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某個角度的一道入射平面波會在下面兩個介面中反覆交錯無數(shù)次：空氣到膜層介面以及膜層到基板介面。在每一次的交錯中，就相應(yīng)產(chǎn)生一道穿透以及一道反射光場，最後這些光場會在同調(diào)的假設(shè)下相加。經(jīng)過一番如魔術(shù)般建設(shè)性以及破壞性干涉後，最後的結(jié)果可以用巨觀的反射以及穿透係數(shù)來表示。入射光的電場並非用單一個點來描述，相對的，我們會假設(shè)該電場比多重光束干涉發(fā)生的區(qū)域更大許多。

這表明發(fā)生了重大變化。代表性的OCT系統(tǒng)如下所示。 光束應(yīng)均勻地分成兩臂，其中一個在樣品體積上會聚，以最小化給定掃描的照射面積。 光源應(yīng)為一束準直的寬帶光束；大帶寬意味著低相干性和高精度定位產(chǎn)生相干性的深度。深度掃描也稱為軸向掃描或A掃描，它根據(jù)反射到樣品中的距離來測量反射光的強度。

這些模態(tài)的電場分佈可以寫成 Ince 多項式。 Miguel A. Bandres 和 Julio C.

透射和反射全像的繞射波和穿透波的TE(橫向電場)的偏振電場可以用以下4個公式計算。注意，在這個理論中，能量被假設(shè)為只在入射波、零階（直射波）和一階繞射波之間交換。若要消除這個限制，需要嚴格耦合波分析理論。對於TM(橫向磁場)極化，我們可以簡單地將κ替換為κTM，如下所示，仍然使用前面的公式。

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