靶材的案例
靶材 | 被先導(dǎo)收購(gòu)的三星康寧靶材事業(yè)部正式更名為KV Materials
CINNO Research產(chǎn)業(yè)資訊，被先導(dǎo)集團(tuán)收購(gòu)的三星康寧靶材(Target)事業(yè)更名KV Materials重新出發(fā)。三星康寧靶材曾于去年9月將慶北龜尾的靶材事業(yè)部出售給了先導(dǎo)集團(tuán)。
根據(jù)韓媒thelec報(bào)道，KV Materials是去年12月1日將三星康寧靶材靶材(Target)事業(yè)部分割成立。資本金為100億韓元（約人民幣5734萬(wàn)元）。先導(dǎo)集團(tuán)持有新設(shè)法人KV Materials 100%的股份。
靶材是用于面板、太陽(yáng)能薄膜涂布，從而確保透明性和導(dǎo)電性的材料。在真空蒸鍍制程中，將電離氬氣加速?zèng)_擊后，靶材掉落與玻璃基板形成薄膜。
面板制程中靶材使用于TFT LCD和OLED、TSP等的薄膜涂層。三星康寧靶材是在2014年三從星康寧精密材料(青山)收購(gòu)靶材事業(yè)。
新成立法人KV Materials今年3月31日還從三星康寧靶材獲得了21項(xiàng)韓國(guó)專(zhuān)利。三星康寧靶材在移交21項(xiàng)專(zhuān)利后，還剩下2項(xiàng)韓國(guó)國(guó)內(nèi)專(zhuān)利。
三星康寧靶材在公司成立的2012年前后，即2011~2013年自己申請(qǐng)了4項(xiàng)專(zhuān)利，但而后未有專(zhuān)利活動(dòng)。公司擁有的大部分專(zhuān)利是2014年之前從三星康寧精密材料獲得。
展開(kāi) 半導(dǎo)體靶材淺析。
半導(dǎo)體芯片對(duì)濺射靶材的金屬材料純度、內(nèi)部微觀結(jié)構(gòu)等方面都設(shè)定了極其苛刻的標(biāo)準(zhǔn)，若濺射靶材的雜質(zhì)含量過(guò)高，形成的薄膜就無(wú)法達(dá)到使用所要求的電性能，且在濺射過(guò)程中易在晶圓上形成微粒，導(dǎo)致電路短路或損壞，將嚴(yán)重影響薄膜的性能。
芯片制造對(duì)濺射靶材金屬純度的要求最高，通常要達(dá)到99.9995%以上，而平板顯示器、太陽(yáng)能電池分別要求達(dá)到 99.999%、99.995%以上即可。
除了純度之外，芯片對(duì)濺射靶材內(nèi)部微觀結(jié)構(gòu)等也設(shè)定了極其苛刻的標(biāo)準(zhǔn)，需要掌握生產(chǎn)過(guò)程中的關(guān)鍵技術(shù)，并經(jīng)過(guò)長(zhǎng)期實(shí)踐才能制成符合工藝要求的產(chǎn)品。
超高純度金屬及濺射靶材是電子材料的重要組成部分，濺射靶材產(chǎn)業(yè)鏈主要包括金屬提純、靶材制造、濺射鍍膜和終端應(yīng)用等環(huán)節(jié)，其中，靶材制造和濺射鍍膜環(huán)節(jié)是整個(gè)濺射靶材產(chǎn)業(yè)鏈中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。
市場(chǎng)規(guī)模
隨著消費(fèi)電子等終端應(yīng)用的飛速發(fā)展，高純度濺射靶材的市場(chǎng)銷(xiāo)售額日益擴(kuò)大。據(jù)統(tǒng)計(jì)，2015 年，全球高純?yōu)R射靶材市場(chǎng)的銷(xiāo)售額達(dá)94.8億美元，其中，半導(dǎo)體用濺射靶材的市場(chǎng)銷(xiāo)售額為11.4億美元。
中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示，2015年，中國(guó)高純度濺射靶材的市場(chǎng)需求規(guī)模約為153.5億元人民幣，約占當(dāng)年全球市場(chǎng)的24.17%。
有預(yù)測(cè)顯示，未來(lái)5年，世界濺射靶材的市場(chǎng)規(guī)模將超過(guò)160億美元，高純度濺射靶材市場(chǎng)復(fù)合年均增長(zhǎng)率CAGR可達(dá)13%。
來(lái)自WSTS的統(tǒng)計(jì)，預(yù)計(jì)全球靶材市場(chǎng)，在2017~2019年增速同上，也為13%。2016年全球?yàn)R射靶材市場(chǎng)容量為113.6億美元，相比于2015年的94.8億美元，增長(zhǎng)了20%。
展開(kāi) 靶材 | 三菱綜合材料宣布退出濺射靶材業(yè)務(wù)
CINNO Research 產(chǎn)業(yè)資訊，三菱綜合材料株式會(huì)社（以下簡(jiǎn)稱(chēng)為“三菱綜合材料”）2月16日官網(wǎng)宣布，決定放棄由旗下子公司一高性能產(chǎn)品公司的電子材料事業(yè)部管轄的濺射靶材（Sputtering Target）業(yè)務(wù)。
三菱綜合材料自1983年開(kāi)始生產(chǎn)和銷(xiāo)售用于生產(chǎn)薄膜的濺射靶材材料。在濺射靶材行業(yè)，由于近年來(lái)亞洲地區(qū)本土供應(yīng)商崛起等因素，競(jìng)爭(zhēng)愈發(fā)激烈。三菱綜合材料在中期經(jīng)營(yíng)計(jì)劃中，把優(yōu)化業(yè)務(wù)組合定為集團(tuán)公司的方針之一。在集團(tuán)內(nèi)部針對(duì)電子材料事業(yè)部進(jìn)行了多方討論后，認(rèn)為濺射靶材未來(lái)的業(yè)務(wù)環(huán)境依然會(huì)很?chē)?yán)峻，因此決定退出濺射靶材業(yè)務(wù)。
1，目標(biāo)產(chǎn)品
在三田工廠生產(chǎn)的所有濺射靶材產(chǎn)品。
2，退出時(shí)間
具體退出時(shí)間因產(chǎn)品而異。三菱綜合材料會(huì)在與各家客戶(hù)說(shuō)明之后，自2023年3月起按計(jì)劃逐步停止生產(chǎn)和銷(xiāo)售，在2024年3月之前退出。
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展開(kāi) 芯片大浪潮下，濺射靶材行業(yè)迎來(lái)發(fā)展機(jī)遇
2、濺射靶材主要應(yīng)用分析：
1>半導(dǎo)體濺射靶材.半導(dǎo)體濺射靶材占比10%，半導(dǎo)體芯片按照硅片尺寸的不同靶材類(lèi)別也有差異，8英寸晶圓生產(chǎn)中用到的鋁靶和鈦靶較多，而12英寸晶圓生產(chǎn)中對(duì)于鉭和銅靶材的需求較大。
2>平板顯示。平板顯示占比34%，鍍膜用濺射靶材主要品種有：鉬靶、鋁靶、鋁合金靶、鉻靶、銅靶、銅合金靶、硅靶、鈦靶、鈮靶和氧化銦錫（ITO）靶材等。
3>太陽(yáng)能光伏。太陽(yáng)能光伏行業(yè)中，濺射靶材占比21%，常用的濺射靶材包括：鋁靶、銅靶、鉬靶、鉻靶以及ITO靶。
3、濺射靶材產(chǎn)業(yè)鏈
靶材產(chǎn)業(yè)鏈：濺射靶材產(chǎn)業(yè)鏈主要包括金屬提純、靶材制造、濺射鍍膜和終端應(yīng)用等環(huán)節(jié)。其中，靶材制造和濺射鍍膜位于中游，是整個(gè)濺射靶材產(chǎn)業(yè)鏈中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。
上游：主要是提供金屬提純企業(yè)，比如：三菱化學(xué)（鋁、鈦），東方鉭業(yè)（鉭）、章源鎢業(yè)（鎢)。
中游：主要是濺射靶材制造商，霍尼韋爾（美）、日礦金屬（日本）、東曹（日本）、江豐電子（中國(guó)）、有研億金（中國(guó)）、阿石創(chuàng)（中國(guó)）。
下游：主要是應(yīng)用廠商：晶圓代工廠（臺(tái)積電、格羅方德、中芯國(guó)際、索尼、東芝）。半導(dǎo)體廠（意法半導(dǎo)體、英飛凌），面板廠（京東方），太陽(yáng)能電池廠。濺射靶材制造領(lǐng)域看，國(guó)內(nèi)企業(yè)在產(chǎn)業(yè)鏈地位弱小，正處在加速替代過(guò)程中。
濺射靶材的行業(yè)瓶頸
最大的瓶頸是高純金屬原材料的獲取。高純金屬原材料是靶材生產(chǎn)制造的基礎(chǔ)。成本結(jié)構(gòu)來(lái)看高純金屬原材料占比超過(guò)7成，高純金屬主要從國(guó)外進(jìn)口。
一般金屬能到99.8的純度，而制作芯片需要的金屬純度是99.999-99.9999。純度太高，提純技術(shù)壟斷在美日兩國(guó)，國(guó)內(nèi)近幾年才出現(xiàn)替代。
展開(kāi) 
基于Lagrange及SPH算法的彈體侵徹雙層靶材仿真
基于Lagrange及SPH算法的彈體侵徹雙層靶材仿真.pdf
彈體對(duì)鋼靶材的侵徹在軍工防護(hù)領(lǐng)域應(yīng)用廣泛，鋼靶材侵徹的破壞情況與彈體的變形程度對(duì)理解高速侵徹的作用機(jī)理具有重要意義。通過(guò)Lagrange算法建立靶材模型來(lái)分析鋼靶材的應(yīng)力應(yīng)變、沖擊中的能量變化及計(jì)算精度，得出了鋼靶材的應(yīng)力圍繞沖擊中心圓形擴(kuò)散，靶材邊界處的應(yīng)力效應(yīng)也得到消除，無(wú)應(yīng)力反彈現(xiàn)象出現(xiàn)；仿真繼續(xù)得出靶材的最大失效應(yīng)力為12100 MPa，彈體沖擊造成的第1、2層鋼靶材損傷截面面積分別為364、366 cm2，彈體在1300 m/s的高速?zèng)_擊下發(fā)生了嚴(yán)重的變形與破壞，彈體末端逐漸向沖擊反方向膨脹，直至發(fā)生塌陷破壞，坍塌深度達(dá)2.29 cm；文末最后亦提供了基于SPH算法的靶材侵徹結(jié)果，通過(guò)采用局部SPH粒子細(xì)分的方法建立不同密度的靶材SPH單元來(lái)模擬彈體的高速侵徹行為，通過(guò)能量曲線發(fā)現(xiàn)其侵徹結(jié)果更加穩(wěn)定，沒(méi)有過(guò)多紊亂情況，為采用更加高效的有限元建模算法來(lái)研究侵徹失效行為提供了依據(jù)。
展開(kāi) 半導(dǎo)體材料全球格局
靶材：制備薄膜材料的關(guān)鍵原料
濺射靶材是制備薄膜材料的關(guān)鍵原料。濺射過(guò)程需使用離子轟擊固體表面，使靶材中金屬原子以一定能量逸出并在晶圓或其他材料表面沉積，形成一層薄膜以實(shí)現(xiàn)導(dǎo)電、保護(hù)等功能，被轟擊的固體即為濺射靶材。
濺射靶材分類(lèi)
濺射靶材的種類(lèi)較多，即使相同材質(zhì)的濺射靶材也有不同的規(guī)格。以化學(xué)成分分類(lèi)，包括應(yīng)用于制作導(dǎo)電層具有良好導(dǎo)電性能銅、鋁、ITO、ZAO；鉭、鈦等靶材用于制作阻擋層，保護(hù)導(dǎo)電層不受侵蝕和氧化。鎳鉑合金、鎢鈦合金、鈷靶材用于制作接觸層，與硅層生成薄膜提供與外部連接的接點(diǎn)。目前芯片制造工藝在180-130nm之間主要用鋁及鋁合金靶材作為導(dǎo)電層，90-65 nm主要應(yīng)用銅靶材。
45-28nm主要使用純銅鋁和銅錳合金靶材。當(dāng)芯片制程在20nm以下，尤其是小于7nm時(shí)，鈷靶材在填滿能力、抗阻力和可靠度三方面優(yōu)勢(shì)明顯。
靶材上游是各類(lèi)高純金屬，主要由霍尼韋爾、三菱材料、世泰科等境外企業(yè)供應(yīng)。國(guó)內(nèi)方鉭業(yè)有一定高純鉭供應(yīng)能力，2014-2016年躋身于江豐電子前五大供應(yīng)商。
展開(kāi) 光纖傳感器在磁控濺射鍍膜溫度的監(jiān)測(cè)
磁控濺射原理
磁控濺射的工作原理是指電子在電場(chǎng)E的作用下，在飛向基片過(guò)程中與氬原子發(fā)生碰撞，使其電離產(chǎn)生出Ar正離子和新的電子；新電子飛向基片，Ar離子在電場(chǎng)作用下加速飛向陰極靶，并以高能量轟擊靶表面，使靶材發(fā)生濺射。在濺射粒子中，中性的靶原子或分子沉積在基片上形成薄膜，而產(chǎn)生的二次電子會(huì)受到電場(chǎng)和磁場(chǎng)作用，產(chǎn)生E（電場(chǎng)）×B（磁場(chǎng)）所指的方向漂移，簡(jiǎn)稱(chēng)E×B漂移，其運(yùn)動(dòng)軌跡近似于一條擺線。若為環(huán)形磁場(chǎng)，則電子就以近似擺線形式在靶表面做圓周運(yùn)動(dòng)，它們的運(yùn)動(dòng)路徑不僅很長(zhǎng)，而且被束縛在靠近靶表面的等離子體區(qū)域內(nèi)，并且在該區(qū)域中電離出大量的Ar 來(lái)轟擊靶材，從而實(shí)現(xiàn)了高的沉積速率。隨著碰撞次數(shù)的增加，二次電子的能量消耗殆盡，逐漸遠(yuǎn)離靶表面，并在電場(chǎng)E的作用下最終沉積在基片上。由于該電子的能量很低，傳遞給基片的能量很小，致使基片溫升較低。
磁控濺射是入射粒子和靶的碰撞過(guò)程。入射粒子在靶中經(jīng)歷復(fù)雜的散射過(guò)程，和靶原子碰撞，把部分動(dòng)量傳給靶原子，此靶原子又和其他靶原子碰撞，形成級(jí)聯(lián)過(guò)程。在這種級(jí)聯(lián)過(guò)程中某些表面附近的靶原子獲得向外運(yùn)動(dòng)的足夠動(dòng)量，離開(kāi)靶被濺射出來(lái)。磁控濺鍍便是利用磁控濺射技術(shù)一種常見(jiàn)的表面處理技術(shù)，用于給材料表面鍍上一層薄膜。下面工采網(wǎng)小編通過(guò)本文介紹一下磁控濺鍍常用的溫度是多少?以及如何檢測(cè)磁控濺鍍的溫度變化。
磁控濺射鍍膜其溫度控制是非常重要的一步。不同的靶材和襯底需要不同的溫度處理，一般在室溫到數(shù)百攝氏度之間。溫度對(duì)磁控濺射鍍膜的 形貌，晶體結(jié)構(gòu)，純度和結(jié)合能等性質(zhì)都有很大的影響，需要的注意的是對(duì)于金屬靶材，通常需要較高的溫度，以使金屬原子蒸汽化和擴(kuò)散。
展開(kāi) 大硅片、光刻膠、FMM等8大高度依賴(lài)進(jìn)口的半導(dǎo)體材料大解析
，使固體表面的原子離開(kāi)固體并沉積在基底表面，被轟擊的固體稱(chēng)為濺射靶材, 是集成電路制造過(guò)程中的關(guān)鍵材料，根據(jù)應(yīng)用領(lǐng)域，分為半導(dǎo)體靶材、面板靶材、光伏靶材等。
大硅片、光刻膠、FMM等8大高度依賴(lài)進(jìn)口的半導(dǎo)體材料大解析
按照產(chǎn)業(yè)鏈的邏輯，半導(dǎo)體材料主要分為襯底材料
（單晶硅、氮化硅等）
、工藝材料(包括光刻膠、掩膜版、工藝化學(xué)品、電子氣體、拋光材料、靶材)以及封裝材料三大板塊。其中襯底材料、工藝材料和封裝材料比例約為1：2：2。新材料在線?選取了8大高度依賴(lài)進(jìn)口的半導(dǎo)體材料進(jìn)行了解析。
一 大硅片
硅片也稱(chēng)硅晶圓，是制造半導(dǎo)體芯片最重要的基本材料，其最主要的原料為單晶硅。硅片直徑越大，其所能刻制的集成電路則越多，芯片的成本也隨之降低。大尺寸硅片對(duì)技術(shù)的要求很高，良品率極低，企業(yè)進(jìn)入壁壘極高，全球大硅片市場(chǎng)形成寡頭壟斷的競(jìng)爭(zhēng)格局。目前中國(guó)大陸自主生產(chǎn)的硅片以6英寸
（150mm）
為主，產(chǎn)品主要應(yīng)用領(lǐng)域仍然是光伏和低端分立器件制造，8英寸
（200mm）
和12英寸
（300mm）
的大尺寸集成電路級(jí)硅片依然嚴(yán)重依賴(lài)進(jìn)口。
集成電路用硅片是制造技術(shù)門(mén)檻極高的尖端高科技產(chǎn)品，全球只有大約10家企業(yè)能夠制造，市場(chǎng)基本被日韓廠商壟斷。
二 光刻膠
光刻膠是微電子技術(shù)中微細(xì)圖形加工的關(guān)鍵材料之一，其成本約占整個(gè)芯片制造工藝的30%，耗費(fèi)時(shí)間約占整個(gè)芯片制造工藝的40%-60%，是半導(dǎo)體制造中最核心的工藝。
目前國(guó)內(nèi)光刻膠自給率僅10%，主要集中于技術(shù)含量相對(duì)較低的PCB領(lǐng)域。6英寸硅片的g/i線光刻膠的自給率約為20%，8英寸硅片的KrF光刻膠的自給率不足5%，12寸硅片的ArF光刻膠目前尚無(wú)國(guó)內(nèi)企業(yè)可以大規(guī)模生產(chǎn)。
三 高純?yōu)R射靶材
利用離子源產(chǎn)生的離子轟擊固體表面，使固體表面的原子離開(kāi)固體并沉積在基底表面，被轟擊的固體稱(chēng)為濺射靶材,是集成電路制造過(guò)程中的關(guān)鍵材料，根據(jù)應(yīng)用領(lǐng)域，分為半導(dǎo)體靶材、面板靶材、光伏靶材等。
展開(kāi) PVD鍍膜應(yīng)用市場(chǎng)不斷擴(kuò)增，至2025年國(guó)內(nèi)市場(chǎng)規(guī)模CAGR 13%
其中，磁控濺射鍍膜具有諸多優(yōu)勢(shì)，例如薄膜與基體結(jié)合力好，薄膜致密度較高；濺射范圍廣，可以沉積鉭、鋁、銅、鈦等金屬靶材，也可沉積ITO、AZO等非金屬靶材；能夠?qū)崿F(xiàn)大面積靶材的濺射沉積，且沉積均勻性好。磁控濺射鍍膜技術(shù)可以制備工業(yè)上所需要的超硬薄膜、耐蝕性薄膜、磁性薄膜、超導(dǎo)薄膜以及光學(xué)薄膜等功能性薄膜，發(fā)展前景十分可觀。
磁控濺射鍍膜技術(shù)即利用入射粒子和靶材的碰撞過(guò)程，利用磁場(chǎng)控制輝光放電產(chǎn)生的等離子體來(lái)轟擊出靶材表面的粒子并使其沉積到基體表面，有著“高速低溫”的特點(diǎn)，其沉積速率比其它濺射鍍膜方法要高出一個(gè)數(shù)量級(jí)，拓展了濺射的領(lǐng)域。高速沉積可以降低工作氣體消耗、降低薄膜污染、提高工作效率并改善薄膜的質(zhì)量。另外，磁控濺射技術(shù)可避免高能粒子對(duì)基材的強(qiáng)烈轟擊，不會(huì)引起基材的電子輻射損傷，也充分地體現(xiàn)了其“低溫”濺射的特性。
顯示及觸控產(chǎn)品在PVD鍍膜產(chǎn)業(yè)中占據(jù)主導(dǎo)地位
顯示及觸控產(chǎn)品在PVD鍍膜產(chǎn)業(yè)中占據(jù)主導(dǎo)地位，直接影響上游包括濺射靶材在內(nèi)的PVD鍍膜相關(guān)產(chǎn)業(yè)的成長(zhǎng)。PVD鍍膜技術(shù)在顯示及觸控領(lǐng)域的應(yīng)用主要包括TFT-LCD及AMOLED的薄膜沉積制程、導(dǎo)電膜玻璃、導(dǎo)電薄膜、先進(jìn)顯示以及特種顯示等其他領(lǐng)域。
在顯示產(chǎn)品領(lǐng)域，PVD鍍膜技術(shù)用于在TFT玻璃上濺鍍ITO膜層，再進(jìn)行后續(xù)的曝光、刻蝕等制程后在TFT玻璃上形成設(shè)計(jì)好的ITO電極圖形。PVD鍍膜技術(shù)應(yīng)用在TFT-LCD、AMOLED的TFT薄膜沉積制程，是制備顯示產(chǎn)品的核心工藝。
導(dǎo)電膜玻璃是一種既透明又導(dǎo)電的玻璃，它是在鈉鈣基或硅硼基玻璃的基礎(chǔ)上，采用PVD鍍膜技術(shù)，濺射氧化銦錫(ITO)導(dǎo)電薄膜鍍層并經(jīng)高溫退火處理得到的高技術(shù)產(chǎn)品，廣泛地應(yīng)用于液晶顯示器、觸摸屏、太陽(yáng)能電池、集成電路、特殊功能窗口涂層等領(lǐng)域。
展開(kāi) 基于ANSYS_LS-DYNA的磨料沖擊行為分析
采用linear elastic-isotropic模型作為靶材的本構(gòu)模型,運(yùn)用ANSYS/LS-DYNA的三維顯式動(dòng)力分析模型建立了棕剛玉磨料沖蝕高強(qiáng)耐火澆注料的有限元模型,運(yùn)用求解器對(duì)沖蝕過(guò)程中的磨料沖擊行為進(jìn)行了計(jì)算。結(jié)果表明;單個(gè)六棱柱體磨料顆粒對(duì)靶材中心點(diǎn)的von mises螂應(yīng)力最大值為球體磨料的4倍左右,磨料形狀對(duì)沖蝕磨損有很大影響;隨著磨料粒徑的增大,靶材中心點(diǎn)的咖的咖von mises應(yīng)力最大值急劇增,110℃烘后高強(qiáng)耐火澆注料的沖蝕磨損率隨著磨料粒徑的增加而增加，磨料粒徑的增加對(duì)1100℃燒后高強(qiáng)耐火澆注料的沖蝕磨損率影響不大。
基于ANSYS_LS-DYNA的磨料沖擊行為分析.pdf
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“現(xiàn)代”噴丸強(qiáng)化及阿爾門(mén)強(qiáng)度的abaqus仿真
通常來(lái)說(shuō)模擬噴丸過(guò)程有如下幾種套路：
單粒實(shí)體（或有質(zhì)量的剛性殼體，下同）彈丸沖擊平面靶材，適用于機(jī)理研究，合理的計(jì)算時(shí)間較短，一般在幾分鐘到幾十分鐘之間。
多粒規(guī)則排布實(shí)體彈丸沖擊平面靶材，適用于機(jī)理研究，殘余應(yīng)力分布研究，合理的計(jì)算時(shí)間隨彈丸數(shù)量的增加而增加，一般在1~5小時(shí)左右。
多粒隨機(jī)排布實(shí)體彈丸沖擊平面靶材，適用于機(jī)理研究，殘余應(yīng)力分布研究，覆蓋率研究，表面粗糙度研究。如果專(zhuān)注于殘余應(yīng)力研究，此方法相比方法2并無(wú)明顯優(yōu)勢(shì)，反而要花費(fèi)不少時(shí)間在前處理上。此方法合理的計(jì)算時(shí)間隨彈丸數(shù)量的增加而增加，通常達(dá)到100%覆蓋率和較均勻的應(yīng)力分布時(shí)，再附加一小段穩(wěn)定應(yīng)力波動(dòng)的時(shí)間，隨后即可停止計(jì)算，根據(jù)通常計(jì)算規(guī)模，計(jì)算時(shí)間從幾小時(shí)到幾十小時(shí)不等。
離散元模擬彈丸沖擊任意形狀靶材，適用于殘余應(yīng)力分布研究，噴丸成形研究，覆蓋率研究，表面粗糙度研究。仿真過(guò)程較為接近真實(shí)工藝，但是由于計(jì)算時(shí)間的約束，無(wú)法模擬真實(shí)工程中幾十秒到幾分鐘的大時(shí)間跨度過(guò)程。只能在合理的范圍內(nèi)，對(duì)工藝時(shí)間進(jìn)行大比例的壓縮。
等效方法（溫度等效法，壓力層法等等），此類(lèi)方法適用于宏觀變形和應(yīng)力的研究，而且往往是在獲取大量實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)之后才能進(jìn)行有意義的等效。無(wú)法研究覆蓋率，表面粗糙度等表面完整性指標(biāo)。但是勝在可以使用隱式分析，計(jì)算時(shí)間較短，可能是五種方法里最短的。不過(guò)對(duì)于復(fù)雜形狀的工件，其前處理較為繁瑣。
綜上分析，方法4在研究范圍上最為廣泛，較為適合研究機(jī)構(gòu)和高校的研究工作。近年來(lái)隨著有限元軟件的進(jìn)步，也逐漸變成一種常規(guī)手段。通過(guò)和腳本結(jié)合，可以實(shí)現(xiàn)大規(guī)模的參數(shù)試算和數(shù)據(jù)分析工作。本人之前曾經(jīng)發(fā)布過(guò)方法3的仿真過(guò)程帖子，將其稱(chēng)為“古典”噴丸，那么與之相對(duì)應(yīng)，不妨將方法4稱(chēng)為“現(xiàn)代”噴丸方法。
展開(kāi) 基于ABAQUS的python不同噴丸角度的隨機(jī)彈丸噴丸插件
ALMEN試片噴丸后的位移變化
下圖為通用機(jī)械噴丸插件，可以根據(jù)覆蓋率輸入彈丸參數(shù)：彈丸個(gè)數(shù)、彈丸大小，彈丸本插件采用的是可變形體，需要材料參數(shù)，噴丸角度以90度最佳，小角度噴丸在相同噴丸強(qiáng)度下容易出現(xiàn)損傷；靶材參數(shù)：靶材大小與靶材的材料參數(shù)。其次還有分析步時(shí)間以及網(wǎng)格大小，分析步時(shí)間其實(shí)可以通過(guò)噴丸速度與最高彈丸位置點(diǎn)計(jì)算，本插件仍然可以?xún)?yōu)化，彈丸采用解析剛體減少計(jì)算量。
機(jī)械噴丸插件
下面是一些插件的案例。
硬科普！半導(dǎo)體制造產(chǎn)業(yè)鏈的三大類(lèi)材料有啥？
光刻是半導(dǎo)體的核心技術(shù)部分
濺射靶材
濺射薄膜制備的源頭材料，又稱(chēng)濺射靶材，特別是高純度濺射靶材應(yīng)用于電子元器件制造的物理氣相沉積
（Physical_Vapor_Deposition，PVD）
工藝，是制備晶圓、面板、太陽(yáng)能電池等表面電子薄膜的關(guān)鍵材料。真空狀態(tài)下，用加速的離子轟擊固體表面，離子和固體表面原子交換動(dòng)量，使固體表面的原子離開(kāi)固體并沉積在基底表面形成所需要的薄膜，這一過(guò)程稱(chēng)為濺射。被轟擊的固體是用濺射法沉積薄膜的源材料，通常稱(chēng)為靶材。
半導(dǎo)體芯片的單元器件內(nèi)部由襯底、絕緣層、介質(zhì)層、導(dǎo)體層及保護(hù)層等組成，其中，介質(zhì)層、導(dǎo)體層甚至保護(hù)層都要用到濺射鍍膜工藝。集成電路領(lǐng)域的鍍膜用靶材主要包括鋁靶、鈦靶、銅靶、鉭靶、鎢鈦靶等，要求靶材純度很高，一般在5N
（99.999%）
以上。
高純靶材
濕化學(xué)品
濕電子化學(xué)品，也通常被稱(chēng)為超凈高純?cè)噭侵赣迷诎雽?dǎo)體制造過(guò)程中的各種高純化學(xué)試劑。按照用途可以被分為通用化學(xué)品和功能性化學(xué)品，其中通用化學(xué)品一般是指高純度的純化學(xué)溶劑，例如高純的去離子水、氫氟 酸、硫酸、磷酸、硝酸等較為常見(jiàn)的試劑。
在制造晶圓的過(guò)程中，主要使用高純化學(xué)溶劑去清洗顆粒、有機(jī)殘留物、金屬離子、自然氧化層等污染物。功能性化學(xué)品是指通過(guò)復(fù)配手段達(dá)到特殊功能、滿足制造過(guò)程中特殊工藝需求的配方類(lèi)化學(xué)品，例如顯影液、剝離液、清洗液、刻蝕液等，經(jīng)常使用在刻蝕、濺射等工藝環(huán)節(jié)。
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光刻是半導(dǎo)體的核心技術(shù)部分
濺射靶材
濺射薄膜制備的源頭材料，又稱(chēng)濺射靶材，特別是高純度濺射靶材應(yīng)用于電子元器件制造的物理氣相沉積（Physical_Vapor_Deposition，PVD）工藝，是制備晶圓、面板、太陽(yáng)能電池等表面電子薄膜的關(guān)鍵材料。真空狀態(tài)下，用加速的離子轟擊固體表面，離子和固體表面原子交換動(dòng)量，使固體表面的原子離開(kāi)固體并沉積在基底表面形成所需要的薄膜，這一過(guò)程稱(chēng)為濺射。被轟擊的固體是用濺射法沉積薄膜的源材料，通常稱(chēng)為靶材。
半導(dǎo)體芯片的單元器件內(nèi)部由襯底、絕緣層、介質(zhì)層、導(dǎo)體層及保護(hù)層等組成，其中，介質(zhì)層、導(dǎo)體層甚至保護(hù)層都要用到濺射鍍膜工藝。集成電路領(lǐng)域的鍍膜用靶材主要包括鋁靶、鈦靶、銅靶、鉭靶、鎢鈦靶等，要求靶材純度很高，一般在5N（99.999%）以上。
高純靶材
濕化學(xué)品
濕電子化學(xué)品，也通常被稱(chēng)為超凈高純?cè)噭侵赣迷诎雽?dǎo)體制造過(guò)程中的各種高純化學(xué)試劑。按照用途可以被分為通用化學(xué)品和功能性化學(xué)品，其中通用化學(xué)品一般是指高純度的純化學(xué)溶劑，例如高純的去離子水、氫 氟酸、硫酸、磷酸、硝酸等較為常見(jiàn)的試劑。
在制造晶圓的過(guò)程中，主要使用高純化學(xué)溶劑去清洗顆粒、有機(jī)殘留物、金屬離子、自然氧化層等污染物。功能性化學(xué)品是指通過(guò)復(fù)配手段達(dá)到特殊功能、滿足制造過(guò)程中特殊工藝需求的配方類(lèi)化學(xué)品，例如顯影液、剝離液、清洗液、刻蝕液等，經(jīng)常使用在刻蝕、濺射等工藝環(huán)節(jié)。
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