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、金剛石、碳納米管、碳纖維短纖、石墨烯導熱膜等④陶瓷基板：氧化鋁 (Al2O3)、氮化鋁 (AlN)、氮化硅(Si3N4 )、氧化鈹 (BeO)；碳化硅 (SiC)、氮化硼 (BN) 等⑤熱沉材料：金屬/合金(半固態壓鑄件)；金剛石/銅、金剛石/鋁等復合材料，石墨/銅、石墨/鋁等復合材料，金屬基復合材料⑥相變材料（儲熱）：石蠟、脂肪醇、脂肪酸、烷烴基合金；熔鹽、鹽水合物、共晶混合物等

，液態金屬，導熱灌封膠等陶瓷基板：氧化鋁 (Al2O3)、氮化鋁 (AlN)、氮化硅(Si3N4 )、氧化鈹 (BeO)；碳化硅 (SiC)、氮化硼 (BN) 等熱沉材料：金屬/合金(半固態壓鑄件)；金剛石/銅、金剛石/鋁等復合材料，石墨/銅、石墨/鋁等復合材料，金屬基復合材料 導熱高分子：導熱塑料（PPS、PA6/PA66、PC、PP、PPA、LDPE、PEEK）、導熱絕緣塑料，

(AlN)、氮化硅(Si3N4 )、氧化鈹 (BeO)；碳化硅 (SiC)、氮化硼 (BN) 等；⑤熱沉材料：金屬/合金(半固態壓鑄件)；金剛石/銅、金剛石/鋁等復合材料，石墨/銅、石墨/鋁等復合材料，金屬基復合材料；⑥相變材料（儲熱）：石蠟、脂肪醇、脂肪酸、烷烴基合金；熔鹽、鹽水合物、共晶混合物等；⑦隔熱材料：氣凝膠材料（碳基、二氧化硅、二氧化鋯、氧化鋁等）、碳氈、復合硅酸鹽材料等

然而，現有的封裝技術大多都是沿用Si基器件的類似封裝，要充分發揮碳化硅的以上性能還有諸多關鍵問題亟待解決。 由于SiC器件的高頻特性，結電容小，柵極電荷低，開關速度快，開關過程中的電壓和電流的變化率極大，寄生電感在極大的di/dt下，極易產生電壓過沖和振蕩現象，造成器件電壓應力、損耗的增加和電磁干擾問題。

基 板（包括上銅層、氮化鋁陶瓷層與下銅層）、陶瓷層及填充介電層，功率模塊實際示意 圖如圖 1 所示。

在Si基半導體材料基礎上，在開關過程中Mosfet比硅IGBT有更高的電阻(R)(R在漏/源上= Rdson)。 在400 V時，較高的硅MOSFET功率損耗已經不適用，在800 V時，它們被排除在選項之外(見圖5)。硅MOSFET的反向耐壓越高，其Rdson越高。在600v電壓水平以上，這種特點對整體效率有巨大影響。

除光芯片外，由于高速傳輸對散熱的需求，高導熱、低膨脹的金屬基復合材料如鎢銅合金、金剛石/銅復合材料等在光芯片封裝領域的應用也正在增長。

在不到三年的時間里，中微已經在全球氮化鎵基LED MOCVD設備市場占據領先地位。沈陽拓荊拓荊科技股份有限公司成立于2010年4月，是國家高新技術企業，主要從事高端半導體專用設備的研發、生產、銷售與技術服務。