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入射光的電場並非用單一個點來描述，相對的，我們會假設該電場比多重光束干涉發生的區域更大許多。在Zemax OpticStudio中，我們使用field係數來表示這個結果，這些係數已經被薄膜膜層的程式驗證過許多次。薄膜理論的慣例是計算平面法向量方向上的相位變化，這表示其假設了一個虛擬的平面波從薄膜最外層一路傳播到基板。

透射和反射全像的繞射波和穿透波的TE(橫向電場)的偏振電場可以用以下4個公式計算。注意，在這個理論中，能量被假設為只在入射波、零階（直射波）和一階繞射波之間交換。若要消除這個限制，需要嚴格耦合波分析理論。對於TM(橫向磁場)極化，我們可以簡單地將κ替換為κTM，如下所示，仍然使用前面的公式。

這些模態的電場分佈可以寫成 Ince 多項式。 Miguel A. Bandres 和 Julio C.

? 可以經由調整 CAP 腳的外接電容，調整靈敏度，電容越大靈敏度越高 ? 具有防水及水漫成片水珠覆蓋在觸摸按鍵面板，按鍵仍可有效判別 ? 內建 LDO 增加電源的抗干擾能力 ? 功能描述 1 VK3610IM 於手指按壓觸摸盤，在 60ms 內輸出對應按鍵的狀態。

將超穎透鏡之後的電場輸出導出為ZBF檔，然後將其進一步導入OpticStudio POP中以評估最終的PSF。但是，當超穎透鏡置於透鏡之間並且入射光束不是平面波前時，設計人員可以使用POP中的平面波開始模擬。光束在POP中傳播到超穎透鏡的前端，並作為ZBF檔導出。然後將ZBF作為光源導入FDTD，並透過超穎透鏡進行傳播。其餘過程與前面討論的相同。

演講主題：智能終端仿真技術和挑戰主題簡介：仿真技術在現在產品開發中起著重要的作用。智能終端產品由于其結構的緊湊性、器件的密集度、開發節奏的快速，對仿真技術挑戰很大，需要建立并持續提升相對應的仿真和實驗體系，才能實現智能終端產品的高性能與高可靠性。嘉賓簡介：小米集團仿真部總經理。