相互作用的案例
新加坡國立大學Science：電子-電子相互作用在二維狄拉克費米子中的作用
【圖文導讀】
圖一 位于蜂窩晶格上的費米子相圖
對于長程相互作用α0的任意值，存在一個由量子蒙特卡洛（數(shù)據(jù)點）所計算的短程相互作用Uc（α0）的臨界值，其中系統(tǒng)經歷了量子相變到莫特絕緣體的轉變；在存在長程相互作用的情況下，需要一個更大的在位相互作用值才能達到量子相變；通過求解重整化群（RG）流動方程（紅色曲線）可以理解相圖，包括在位和最近鄰相互作用，通過長程庫侖尾巴減少有效的在位相互作用；實心藍線是數(shù)據(jù)點的四次插值曲線，陰影部分表示所用的數(shù)值方法無法達到的區(qū)域，誤差棒表示數(shù)值的不確定性，費米液態(tài)區(qū)域、弱相互作用的半金屬和強相互作用的莫特反鐵磁體如插圖所示
圖二 通過電子-電子相互作用重整化的狄拉克費米子費米速度
對于庫侖相互作用的不同短程（U）和長程（α0）分量所得的投射量子蒙特卡洛結果；圖中所繪制的曲線是費米速度相對于狄拉克點處非相互作用值的相對變化，用小的U/Uc（α0）來定義弱耦合狀態(tài)，其中長程和短程分量的不同比值γ作為α0的函數(shù)而崩潰，這里的電子-電子相互作用所提高的費米速度與PRA（左插圖）一致；微擾理論（PT）結果也如圖所示，Gross-Neveu普遍的金屬到莫特絕緣體相變發(fā)生在U=Uc（α0）處，其中抑制費米速度可以理解為狄拉克費米子和新生反鐵磁態(tài)的玻色子激發(fā)之間的耦合（褐色星是通過自旋波理論所確定的抑制費米速度的估計值）；右側插圖表示不同γ值下的量子蒙特卡洛數(shù)據(jù)，其中費米速度從Gross-Neveu點崩潰值變化成一條曲線，并向遠離相變區(qū)移動；所得的數(shù)據(jù)跨越了弱耦合固定點和Gross-Neveu臨界點之間的整個交叉區(qū)域，估計拓撲絕緣體接近于相變的位置
展開 基于Forcite模塊的分子動力學研究藥劑與礦物相互作用實例
ChCl-2MA在ZnO(001)面動力學模擬(左：能量變化 右：溫度變化)
由上圖可以看出， ChCl-2MA與氧化鋅在進行NVT系綜模擬之后，分子間各種能量不斷變化，最終氧化鋅與ChCl-2MA相互作用體系相互作用能量在一定范圍內趨于穩(wěn)定。同時，ChCl-2MA與氧化鋅分子動力學模擬過程中溫度在300 K范圍內變化， 表明相互作用體系溫度變化已經趨于穩(wěn)定。
ChCl-2MA與ZnO(001)面吸附模型（左：相互作用前 右：相互作用后）
由上圖可以看出ChCl-2MA在ZnO(001)上下表面發(fā)生相互作用。通過多重氫鍵相結合的ChCl-2MA低共熔溶劑在與ZnO(001)面相互作用過程中發(fā)生分解。其中氯化膽堿中的Cl和氫鍵供體作用在Zn突出表面，氯化膽堿中的膽堿陽離子作用在ZnO(001)面中O突出表面，膽堿陽離子中的部分C-H鍵與氧化鋅表面上的O形成多重氫鍵吸附在氧化鋅表面。
ZnO(001)面與ChCl-2MA徑向分布圖
由上圖可以得出ChCl-2MA低共熔溶劑與氧化鋅相互作用共分為三部分， ChCl-2MA中的Cl和C=O中的O與氧化鋅中的Zn之間的距離在3~3.5內并且介于兩種原子的共價鍵半徑之和之間，表明Cl、O與Zn以化學作用的形式相互結合。而氧化鋅中的氧原子與兩種羧酸類低共熔溶劑中膽堿陽離子上的C-H、O-H以氫鍵方式相結合。通過徑向分布圖中各種相互作用的峰值可以看出Cl與Zn之間的相互作用占據(jù)主導地位，O…H次之，O-Zn最弱。由此說明氧化鋅與ChCl-2MA相互作用形式既有化學作用又有物理作用，其中化學作用強度大于物理作用。
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展開 基于Gromacs的蛋白質與小分子配體相互作用模擬教程
在生命科學的廣闊領域中，蛋白質與小分子配體之間的相互作用扮演著至關重要的角色。這些相互作用不僅影響著生物體內的各種生命活動，如信號傳導、代謝調控和藥物作用等，同時也是藥物設計和開發(fā)的核心內容。因此，深入理解并模擬這些相互作用過程，對于推動生命科學研究和藥物研發(fā)具有重要意義。
本教程旨在為讀者提供一套完整的蛋白質與小分子配體相互作用模擬的流程和方法。通過本教程的學習，您將能夠掌握從蛋白質與小分子配體的結構準備、相互作用模擬到結果分析的全流程，從而能夠自主進行相關的模擬研究。
在本教程中，我們將首先介紹蛋白質與小分子配體相互作用的基本原理和模擬的基本概念，為讀者奠定理論基礎。隨后，我們將詳細闡述模擬的具體步驟，包括結構準備（如蛋白質結構預測、小分子結構優(yōu)化等）、相互作用模擬（如分子對接、分子動力學模擬等）以及結果分析（如相互作用能計算、軌跡分析等）。在每個步驟中，我們都會結合具體的案例和實例，詳細解釋操作步驟和注意事項，幫助讀者更好地理解和掌握。
具體流程：
一、預處理復合物
1. 蛋白質及配體結構獲取
在本教程中，我們將使用T4溶菌酶L99A/M102Q(PDB ID：3HTB)為例，從PDB蛋白數(shù)據(jù)庫 (RCSB PDB)下載其晶體結構，去掉晶體水，PO4和 BME。
蛋白及配體力場獲取
只有在力場的.rtp文件中存在構建塊的條目時，拓撲才能自動組裝。而JZ4配體在 GROMACS 提供的任何力場中都不是一個可識別的實體，因此我們將分兩步準備系統(tǒng)拓撲：1)用pdb2gmx準備蛋白質拓撲；2)使用外部工具準備配體拓撲。
展開 OptiSystem應用：EDFA中離子-離子相互作用效應
均勻上轉換效應是Er3+–Er3+相互作用效應，其對EDFA性能的影響與光纖中鉺離子的濃度有關。在具有高濃度鉺離子（nt>5.1024m-3）的光纖中，與具有較低鉺濃度的光纖相比，非均勻上轉換往往會對放大器性能造成更大的損害。
一、均勻上轉換
離子-離子相互作用效應涉及稀土離子之間的能量轉移問題。當稀有離子的局部濃度變得足夠高時，就不能假設每個孤立的離子都是獨立作用于其周圍。當放大轉換的上能級被能量轉移耗盡時，這可能對放大器性能產生負面影響。
2.
非均勻離子對濃度淬滅（PIQ）
1.
均勻上轉換（HUC）
本案例展示了EDFA中的兩種離子-離子相互作用效應：
當用戶選擇離子-離子相互作用效應參數(shù)的非均勻選項時，摻鉺光纖組件將這種效應考慮在內。在這種情況下，用戶必須指定光纖中簇的相對數(shù)量（K）和每個簇的離子數(shù)量（mk）。圖5顯示了K=1.4%和mk=2的摻雜光纖的示例。
非均勻離子對濃度淬滅（PIQ）效應意味著兩個或多個離子之間的能量傳遞速率在時間尺度上明顯快于泵浦速率，因此在所考慮的泵浦功率下，泵浦無法保持兩個離子都被激發(fā)。
二、非均勻離子對濃度淬滅
通過仿真驗證了PIQ對EDFA性能退化的影響。模擬中使用的光纖參數(shù)和系統(tǒng)布局如圖6所示。該系統(tǒng)仿真1530nm處的信號增益相對于泵浦功率的曲線。
展開 
OptiSystem應用：EDFA中離子-離子相互作用效應
本案例展示了EDFA中的兩種離子-離子相互作用效應：
1.均勻上轉換（HUC）
2.非均勻離子對濃度淬滅（PIQ）
離子-離子相互作用效應涉及稀土離子之間的能量轉移問題。當稀有離子的局部濃度變得足夠高時，就不能假設每個孤立的離子都是獨立作用于其周圍。當放大轉換的上能級被能量轉移耗盡時，這可能對放大器性能產生負面影響。
一、均勻上轉換
均勻上轉換效應是Er3+–Er3+相互作用效應，其對EDFA性能的影響與光纖中鉺離子的濃度有關。在具有高濃度鉺離子（nt>5.1024m-3）的光纖中，與具有較低鉺濃度的光纖相比，非均勻上轉換往往會對放大器性能造成更大的損害。
為了證明EDFA中均勻上轉換的影響，針對不同的光纖模擬了圖1中所示的系統(tǒng)，并分析了增益。
圖1.用于分析EDF中均勻上轉換的系統(tǒng)布局
光纖的上轉換壽命定義為：
其中nt是鉺離子的濃度，而Uc是兩粒子上轉換系數(shù)。
分別仿真四種光纖：一種光纖沒有均勻的上轉換效應，三種光纖的上轉換壽命分別為1ms、2ms和5ms。
所有光纖都考慮了相同的鉺離子濃度。在考慮均勻上轉換的纖維的情況下，上轉換系數(shù)（Uc）的值被設置之后，便確定了相應的上轉換壽命。
圖2（a）顯示了沒有均勻上轉換的光纖的選項卡設置，圖2（b）考慮了1ms的上轉換壽命。
a）不考慮均勻上轉換
b）考慮了1ms的上轉換壽命
圖2.光纖設置
對泵浦功率進行參數(shù)掃描，如圖3：
圖3.泵浦參數(shù)掃描設置
在模擬之后，繪制了每個光纖的增益與泵浦功率的曲線。圖4顯示了模擬結果。該結果顯示了由于上轉換效應而導致的EDFA的性能下降。為了補償增益的下降，必須增加泵浦功率。
展開 OptiSystem應用：EDFA中離子-離子相互作用效應
本案例展示了EDFA中的兩種離子-離子相互作用效應：
1. 均勻上轉換（HUC）
2. 非均勻離子對濃度淬滅（PIQ）
離子-離子相互作用效應涉及稀土離子之間的能量轉移問題。當稀有離子的局部濃度變得足夠高時，就不能假設每個孤立的離子都是獨立作用于其周圍。當放大轉換的上能級被能量轉移耗盡時，這可能對放大器性能產生負面影響。
一、均勻上轉換
均勻上轉換效應是Er3+–Er3+相互作用效應，其對EDFA性能的影響與光纖中鉺離子的濃度有關。在具有高濃度鉺離子（nt>5.1024m-3）的光纖中，與具有較低鉺濃度的光纖相比，非均勻上轉換往往會對放大器性能造成更大的損害。
為了證明EDFA中均勻上轉換的影響，針對不同的光纖模擬了圖1中所示的系統(tǒng)，并分析了增益。
圖1.用于分析EDF中均勻上轉換的系統(tǒng)布局
光纖的上轉換壽命定義為：
其中nt是鉺離子的濃度，而Uc是兩粒子上轉換系數(shù)。
分別仿真四種光纖：一種光纖沒有均勻的上轉換效應，三種光纖的上轉換壽命分別為1ms、2ms和5ms。
所有光纖都考慮了相同的鉺離子濃度。在考慮均勻上轉換的纖維的情況下，上轉換系數(shù)（Uc）的值被設置之后，便確定了相應的上轉換壽命。
圖2（a）顯示了沒有均勻上轉換的光纖的選項卡設置，圖2（b）考慮了1ms的上轉換壽命。
a）不考慮均勻上轉換
b）考慮了1ms的上轉換壽命
圖2.光纖設置
對泵浦功率進行參數(shù)掃描，如圖3：
圖3.泵浦參數(shù)掃描設置
在模擬之后，繪制了每個光纖的增益與泵浦功率的曲線。圖4顯示了模擬結果。該結果顯示了由于上轉換效應而導致的EDFA的性能下降。為了補償增益的下降，必須增加泵浦功率。
展開 OptiSystem應用：EDFA中離子-離子相互作用效應
本案例展示了EDFA中的兩種離子-離子相互作用效應：
1.均勻上轉換（HUC）
2.非均勻離子對濃度淬滅（PIQ）
離子-離子相互作用效應涉及稀土離子之間的能量轉移問題。當稀有離子的局部濃度變得足夠高時，就不能假設每個孤立的離子都是獨立作用于其周圍。當放大轉換的上能級被能量轉移耗盡時，這可能對放大器性能產生負面影響。
一、均勻上轉換
均勻上轉換效應是Er3+–Er3+相互作用效應，其對EDFA性能的影響與光纖中鉺離子的濃度有關。在具有高濃度鉺離子（nt>5.1024m-3）的光纖中，與具有較低鉺濃度的光纖相比，非均勻上轉換往往會對放大器性能造成更大的損害。
為了證明EDFA中均勻上轉換的影響，針對不同的光纖模擬了圖1中所示的系統(tǒng)，并分析了增益。
圖1.用于分析EDF中均勻上轉換的系統(tǒng)布局
光纖的上轉換壽命定義為：
其中nt是鉺離子的濃度，而Uc是兩粒子上轉換系數(shù)。
分別仿真四種光纖：一種光纖沒有均勻的上轉換效應，三種光纖的上轉換壽命分別為1ms、2ms和5ms。
所有光纖都考慮了相同的鉺離子濃度。在考慮均勻上轉換的纖維的情況下，上轉換系數(shù)（Uc）的值被設置之后，便確定了相應的上轉換壽命。
圖2（a）顯示了沒有均勻上轉換的光纖的選項卡設置，圖2（b）考慮了1ms的上轉換壽命。
a）不考慮均勻上轉換
b）考慮了1ms的上轉換壽命
圖2.光纖設置
對泵浦功率進行參數(shù)掃描，如圖3：
圖3.泵浦參數(shù)掃描設置
在模擬之后，繪制了每個光纖的增益與泵浦功率的曲線。圖4顯示了模擬結果。該結果顯示了由于上轉換效應而導致的EDFA的性能下降。為了補償增益的下降，必須增加泵浦功率。
展開 基于Materials Studio計算膽堿類低共熔溶劑的相互作用
圖4為經過優(yōu)化得到的氯化膽堿-丙二酸穩(wěn)定構型，發(fā)現(xiàn)兩種物質以
多重分子間氫鍵相結合，圖5徑向分布函數(shù)證明氫鍵供受體之間主要以分子間氫鍵相互作用。
ChCl-MA徑向分布函數(shù)
Dmol3計算面板：
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湖南大學譚蔚泓院士團隊劉巧玲課題組 Angew：可調控的DNA網絡結構用于操控細胞間相互作用
作為一種生物材料，DNA分子具有序列可編程性并且可與其他功能分子耦合實現(xiàn)多級次組裝，在細胞表面工程化及細胞相互作用調控等方面具有良好的應用前景。然而，由于細胞對納米材料的內吞作用以及細胞膜結構高度動態(tài)的特性，利用DNA納米結構對活細胞膜表面進行可控組裝進而精準調控細胞間相互作用仍然存在一定的困難。
圖1 活細胞膜表面構筑可調控的多層DNA網絡結構示意圖
近期，湖南大學譚蔚泓院士團隊劉巧玲課題組采用經典的DNA納米三棱柱（TP）和DNA納米分支聚合物（BP）作為結構單元，利用DNA分子自組裝技術在細胞膜表面設計了一種全新的靈活可調控的DNA網絡結構用于操控細胞間的相互作用（圖1）。源于互補DNA鏈的堿基之間形成的可預測和穩(wěn)定的配對結構，這些DNA網絡結構之間的相互作用增加了DNA納米結構在細胞膜表面的穩(wěn)定性并且克服了細胞內化的問題。通過對DNA網絡結構中的識別單元進行合理設計，研究人員對細胞間的特異性識別、刺激響應性識別以及動態(tài)可逆相互作用進行了人為設計和操控，并且實現(xiàn)細胞間物質傳輸?shù)恼{控（圖2）。
圖2 利用DNA結構網絡操控多種形式的細胞間相互作用
綜上所述，這種DNA網絡結構賦予了可調控的細胞識別能力，為人為操控細胞間相互作用提供了一種簡單、普適的策略，有助于拓展基于DNA分子的人工識別體系在細胞表面工程、合成生物學和生物醫(yī)學領域中的應用。該工作以“Manipulation of Multiple Cell-Cell Interactions by Tunable DNA Scaffold Networks”為題發(fā)表在《Angew. Chem. Int. Ed.》上。
展開 考慮樁-土相互作用某橋梁樁基靜力計算分析
樁-土相互作用一直是有限元模擬類比較頭疼的問題，常規(guī)分析方法分為兩種：
1、采用接觸單元模擬樁-土相互作用，此種方法非線性程度較大，且計算耗時，占用計算資源較多，多用于實體單元模擬局部細微結構情況，例如常見的單樁靜力分析。
2、采用彈簧間接模擬樁-土相互作用，此種方法將樁-土之間的相互作用采用等效彈簧來進行模擬，適用于一般工程類設計，且我國規(guī)范諸多條文中均有一定的計算方法，常見設計軟件例如Midas civil也均采用此類方法進行模擬。
本次計算模擬采用上述第二種方法進行。
一、工程概況
承臺全樁基礎斷面尺寸為8.5m*8.5m，如下圖所示。其中，承臺厚3m，全樁長32m，采用4根直徑為2m的鉆孔灌注樁，樁基礎混凝土全部采用C30混凝土，彈性模量，泊松比μ=0.2，質量密度為2500kg/m3，地基土的水平抗力系數(shù)的比例系數(shù)m=10000kN/m^4,上部荷載為軸力F=31450KN，水平剪力V=2487KN，彎矩M=5874KN.m，采用ANSYS對其進行靜力計算分析。
二、模擬思路
按照規(guī)范，地基土堆樁柱側面的地基系數(shù)隨深度y成正比例增長，即C=my（m是“m”法的地基系數(shù)），故可先從覆蓋層頂面（沖刷線）向下繪出地基系數(shù)圖，如下圖所示。本例將樁柱全長等分為18段，各中間集中彈簧的剛度可按下式計算：
頂部集中彈簧的剛度為：K0=W0*b
各集中彈簧計算剛度如下
按照上述思路，本工程計算模擬思路如下：
1）采用beam188模擬樁基礎與承臺；
2）承臺與樁基礎樁頂采用MPC184剛臂單元模擬剛接關系；
3）采用彈簧單元模擬不同深度處土層對樁的作用，通過不同彈簧剛度實現(xiàn)。
展開 電磁場與納米圓柱體的相互作用
摘要
電磁場和光的波長尺度的納米結構的相互作用必須使用嚴格的Maxwell求解器進行研究。通過將完美匹配層（PML）技術與傅立葉模態(tài)方法（FMM）相結合，可以在VirtualLab Fusion中對非周期性納米結構進行建模。本示例研究了聚焦高斯光束和具有不同直徑的納米圓柱體之間的相互作用，并且圖示出了偏振相關效應。
建模任務
比較 - 自由空間與具有納米圓柱體
比較 - 不同直徑的納米圓柱體
文件信息
基于ANSYS的高樁碼頭樁-土相互作用下受力響應分析
本次推送算例以一處高樁碼頭考慮樁-土相互作用收靜載作用下的分析。
研究樁體工作形狀是對基樁豎向力學行為分析的前提。樁體與周圍土體的剛度相差很大，一般在兩者的界面處不滿足變形協(xié)調條件，次數(shù)就需要解除單元來進行處理。因此，從樁-土相互作用的角度出發(fā)，研究樁體-土體的荷載傳遞方式和樁、土層材料對基樁豎向承載性能的影響，對正確評價樁基豎向承載能力具有重要意義。
樁-土相互作用中所采用的單元
由于土體本身的復雜性、土層材料的非線性，土體與結構之間的摩擦相互作用產生非連續(xù)的變形，從而使得求解變得更加困難。目前常見的接觸面處理的方式有：（1）直接法；（2）接觸力學法；（3）接觸面單元法，即在兩相鄰接觸物體邊界上，引入接觸面單元，在相鄰接觸物體間起過渡作用，通過增量和迭代手段調整單元本構模型中的參數(shù)，模擬其應力-應變關系，該方法操作簡單，概念清晰，易于實現(xiàn)。
ANSYS中對于3D接觸單元設置，采用面-面接觸的方式。通常將剛性物體的面，作為目標面，即Targe170單元，對于柔性物體的表面，當做接觸面，常采用Conta173單元。
有關接觸單元和目標單元的控制選項與輸出，詳情可去參考王新敏老師的《ANSYS結構分析單元與應用》一書，里面總結的非常詳細，對于每個參數(shù)的取值與物理含義都解釋的面面俱到。
在實際工程中，樁土相互作用接觸面的摩擦系數(shù)選取比較復雜，它與樁側表面的粗糙程度有關，當破壞面主要由土體的抗剪強度控制時，摩擦系數(shù)可能是較大的。一般混凝土樁，對粘性土的摩擦系數(shù)為0.25~0.4；對砂土的摩擦系數(shù)為0.5~1.0。--以上內容，部分節(jié)選自博士論文《高樁碼頭樁豎向荷載下靜動力行為研究》
2.
展開 石墨烯最新Science:檢測固態(tài)系統(tǒng)中電子間相互作用的“指紋”
根據(jù)量子理論，通過施加電場或者磁場產生限域效應可以加強電子間的相互作用，從而為探測強關聯(lián)量子體系中的一系列奇異物質和現(xiàn)象提供可能性。以此為依據(jù)，量子點在磁場中（量子霍爾態(tài)）時，人們認為庫倫作用和朗道能級間載流子的重新分布能夠典型的婚禮蛋糕型電子能級結構。雖然有研究在經歷超流-莫特絕緣體轉變過程的超冷原子中觀測到過相似結構，但在固態(tài)系統(tǒng)中實現(xiàn)相應的觀測依然是一個巨大的挑戰(zhàn)。
【成果簡介】
美國國家標準與技術研究院的J. A. Stroscio（通訊作者）等人利用隧道測量技術成功地將環(huán)形石墨烯諧振器中空間約束和磁約束之間的相互影響可視化，并直接觀測到了電子相互作用的痕跡。石墨烯是一種表面暴露大量電子的二維材料，因此被認為是研究外加場中能級變化的理想材料。研究人員首先將石墨烯器件冷卻到絕對零度左右，以便創(chuàng)造量子點-小島作為人工原子，在強度為1特斯拉的磁場中，量子點中的電子堆積更加緊密，相互作用也被加強，最終這些電子將被以導電-絕緣同心環(huán)交替的形式進行重排。通過掃描隧道顯微鏡，不同電子能級的同心環(huán)圖像被堆放在一起最終實現(xiàn)婚禮蛋糕型結構。因此這一研究為極端條件下觀測和了解量子-相對物質的行為提供了有效的方法。2018年8月24日，相關成果以題為“Interaction-driven quantum Hall wedding cake–like structures in graphene quantum dots”在線發(fā)表在Science上。
展開 唐本忠院士團隊Nature Communications：重原子參與的離子-π+相互作用構建純有機室
其中，重原子由于具有高核電荷易使磷光分子的電子能級發(fā)生交錯，引起或增強磷光分子的自旋軌道耦合作用，促使電子在S1→Tl態(tài)之間的系間竄躍(ISC)概率增大，從而有利于增大磷光量子效率，此作用通常被稱為重原子效應。在室溫磷光材料的設計合成中，重原子效應常被用來提高磷光量子效率。尤其是外部重原子效應，由于其無需通過多步化學合成即可被引入到有機發(fā)光材料實現(xiàn)磷光發(fā)射而備受科學家關注。然而，針對外部重原子效應是如何通過相互作用來施展的關鍵科學問題需要更進一步的研究，且對純有機室溫磷光材料的開發(fā)具有重要的指導意義。
2017年，我們首次提出了利用陰離子-π+相互作用來構建新型離子型聚集誘導發(fā)光（AIE）材料（TPO-P）（J. Am. Chem. Soc. 2017, 139, 16974–16979）。受此啟發(fā)，我們將該類離子型AIE材料的對陰離子交換為重鹵素陰離子，探索陰離子-π+相互作用是否可以作為一種新途徑來輔助施展外部重原子效應，實現(xiàn)室溫磷光發(fā)射，從而構筑純有機室溫磷光材料。研究結果表明，在溶液態(tài)時，所有化合物均呈現(xiàn)短壽命的熒光，而在固態(tài)時，含有重鹵素離子的TPO-I和TPO-Br則呈現(xiàn)長壽命的磷光，而不含重鹵素離子的化合物僅呈現(xiàn)出熒光性質（圖1）。
圖1. TPO衍生物的結構及光化學物理性質
X-射線單晶衍射以及理論計算結果顯示TPO-P、TPO-I和TPO-Br化合物在晶態(tài)下均具有強的陰離子-π+相互作用（圖2）。
展開 [VirtualLab] 電磁場與納米圓柱體的相互作用
摘要
電磁場和光的波長尺度的納米結構的相互作用必須使用嚴格的Maxwell求解器進行研究。通過將完美匹配層（PML）技術與傅立葉模態(tài)方法（FMM）相結合，可以在VirtualLab Fusion中對非周期性納米結構進行建模。本示例研究了聚焦高斯光束和具有不同直徑的納米圓柱體之間的相互作用，并且圖示出了偏振相關效應。
建模任務
比較 - 自由空間與具有納米圓柱體
比較 - 不同直徑的納米圓柱體
文件信息
更多閱覽
Mie Solution to Maxwell’s Equations for Scattering of an Electromagnetic Plane Wave
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