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當達到發散點時，Ince-Gaussian DLL 產生的結果變得不準確。不幸的是，對於唯一的 e 值，這一點不會出現（還依賴於 p、m 和光束極性）。但是，確定何時產生不同的解決方案很簡單。該解決方案與相應的 Hermite-Gaussian 結果不一致（對於大 e，它們應該如此）。在這種情況下，應使用高斯束腰光束選項來模擬光束模式。雷射的一般輸出可以從近軸波動方程的解中找到。

關於 Jones Matrix在下列的式子中，我們用向量E來表示電場的振幅和偏振態。此外，E具有{Ex, Ey, Ez}三個複數型式的分量。而傳播向量k的三個分量{l, m, n}則是電磁波在x, y, z方向上的Cosine分量。為了使下方的式子成立，E和k必須互相垂直。將E和k分別以分量的形式帶入，我們可以得到下方的結果。

上面圖表描繪了用 “場 (field)” 來處理薄膜光學的概念。某個角度的一道入射平面波會在下面兩個介面中反覆交錯無數次：空氣到膜層介面以及膜層到基板介面。在每一次的交錯中，就相應產生一道穿透以及一道反射光場，最後這些光場會在同調的假設下相加。經過一番如魔術般建設性以及破壞性干涉後，最後的結果可以用巨觀的反射以及穿透係數來表示。

透射和反射全像的繞射波和穿透波的TE(橫向電場)的偏振電場可以用以下4個公式計算。注意，在這個理論中，能量被假設為只在入射波、零階（直射波）和一階繞射波之間交換。若要消除這個限制，需要嚴格耦合波分析理論。對於TM(橫向磁場)極化，我們可以簡單地將κ替換為κTM，如下所示，仍然使用前面的公式。

此方法僅在DOE的特徵尺寸不太接近波長尺度（矢量繞射效果很強）時才有效。因此，該方法不適用於超穎透鏡。參考文獻[4]中討論了一個很好的例子，其中DOE矢高由產生像菲涅耳 (Fresnel)透鏡的閃耀結構的方程式描述。除了功能大小的限制之外，此方法的另一個缺點是設計人員可能仍需要定制一些工具來增強OpticStudio提供的功能。

然而，不真實的熔化溫度會誤導進一步的製程，而無法透過射出成型產生高性能產品。然而，ScrewPlus 在射出成型初期階段擷取真實熔化溫度上扮演著重要的角色。尤其是，ScrewPlus 可幫助我們在螺牙剪切後估計真實的熔化溫度，而非只能挑選噴嘴溫度或最後區域溫度。此外，可用於評估熔件的溫度均勻性，這可控制整個射出成型的品質。