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保溫采用高能密度加熱和表面熱處理時，加熱速度極快，一般就沒有保溫時間，而化學熱處理的保溫時間往往較長。冷卻冷卻也是熱處理工藝過程中不可缺少的步驟，冷卻方法因工藝不同而不同，主要是控制冷卻速度。工藝分類金屬熱處理工藝大體可分為整體熱處理、表面熱處理和化學熱處理三大類。

5.ZDL-密度 用放射源向地層發射高能粒子轟擊地層的原子來測量密度，密度值是巖石單位體積的密度，包括固體和流體。6.CN-中子 用放射源向地層發射高能粒子轟擊地層的原子來測量中子，我們也叫中子孔隙度，也叫總孔隙度，測量的是流體體積占整個巖石的百分比。

由于SiC材料高熔點、高密度、高硬度的特性，在材料和芯片制造過程中，存在一些特殊的工藝控制過程，如物理氣相傳輸法單晶生長、襯底切磨拋加工較慢、外延生長所需溫度極高且需要具備高良率目標、芯片制造過程需要高溫高能設備等，這些均需要增加一些專用的設備作為支撐，如襯底材料制備中的碳化硅單晶生長爐、金剛線多線切割機設備，外延生長爐、芯片制造中的高溫高能離子注入、退火激活、柵氧制備等設備。