散熱系數的案例
電磁爐加熱水分析—電磁 熱 結構耦合分析
在瞬態熱分析中設置相應的分析時間長度為600s，步數為600步，設置相應的散熱系數，如圖9所示，將插入commands命令，讀取磁場生成的熱結果。
ldread,hgen ！讀取熱結果
加熱碗的最大溫度的溫升曲線如圖10所示，600s時刻的溫度分布結果如圖11和圖12所示。
圖9 設置散熱系數 圖10 溫度隨時間變化曲線
圖11 碗底溫度 圖12 碗整體溫度
2.3 結構分析
加載結構模塊structural，鏈接磁場分析的網格部分，打開后讀取磁場分析相應的網格模型和材料設置，同樣需要抑制掉空氣部分。
設置好邊界條件之后讀取上一步的熱生成的溫度，根據相應的材料參數可以獲取碗的膨脹變形量和應力分布情況，如圖所示
讀取溫度分布載荷
ldread,temp
圖13 碗應力分布 圖14 碗變形分布
圖15 碗變形分布
Workbench作為一個分析平臺可以將多個獨立的物理場很好的耦合到一起，很好的解決多電磁場、熱、結構以及流體等物理場的耦合計算。
多物理場分析能夠更全面的展示一些設備的多個輸入因素導致的相互作用，電磁爐的耦合場分析可以應用于模擬淬火加熱零件、電機受力、雙金屬片彎曲等相關的電、熱和結構耦合的分析，能夠獲取相關的溫度、變形、線圈參數等需要的關鍵數據。
展開 電磁爐加熱水—電磁 熱 結構耦合分析
在瞬態熱分析中設置相應的分析時間長度為600s，步數為600步，設置相應的散熱系數，如圖9所示，將插入commands命令，讀取磁場生成的熱結果。
ldread,hgen ！讀取熱結果
加熱碗的最大溫度的溫升曲線如圖10所示，600s時刻的溫度分布結果如圖11和圖12所示。
圖9 設置散熱系數
圖10 溫度隨時間變化曲線
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圖11 碗底溫度
圖12 碗整體溫度
2.3 結構分析
加載結構模塊structural，鏈接磁場分析的網格部分，打開后讀取磁場分析相應的網格模型和材料設置，同樣需要抑制掉空氣部分。
設置好邊界條件之后讀取上一步的熱生成的溫度，根據相應的材料參數可以獲取碗的膨脹變形量和應力分布情況，如圖所示
讀取溫度分布載荷
ldread,temp
圖13 碗應力分布
圖14 碗變形分布
圖15 碗變形分布
Workbench作為一個分析平臺可以將多個獨立的物理場很好的耦合到一起，很好的解決多電磁場、熱、結構以及流體等物理場的耦合計算。
多物理場分析能夠更全面的展示一些設備的多個輸入因素導致的相互作用，電磁爐的耦合場分析可以應用于模擬淬火加熱零件、電機受力、雙金屬片彎曲等相關的電、熱和結構耦合的分析，能夠獲取相關的溫度、變形、線圈參數等需要的關鍵數據。
另外workbench的多物理場仿真能夠更好的共享模型和模型網格，通過讀取載荷能夠更好的匹配熱、力等載荷數據，使計算快速準確，使仿真能夠顯著的減少實驗次數，提高準確度，并縮短產品開發時間。
展開 abaqus-fluent流固熱耦合
1.首先通過fluent計算得到模型的溫度場邊界，導出的文件格式選為inp，導入hypermesh去除流體邊界; 2.得到結構邊界后輸出為abaqus文件格式： 3.導入到abaqus中，修改材料參數，修改參考溫度“ 下圖中顯示了模型的膜層散熱系數，邊界溫度場： 替換熱傳導分析為熱固耦合分析步，
abaqus-fluent流固熱耦合.doc
某廠脫硫塔整體系統阻力分析 ￥15
計算參數及邊界設置
塔入口煙氣壓力1500Pa；塔入口煙氣溫度155℃；塔入口煙氣量716840℃
根據上述表格數據設置邊界參數如下：
入口：速度入口（velocity-inlet），20.13m/s
出口：壓力出口（pressure-outlet），0Pa
壁面：無滑移邊界條件，標準壁面函數，對流散熱系數5W/m2·K。
流體屬性：飽和濕空氣，其物性（密度、粘度和比熱等）由UDF定義，隨煙氣溫度變化，忽略液滴/液膜對氣相流場的反作用。
傳熱設置：以塔體內噴淋域的吸熱反應來模擬漿液與煙氣的傳熱。
考慮到煙囪內產生旋流，湍流模型采用realizable k-e模型，湍流流場的計算采用有限體積法離散控制方程，算法采用Simple算法，對流項采用一階迎風格式。
結果及分析
脫硫塔的模擬運行結果如下：
展開 
abaqus_子程序_高斯熱源 ￥15
邊界條件：根據需求設定輻射、散熱系數。荷載選擇表面熱流，作用區域定位在熱源照射面。預定義場設定初始溫度。
網格類型為DC3D8。
提交計算：
提交作業，在通用模塊用戶子程序一欄鍵入.for子程序路徑。
嗯，大概就這樣。
付費內容包括子程序文件，CAE模型，聯系方式。
基于Simsolid的MCM-BGA封裝體運行溫度及熱應力分析與優化設計
Chapter 1 問題描述與模型建立
本次案件所采用的MCM-BGA封裝體共包含9個芯片、熱界面材料、散熱外殼、PCB、若干熱點焊連接點及封裝基體[1]。具體的裝配關系見圖1所示。通過3D繪圖軟件繪制封裝體的幾何模型，并導入到Simsolid。各部件的材料參數見表1。
圖1 MCM-BGA封裝體的裝配關系
表1 各部件的材料參數[1]
熱應力分析的思路一般為先進行熱分析得到溫度場，再把溫度場導入到新的模型中計算熱應力。基于這一原則，本案例將分為熱分析和結構分析兩部分進行闡述。
1.1 熱分析
Simsolid的提供了專門進行熱分析的分析類型。在創建熱分析之后，需要填寫溫度、體熱流及對流條件。具體到本次案例，設定流過每個芯片上表面的熱功率為50W/cm^2，對于裸漏在空氣側的封裝體外殼設定對流散熱系數為20W/（m^2*K），環境溫度設定為20℃。由于Simsolid暫不支持冷卻液流速相關分析，通過修改冷卻通道的對流換熱系數及環境溫度進行彌補。對于散熱外殼冷卻通道，假定為液體強制對流散熱，散熱系數設為1000 W/（m^2*K），冷卻液溫度設定為15℃。完成上述操作后，便可提交Simsolid進行計算，從而得到溫度場結果。
1.2 結構分析
得到溫度場計算結果后，可在同一個分析項目下建立結構分析。在本案例中，設定封裝體的PCB下邊面為不可移動面，并對整個封裝體添加溫度載荷，溫度的輸入為熱分析的結果，如圖2所示。
展開 Workbench中外部數據的使用——單元數據的加載 ￥8.8
關鍵是設置讀取文件的格式，設置讀取文件的意義，因為文件僅僅是編號和數據，軟件并不知道你要設置為什么變量
本次分析設置為熱生成，如圖所示
4.讀取數據
在熱分析模塊，讀取電磁分析的網格和模型文件，在邊界條件位置會生成imported load，讀取heat generation，選擇所有的物體，在添加相應的散熱系數就可以了
結果和溫度分布如圖所示（公眾號:CAE_ANSYS）
以下為分析源文件，共參考,另外后面會發布讀取外部節點載荷的方法
ABAQUS熱應力分析 附ABAQUS中初始地應力的施加下載
軋輥拉伸深度為0.04m,Cu層和 Fe層拉伸深度為0.03m
紫銅Cu材料數據
膜層散熱系數為200（25℃時）用于設置表面熱交換條件
軋輥與Cu層的摩擦系數為0.2，Cu層與Fe層之間的摩擦系數為0.3
軋輥速度為-1.5rad/s(順時針)，Cu層和Fe層速度為-0.05m/s熱
軋溫度為850℃，軋輥速度一直認為是25℃。
軋輥與Cu層的熱傳導系數
下載地址：ABAQUS中初始地應力的施加
abaqus與star-cd流固耦合 ￥5
為了達到這個目的，我們選用如下兩個模型
Step-1：abaqus的前期準備
導入實體，賦予屬性
導入的時候記得縮放0.001，因為三維軟件大多是mm制的，為了避免單位的混亂，我們采用國際單位制進行，一勞永逸
對于材料定義，因為是熱力耦合，所以彈性模量，泊松比，熱傳導率，比熱，密度需要定義好
Step-2：劃分網格，建立集合與相關表面
單元屬性定義為C3D8T的熱力耦合單元
建立兩個集合，一個是入口的inlet，一個是整個模型all
建立三個面，一個是用于流固耦合的inner，一個是外部散熱的exterior，一個是法蘭散熱的flanges
Step-3：建立載荷分析步
分析步長250s，流固耦合也以250s作為一次耦合間隔
總時間10000s，合計耦合40次
在interaction中為剛才定義的散熱表面建立散熱系數
入口設置500K的進口溫度
該固定的地方固定住
初始環境溫度給300K
Step-4 ：導出inp文件，加上耦合分析的關鍵字
至此，abaqus的操作基本完成
Step-5 ：定義物理屬性
在star-cd中導入面網格，這里不需要縮放，因為star會識別導入幾何的單位，自動轉換成米制（國際單位制）
然后根據我們之間所說的，劃分蜂巢網格
這里定義inlet為速度入口，10m/s
定義outlet為分散流出口
定義wall作為流固耦合區域
當然，這里我們事先定義一下分析的模型
之后，定義一下耦合程序的設置
a 定義abaqus的耦合
b 定義導入導出項
展開 高溫模擬下冰塊的熱傳遞和融化過程 ￥19.89
材料屬性
屬性名稱
大小
傳導率
1
密度
1e-9kg/mm3
楊氏模量
1000
泊松比
0.3
基本溫度
20℃
膨脹系數
1e-6
比熱
1e9
膜層散熱系數
0.2
環境溫度
100℃
三、子程序Umeshmotion
ABAQUS的子程序主要是使用Fortran語言編寫的，IVF（Intel Visual Fortran）是常用的Fortran編譯器之一。
數據中心液冷系統核心設備（CDU）與泄漏檢測技術解析
另一方面XLS-1專為在具挑戰性的應用中可靠運行而設計，是發電機、水箱、散熱器、打印機和其他工業應用中流體液位檢測的理想解決方案。
【技術】新能源汽車電機熱管理
通過壓降、表面散熱系數與散熱面積的綜合分析，最終確定了最優化的水路結構設計方案。
電機熱管理控制策略
1、電子水泵控制
電子水泵根據電機系統各發熱零部件的冷卻需求對水泵轉速進行調節。電子水泵通常是PWM控制，其控制曲線如圖2所示。
圖2 電機電子水泵PWM曲線
前水泵滿足下述條件中任意一條即開始工作：
①前電機檢測溫度達到T3；
②前電機控制器檢測溫度達到T3；
③發電機檢測溫度達到T3；
④發電機控制器檢測溫度達到T3。
隨著上述零部件的工作溫度的上升，前水泵開度開始增大，直到前電機、前電機控制器、發電機、發電機控制器中任何一個零件溫度達到T4，后水泵開啟到100%（全開）；當檢測到上述全部零部件最高溫度回落到T2時，前水泵開度開始逐步減小，直到全部零部件最高溫度達到T1，水泵停止工作。
后水泵滿足下述條件中任意一條即開始工作：
①后電機檢測溫度達到T3；
②后電機控制器檢測溫度達到T3；
③OBC檢測溫度達到T3；
④DC-DC檢測溫度達到T3。
隨著上述零部件的工作溫度的上升，后水泵開度開始增大，直到后電機、后電機控制器、OBC、DC/DC中任意一個零件溫度達到T4，后水泵開啟到100%（全開）；當檢測到上述全部零部件最高溫度回落到T2時，后水泵開度開始逐步減小，直到全部零部件最高溫度達到T1，水泵停止工作。
2、電子三通閥控制
電子三通閥可以實現一進兩出的功能。
展開 電動機與變速器總成的熱管理分析
電動機殼體及端蓋、變速器殼體等均處于室溫狀態，無風條件下，開展此前提下的散熱仿真分析。其各個零部件的材料屬性及加載的邊界條件等設置均為相同的情況下進行分析，且為了簡便其前處理、運算過程，對其總成結構的溫升模型及導熱/散熱問題進行如下歸納假設：
(1)總成結構中損耗均轉化為熱量，且通過散熱介質傳遞;
(2)總成機殼表面的風散熱問題暫不考慮;
(3)不考慮材料隨溫度的變化影響;
(4)不考慮熱輻射的影響;
(5)不考慮集膚效應的影響。
1. 熱管理方案一(僅電動機定子水冷套的熱管理方案)
本節主要是在總成結構中電動機冷卻熱管理只采用電動機定子水冷的情況下，針對電動機各零部件的溫度場分析。電動機轉子的熱傳遞則主要是先通過轉子本身材質的熱傳導方式到轉子表面，然后通過定轉子之間氣隙空氣的熱對流傳熱傳輸到定子部件上，然后通過定子本身的熱傳導和水冷套的熱對流方式，最終把熱量傳遞散熱出去。根據等效熱阻網絡模型的溫度場分布，需要計算出電動機定轉子及氣隙的材料熱性能參數、熱對流換熱系數等。圖4為電動機水冷套的結構示意圖。
圖4 電動機水冷散熱結構
針對電動機本體熱管理分析利用等效熱阻網絡法模型計算;首先需要查出電動機各個零部件的材料熱性能參數，其次需要計算出電動機零部件之間存在熱對流時的等效換熱系數等，例如定子水冷套與水的等效換熱系數和定轉子之間氣隙的等效散熱系數的計算等。通過流體力學仿真軟件進行仿真計算得出各熱傳導熱對流等需要的參數，最終把各參數帶入到等效熱阻網絡法的數學矩陣模型中，將很簡便的得出各零部件的溫度場變化情況。
展開 ANSYS 定義非線性材料的TB命令的解釋
HFLM——膜層散熱系數選項，更多內容詳見“HFLM Specifications”。
HILL——模擬材料的塑性、粘性和蠕變的各向異性選項，應用HILL模型，有關上述復合材料的資料見ANSYS
Elements Reference中的Material Model Combinations，更多內容詳見“HILL Specifications”。
HONEY——蜂窩狀材料選項，更多內容詳見“HONEY Specifications”。
HYPER——超彈模型選項【包括Mooney-Rivlin, Ogden, Neo-Hookean, Polynomial form, Arruda-Boyce, Gent, Yeoh, Blatz-Ko, Ogden foam和用戶自定義的材料模型】，更多內容詳見“HYPER Specifications”。
JOIN——線性或非線性彈性剛度、線性或非線性阻尼和滯摩擦行為選項，適用于MPC184，更多內容詳見“JOIN Specifications”。
KINH——多線性運動強化選項，應用von Mises或Hill塑性模型，KINH選項與TBOPT為2時的MKIN選項類似，但前者強化曲線上的約束點和溫度點更少，更多內容詳見“KINH Specifications”。
MELAS——多線性彈性選項，更多內容詳見“MELAS Specifications”。
MISO——多線性各向同性強化選項，這一選項應用von Mises或Hill 屈服準則，更多內容詳見“MISO Specifications”。
MKIN——多線性運動強化材料選項，這一選項應用von Mises或Hill 屈服準則，更多內容詳見“MKIN Specifications”。
展開 干貨 | LED芯片原理知識大全一覽
特點：
(1)采用高散熱系數的材料---Si作為襯底，散熱容易。
Thermal Conductivity;GaAs：46W/m-K;GaP：77W/m-K;Si：125～150W/m-K;Cupper:300~400W/m-k;SiC：490W/m-K
(2)通過金屬層來接合(wafer bonding)磊晶層和襯底，同時反射光子，避免襯底的吸收。
(3)導電的Si襯底取代GaAs襯底，具備良好的熱傳導能力(導熱系數相差3~4倍)，更適應于高驅動電流領域。
(4)底部金屬反射層，有利于光度的提升及散熱。
(5)尺寸可加大，應用于High power領域，eg:42mil MB。
2、GB芯片定義和特點
定義：Glue Bonding(粘著結合)芯片;該芯片屬于UEC的專利產品。
特點：
(1)透明的藍寶石襯底取代吸光的GaAs襯底，其出光功率是傳統AS(Absorbable structure)芯片的2倍以上，藍寶石襯底類似TS芯片的GaP襯底。
(2)芯片四面發光，具有出色的Pattern圖。
(3)亮度方面，其整體亮度已超過TS芯片的水平(8.6mil)。
(4)雙電極結構，其耐高電流方面要稍差于TS單電極芯片。
3、TS芯片定義和特點
定義：transparent structure(透明襯底)芯片，該芯片屬于HP的專利產品。
特點：
(1)芯片工藝制作復雜，遠高于AS LED。
(2)信賴性卓越。
(3)透明的GaP襯底，不吸收光，亮度高。
(4)應用廣泛。
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