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帖子 Zemax光學設計技術教程:如何使用Jones Matrix表面
範例檔案可由文章頂端的結下載。注意,上圖中Jones Matrix表面並沒有曲率半徑(Radius)的欄位。如上一個小節所說,這種表面通常用在準直光束垂直入射的情況,因此必須是一個平面。我們可以在下圖的分類數據(Prescription data)看到矩陣中的元素已被輸入鏡頭數據編輯(Lens Data Editor)。
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w**elab86_Swsp ??? 3年前
Zemax光學設計技術教程:如何使用Jones Matrix表面
帖子 ZEMAX軟件技術應用專題:在薄膜計算中Ray以及Field系數是什麼?
入射光的並非用單一個點來描述,相對的,我們會假設該比多重光束干涉發生的區域更許多。在Zemax OpticStudio中,我們使用field係數來表示這個結果,這些係數已經被薄膜膜層的程式驗證過許多次。薄膜理論的慣例是計算平面法向量方向上的相位變化,這表示其假設了一個虛擬的平面波從薄膜最外層一路傳播到基板。
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w**elab86_Swsp ??? 3年前
ZEMAX軟件技術應用專題:在薄膜計算中Ray以及Field系數是什麼?
帖子 ZEMAX軟件技術應用專題:如何使用ZOS-API創建飛行時間用戶分析
應用程式和 OpticStudio 有 4 種程式模式,但它們可以分為兩類: 完全控制(獨立(Standalone)模式和自訂擴展(User Extensions)模式),這種情況下,使用者通常完全控制鏡頭設計和使用者介面。 有限訪問(自訂運算元(User Operands)模式和自訂分析模式),這種情況下,使用者使用現有鏡標頭檔的副本進行處理和分析。
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w**elab86_Swsp ??? 3年前
ZEMAX軟件技術應用專題:如何使用ZOS-API創建飛行時間用戶分析
帖子 靈敏度10按鍵觸摸感應芯片VK3610IM電容式觸控IC原廠,提供串行界面SCK、SDA、INT 作為與MCU溝通方式
? 可以經由調整 CAP 腳的外接容,調整靈敏度,容越靈敏度越 ? 具有防水及水漫成片水珠覆蓋在觸摸按鍵面板,按鍵仍可有效判別 ? 內建 LDO 增加源的抗干擾能力 ? 功能描述 1 VK3610IM 於手指按觸摸盤,在 60ms 內輸出對應按鍵的狀態。
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西瓜妹1 ??? 2年前
高靈敏度10按鍵觸摸感應芯片VK3610IM電容式觸控IC原廠,提供串行界面SCK、SDA、INT 作為與MCU溝通方式
帖子 收藏 | 變壓器保護知識
當變壓器漏油或由于其他原因使得油位降低是,油位保護動作,發出警信號。4、冷卻全停保護當運行中的變壓器冷卻全停時,變壓器溫度會升高,若不及時處理,可能會導致變壓器繞組絕緣損壞。因此在變壓器運行中冷卻全停時,該保護發出警信號并經長延時切除變壓器。
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電力講壇 ??? 3年前
收藏 | 變壓器保護知識
帖子 Moldex3D模流分析之Tokyo Seiki公司使用模大幅減少試模次數
透過 Moldex3D 的精密模計算,Tokyo Seiki 公司於當地首開先例提供客戶圖文並茂的 CAE 分析,取代簡單的數字分析,以提升客戶對於產品品質的信心,此行銷策略已成功協助 Tokyo Seiki 公司開發許多新客戶。Mr.
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Moldex3D 中國 ??? 3年前
Moldex3D模流分析之Tokyo Seiki公司使用模流大幅減少試模次數
帖子 ZEMAX軟件技術應用專題:在 OpticStudio 中模擬階雷射光束
這些模態的分佈可以寫成 Ince 多項式。 Miguel A. Bandres 和 Julio C.
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w**elab86_Swsp ??? 3年前
ZEMAX軟件技術應用專題:在 OpticStudio 中模擬高階雷射光束
帖子 ZEMAX軟件技術應用專題:利用Kogelnik方法模擬體積全像光柵的繞射效率
透射和反射全像的繞射波和穿透波的TE(橫向)的偏振可以用以下4個公式計算。注意,在這個理論中,能量被假設為只在入射波、零階(直射波)和一階繞射波之間交換。若要消除這個限制,需要嚴格耦合波分析理論。對於TM(橫向磁)極化,我們可以簡單地將κ替換為κTM,如下所示,仍然使用前面的公式。
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w**elab86_Swsp ??? 3年前
ZEMAX軟件技術應用專題:利用Kogelnik方法模擬體積全像光柵的繞射效率
帖子 一起壓變柜爆炸導致主變保護動作的事故分析
3.2 限制和消除諧振影響 限制和消除系統諧振的措施主要包括:加裝零序消諧裝置、4PT法、更換性能PT、在系統中性點加裝消弧線圈等[7]。 1)采用零序消諧裝置 在PT一次側零序相和開口三角兩端入消諧能夠根據檢測的零序電壓大小改變阻尼電阻阻值,釋放諧振能量[6]。目前L站采用一次消諧和二次消諧燈的配置。
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電工電氣論壇 ??? 4年前
一起壓變柜爆炸導致主變保護動作的事故分析
帖子 一起壓變柜爆炸導致主變保護動作的事故分析
3.2 限制和消除諧振影響 限制和消除系統諧振的措施主要包括:加裝零序消諧裝置、4PT法、更換性能PT、在系統中性點加裝消弧線圈等[7]。 1)采用零序消諧裝置 在PT一次側零序相和開口三角兩端入消諧能夠根據檢測的零序電壓大小改變阻尼電阻阻值,釋放諧振能量[6]。目前L站采用一次消諧和二次消諧燈的配置。
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電工電氣論壇 ??? 4年前
一起壓變柜爆炸導致主變保護動作的事故分析
帖子 變壓器主保護與后備保護知識全解
(3)溫度及油位保護當變壓器溫度升高達到預警值,溫度保護發出警信號,并投入起動備用冷卻。當變壓器漏油或由于其他原因使得油位降低是,油位保護動作,發出警信號。(4)冷卻全停保護當運行中的變壓器冷卻全停時,變壓器溫度會升高,若不及時處理,可能會導致變壓器繞組絕緣損壞。
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電工電氣論壇 ??? 4年前
變壓器主保護與后備保護知識全解
帖子 ZEMAX軟件應用專題:波前 (OPD) 怎麼算的
現在讓我們來驗證看看離軸的視,例如說我們想看最大的視3。首先我們清空評價函數編輯,然後先暫時把出瞳面的Radius設回無限。輸入以下資料到評價函數中,目的是計算主光線在出瞳面上的位置、角度以及到像面所經過的光程。
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w**elab86_Swsp ??? 3年前
ZEMAX軟件應用專題:波前 (OPD) 怎麼算的
帖子 臺灣美祿丨光電耦合MPC354的參數大全
從結構上講,此類管子基區面積比發射區面積很多,光照面積,光電靈敏度比較,因為具有電流放大作用,在集電極可以輸出很的光電。光耦合是一種以光為媒介傳輸電信號的設備;通常,發光器件(紅外發光二極管LED)和受光器(光敏半導體管,光敏電阻)被封裝在同一殼體中。當在輸入端施加電信號時,發光發出光線,并且受光器在接收到從輸出端流出的光之后產生光電,從而實現“電-光-電”控制。
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如果我年少有為 ??? 3年前
臺灣美祿丨光電耦合器MPC354的參數大全
帖子 【實用】電氣自動化常用的幾款保護電路解析
▲(a)晶體管保護 ▲(b)限比較保護 ▲圖2 在單端正激式或反激式變換電路中的限電路 當AC輸入電壓在90~264V范圍內變化,且輸出同等功率時,則變壓器初級的尖峰電流相差很,導致、低端過保護點嚴重漂移,不利于過點的一致 性。
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電力講壇 ??? 4年前
【實用】電氣自動化常用的幾款保護電路大解析
帖子 GIS設備基礎知識,一次性幫你捋清楚,收藏!
避雷主要由罐體、盆式絕緣子,安裝底座及芯體等部分組成,芯體是由氧化鋅電阻片作為主要元件,它具有良好的伏安特性和較的通容量ZGF直流高壓發生具有輸出功率、體積小的特點,有可靠的過壓、過及零位合閘保護功能,帶0.75倍電壓切換功能。
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電工電氣論壇 ??? 3年前
GIS設備基礎知識,一次性幫你捋清楚,收藏!
帖子 高壓斷路和隔離開關有何區別?
3、高壓負荷開關和高壓隔離開關,都可以形成明顯斷開點,部分高壓斷路不具隔離功能,也有少數高壓斷路器具隔離功能。 4、高壓隔離開關不具備保護功能,高壓負荷開關的保護一般是加熔斷保護,只有速斷和過。 5、高壓斷路的開斷容量可以在制造過程中做的很。主要是依靠加電流互感配合二次設備來保護。
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電力講壇 ??? 4年前
高壓斷路器和隔離開關有何區別?
帖子 ZEMAX軟件技術應用專題:智慧型手機鏡頭模組
智慧型手機鏡頭模組給設計團隊和製造商帶來了一系列挑戰,但 Zemax 提供了快速、自信地將這些產品推向所需的工具。要了解有關 Zemax OpticStudio 或OpticsBuilder功能的更多資訊,請申請免費試用。要討論您的特定設計需求,您可以點擊此處與我們聯繫。
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w**elab86_Swsp ??? 3年前
ZEMAX軟件技術應用專題:智慧型手機鏡頭模組
帖子 特殊換熱種類之雙管板換熱
總結:雙管板換熱作為主要用于高溫、高壓、易燃、易爆、有毒或較強腐蝕介質的換熱的工況下,若要更好地推廣應用,必須掌握好設計、制造、運行、維護各個環節,其中很重要就是雙管板換制造質量要好,要求較的制造精度,同時換熱管質量要好,保證在使用中不出現換熱管壁破裂的情況。
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化工設備人 ??? 4年前
特殊換熱器種類之雙管板換熱器
帖子 詳解光耦合是什么
光電耦合的輸入回路與輸出回路之間沒有電氣聯系,也沒有共地;之間的分布電容極小,而絕緣電阻又很,因此回路一邊的各種干擾雜訊都很難通過光電耦合饋送到另一邊去,避免了共阻抗耦合的干擾信號的產生。光電耦合可起到很好的安全保障作用,即使當外部設備出現故障,甚至輸入信號線短時,也不會損壞儀表。因為光耦合器件的輸入回路和輸出回路之間可以承受幾千伏的高壓。
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如果我年少有為 ??? 3年前
詳解光耦合器是什么
帖子 功率半導體技術現狀及其進展
基于應用需求,對規模 IGBT 芯片壓封裝過程中面臨的“機 - 電 - 熱”強耦合條件下的芯片均原理已有了深入研究 [38-40] :文獻 [40] 首次完成了尺寸 IGBT 芯片設計研究,及其力學增強、方形陶瓷管殼和壓封裝等關鍵技術研究;文獻 [38] 提出了 IGBT 低時延柵極互連與元胞柵電阻結構,完成了 IGBT 元胞開關同步與均控制技術研究,開發了全球最大容量的 600 A/4
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平頭叔 ??? 4年前
大功率半導體技術現狀及其進展
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