專利檢索
關(guān)注創(chuàng)建者：匿名 創(chuàng)建時(shí)間：2015-07-20
專利檢索的實(shí)例教程
專利年度申請(qǐng)趨勢(shì)對(duì)比分析
圖4 中美兩國(guó)涉及氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）的半導(dǎo)體領(lǐng)域相關(guān)專利年度申請(qǐng)量（項(xiàng)）趨勢(shì)對(duì)比圖
數(shù)據(jù)來(lái)源：大為innojoy專利檢索系統(tǒng)
檢索日期：2021年10月8日
美國(guó)專利布局雖早于中國(guó)近20年，但在2001年之前，該技術(shù)年申請(qǐng)量持續(xù)低于100項(xiàng)，2001年后年申請(qǐng)量保持在百項(xiàng)左右的水平，近10年發(fā)展態(tài)勢(shì)較為平緩穩(wěn)定；中國(guó)相關(guān)專利于1985年最先提出，專利年申請(qǐng)量在2008年之后呈現(xiàn)快速增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)，并于2009年超過(guò)美國(guó)，在2019年更是達(dá)到了709項(xiàng)的峰值，這種發(fā)展態(tài)勢(shì)體現(xiàn)了中國(guó)近十年對(duì)第三代半導(dǎo)體主要材料的高度重視，也在一定程度上展示了與美國(guó)一較長(zhǎng)短的實(shí)力。
3. IPC分類對(duì)比分析
在涉及氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）的半導(dǎo)體相關(guān)領(lǐng)域，中美兩國(guó)技術(shù)研究方向十分相似，在專利申請(qǐng)量排名前10的技術(shù)大組中，中美兩國(guó)在9個(gè)技術(shù)領(lǐng)域發(fā)生了重合。而在技術(shù)研發(fā)熱點(diǎn)及創(chuàng)新活躍度上存在細(xì)微差異。
圖5 中國(guó)涉及氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）的半導(dǎo)體相關(guān)專利IPC技術(shù)分布及創(chuàng)新活躍度
數(shù)據(jù)來(lái)源：大為innojoy專利檢索系統(tǒng)
檢索日期：2021年10月8日
近五年來(lái)，中國(guó)研發(fā)勢(shì)頭迅猛，專利布局集中于H01L21和H01L29領(lǐng)域，其次為H01L33領(lǐng)域，從創(chuàng)新活躍度來(lái)看，C30B29和C30B25領(lǐng)域是當(dāng)前中國(guó)的研發(fā)新熱點(diǎn)。
展開(kāi) 專利年度申請(qǐng)趨勢(shì)對(duì)比分析
圖4 中美兩國(guó)涉及氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）的半導(dǎo)體領(lǐng)域相關(guān)專利年度申請(qǐng)量（項(xiàng)）趨勢(shì)對(duì)比圖
數(shù)據(jù)來(lái)源：大為innojoy專利檢索系統(tǒng)
檢索日期：2021年10月8日
美國(guó)專利布局雖早于中國(guó)近20年，但在2001年之前，該技術(shù)年申請(qǐng)量持續(xù)低于100項(xiàng)，2001年后年申請(qǐng)量保持在百項(xiàng)左右的水平，近10年發(fā)展態(tài)勢(shì)較為平緩穩(wěn)定；中國(guó)相關(guān)專利于1985年最先提出，專利年申請(qǐng)量在2008年之后呈現(xiàn)快速增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)，并于2009年超過(guò)美國(guó)，在2019年更是達(dá)到了709項(xiàng)的峰值，這種發(fā)展態(tài)勢(shì)體現(xiàn)了中國(guó)近十年對(duì)第三代半導(dǎo)體主要材料的高度重視，也在一定程度上展示了與美國(guó)一較長(zhǎng)短的實(shí)力。
3. IPC分類對(duì)比分析
在涉及氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）的半導(dǎo)體相關(guān)領(lǐng)域，中美兩國(guó)技術(shù)研究方向十分相似，在專利申請(qǐng)量排名前10的技術(shù)大組中，中美兩國(guó)在9個(gè)技術(shù)領(lǐng)域發(fā)生了重合。而在技術(shù)研發(fā)熱點(diǎn)及創(chuàng)新活躍度上存在細(xì)微差異。
圖5 中國(guó)涉及氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）的半導(dǎo)體相關(guān)專利IPC技術(shù)分布及創(chuàng)新活躍度
數(shù)據(jù)來(lái)源：大為innojoy專利檢索系統(tǒng)
檢索日期：2021年10月8日
近五年來(lái)，中國(guó)研發(fā)勢(shì)頭迅猛，專利布局集中于H01L21和H01L29領(lǐng)域，其次為H01L33領(lǐng)域，從創(chuàng)新活躍度來(lái)看，C30B29和C30B25領(lǐng)域是當(dāng)前中國(guó)的研發(fā)新熱點(diǎn)。
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圖4 中美兩國(guó)涉及氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）的半導(dǎo)體領(lǐng)域相關(guān)專利年度申請(qǐng)量（項(xiàng)）趨勢(shì)對(duì)比圖
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檢索日期：2021年10月8日
美國(guó)專利布局雖早于中國(guó)近20年，但在2001年之前，該技術(shù)年申請(qǐng)量持續(xù)低于100項(xiàng)，2001年后年申請(qǐng)量保持在百項(xiàng)左右的水平，近10年發(fā)展態(tài)勢(shì)較為平緩穩(wěn)定；中國(guó)相關(guān)專利于1985年最先提出，專利年申請(qǐng)量在2008年之后呈現(xiàn)快速增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)，并于2009年超過(guò)美國(guó)，在2019年更是達(dá)到了709項(xiàng)的峰值，這種發(fā)展態(tài)勢(shì)體現(xiàn)了中國(guó)近十年對(duì)第三代半導(dǎo)體主要材料的高度重視，也在一定程度上展示了與美國(guó)一較長(zhǎng)短的實(shí)力。
3. IPC分類對(duì)比分析
在涉及氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）的半導(dǎo)體相關(guān)領(lǐng)域，中美兩國(guó)技術(shù)研究方向十分相似，在專利申請(qǐng)量排名前10的技術(shù)大組中，中美兩國(guó)在9個(gè)技術(shù)領(lǐng)域發(fā)生了重合。而在技術(shù)研發(fā)熱點(diǎn)及創(chuàng)新活躍度上存在細(xì)微差異。
圖5 中國(guó)涉及氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）的半導(dǎo)體相關(guān)專利IPC技術(shù)分布及創(chuàng)新活躍度
數(shù)據(jù)來(lái)源：大為innojoy專利檢索系統(tǒng)
檢索日期：2021年10月8日
近五年來(lái)，中國(guó)研發(fā)勢(shì)頭迅猛，專利布局集中于H01L21和H01L29領(lǐng)域，其次為H01L33領(lǐng)域，從創(chuàng)新活躍度來(lái)看，C30B29和C30B25領(lǐng)域是當(dāng)前中國(guó)的研發(fā)新熱點(diǎn)。
展開(kāi) 2電池管理核心技術(shù)專利申請(qǐng)趨勢(shì)分析
本文使用的專利檢索數(shù)據(jù)庫(kù)為中國(guó)汽車技術(shù)研究中心有限公司自主研發(fā)的全球汽車專利數(shù)據(jù)庫(kù)，收錄了全球104個(gè)國(guó)家1.3億余條汽車及相關(guān)領(lǐng)域的專利。專利選取范圍以申請(qǐng)日為入口，自2001年1月1日起，截至2020年12月31日。
對(duì)電池管理系統(tǒng)的電管理、熱管理和電池狀態(tài)管理這3項(xiàng)核心技術(shù)進(jìn)行專利申請(qǐng)趨勢(shì)分析，如圖1所示。電池電管理包括電池充放電技術(shù)、均衡技術(shù)和電池保護(hù)等，電池狀態(tài)管理包括電池參數(shù)測(cè)量、荷電狀態(tài)估計(jì)、健康狀態(tài)估計(jì)、功率狀態(tài)估計(jì)等。電池狀態(tài)管理和電管理領(lǐng)域的專利申請(qǐng)量從2001年開(kāi)始保持快速增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)，直至2013年增速放緩，同時(shí)電池狀態(tài)管理的申請(qǐng)量逐漸超過(guò)電池電管理。對(duì)電池?zé)峁芾韥?lái)說(shuō)，2001年至2015年專利申請(qǐng)量與電池狀態(tài)管理和電管理同步增長(zhǎng)，2015年之后申請(qǐng)量同比增長(zhǎng)率快于電池狀態(tài)管理和電池電管理，并在2018年申請(qǐng)量超過(guò)其他2個(gè)領(lǐng)域，說(shuō)明近年來(lái)電池?zé)峁芾硌芯康年P(guān)注度更高。
3電池?zé)峁芾砑夹g(shù)專利分析
3.1專利申請(qǐng)趨勢(shì)分析
截至2020年12月31日，電池?zé)峁芾砑夹g(shù)相關(guān)專利申請(qǐng)全球14178件，其中在中國(guó)申請(qǐng)7904件，電池?zé)峁芾砑夹g(shù)在全球和中國(guó)范圍逐年專利申請(qǐng)量如圖2所示。
從圖2可以看出，自2001年以來(lái)，中國(guó)和全球電池?zé)峁芾?em>專利申請(qǐng)量同步快速增長(zhǎng)。由于2019年—2020年專利尚未完全公開(kāi)，專利申請(qǐng)量有所下降。從全球專利申請(qǐng)來(lái)看，雖然2012—2015年專利申請(qǐng)同比增長(zhǎng)量趨于平緩，但電池?zé)峁芾砑夹g(shù)相關(guān)專利整體申請(qǐng)量處于增長(zhǎng)狀態(tài)。
展開(kāi) 二、 全球MRAM專利檢索結(jié)果及重要申請(qǐng)人
圖4 全球MRAM申請(qǐng)年度分布 [件]
如圖4所示， MRAM相關(guān)專利技術(shù)的發(fā)展?fàn)顩r為：從1990年全球開(kāi)始研發(fā)MRAM技術(shù)，1990~1997年，MRAM專利申請(qǐng)少，技術(shù)處于萌發(fā)期。1998開(kāi)始，從年申請(qǐng)量74不斷增加，僅過(guò)5年，2002年申請(qǐng)量即突破1000件大關(guān)，說(shuō)明1998~2002年MRAM技術(shù)取到突破，技術(shù)處于快速增長(zhǎng)期。2003年全球MRAM專利申請(qǐng)達(dá)到1513件后，稍有下滑并進(jìn)入平穩(wěn)增長(zhǎng)過(guò)程，說(shuō)明2003年以后MRAM技術(shù)處于穩(wěn)定發(fā)展期，處于不斷的探索改進(jìn)階段，有待于取得新的突破性進(jìn)展。
圖5 全球MRAM專利申請(qǐng)人及其申請(qǐng)量分布 [件]
對(duì)申請(qǐng)人經(jīng)過(guò)系統(tǒng)的標(biāo)準(zhǔn)化處理，將同一申請(qǐng)人不同的名稱標(biāo)準(zhǔn)化，得到如圖5所示的全球MRAM相關(guān)專利申請(qǐng)量排名前50的申請(qǐng)人。前50申請(qǐng)人來(lái)看基本上均為國(guó)外申請(qǐng)人，表明在MRAM技術(shù)目前主要掌握在國(guó)外申請(qǐng)人手中。
展開(kāi) 
專利檢索的相關(guān)專題、標(biāo)簽、搜索
專利檢索的最新內(nèi)容
3 專利視角下的 GaN 半導(dǎo)體材料應(yīng)用現(xiàn)狀分析
在Incopa t專利分析平臺(tái)對(duì)GaN半導(dǎo)體材料相關(guān)專利進(jìn)行檢索和分析，從專利分布的角度了解當(dāng)前塊體納米晶金屬材料的應(yīng)用現(xiàn)狀及前景。截至檢索日期，共檢索到P CT專利 2 401件，中國(guó)有效專利 5 021件。
圖9 中美兩國(guó)涉及氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）的半導(dǎo)體相關(guān)專利同族數(shù)分布
數(shù)據(jù)來(lái)源：大為innojoy專利檢索系統(tǒng)
檢索日期：2021年10月8日
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筆者在智慧芽全球專利數(shù)據(jù)庫(kù)檢索后發(fā)現(xiàn)，數(shù)據(jù)庫(kù)中最早出現(xiàn)的相關(guān)專利申請(qǐng)是在1916年；2001年之前的專利申請(qǐng)量較少，其中1993年、1995年、1997年和2000年各一件，德國(guó)申請(qǐng)兩件、日本申請(qǐng)一件和俄羅斯申請(qǐng)一件。此階段的專利申請(qǐng)還是以零星形式出現(xiàn)，并未成為電機(jī)主流的技術(shù)發(fā)展方向。
2電池管理核心技術(shù)專利申請(qǐng)趨勢(shì)分析
本文使用的專利檢索數(shù)據(jù)庫(kù)為中國(guó)汽車技術(shù)研究中心有限公司自主研發(fā)的全球汽車專利數(shù)據(jù)庫(kù)，收錄了全球104個(gè)國(guó)家1.3億余條汽車及相關(guān)領(lǐng)域的專利。專利選取范圍以申請(qǐng)日為入口，自2001年1月1日起，截至2020年12月31日。
對(duì)電池管理系統(tǒng)的電管理、熱管理和電池狀態(tài)管理這3項(xiàng)核心技術(shù)進(jìn)行專利申請(qǐng)趨勢(shì)分析，如圖1所示。
3.公司前期是否開(kāi)展過(guò)對(duì)標(biāo)產(chǎn)品的專利檢索和侵權(quán)分析；4.對(duì)標(biāo)產(chǎn)品的專利公司是如何實(shí)現(xiàn)規(guī)避的？
四、總結(jié)
芯片仿制很普遍，但不易被判。由于集成電路的獨(dú)創(chuàng)性缺乏穩(wěn)定的評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn)，如果企業(yè)沒(méi)有整顆芯片或創(chuàng)新部分的完整抄襲現(xiàn)象，或在芯片的投入時(shí)間和金錢明顯脫離現(xiàn)實(shí)，被判處侵權(quán)的可能性并不是很高。但由于芯片仿制的門檻較低，產(chǎn)品的有效賺錢周期比較短。
圖9 中美兩國(guó)涉及氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）的半導(dǎo)體相關(guān)專利同族數(shù)分布
數(shù)據(jù)來(lái)源：大為innojoy專利檢索系統(tǒng)
檢索日期：2021年10月8日
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圖9 中美兩國(guó)涉及氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）的半導(dǎo)體相關(guān)專利同族數(shù)分布
數(shù)據(jù)來(lái)源：大為innojoy專利檢索系統(tǒng)
檢索日期：2021年10月8日
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，專利申請(qǐng)，論著發(fā)表
企鵝：1-4-0-3-5-7-8-4-5-0 TEL：1-5-3-7-3-0-2-7-2-6-9 孫編輯
科學(xué)引文索引以其獨(dú)特的引證途徑和綜合全面的科學(xué)數(shù)據(jù)，通過(guò)大量的引文進(jìn)行統(tǒng)計(jì)，然后得出某期刊某論文在某學(xué)科內(nèi)的影響因子、被引頻次、即時(shí)指數(shù)等量化指標(biāo)來(lái)對(duì)期刊、論文等進(jìn)行排行，被引頻次高,說(shuō)明該論文在它所研究的領(lǐng)域里產(chǎn)生了巨大的影響。
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快速出版，正規(guī)操作，需要EI期刊發(fā)表，EI檢索，專利申請(qǐng)
，專利申請(qǐng)，論著發(fā)表
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Ei是Engineering Index的縮寫，創(chuàng)辦于1884年，已有100多年的歷史，是世界著名的工程技術(shù)領(lǐng)域的綜合性檢索工具。
