紫外汞燈
關注創建者：如果我年少有為 創建時間：2020-12-22
紫外汞燈的實例教程
紫外汞燈用途廣泛，使用在PCB、LCD、電子、印刷、塑膠、木業、鞋業、玻璃、工藝品上光、涂裝等領域。UV設備中，一定會用得到UV燈管，UV汞燈設備大概包括：UV固化機，UV涂裝線，UV上光機等。相關的UV附材：像UV油墨，UV涂料，UV膠，UV光油，UV面漆等。UV涂料中的光引發劑與UV燈管發出的紫外線，產生光化學反應，使UV涂料瞬間有液態干燥結膜。
紫外線汞燈是氣體放電燈的一種，利用兩極弧光放電使汞蒸發，從而產生汞蒸氣特征譜線，其譜線主要是在紫外線部分，如253.7nm, 303nm, 334nm, 365nm, 366.3nm,其中365NM和366.3nm的線譜占極大優勢，這對UV固化過程很有價值，因為許多光引發劑體系在此區域都有強烈的吸收，所以該燈又叫UV固化燈。
該燈主波長為365nm，功率250W-20KW，可做成單端/雙端引出兩種，其原理是因為在燈管內部加入了一定量的汞而得名，汞燈內部是一種真空狀況，UV汞燈在電源的高壓激發下，使燈管內部的汞霧化而發出紫外光，UV燈內部的真空度和汞的添加量有一定的規定，否則 UV燈不能發光或不能激發出正常波長的光線。紫外線汞燈的發光時伴隨著高熱量，因為在全功率工作時，紫外線高壓汞燈還會發射可見光以及部分紅外線燈（IR），光波長集中在365nm左右。
該燈主要用于油墨固化、曬圖、軟包裝彩印、紙張上光、竹木地板、油漆涂料、印鐵制罐線路板，電子元件的固化及塑料和橡膠的老化實驗及各種UV固化等。
注意事項：
1、禁止用手觸摸燈管，以免造成破損及減少燈管壽命。
2、有接線方向的燈管必須注意方向。否則會導致燈管破壞，壽命減少或燈管表面過熱現象出現。
3、因燈管內的壓力很大請避免磕碰、刮擦等外界力量。
4、請勿在有稀料等易燃易爆物品的地方使用。否則會導致火災或爆炸。
展開 GaN在光電子行業的應用前景廣闊
GaN是藍光LED的基礎材料，在MicroLED、紫外激光器中有重要應用。MicroLED是新一代顯示技術，比現有的OLED亮度更高、更容易準確調校色彩、發光效率更好，功耗更低。有望成為繼OLED之后的另一項推動顯示品質的技術。GaN-on-Si技術是制造MicroLED芯片的天然選擇。
GaN還是制備紫外光器件的良好材料，紫外光電芯片在軍事及民用領域均有廣闊的應用場景。典型的軍事應用有滅火抑爆系統（地面坦克裝甲車輛、艦船和飛機）、飛機著艦（陸）導引、空間探測、核輻射和生物戰劑監測、爆炸物檢測等；典型的民用應用有：火焰探測、電暈放電檢測、醫學監測診斷、水質監測、大氣監測、刑事生物檢測等。
基于氮化鎵半導體的深紫外發光二極管（LED）是紫外消毒光源的主流發展方向，其光源體積小、效率高、壽命長。具備LED冷光源的全部潛在優勢，是公認的未來替代紫外汞燈的綠色節能環保產品。但深紫外LED技術門檻很高，目前僅在一些高端領域得到批量應用。目前市場上主要以日本、韓國廠商為主，不過越來越多的國內半導體公司入局。
2.2.3 消費電子快充設備快速普及與5G商用推動GaN高成長
根據Yole的預測，GaN快充設備2018-2024 年CAGR超92%，至2024年市場整體規模有望超過3.5億美元。至2025年，汽車、消費電子、能源、工業、儀器設備等領域所貢獻的市場空間約6.5億美元。在所有GaN器件的應用領域中，消費電子充電設備最具爆發潛力。
OPPO于2019年第4季度在其高端手機上采用配備GaN HEMTs的65W快充轉換器，標志著GaN功率器件開始進入批量生產。
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紫外汞燈的最新內容
經歷了約一個世紀的發展，實驗室光源已有封閉式碳弧燈、陽光型碳弧燈、熒光紫外燈、氙弧燈、金屬鹵素燈、高壓汞燈等各種光源供選擇。國際標準化組織(ISO）中與高分子材料相關的各技術委員會主要推薦使用陽光型碳弧燈、熒光紫外燈、氙弧燈三種光源。
UVC殺菌燈即是一種低壓汞燈，它是利用較低汞蒸氣壓( <10-2 Pa)被激化而發出紫外光，其發光譜線主要有兩條：一是253.7nm波長；另一條是185nm波長，這兩條都是肉眼看不見的C波段紫外線。
紫外消毒技術具有其他技術無可比擬的殺菌效率，殺菌效率可達99%-99.9%。而傳統臭氧等化學消毒方法要達到殺菌效果一般需要20分鐘至1個小時。
KrF光刻膠主要用于KrF激光光源光刻工藝，對應工藝制程在250nm-150nm；而g/i線光刻膠主要用于高壓汞燈光源的光刻工藝，對應350nm及以上工藝制程。
436nm和365nm光源分別是高壓汞燈中能量最高，波長最短的兩個譜線。高壓汞燈技術成熟，因此最早被用來當作光刻光源。使用波長短，能量高的光源進行光刻工藝更容易激發光化學反應、提高光刻分別率。以研究光譜而聞名的近代德國科學家約瑟夫·弗勞恩霍夫將這兩種波長的光譜分別命名為G線和I線。這也是 g-line光刻和 i-line光刻技術命名的由來。
ASML的產品發布時間規劃（source：semiwiki）
來到λ方面，為了降低其數值，如下圖所示，光刻機的光源在過去多年的發展從包括g-line和i-line在內的高壓汞燈開始，歷經KrF和ArF，并在最近幾年進入到了EUV時代。
KrF光刻膠主要用于KrF激光光源光刻工藝，對應工藝制程在250nm-150nm；而g/i線光刻膠主要用于高壓汞燈光源的光刻工藝，對應350nm及以上工藝制程。
所以Intel、三星和臺積電都會在7nm這個節點引入極紫外光（EUV）光刻技術。
下表是各類光刻機光源的具體參數：
最早光刻機的光源是采用汞燈產生的紫外光源(UV:UltravioletLight)，從g-line一直發展到i-line，波長縮小到365nm，實際對應的分辨率大約在200nm以上。
隨后，業界采用了準分子激光的深紫外光源(DUV:DeepUltravioletLight)。將波長進一步縮小到ArF的193nm。
經歷了約一個世紀的發展，實驗室光源已有封閉式碳弧燈、陽光型碳弧燈、熒光紫外燈、氙弧燈、高壓汞燈等各種光源供選擇。
剛好，高壓汞燈的技術已經成熟，而436nm和365nm分別是高壓汞燈中能量最高、波長最短的兩個譜線，所以，用于500nm以上尺寸半導體工藝的g線，以及用于350-500nm之間工藝的i線光刻膠，在6寸晶圓片上被廣泛的應用。
