是灌膠、封殼、激光打碼等工序；
出廠前會做最后的功能測試，包括電氣性能的動態(tài)測試、絕緣測試、反偏測試等等。
一般汽車IGBT模塊要求空洞率低于1%；
接下來是wire bonding工藝，用金屬線將die和DBC鍵合，使用最多的是鋁線，其他常用的包括銅線、銅帶、鋁帶；
中間會有一系列的外觀檢測、靜態(tài)測試，過程中有問題的模塊直接報廢；
重復(fù)以上工序?qū)BC焊接和鍵合到銅底板上，然后是灌膠、封殼、激光打碼等工序；
2.接插件用：電鍍Ni/Au或化學(xué)鍍Ni/Au（硬金，含P及Co）
3.線焊用：wire bonding 工藝
熱風(fēng)整平（HASL或HAL）
從熔融Sn/Pb焊料中出來的PCB經(jīng)熱風(fēng)（230℃）吹平的方法。
1.基本要求：
(1).
